KR950010116A - 액정표시장치 구동용 박막트랜지스터어레이 및 그 제조방법 - Google Patents

액정표시장치 구동용 박막트랜지스터어레이 및 그 제조방법 Download PDF

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KR950010116A
KR950010116A KR1019930017744A KR930017744A KR950010116A KR 950010116 A KR950010116 A KR 950010116A KR 1019930017744 A KR1019930017744 A KR 1019930017744A KR 930017744 A KR930017744 A KR 930017744A KR 950010116 A KR950010116 A KR 950010116A
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KR
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thin film
film transistor
cdse
liquid crystal
crystal display
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KR1019930017744A
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Inventor
채기성
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이헌조
주식회사 금성사
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본 발명은 액정표시장치 구동용 박막트랜지스터어레이에 관한 것으로 박막트랜지스터어레이의 구동회로부와 픽셀부의 각 부분별로 필요한 소자특성을 갖도록 하기 위해 구동회로부의 박막트랜지스터는 금속이온이 도핑된 CdSe활성층을 가지며, 상기 픽셀부의 박막트랜지스터는 금속이온이 도핑되지 않은 CdSe활성층을 가진 구조로된 액정표시장치 구동용 박막트랜지스터어레이를 제공하며, 이를 제조하기 위한 방법으로서, 투명기판(10)상에 금속박막(11)을 증착한 후 패터닝하여 구동회로부영역의 소정영역에만 금속박막패턴(11)을 형성하는 공정, 결과물 전면에 CdSe막(12)을 증착한 후 열처리하여 상기 금속박막(11)으로부터의 금속이온을 CdSe막(12)로 확산시키는 공정, 상기 CdSe막을 소정패턴으로 패터닝하여 구동회로부 박막트랜지스터 및 픽셀부 박막트랜지스터 각각의 소오스 및 드레인전극(14)을 형성하는 공정, 결과물 전면에 게이트절연막(15)을 형성하는 공정, 상기 게이트절연막(15) 상부 소정영역에 박막트랜지스터 및 픽셀부 박막트랜지스터 각각의 게이트전극(16)을 형성하는 공정으로 이루어진 액정표시장치 구동용 박막트랜지스터어레이 제조방법을 제공한다.

Description

액정표시장치 구동용 박막트랜지스터어레이 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 CdSe박막트랜지스터 제조방법을 도시한 제조공정도.

Claims (2)

  1. 픽셀부와 구동회로부로 구성되는 액정표시장치 구동용 박막트랜지스터 어레이에 있어서, 상기 구동회로부의 박막트랜지스터는 금속이온이 도핑된 CdSe활성층을 가지며, 상기 픽셀부의 박막트랜지스터는 금속이온이도핑되지 않은 CdSe활성층을 가진 구조로 된 것을 특징으로 하는 액정표시장치 구동용 박막트랜지스터 어레이.
  2. 픽셀부와 구동회로부로 구성되는 액정표시장치 구동용 박막트랜지스터 어레이의 제조방법에 있어서, 투명기판(10)상에 금속박막(11)을 증착한 후 패터닝하여 구동회로부영역의 소정영역에만 금속박막패턴(11)을 형성하는 공정, 결과물 전면에 CdSe막(12)을 증착한 후 열처리하여 상기 금속박막(11)으로부터의 금속이온을 CdSe막(12)로 확산시키는 공정, 상기 CdSe막을 소정패턴으로 패터닝하여 구동회로부 박막트랜지스터 및 픽셀부 박막트랜지스터 각각의 활성층(12)을 형성하는 공정, 상기 활성층(12) 상부 소정영역에 구동회로부 박막트랜지스터 및 픽셀부 박막트랜지스터 각각의 소오스 및 드레인전극(14)을 형성하는 공정, 결과물 전면에 게이트절연막(15)을 형성하는 공정, 상기 게이트절연막(15) 상부 소정영역에 구동회로부 박막트랜지스터 및 픽셀부 박막트랜지스터 각각의 게이트전극(16)을 형성하는 공정이 구비된 것을 특징으로 하는 액정표시장치 구동용 박막트랜지스터어레이 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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