KR910001933A - Tft 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (A)~(H)는 본 발명의 TFT제조방법을 나타낸 단면도.
Claims (1)
- TFT제조방법에 있어서, 유리기판상에 게이트전극 형성과, 게이트 절연막 및 a-si층을 연이어 증착하고, a-si층은 소정의 패턴으로 에칭하는 단계와, PR층을 코팅 및 패터닝하고 오믹 접촉을 위한 n-a-si층을 증착하는 단계와, 상기 PR층을 제거하고, 드레인 및 소오스 전극을 증착 패너팅하는 단계를 포함하는 TFT제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890009238A KR910001933A (ko) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | Tft 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890009238A KR910001933A (ko) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | Tft 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910001933A true KR910001933A (ko) | 1991-01-31 |
Family
ID=68084132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890009238A KR910001933A (ko) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | Tft 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR910001933A (ko) |
-
1989
- 1989-06-30 KR KR1019890009238A patent/KR910001933A/ko not_active Application Discontinuation
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| WITN | Withdrawal due to no request for examination |