KR910005478A - 박막트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
박막트랜지스터의 제조방법Info
- Publication number
- KR910005478A KR910005478A KR1019890012029A KR890012029A KR910005478A KR 910005478 A KR910005478 A KR 910005478A KR 1019890012029 A KR1019890012029 A KR 1019890012029A KR 890012029 A KR890012029 A KR 890012029A KR 910005478 A KR910005478 A KR 910005478A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- film transistor
- layer
- manufacturing thin
- deposited
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
내용없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 기술에 의한 박막트랜지스터의 일예를 보인 확대 종단면도.
제2도는 종래 기술에 의한 박막트랜지스터의 다른 예를 보인 확대 종단면도.
제3도는 본 발명에 의한 박막트랜지스터의 다른 예를 보인 확대 종단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 글래스기판 2 : 게이트전극
3 : 게이트절연층 4 : a-Si : H층
5 : 에치스토퍼 6 : n+a-Si : H층
7 : 소오스전극 8 : 드레인전극
9 : 광차단금속막
Claims (1)
- 글래스기판(1)의 상면에 게이트전극(2)을 증착형성하고, 그 상면에 게이트절연층(3), a-Si : H층(4), 에치스토퍼(5)를 연속적으로 증착형성하며, 이후, n+a-Si : H층(6)을 증착형성하고, 상기 n+a-Si : H층(6)의 상면에 소오스전극(7) 및 드레인전극(8)을 각각 형성하며, 상기 글래스기판(1)의 하면에 광차단금속막(9')을 형성하는 박막트랜지스터의 제조방법에 있어서, 상기 광차단금속막(9')을 소오스전극(7) 및 드레인전극(8)의 포토마스크를 이용하여 소오스전극(7) 및 드레인전극(8)의 폭과 같도록 증착형성함을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019890012029A KR970006736B1 (ko) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019890012029A KR970006736B1 (ko) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR910005478A true KR910005478A (ko) | 1991-03-30 |
KR970006736B1 KR970006736B1 (ko) | 1997-04-29 |
Family
ID=19289183
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019890012029A KR970006736B1 (ko) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970006736B1 (ko) |
-
1989
- 1989-08-23 KR KR1019890012029A patent/KR970006736B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR970006736B1 (ko) | 1997-04-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970022414A (ko) | 액정표시 소자의 제조방법 | |
KR910005478A (ko) | 박막트랜지스터의 제조방법 | |
KR920003534A (ko) | 박막트랜지스터의 제조방법 | |
KR930005239A (ko) | Tft의 제조방법 | |
KR960039215A (ko) | 박막트랜지스터 오믹콘택형성방법 | |
KR910005390A (ko) | 고전압용 박막 트랜지스터 및 그 제조법 | |
KR910017646A (ko) | 플라즈마 산화를 이용한 박막 fet트랜지스터의 제조방법 | |
KR930014941A (ko) | 박막 트랜지스터 제조방법 | |
KR920008957A (ko) | 박막트랜지스터의 제조방법 | |
KR940016742A (ko) | 박막트랜지스터 및 그 게이트전극 제조방법 | |
KR940003088A (ko) | 박막트랜지스터의 제조방법 | |
KR910010648A (ko) | 폴리 실리콘 박막트랜지스터 | |
KR970024301A (ko) | 박막 트랜지스터 제조방법 | |
KR900017150A (ko) | 다중 게이트 박막 트랜지스터 제조방법 | |
KR860003668A (ko) | 액정구동용 활성화행열 박막트랜지스타의 제조방법 | |
KR900005559A (ko) | 박막트랜지스터의 게이트 금속층에 의한 소오스, 드레인 패턴자체 정렬방법 | |
KR960006080A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
KR950021763A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
KR940022902A (ko) | 박막트랜지스터 및 이를 구비한 액정판넬 제조방법 | |
KR920003544A (ko) | 복수개의 게이트 절연층을 갖는 박막트랜지스터 | |
KR910005467A (ko) | 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 구조 | |
KR930024148A (ko) | Tft-lcd의 수평구조 | |
KR950015813A (ko) | 박막트랜지스터의 제조방법 | |
KR930014943A (ko) | 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
KR920013770A (ko) | 박막 트랜지스터 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20070702 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |