JP3255942B2 - 逆スタガ薄膜トランジスタの作製方法 - Google Patents

逆スタガ薄膜トランジスタの作製方法

Info

Publication number
JP3255942B2
JP3255942B2 JP17454191A JP17454191A JP3255942B2 JP 3255942 B2 JP3255942 B2 JP 3255942B2 JP 17454191 A JP17454191 A JP 17454191A JP 17454191 A JP17454191 A JP 17454191A JP 3255942 B2 JP3255942 B2 JP 3255942B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tft
film
region
laser
source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP17454191A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0645354A (ja
Inventor
宏勇 張
直人 楠本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=15980350&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP3255942(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority to JP17454191A priority Critical patent/JP3255942B2/ja
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of JPH0645354A publication Critical patent/JPH0645354A/ja
Priority to US08/260,751 priority patent/US5648662A/en
Priority to US08/455,067 priority patent/US5811328A/en
Priority to US09/045,696 priority patent/US6124155A/en
Priority to US09/233,143 priority patent/US6166399A/en
Priority to US09/291,279 priority patent/US6335213B1/en
Priority to JP2000168290A priority patent/JP3457262B2/ja
Priority to US10/011,708 priority patent/US6797548B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3255942B2 publication Critical patent/JP3255942B2/ja
Priority to US10/140,057 priority patent/US6756258B2/en
Priority to US10/140,176 priority patent/US6847064B2/en
Priority to US10/925,984 priority patent/US7507991B2/en
Priority to US11/898,833 priority patent/US7923311B2/en
Priority to US12/987,397 priority patent/US20110101362A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H01L21/02686—Pulsed laser beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02488—Insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1229—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with different crystal properties within a device or between different devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66757—Lateral single gate single channel transistors with non-inverted structure, i.e. the channel layer is formed before the gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66765—Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the channel layer is formed after the gate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13454—Drivers integrated on the active matrix substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78651—Silicon transistors
    • H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
    • H01L29/78672—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor
    • H01L29/78675—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor with normal-type structure, e.g. with top gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78651—Silicon transistors
    • H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
    • H01L29/78672—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor
    • H01L29/78678—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor with inverted-type structure, e.g. with bottom gate

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多結晶（微結晶）シリ
コン薄膜トランジスタの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】多結晶（微結晶）シリコン膜を得る方法
の一つに、成膜されたアモルファスシリコン（以下「a-
Si」という）膜にレーザーを照射することによりa-Siを
結晶化させるという方法があり、一般によく知られてい
る。その技術を利用したレーザー結晶化薄膜トランジス
タは、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ（以下
「a-SiＴＦＴ」という）に比べて電界効果移動度などの
電気特性が優れているため、アクティブ型液晶ディスプ
レイ（ＬＣＤ）やイメージセンサーなどの周辺駆動回路
に使われている。
【０００３】レーザー結晶化薄膜トランジスタの代表的
な作製方法は、先ず出発膜であるアモルファスシリコン
(a-si)膜をレーザーで照射することによって結晶化さ
せ、その後一連の製造プロセスによってデバイス構造を
加工するというものである。製造プロセスの最初または
途中で結晶化工程を行なうことは従来の製造方法の一番
の特徴である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような製造方法に
よって薄膜トランジスタを作製した場合、次のような問
題点が生じる。 （１）レーザー結晶化を製造工程の一環として行うこと
により、デバイス完成までＴＦＴの電気特性を評価でき
ず、それを制御することが困難である。 （２）ＴＦＴ作製当初または途中でレーザー結晶化を行
うため、デバイス構造を完成した後に諸電気特性を修正
することが不可能であり、回路システム全体の歩留りが
悪くなる。
【０００５】本発明は、上記の問題点を解決するための
新しい多結晶（微結晶）薄膜トランジスタの作製方法を
提案するものである。
【０００６】
【問題を解決するための手段】本発明はデバイス構造完
成後のレーザー照射による、チャネル形成領域の結晶化
およびソース・ドレインのオーミックコンタクト領域の
活性化を可能とするために、チャネル形成領域およびソ
ース・ドレイン領域のチャネル形成領域側の一部が入射
するレーザー光に対して露呈している構造、またはソー
ス・ドレイン領域がソース・ドレイン電極に対してレー
ザー光入射側に位置し、かつ前記両領域の一部がチャネ
ル形成領域のレーザー光入射側に接する構造の薄膜トラ
ンジスタを用いる。
【０００７】ソース・ドレイン領域の活性化とは、真性
のa-Si膜に種々の方法によって３族または５族の不純物
原子を添加してＰ型またはＮ型の特性を得ようとすると
きに、より良好なＰ型またはＮ型の特性を得るために不
