KR970011969A - 박막트랜지스터-액정표시장치 및 제조방법 - Google Patents

박막트랜지스터-액정표시장치 및 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 박막트랜지스터-액정표시장치(LCD:liquid crystal display) 및 제조방법에 관한 것으로, 특히 화소전극(ITO)과 박막트랜지스터의 드레인전극이 하나의 투명도전체로 형성된 구조를 가지는 픽셀 제조시 공정진행상 드레인/화소전극(ITO)이 손상되어 발생되던 소자 불량의 문제점을 해결하여 생산수율을 향상시키기에 적합하도록 일체형 드레인/화소전극 상부에 보호막이 부가형성된 구조와 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.

Description

박막트랜지스터-액정표시장치 및 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 역스테거형 박막트랜지스터를 가지는 박막트랜지스터-액정표시장치 제조 공정의 각 단계를 예시한 공정도,
제4도는 본 발명의 자기정렬형 탑게이트 박막트랜지스터를 가지는 박막트랜지스터-액정표시장치 제조공정의 각 단계를 예시한 공정도.

Claims (15)

  1. 기판상에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터의 드레인전극과 일체로 형성된 화소전극을 복수개 가지는 박막트랜지스터-액정표시장치에 있어서, 상기 일체로 형성된 드레인전극과 화소전극 상부에 보호막이 부가형성된 것이 특징인 박막트랜지스터-액정표시장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 박막트랜지스터는 게이트전극이 활성층 하부에 형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터-액정표시장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 박막트랜지스터는 게이트전극이 활성층 상부에 형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터-액정표시장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 박막트랜지스터는 활성층이 비정질실리콘인 것이 특징인 박막트랜지스터-액정표시장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 박막트랜지스터는 활성층이 다결정실리콘 박막트랜지스터인 것이 특징인 박막트랜지스터-액정표시장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 보호막은 투명절연막인 것이 특징인 박막트랜지스터-액정표시장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 투명절연막은 실리콘산화막 또는 실리콘질화막 중 하나인 것이 특징인 박막트랜지스터-액정표시장치.
  8. 박막트랜지스터-액정표시장치 제조방법에 있어서, 기판상에 게이트전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트전극 및 기판 전면에 게이트절연막, 반도체층, 도핑된 반도체층을 차례로 적층하고, 상기 도핑된 반도체층과 상기 반도체층을 차례로 패터닝하여 활성층을 형성하는 단계와, 상기 활성층의 일측과 게이트절연막 위에 투명도전층과 투명절연층을 차례로 적층한 후 패터닝하여 일체형 드레인/화소전극 및 보호막을 형성시키는 단계와, 상기 전면에 금속층을 증착하고, 패터닝하여, 상기 게이트 절연막과 상기 일체형 드레인/화소전극에 형성된 활성층의 타측 상부에 상기 금속층으로 소오스전극을 형성시키는 단계를 포함하는 박막트랜지스터-액정표시장치 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 반도체층으로 비정질실리콘을 사용하는 것이 특징인 박막트랜지스터-액정표시장치 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 투명절연층은 실리콘산화막 또는 실리콘질화막 중 하나를 사용하는 것이 특징인 박막트랜지스터-액정표시장치.
  11. 제8항에 있어서, 상기 소오스전극은 저저항성도전층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터-액정표시장치 제조방법.
  12. 박막트랜지스터-액정표시장치 제조방법에 있어서, 기판상에 활성층을 형성하는 단계와, 상기 활성층과 상기 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트절연막 상에 게이트전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트전극을 마스크로 이온주입하여 상기 활성층에 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계와, 상기 게이트와 상기 게이트절연막 상부에 절연물질을 적층하여 중간절연막을 형성하는 단계와, 상기 중간절연막과 상기 게이트절연막에 상기 소오스/드레인영역을 선택적으로 제거하여 접촉홀을 형성하는 단계와, 상기 드레인영역에 연결되는 접촉홀과 상기 중간절연막 상부와 이에 연장하여 투명전도층과 투명절연층을 차례로 적층하고 패터닝하여 일체형 드레인/화소전극 및 표면보호막을 형성하는 단계와, 상기 소오스영역에 연결되는 접촉홀과 상기 중간절연막 상부에 금속층을 적층하고 패터닝하여 소오스전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막트랜지스터-액정표시소자 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 활성층은 다결정실리콘을 사용하는 것이 특징인 박막트랜지스터-액정표시장치 제조방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 투명절연층으로 실리콘산화막 또는 실리콘질화막 중 하나를 사용하는 것이 특징인 박막트랜지스터-액정표시장치 제조방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 소오스전극은 저저항도전층으로 형성시키는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터-액정표시장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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