KR910005478A - 박막트랜지스터의 제조방법 - Google Patents

박막트랜지스터의 제조방법

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KR910005478A
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김진하
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이헌조
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors

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Abstract

내용없음.

Description

박막트랜지스터의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 기술에 의한 박막트랜지스터의 일예를 보인 확대 종단면도.
제2도는 종래 기술에 의한 박막트랜지스터의 다른 예를 보인 확대 종단면도.
제3도는 본 발명에 의한 박막트랜지스터의 다른 예를 보인 확대 종단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 글래스기판 2 : 게이트전극
3 : 게이트절연층 4 : a-Si : H층
5 : 에치스토퍼 6 : n+a-Si : H층
7 : 소오스전극 8 : 드레인전극
9 : 광차단금속막

Claims (1)

  1. 글래스기판(1)의 상면에 게이트전극(2)을 증착형성하고, 그 상면에 게이트절연층(3), a-Si : H층(4), 에치스토퍼(5)를 연속적으로 증착형성하며, 이후, n+a-Si : H층(6)을 증착형성하고, 상기 n+a-Si : H층(6)의 상면에 소오스전극(7) 및 드레인전극(8)을 각각 형성하며, 상기 글래스기판(1)의 하면에 광차단금속막(9')을 형성하는 박막트랜지스터의 제조방법에 있어서, 상기 광차단금속막(9')을 소오스전극(7) 및 드레인전극(8)의 포토마스크를 이용하여 소오스전극(7) 및 드레인전극(8)의 폭과 같도록 증착형성함을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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