純物を添加した領域にエネルギーを与え不純物を活性化
させ、膜の導電率を向上させることをいう。
【０００８】図１に、デバイス構造完成後にソース・ド
レイン領域となる不純物a-Si層とチャネル形成領域とな
る真性a-Si層に対してレーザー照射によって結晶化及び
活性化を効果的に行うことを可能とする、本願発明のＴ
ＦＴの構造を示す。
【０００９】図１（ａ）においてはＴＦＴアイランド上
のソース電極９とドレイン電極１０間の距離をソース領
域１１とドレイン領域１２間の距離より大きくすること
により、基板上部からのレーザー照射によるソース・ド
レイン領域１１、１２およびチャネル形成領域５の活性
化および結晶化を可能にしている。
【００１０】この時、充分なエネルギー値をもつレーザ
ー光を照射することによりチャネル形成領域となる真性
a-Si層５のうちのソース領域およびドレイン領域の下側
の部分も結晶化し、良好な特性を持つチャネルを得るこ
とができる。またゲート絶縁膜４とチャネル形成領域と
の界面がチャネル形成領域の下側であるためレーザーの
入射によって界面特性が劣化することがないので、デバ
イスの特性を低下させることがない。
【００１１】レーザー光源によく用いられるＵＶ光はＳ
ｉＯ2 を透過することができるため、パシベイション膜
１３が酸化珪素（ＳｉＯ2 ）であればパシベイション膜
上からレーザー照射を行なうことができる。
【００１２】またこれによりレーザー照射によるa-Si膜
上側表面の乱れを防ぐことができる。すなわち、パシベ
イション膜が酸化珪素であればそのパシベイション膜が
a-Si膜のレーザー結晶化をするときに一般に用いられる
キャップ層といわれる、レーザー照射時に膜上側表面の
乱れを防ぐためにレーザー照射対象となるa-Si膜上に成
膜する酸化珪素膜と同じ役割を果たし、高品質なレーザ
ー結晶化膜を得ることが可能である。
【００１３】またレーザーがガラス基板１を透過できる
ようにレーザーの波長またはガラス基板の材質を選ぶこ
とにより、ガラス基板上にガラス基板からの不純物混入
を防ぐ為に成膜した下地膜２とゲート絶縁膜がレーザー
を透過する材料（例えば酸化珪素）であれば、ゲート電
極３をソース・ドレイン電極間の幅より小さくすること
により基板下部からレーザーを照射してソース・ドレイ
ン電極の下側の不純物領域を結晶化および活性化させる
ことができ、諸特性のより大きな向上を得ることもでき
る。下地膜およびゲート絶縁膜が酸化珪素膜であれば、
それらは同時にキャップ層としても作用し、膜下側表面
の乱れを防ぐことができる。
【００１４】図１（ｂ）は図１（ａ）の構造をさらに発
展させ、より効果的なソース領域およびドレイン領域に
対するレーザー活性化を可能とするものである。
【００１５】図 1（ｂ）においては不純物領域であるソ
ース領域１１、ドレイン領域１２がソース電極９、ドレ
イン電極１０の上部にそれぞれ位置し、かつチャネル形
成領域５の上側に接する構造になっており、ソース・ド
レイン領域に対するレーザー照射は上部からの照射のみ
で完全に行うことができるので図１（ａ）に比べてより
大きな諸特性の向上と制御しうる値の幅を得ることがで
きる構造となっている。また図１（ａ）と同様に充分な
エネルギー値をもつレーザー光を照射することによりチ
ャネル形成領域となる真性a-Si層５のうちのソース領域
およびドレイン領域の下側の部分も結晶化し、良好な特
性を持つチャネルを得ることができる。またゲート絶縁
膜４とチャネル形成領域との界面がチャネル形成領域の
下側であるためレーザーの入射によって界面特性が劣化
することがないので、デバイスの特性を低下させる事が
ない。またパシベイション膜が酸化珪素であればレーザ
ー照射時におけるキャップ層として作用し、ソース・ド
レイン領域である不純物a-Si膜およびチャネル形成領域
である真性a-Si膜の上側表面のレーザー照射による乱れ
を防ぐことができる。
【００１６】図１（ｃ）、（ｄ）は図１（ａ）、（ｂ）
と全く上下逆の構造をしており、レーザーがガラス基板
を透過できるようにレーザーの波長またはガラス基板の
材質を選ぶことにより、主に基板下部からのレーザー照
射をすることによりチャネル形成領域およびソース・ド
レイン領域の結晶化、活性化を可能とするものである。
【００１７】図１（ｃ）は図１（ａ）を全く上下逆の構
造にしたものであり、図１（ａ）と同様にソース電極９
とドレイン電極１０間の距離をソース領域１１とドレイ
ン領域１２間の距離より大きくすることにより基板下部
からのレーザー照射によるソース・ドレイン領域および
チャネル形成領域５の活性化および結晶化を可能にして
いる。
【００１８】この時、充分なエネルギー値をもつレーザ
ー光を照射することによりチャネル形成領域となる真性
a-Si層５のうちのソース領域およびドレイン領域の下側
の部分も結晶化し、良好な特性を持つチャネルを得るこ
とができる。またゲート絶縁膜とチャネル形成領域との
界面がチャネル形成領域の上側であるため下側からのレ
ーザーの入射によって界面特性が劣化することがないの
で、デバイスの特性を低下させる事がない。
【００１９】さらにガラス基板１上にガラス基板からの
不純物混入を防ぐために成膜した下地膜２が酸化珪素膜
であればそれがキャップ層として作用し、ソース・ドレ
イン領域およびチャネル形成領域である各a-Si膜下側表
面の乱れを防ぐことができる。またパシベイション膜１
３とゲート絶縁膜４がレーザーを透過する材料、例えば
酸化珪素であれば、ゲート電極３をソース・ドレイン電
極間の幅より小さくすることにより基板上部からレーザ
ーを照射してソース・ドレイン電極の上側の不純物領域
を結晶化および活性化させることができ、諸特性のより
大きな向上を得ることもできる。その時パシベイション
膜およびゲート絶縁膜が酸化珪素であれば、それらは同
時にキャップ層としても作用し、レーザー照射によるa-
Si膜上側表面の乱れを防ぐ事ができる。
【００２０】図１（ｄ）は図１（ｃ）の構造をさらに発
展させ、より効果的なソース領域およびドレイン領域に
対するレーザー活性化を可能とするものである。
【００２１】図１（ｄ）においては不純物領域であるソ
ース領域１１、ドレイン領域１２がソース電極９、ドレ
イン電極１０の下部にそれぞれ位置し、かつチャネル形
成領域５の両脇下側に接する構造になっているので、ソ
ース・ドレイン領域に対するレーザー照射は下部からの
照射のみで完全に行うことができるので図１（ｃ）に比
べてより大きな諸特性の向上と制御しうる値の幅を得る
ことができる構造となっている。また図１（ｃ）と同様
に充分なエネルギー値をもつレーザー光を照射すること
によりチャネル形成領域となる真性a-Si層のうちのソー
ス領域およびドレイン領域の上側の部分も結晶化し、良
好な特性を持つチャネルを得ることができる。
【００２２】またゲート絶縁膜４とチャネル形成領域と
の界面がチャネル形成領域の上側であるためレーザーの
入射によって界面特性が劣化することがないので、デバ
イスの特性を低下させる事がない。また下地膜が酸化珪
素であればレーザー照射時におけるキャップ層として作
用し、ソース・ドレイン領域である不純物a-Si膜および
チャネル形成領域である真性a-Si膜の下側表面のレーザ
ー照射による乱れを防ぐことができる。
【００２３】以上のような構造をとることにより、a-Si
薄膜トランジスタのデバイス構造完成後のレーザー照射
によるソース・ドレイン領域およびチャネル形成領域の
活性化、結晶化を行うことができる。
【００２４】以上のように、デバイス構造を加工する前
あるいはその途中でレーザー照射を行なうのではなく、
完全なa-SiＴＦＴのプロセスでデバイスを加工し、デバ
イス構造が完成、すなわち不純物半導体層、真性半導体
層、ゲート絶縁膜の形成、ソース・ドレイン領域の形
成、ソース、ドレイン、ゲートの各電極、および保護膜
膜（パシベイション膜）の成膜まで、または回路配線の
形成までを含んだ工程を終了してから、任意の１つまた
は複数のa-SiＴＦＴのソース・ドレイン領域とチャネル
形成領域に対しレーザーを照射することによって薄膜ト
ランジスタのチャネル形成領域の結晶化またはソース・
ドレイン領域の活性化および結晶化を行なう。この時に
電極と配線ができていれば、基板上の任意のa-SiＴＦＴ
の電気特性をリアルタイムにモニターしながら最適値に
なるまでレーザー照射を行なう事が可能となる。あるい
はレーザー照射を行なった後電気特性を測定するという
工程を繰り返しながら、所望の特性を持つ薄膜トランジ
スタを得ることができる。
【００２５】これにより同一基板上に同一製造工程によ
る復数のa-SiＴＦＴを作製しそのデバイス構造が完成し
た後に、任意の１つまたは複数のa-SiＴＦＴを任意の電
気特性を持つＴＦＴにすることが可能となる。すなわち
同一基板上に異なる電気特性を持つＴＦＴを作製するこ
とが、デバイス構造完成後にレーザー照射をすることで
実現できる。
【００２６】またこれにより同一基板上に同一製造工程
による複数のa-SiＴＦＴを作製しそのデバイス構造が完
成した後、それらのa-SiＴＦＴのうち任意の１つまたは
復数のものをレーザー結晶化による多結晶シリコン薄膜
トランジスタ（以下「 poly-SiＴＦＴ」という）とする
ことができ、デバイス構造を作製する工程を分けること
なく同一基板上にa-SiＴＦＴと poly-SiＴＦＴの両方が
混在するシステムを作製することが可能となる。
【００２７】また、レーザー照射は極めて短い時間に行
われるため基板温度をほとんど上昇させることがなく、
poly-SiＴＦＴを低温（室温〜４００℃）で作製する事
が可能となり、これによって大面積の poly-SiＴＦＴシ
ステムを石英ガラスのような高価なガラスを用いること
なく安価に作製することが可能となる。
【００２８】以下に本発明を用いた実施例を示す。
【００２９】
【実施例】〔実施例１〕本実施例では一体化ＬＣＤ（液
