KR910010648A - 폴리 실리콘 박막트랜지스터 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명 폴리 실리콘 박막트랜지스터의 평면도.
제4도는 제3도의 b-b'단면을 보인 단면도.
Claims (1)
- 유리기판 (11)위에 n+폴리 실리콘막(12)을 증착후 패턴닝하고, 그 위에 폴리 실리콘막(13)을 증착하여 패턴닝한뒤, SiO2층(14)을 증착하며, 그 SiO2층(14)이에 게이트를 위한 Cr층(15)을 증착후 패턴닝하고, 다시 SiO2층(16)을 증착한후 소오스 및 드레인을 위한 Al을 접착시켜 소오스(18)및 드레인(19)을 형성하며, 이 드레인(19)의 단부에 화소전극을 위한 투명전도막(17)을 접착시켜 게이트(15)와 소오스(18), 게이트(15)와 드레인(19)간의 공유접촉면적을 줄이고, 게이트(13)부위에 패턴닝되는 소오스(18)와 드레인(19)라인을 길게함을 특징으로 하는 폴리 실리콘 박막트랜지스터.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890018562A KR910010648A (ko) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 폴리 실리콘 박막트랜지스터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890018562A KR910010648A (ko) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 폴리 실리콘 박막트랜지스터 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019890017818 Division | 1989-11-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910010648A true KR910010648A (ko) | 1991-06-29 |
Family
ID=67662473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890018562A KR910010648A (ko) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | 폴리 실리콘 박막트랜지스터 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR910010648A (ko) |
-
1989
- 1989-12-14 KR KR1019890018562A patent/KR910010648A/ko not_active Application Discontinuation
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