KR950009976A - 폴리실리콘 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 폴리실리콘 박막트랜지스터 제조방법에 관한것으로, 종래에는 박막트랜지스터 제조시 활성층을 비정질 실리콘이나 폴리실리콘으로 제조하였는데, 이때 비정질실리콘으로 할 경우 전계효과 이동도(Field Effect Mobility)가 작아서 동작특성이 저하되고, 폴리실리콘으로 할 경우에는 제조경비가 많이드는 문제점과 비정질 실리콘이나 폴리실리콘의 경우 공히 소오스/드레인전극 크기에 의한 디스플레이에서 개구율이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 엑시머레이저(excimer laser)를 이용해 비정질실리콘을 폴리화하여 접촉층(contact layer)(n+-a-Si:H)을 형성함으로써 제조공정을 단순화 시킬수 있고, 박막트랜지스터를 스위칭소자로 사용하는 판넬제작시 생산성 및 수율을 향상시킬수 있으며, 박막트랜지스터용 엘시디(LCD) 판넬에 응용할 경우 소오스/드레인전극을 폴리화함으로서 개구율을 향상시킬수 있도록 한 폴리실리콘 박막트랜지스터를 창안한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명 폴리실리콘 박막트랜지스터 구성도,
제4도의 (a) 내지 (d)는 제3도에 대한 제조공정도.
Claims (1)
- 기판위에 게이트전극과 게이트절연막을 차례로 형성하는 단계와, 비정질실리콘을 증착한후 활성층을 형성하는 단계와, 고농도비정질실리콘을 증착한후 엑시머레이저를 조사하여 고농도비정질실리콘과 활성층의 일부를 폴리화하는 단계와, 폴리화되지 않은 고농도비정질실리콘을 식각하여 소오스/드레인전극을 형성하는 단계와, 보호막과 홀을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 박막 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930020277A KR950009976A (ko) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 폴리실리콘 박막트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930020277A KR950009976A (ko) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 폴리실리콘 박막트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950009976A true KR950009976A (ko) | 1995-04-26 |
Family
ID=66824087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930020277A KR950009976A (ko) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 폴리실리콘 박막트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950009976A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100679917B1 (ko) * | 2000-09-09 | 2007-02-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
-
1993
- 1993-09-28 KR KR1019930020277A patent/KR950009976A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100679917B1 (ko) * | 2000-09-09 | 2007-02-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
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