晶ディスブレイ）システムにおけるa-SiＴＦＴと poly-
SiＴＦＴ（多結晶シリコン薄膜トランジスタ）の混合シ
ステムについて説明を行なう。図２に示すような一体化
ＬＣＤシステムには画素マトリクス駆動用ＴＦＴ部分３
０と周辺回路用ＴＦＴ部分３１が必要である。２種類の
ＴＦＴに対して動作速度の要求が完全に違っており、画
素駆動用のものは移動度が１cm2/Vs程度であればもう十
分であるが、周辺回路用のＴＦＴは高速動作（数ＭHZ）
が要求される。このため、画素用ＴＦＴはa-Si材料で、
周辺回路用ＴＦＴは poly-Si材料で構成するのが望まし
い。
【００３０】本発明によれば図２に示すようなシステム
をデバイス構造を作製する工程をa-SiＴＦＴと poly-Si
ＴＦＴで分けることなく一度に作製することができる。
【００３１】図３はＴＦＴの製造方法を模式的に説明す
る概略図である。この実施例では図１（ａ）の構造、す
なわち逆スタガ型構造のＴＦＴを用いた。もちろん他の
構造でも良い。図３（Ａ）において石英ガラス等の高価
でない７００℃以下、例えば約６００℃の熱処理に耐え
うるガラス１上にマグネトロンＲＦ（高周波）スパッタ
法を用いて下地膜２としての酸化珪素（ＳｉＯ2 ）膜を
１０００〜３０００Å、本実施例では２０００Åの厚さ
に形成する。成膜条件は酸素１００％雰囲気、成膜温度
１５０℃、出力４００〜８００Ｗ、圧力０．５Ｐａとし
た。ターゲットに石英または単結晶シリコンを用いた。
成膜速度は３０〜１００Å／分であった。
【００３２】この上に公知のスパッタ法によりゲート電
極となるクロム（Ｃｒ）層３を成膜する。膜厚は８００
〜１０００Å、本実施例では１０００Åとした。これを
第１のフォトマスクＰ１にてパターニングし第３図
（Ｂ）を得た。またゲート電極材料にタンタル（Ｔａ）
を用いてもよい。
【００３３】またゲート電極材料としてアルミニウム
（Ａｌ）を用いた場合、これを第１のフォトマスクＰ１
にてパターニング後、その表面を陽極酸化してもよい。
【００３４】この上にゲート絶縁膜４として窒化珪素膜
（ＳｉＮx ）をＰＣＶＤ法により作製する。膜厚は１０
００〜５０００Å、本実施例では３０００Åとした。原
料ガスにはシラン（ＳｉＨ4 ）とアンモニアガス（ＮＨ
3 ）を１：３の比で用いた。成膜条件は成膜温度２５０
〜３５０℃、本実施例においては２６０℃、ＲＦ周波数
は１３．５６ＭＨｚ、ＲＦ出力は８０Ｗ、圧力０．０５
Ｔｏｒｒ、成膜速度は８０Å／分であった。
【００３５】この上に真性a-Si層５をＰＣＶＤ法により
作製する。膜厚は２００〜１０００Å、本実施例では７
００Åとした。原料ガスにはシラン（ＳｉＨ4 ）を用
い、成膜温度は１５０〜３００℃、本実施例においては
２００℃、ＲＦ周波数は１３．５６ＭＨｚ、ＲＦ出力は
３５Ｗ、圧力は０．５Ｔｏｒｒ、成膜速度は６０Å／分
であった。
【００３６】この上に不純物a-Si層、ここではｎ+ 型の
a-Si層６をＰＣＶＤ法により作製する。膜厚は３００〜
５００Å、本実施例では５００Åとした。原料ガスには
シランを用い、Ｎ型の不純物としてリンを添加するため
にホスフィン（ＰＨ3 ）をシランの１％にあたる量を加
える。成膜温度は１５０〜３００℃、本実施例において
は２００℃、ＲＦ周波数は１３．５６ＭＨｚ、ＲＦ出力
は４０Ｗ、圧力は０．５Ｔｏｒｒ、成膜速度は６０Å／
分であった
【００３７】以上のようにゲート絶縁膜４、真性a-Si層
５、ｎ+ a-Si層６を成膜し、図３（Ｃ）を得た。これら
はいずれもＰＣＶＤ法で成膜しているので、マルチチャ
ンバ方式を用いて連続成膜することは有効である。ま
た、他の成膜方法、例えば減圧気相法、スパッタ法、光
ＣＶＤ法等を用いてもよい。その後、第２のフォトマス
クＰ２を用いてドライエッチングを行い図３（Ｄ）に示
すようなＴＦＴアイランド領域を形成する。
【００３８】次にスパッタ法を用いてソース・ドレイン
電極となるクロム（Ｃｒ）層７を形成し図３（Ｅ）を得
る。膜厚は５００〜１０００Å、本実施例では８００Å
とした。これを第３のフォトマスクＰ３にてパターニン
グする。このときレジスト８を剥離せずにｎ+ a-Si層を
ドライエッチングにてパターニングしてチャネル形成領
域、ソース電極９、ドレイン電極１０、およびソース領
域１１、ドレイン１２領域を形成し、図３（Ｆ）を得
る。
【００３９】ここでレジストを剥離せずにウェットエッ
チングを行うことにより、ソース・ドレイン電極間をソ
ース・ドレイン領域間より大きくするためのオーバーエ
ッチングを行う。これにより上部からのレーザー照射に
よるソース・ドレイン領域の活性化および結晶化を行う
ことができる。この後レジストを剥離し、図３（Ｇ）を
得る。
【００４０】この上に図３（Ｈ）に示すようにパシベイ
ション膜として酸化珪素（ＳｉＯ2）を前述のＲＦスパ
ッタ法を用いて１０００〜３０００Å、本実施例では２
０００Åの厚さに成膜した。ＰＣＶＤ法等を用いてもよ
い。以上でＴＦＴのデバイス構造が完成した。
【００４１】この後、配線を行い、測定器を接続してモ
ニターしながら上部からのレーザー照射を行った。測定
器にはＨＰ−４１４２Ｂを用いた。レーザーにはエキシ
マレーザー、ここでは波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマ
レーザーを用いた。この波長範囲内でＵＶ光がＴＦＴの
上部のパシベイション膜を透過することができる。エネ
ルギーＥは２００〜３５０ｍＪ／ｃｍ2 、照射数１〜５
０ＳＨＯＴＳ、照射時の基板温度ＴS は室温〜４００
℃、であった。
【００４２】これによってモニターしながらチャネル形
成領域或いはソース・ドレイン領域又はその両方にレー
ザーを照射することにより結晶化、活性化を行うことが
でき、図２の３０の画素マトリクス駆動用のＴＦＴにお
いて思いどおりのＴＦＴの諸特性を得ることができた。
この画素マトリクス駆動用のＴＦＴは膨大な数、例えば
６４０×４００＝２５６，０００個ものＴＦＴを全て同
じ特性に作らなければならないので歩留りを良くするこ
とが大変困難であったが、本発明による方法を用いるこ
とにより、特性の大きく異なる不良ＴＦＴを大幅に減ら
すことができ、著しく歩留りを向上させることができ
た。
【００４３】また図２の３１の周辺回路用ＴＦＴ部分に
対し十分なレーザー照射をすることにより著しく特性が
向上し、レーザーを照射する前は電界効果移動度μ1 が
０．５〜０．８ｃｍ2 ／ｖｓ、スレッシュホルド電圧Ｖ
th1 が１０〜２０Ｖであったのに対し、レーザー照射後
は電界効果移動度μ2 が１０〜１００ｃｍ2 ／ｖｓ、ス
レッシュホルド電圧Ｖth2 が５〜７Ｖと大きな特性の向
上がみられ、液晶表示装置の周辺回路用ＴＦＴとして十
分な高速動作が得られた。a-Si膜で形成されたチャネル
形成領域が結晶化され、キャリア移動度の高い poly-Si
膜となっておりpoly-SiＴＦＴとして十分な特性を得て
いた。
【００４４】この後、基板上にＩＴＯ（インジューム・
錫酸化物）をスパッタ法により０．１μｍの厚みに形成
し、フォトマスクを用いて画素電極を形成した。このＩ
ＴＯは室温〜１５０℃で成膜し、２００〜４００℃の酸
素または大気中のアニールにより成就した。画素電極が
レーザーによって変質しないのであれば、画素電極形成
後にＴＦＴに対するレーザー照射を行ってもよい。
【００４５】前記基板上に、オフセット法を用いて、ポ
リイミド前駆体を印刷し、非酸化性雰囲気たとえば窒素
中にて３５０℃１時間焼成を行った。その後、公知のラ
ビング法を用いて、ポリイミド表面を改質し、少なくと
も初期において、液晶分子を一定方向に配向させる手段
を設けた。このようにして液晶表示装置の一方の基板を
得た。
【００４６】他方の基板は、ガラス基板の片側全体にＩ
ＴＯを１μｍ厚みにスパッタ法を用いて形成しフォトマ
スクを用いて対向電極を形成した。このＩＴＯは室温〜
１５０℃で成膜し、２００〜３００℃の酸素または大気
中のアニールにより成就し、第２の基板を得た。
【００４７】前記基板上に、オフセット法を用いて、ポ
リイミド前駆体を印刷し、非酸化性雰囲気たとえば窒素
中にて３５０℃１時間焼成を行った。その後、公知のラ
ビング法を用いて、ポリイミド表面を改質し、少なくと
も初期において、液晶分子を一定方向に配向させる手段
を設けた。
【００４８】その後ネマチック液晶組成物を前記２枚の
基板で挟持し、外部配線を行い、外側に偏光板をはり、
透過型の液晶表示装置を得た。得られた液晶表示装置は
画素マトリクス駆動用ＴＦＴと周辺駆動回路を別々に作
製した物と比較しても全く遜色の無いものであった。
【００４９】以上のようにデバイス構造完成後のレーザ
ー照射によりチャネル形成領域およびソース・ドレイン
領域の結晶化、活性化を行うためには、レーザー光入射
側、ここでは基板上部のパシベイション膜はＵＶ光を透
過するものであることが必要である。またチャネル形成
領域において実際にチャネルとして動作するのはゲート
絶縁膜との界面の部分であるので、チャネル形成領域と
なる真性a-Si層は充分な結晶化を行なうためになるべく
薄い方がよい。
【００５０】このようにしてデバイス構造完成後のa-Si
ＴＦＴのレーザー照射による諸特性の制御および poly-
SiＴＦＴ化が可能になった。また同一基板上の同一デバ
イス構造作製工程でありながらa-SiＴＦＴと poly-SiＴ
ＦＴとを作り分けることが可能となった。また、多くの
poly-SiＴＦＴを用いた回路システムを室温〜４００℃
といった低温で作製する事ができ、石英ガラスのような
高価なガラスを用いずに安価に作製する事が可能となっ
た。
【００５１】〔実施例２〕本発明の応用として冗長回路
構成を持つ poly-SiＴＦＴ型液晶表示装置を作製したの
で、これを説明する。
【００５２】poly-SiＴＦＴ型液晶表示装置のような非
常に多くの poly-SiＴＦＴを用いた回路システムでは全
てのＴＦＴが完全に動作するように作ることは非常に困
難で、現実には歩留り向上のために何らかの冗長構成を
とることが多い。a-SiＴＦＴ型液晶表示装置における画
素マトリクス駆動用a-SiＴＦＴの冗長構成の一つとして
複数の、例えば２つのＴＦＴを並列に接続し、２つのＴ
ＦＴをともに動作させることで、何らかの原因で一方が
動作しなくても、もう一方のＴＦＴが動作することで歩
留りを良くすることができるという方法がある。しかし
poly-SiＴＦＴのＯＮ電流はＴＦＴ１個につき約０．１
ｍＡもありa-SiＴＦＴの約１μＡの約１００倍であり、
冗長目的のために２倍の数のＴＦＴを動作させているこ
とは大変な電力の無駄となり、１画素につき１つのＴＦ
Ｔで動作させることが望まれる。
【００５３】また一方でレーザー結晶化 poly-SiＴＦＴ
回路システムにおいて、全く同じ回路を poly-SiＴＦＴ
で二つ作り、並列に接続できるようにしておき、当初は
一方の回路を動作させておき、それが正常に動作しなく
なったとき、あるいは動作チェック時に正常に動作しな
かったとき、他方の回路につなぎ変えるという冗長構成
をとっている場合、両方の回路をレーザー結晶化させた
poly-SiＴＦＴで構成しなければならず、レーザー照射
時間が２倍かかることになり、消費エネルギーも２倍と
なり、作業時間の伸長と製品のコスト高を招くことにな
る。
【００５４】本発明による方法を用いることにより以上
のような問題点を解決する事ができる。
【００５５】図４に本発明を用いて冗長構成を行った p
oly-SiＴＦＴ型液晶表示装置を示す。図４および図５に
示すように、この液晶表示装置では画素マトリクス駆動
用ＴＦＴ部分２０中の全てのＴＦＴと周辺回路中のシフ
トレジスタ回路２１について、冗長構成をとっている。
画素マトリクス駆動用ＴＦＴはＴＦＴが２つ、シフトレ
ジスタ回路は同じ回路が２つの冗長構成である。
【００５６】まず冗長の対象となる全てのＴＦＴを、図
１にあるような本発明による構造で作製し、デバイス構
造完成後にレーザーを照射することで poly-SiＴＦＴと
して動作することができるようにした。ＴＦＴの作製は
実施例１で述べたように図３に示した工程で行った。パ
シベイション膜を形成し、画素電極を形成する前の状
態、すなわち図３（Ｈ）まで工程を進めた。
【００５７】図５に画素マトリクス駆動用ＴＦＴの配置
図を示す。ここに示したように、ＴＦＴはa-SiＴＦＴで
あり、２つのＴＦＴは並列に接続されている。まずここ
で全ての画素電極に接続されている２つづつのＴＦＴの
うち、どちらか一方、ここでは２３のＴＦＴにレーザー
照射を行い poly-SiＴＦＴとする。ここで測定器を接続
し、動作チェックを行った。ここで異常が無ければ、次
の工程へとすすむ。冗長側のＴＦＴ２４はa-SiＴＦＴで
あるので動作電流が poly-SiＴＦＴに比べ約２桁小さい
のでその影響は実質上無視できる。また閾値電圧が pol
y-SiＴＦＴが０〜約１０Ｖであるのに対しa-SiＴＦＴは
約１０〜約２０Ｖであるので並列動作をすることがなく
レーザー結晶化された poly-SiＴＦＴだけが動作するこ
とになる。
【００５８】正常に動作しないＴＦＴがあった場合、そ
のＴＦＴの冗長側のa-SiＴＦＴ、ここでは２４のＴＦＴ
にレーザー照射を行い poly-SiＴＦＴとし、必要であれ
ば冗長側でない方のＴＦＴへの配線、ここではＡ点をレ
ーザーで焼き切ることで簡単に冗長側への切り替えを行
うことができた。
【００５９】このようにすることで冗長側に切り替える
必要が無かった場合において、２つのＴＦＴで冗長構成
をとっていながら１画素を駆動する poly-SiＴＦＴは実
質的に１つとなり、２つの poly-SiＴＦＴを並列に接続
して冗長構成を実現している方法に比べ約半分の消費電
力にすることができた。また冗長側のＴＦＴへの切替え
も１〜数回のレーザー照射で行うことができ、非常に簡
単で効率的な方法が実現できた。
【００６０】次にシフトレジスタの冗長回路はやはり２
つの同じ回路が並列に作られ、ＴＦＴは図３（Ｈ）の状
態のあとの、電極が接続された状態までa-SiＴＦＴとし
て作られた。コネクタ等で後から接続、切り替えをでき
るようにしておいてもよい。レーザー結晶化はまず一方
の回路、ここでは２１回路中の全てのＴＦＴに対して施
し、測定器を接続して動作チェックを行って、正常に動
作すれは次の工程へと進む。
【００６１】両方の回路が並列に接続されている場合、
冗長回路中のＴＦＴはa-SiＴＦＴであるので動作電流が
poly-SiＴＦＴに比べ約２桁小さいのでその影響は実質
上無視できる。また閾値電圧が poly-SiＴＦＴが０〜約
１０Ｖであるのに対しa-SiＴＦＴは約１０〜約２０Ｖで
あるので並列動作をすることがなくレーザー結晶化され
た poly-SiＴＦＴだけが動作することになる。
【００６２】回路が正常に動作しなかった場合、冗長回
路２２中のa-SiＴＦＴにレーザー照射を行い poly-SiＴ
ＦＴとし、必要であれば冗長側でない方の回路への配
線、ここではＢ点をレーザーで焼き切ることで簡単に冗
長側への切り替えを行うことができた。もちろんコネク
タ等で接続、切り替えを行っても良い。
【００６３】これによって、レーザー結晶化は冗長側へ
の切替えの必要が出てきた時のみに行えばよく、ＴＦＴ
製造工程の始めあるいは途中で全てのＴＦＴにレーザー
照射を行う製造工程に比較して、レーザー照射時間が半
分になり、無駄なエネルギーを使わないで済むので、作
業時間の短縮、コストダウン、省エネルギー等を実現す
ることができた。また冗長側への切替え操作は複雑な配
線作業を伴わず非常に簡単にすることができた。
【００６４】また、この方法は製造段階だけではなく、
使用中に故障となったものに対しても用いることがで
き、同様な方法で性能を回復することかできる。
【００６５】このように、本発明による構造を用いるこ
とにより、 poly-SiＴＦＴで構成された回路において、
小消費電力化、作業時間の短縮、コストダウン、省エネ
ルギー化といった、効果的な冗長方法を実現することが
可能となった。
【００６６】
【発明の効果】本発明より提案した作製法を採用するこ
とにより、下記に述べるような優れた効果が得られた。
【００６７】本発明によればデバイス構造完成後、電気
特性をモニターしながらレーザー照射することによって
回路システムを構成するための最適な薄膜トランジスタ
のバラメータを容易に制御することができた。それによ
って例えばＴＦＴ方式の液晶表示装置のような非常に多
くの数のＴＦＴが均一な特性を持つ必要があるものにお
いてＴＦＴの特性のバラツキが発生した時、本発明によ
る方法を用いることによりそれを修正することができ、
品質と歩留りを著しく向上できた。
【００６８】しかも、デバイス構造上に何ら難しい工程
を加えることなく品質と歩留まりを同時に向上させるこ
とができた。
【００６９】また本発明によれば同一基板上の薄膜トラ
ンジスタの移動度を始めとする諸電気特性を自由に制御
することができ、また必要なＴＦＴだけを結晶化させa-
SiＴＦＴと poly-SiＴＦＴの混合システムを実現するこ
とが可能になった
【００７０】また、レーザー照射はごく短時間に行われ
るため基板温度をほとんど上昇せさることがなく、 pol
y-SiＴＦＴを低温（室温〜４００℃）で作製する事が可
能となり、これによって大面積の poly-SiＴＦＴシステ
ムを石英ガラスのような高価なガラスを用いることなく
安価に作製することが可能となった。
【００７１】本発明によるＴＦＴ構造と一般のＴＦＴ構
造をa-Siにて同一基板上に作製し、本発明の構造をもっ
たＴＦＴに対してレーザー照射を行うことで、a-SiＴＦ
Ｔとpoly-SiＴＦＴの混合システムを実現することが可
能であることは言うまでもない。
【００７２】以上のように、本発明は薄膜トランジスタ
の作製方法において数多くのメリットをもたらすことが
でき、その工業上の効果は大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】・・・・本願発明の薄膜トランジスタの構造
【図２】・・・・液晶表示装置の構成
【図３】・・・・薄膜トランジスタの作製工程
【図４】・・・・冗長構成を持つ poly-SiＴＦＴ駆動型
液晶表示装置
【図５】・・・・
【図４】の液晶表示装置の画素駆動用ＴＦＴの冗長構成
【符号の説明】
１・・・ガラス基板 ２・・・下地膜 ３・・・ゲート電極 ４・・・ゲート絶縁膜 ５・・・チャネル形成領域 ９・・・ソース電極 １０・・・ドレイン電極 １１・・・ソース領域 １２・・・ドレイン領域 １３・・・パシベイション膜 ２０・・・ poly-SiＴＦＴ駆動型液晶表示装置の画素マ
トリクス駆動用 poly-SiＴＦＴ部分 ２１・・・液晶表示装置の周辺回路中のシフトレジスタ
回路 ２２・・・液晶表示装置の周辺回路中の冗長用シフトレ
ジスタ回路 ２３・・・液晶表示装置の画素マトリクス駆動用 poly-
SiＴＦＴ ２４・・・液晶表示装置の画素マトリクス駆動冗長用 p
oly-SiＴＦＴ ３０・・・液晶表示装置の画素マトリクス駆動用ＴＦＴ
部分 ３１・・・液晶表示装置の周辺回路用ＴＦＴ部分
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 29/786 H01L 21/336 H01L 21/20 H01L 21/265 602

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板上にゲート電極を形成し、 前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、 前記ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を有する第１の
    アモルファスシリコン膜を形成し、 前記第１のアモルファスシリコン膜の一部上に接してソ
    ース領域又はドレイン領域を有する第２のアモルファス
    シリコン膜を形成し、 前記第２のアモルファスシリコン膜の一部上に接してソ
    ース電極及びドレイン電極を形成し、 前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に保護膜を形成
    し、 前記基板の上面から前記ソース領域、前記ドレイン領
    域、及び前記チャネル形成領域にレーザー光を照射する
    ことを特徴とする逆スタガ型薄膜トランジスタの作製方
    法。
  2. 【請求項２】基板上にゲート電極を形成し、 前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、 前記ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を有する第１の
    アモルファスシリコン膜を形成し、 前記第１のアモルファスシリコン膜の一部上に接してソ
    ース電極及びドレイン電極を形成し、 前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記第１のア
    モルファスシリコン膜の一部上に接してソース領域又は
    ドレイン領域を有する第２のアモルファスシリコン膜を
    形成し、 前記第２のアモルファスシリコン膜上に保護膜を形成
    し、 前記基板の上面から前記ソース領域、前記ドレイン領
    域、及び前記チャネル形成領域にレーザー光を照射する
    ことを特徴とする逆スタガ型薄膜トランジスタの作製方
    法。
  3. 【請求項３】前記保護膜は前記レーザー光が透過する材
    料からなることを特徴とする請求項１又は２記載の逆ス
    タガ型薄膜トランジスタの作製方法。
  4. 【請求項４】前記レーザー光はエキシマレーザー光であ
    ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載
    の逆スタガ型薄膜トランジスタの作製方法。
JP17454191A 1991-06-19 1991-06-19 逆スタガ薄膜トランジスタの作製方法 Expired - Lifetime JP3255942B2 (ja)

Priority Applications (13)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17454191A JP3255942B2 (ja) 1991-06-19 1991-06-19 逆スタガ薄膜トランジスタの作製方法
US08/260,751 US5648662A (en) 1991-06-19 1994-06-15 Electro-optical device with amorphous and crystalline shift registers
US08/455,067 US5811328A (en) 1991-06-19 1995-05-31 Electro-optical device and thin film transistor and method forming the same
US09/045,696 US6124155A (en) 1991-06-19 1998-03-23 Electro-optical device and thin film transistor and method for forming the same
US09/233,143 US6166399A (en) 1991-06-19 1999-01-19 Active matrix device including thin film transistors
US09/291,279 US6335213B1 (en) 1991-06-19 1999-04-14 Electro-optical device and thin film transistor and method for forming the same
JP2000168290A JP3457262B2 (ja) 1991-06-19 2000-06-05 アクティブ型表示装置
US10/011,708 US6797548B2 (en) 1991-06-19 2001-12-11 Electro-optical device and thin film transistor and method for forming the same
US10/140,057 US6756258B2 (en) 1991-06-19 2002-05-08 Method of manufacturing a semiconductor device
US10/140,176 US6847064B2 (en) 1991-06-19 2002-05-08 Semiconductor device having a thin film transistor
US10/925,984 US7507991B2 (en) 1991-06-19 2004-08-26 Electro-optical device and thin film transistor and method for forming the same
US11/898,833 US7923311B2 (en) 1991-06-19 2007-09-17 Electro-optical device and thin film transistor and method for forming the same
US12/987,397 US20110101362A1 (en) 1991-06-19 2011-01-10 Electro-optical device and thin film transistor and method for forming the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17454191A JP3255942B2 (ja) 1991-06-19 1991-06-19 逆スタガ薄膜トランジスタの作製方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000168290A Division JP3457262B2 (ja) 1991-06-19 2000-06-05 アクティブ型表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0645354A JPH0645354A (ja) 1994-02-18
JP3255942B2 true JP3255942B2 (ja) 2002-02-12

Family

ID=15980350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17454191A Expired - Lifetime JP3255942B2 (ja) 1991-06-19 1991-06-19 逆スタガ薄膜トランジスタの作製方法

Country Status (2)

Country Link
US (11) US5648662A (ja)
JP (1) JP3255942B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8349669B2 (en) 2008-07-02 2013-01-08 Applied Materials, Inc. Thin film transistors using multiple active channel layers

Families Citing this family (173)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3255942B2 (ja) 1991-06-19 2002-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 逆スタガ薄膜トランジスタの作製方法
US5488000A (en) 1993-06-22 1996-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a thin film transistor using a nickel silicide layer to promote crystallization of the amorphous silicon layer
US6713330B1 (en) * 1993-06-22 2004-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a thin film transistor
US5738731A (en) * 1993-11-19 1998-04-14 Mega Chips Corporation Photovoltaic device
JPH07244337A (ja) * 1994-03-04 1995-09-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 情報入出力装置
JP3442500B2 (ja) 1994-08-31 2003-09-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体回路の作製方法
US6008101A (en) * 1994-11-29 1999-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing method of semiconductor device
KR100204071B1 (ko) * 1995-08-29 1999-06-15 구자홍 박막트랜지스터-액정표시장치 및 제조방법
JP3917205B2 (ja) * 1995-11-30 2007-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5926735A (en) * 1996-02-22 1999-07-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming semiconductor device
US6746905B1 (en) 1996-06-20 2004-06-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Thin film transistor and manufacturing process therefor
GB9613065D0 (en) * 1996-06-21 1996-08-28 Philips Electronics Nv Electronic device manufacture
TW324862B (en) * 1996-07-03 1998-01-11 Hitachi Ltd Liquid display apparatus
JPH1050607A (ja) * 1996-07-31 1998-02-20 Sony Corp 半導体装置の製造方法
WO2004079826A1 (ja) * 1996-10-22 2004-09-16 Mitsutoshi Miyasaka 薄膜トランジスタの製造方法、及び表示装置と電子機器
US6444507B1 (en) 1996-10-22 2002-09-03 Seiko Epson Corporation Fabrication process for thin film transistors in a display or electronic device
JP3788649B2 (ja) 1996-11-22 2006-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US6355509B1 (en) * 1997-01-28 2002-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Removing a crystallization catalyst from a semiconductor film during semiconductor device fabrication
US5920772A (en) * 1997-06-27 1999-07-06 Industrial Technology Research Institute Method of fabricating a hybrid polysilicon/amorphous silicon TFT
JPH1187721A (ja) * 1997-09-08 1999-03-30 Advanced Display:Kk 薄膜トランジスタおよびこれを備えた液晶表示装置並びにｔｆｔアレイ基板の製造方法
KR100268895B1 (ko) 1997-12-27 2000-10-16 김영환 박막트랜지스터 및 이의 제조방법
US6180444B1 (en) 1998-02-18 2001-01-30 International Business Machines Corporation Semiconductor device having ultra-sharp P-N junction and method of manufacturing the same
US6673126B2 (en) 1998-05-14 2004-01-06 Seiko Epson Corporation Multiple chamber fabrication equipment for thin film transistors in a display or electronic device
US6582996B1 (en) * 1998-07-13 2003-06-24 Fujitsu Limited Semiconductor thin film forming method
JP2000183358A (ja) * 1998-07-17 2000-06-30 Sony Corp 薄膜半導体装置の製造方法
US6246070B1 (en) * 1998-08-21 2001-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device provided with semiconductor circuit made of semiconductor element and method of fabricating the same
JP4493741B2 (ja) * 1998-09-04 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3542014B2 (ja) * 1998-09-21 2004-07-14 セントラル硝子株式会社 単結晶または多結晶含有非晶質材料の作製方法及びその非晶質材料
US6773953B1 (en) * 1998-12-23 2004-08-10 Intel Corporation Camera sensor identifier via etched flaw
KR100366644B1 (ko) * 1998-12-30 2003-02-20 삼성전자 주식회사 지역별시작위치정보를저장하는기록매체와이정보를이용한데이터관리방법
US6506635B1 (en) 1999-02-12 2003-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and method of forming the same
DE19935046C2 (de) * 1999-07-26 2001-07-12 Schott Glas Plasma-CVD-Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer mikrokristallinen Si:H-Schicht auf einem Substrat sowie deren Verwendung
JP2001077366A (ja) * 1999-08-20 2001-03-23 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 薄膜トランジスタ、液晶表示装置、及び薄膜トランジスタの製造方法
US6515648B1 (en) * 1999-08-31 2003-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register circuit, driving circuit of display device, and display device using the driving circuit
CN1217417C (zh) * 1999-12-10 2005-08-31 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
KR100660814B1 (ko) * 1999-12-31 2006-12-26 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막트랜지스터의 반도체층 형성방법
KR100338125B1 (ko) * 1999-12-31 2002-05-24 구본준, 론 위라하디락사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR100583979B1 (ko) * 2000-02-11 2006-05-26 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른액정표시장치
JP4118484B2 (ja) 2000-03-06 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001257350A (ja) 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP4118485B2 (ja) 2000-03-13 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4700160B2 (ja) 2000-03-13 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP4683688B2 (ja) 2000-03-16 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4393662B2 (ja) 2000-03-17 2010-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4152603B2 (ja) * 2000-04-27 2008-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP4785229B2 (ja) 2000-05-09 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
GB0017471D0 (en) * 2000-07-18 2000-08-30 Koninkl Philips Electronics Nv Thin film transistors and their manufacture
US6891627B1 (en) 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
JP4925528B2 (ja) * 2000-09-29 2012-04-25 三洋電機株式会社 表示装置
JP2002134396A (ja) * 2000-10-25 2002-05-10 Sony Corp 半導体装置の製造方法および半導体パターン自動調節装置
US7071037B2 (en) 2001-03-06 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6462388B1 (en) 2001-07-26 2002-10-08 Hewlett-Packard Company Isolation of memory cells in cross point arrays
US6734109B2 (en) * 2001-08-08 2004-05-11 International Business Machines Corporation Method of building a CMOS structure on thin SOI with source/drain electrodes formed by in situ doped selective amorphous silicon
TW535296B (en) * 2002-05-31 2003-06-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Method for producing thin film transistor
US7023500B2 (en) * 2002-06-05 2006-04-04 Hitachi, Ltd. Display device with active-matrix transistor having silicon film modified by selective laser irradiation
KR100470274B1 (ko) * 2002-11-08 2005-02-05 진 장 덮개층을 이용한 비정질 물질의 상 변화 방법
US7116694B2 (en) * 2002-12-11 2006-10-03 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Transmitter array with pixel element that has primary semiconductor laser and at least one secondary semiconductor laser
EP2256807A3 (en) * 2003-01-08 2017-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and its fabricating method
JP2004241397A (ja) * 2003-01-23 2004-08-26 Dainippon Printing Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4406540B2 (ja) * 2003-03-28 2010-01-27 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法
TWI316736B (en) * 2003-05-02 2009-11-01 Au Optronics Corp Method of fabricating polysilicon film by excimer laser crystallization process
KR100928490B1 (ko) * 2003-06-28 2009-11-26 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 그 제조 방법
US7253391B2 (en) 2003-09-19 2007-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Optical sensor device and electronic apparatus
CN100477240C (zh) 2003-10-06 2009-04-08 株式会社半导体能源研究所 半导体器件以及制造该器件的方法
KR100585873B1 (ko) * 2003-11-03 2006-06-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 폴리실리콘 액정표시소자 및 그 제조방법
JP4712352B2 (ja) * 2003-11-14 2011-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
KR100558284B1 (ko) * 2003-12-24 2006-03-10 한국전자통신연구원 폴리실리콘층의 결정화/활성화 방법 및 이를 이용한폴리실리콘 박막트랜지스터 제조방법
KR100600874B1 (ko) * 2004-06-09 2006-07-14 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터 및 그의 제조 방법
US7221039B2 (en) * 2004-06-24 2007-05-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Thin film transistor (TFT) device structure employing silicon rich silicon oxide passivation layer
JP4649896B2 (ja) * 2004-07-09 2011-03-16 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法、並びにこの半導体装置を備えた表示装置
TWI234288B (en) * 2004-07-27 2005-06-11 Au Optronics Corp Method for fabricating a thin film transistor and related circuits
JP4817636B2 (ja) 2004-10-04 2011-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
TWI247432B (en) * 2004-12-03 2006-01-11 Chunghwa Picture Tubes Ltd Manufacturing method of thin film transistor and poly-silicon layer
KR100580640B1 (ko) * 2004-12-17 2006-05-16 삼성전자주식회사 다결정 실리콘 필름의 제조방법 및 이를 이용한 적층형트랜지스터의 제조방법
TWI279916B (en) * 2005-01-31 2007-04-21 Au Optronics Corp TFT array substrate of a LCD, LCD panel and method of fabricating the same
EP1935027B1 (en) * 2005-10-14 2017-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4200458B2 (ja) * 2006-05-10 2008-12-24 ソニー株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
KR100785019B1 (ko) * 2006-06-09 2007-12-11 삼성전자주식회사 하부 게이트 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR100785020B1 (ko) * 2006-06-09 2007-12-12 삼성전자주식회사 하부 게이트 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US20080003397A1 (en) * 2006-06-28 2008-01-03 Markku Rasanen Optical memory and method for preparing an optical memory
JP2008124266A (ja) * 2006-11-13 2008-05-29 Hitachi Displays Ltd 表示装置および表示装置の製造方法
US20100158875A1 (en) * 2006-12-18 2010-06-24 University Of Pittsburgh - Of The Commonwealth System Of Higher Education Muscle derived cells for the treatment of gastro-esophageal pathologies and methods of making and using the same
KR100937173B1 (ko) * 2006-12-26 2010-01-15 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 액정표시장치용 어레이 기판 및 그제조방법
KR101293566B1 (ko) 2007-01-11 2013-08-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
EP1986238A3 (en) * 2007-04-27 2010-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Resin molded optical semiconductor device and corresponding fabrication method
EP2153468B1 (en) * 2007-05-31 2010-12-01 Canon Kabushiki Kaisha Manufacturing method of thin film transistor using oxide semiconductor
US9176353B2 (en) * 2007-06-29 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8921858B2 (en) * 2007-06-29 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US8334537B2 (en) * 2007-07-06 2012-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US7998800B2 (en) * 2007-07-06 2011-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US7738050B2 (en) 2007-07-06 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Liquid crystal display device
TWI521292B (zh) 2007-07-20 2016-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
TWI456663B (zh) 2007-07-20 2014-10-11 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置之製造方法
JP2009049384A (ja) * 2007-07-20 2009-03-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US7897971B2 (en) * 2007-07-26 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101399608B1 (ko) * 2007-07-27 2014-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작방법
US8330887B2 (en) * 2007-07-27 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
JP5718052B2 (ja) 2007-08-02 2015-05-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 薄膜半導体材料を用いる薄膜トランジスタ
US7968885B2 (en) * 2007-08-07 2011-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP5058909B2 (ja) 2007-08-17 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマｃｖｄ装置及び薄膜トランジスタの作製方法
US9054206B2 (en) 2007-08-17 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8101444B2 (en) * 2007-08-17 2012-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2009071289A (ja) * 2007-08-17 2009-04-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US7611930B2 (en) * 2007-08-17 2009-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing display device
US8349671B2 (en) * 2007-09-03 2013-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Methods for manufacturing thin film transistor and display device
JP5395384B2 (ja) 2007-09-07 2014-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
JP5371341B2 (ja) 2007-09-21 2013-12-18 株式会社半導体エネルギー研究所 電気泳動方式の表示装置
US20090090915A1 (en) 2007-10-05 2009-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, display device having thin film transistor, and method for manufacturing the same
JP2009130229A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
US8030655B2 (en) 2007-12-03 2011-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, display device having thin film transistor
US7910929B2 (en) 2007-12-18 2011-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
DE112008003488B4 (de) * 2007-12-25 2012-01-19 Ulvac, Inc. Verfahren zum Herstellen eines Dünnschichttransistors und Dünnschichttransistor
JP5527966B2 (ja) 2007-12-28 2014-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタ
US8980066B2 (en) 2008-03-14 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Thin film metal oxynitride semiconductors
US8247315B2 (en) * 2008-03-17 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device
WO2009128522A1 (en) * 2008-04-18 2009-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor and method for manufacturing the same
JP5416460B2 (ja) * 2008-04-18 2014-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの作製方法
KR101635625B1 (ko) * 2008-04-18 2016-07-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 트랜지스터 및 그 제작 방법
US8053294B2 (en) 2008-04-21 2011-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film transistor by controlling generation of crystal nuclei of microcrystalline semiconductor film
JP5542364B2 (ja) 2008-04-25 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
JP5436017B2 (ja) * 2008-04-25 2014-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5305731B2 (ja) * 2008-05-12 2013-10-02 キヤノン株式会社 半導体素子の閾値電圧の制御方法
KR101602252B1 (ko) * 2008-06-27 2016-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 트랜지스터, 반도체장치 및 전자기기
KR101703511B1 (ko) * 2008-06-27 2017-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 트랜지스터
KR101482635B1 (ko) * 2008-08-01 2015-01-21 삼성디스플레이 주식회사 게이트 구동 회로, 이를 갖는 표시 장치 및 표시 장치의제조 방법
US8227278B2 (en) * 2008-09-05 2012-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Methods for manufacturing thin film transistor and display device
US8283667B2 (en) 2008-09-05 2012-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor
JP5142414B2 (ja) * 2008-10-08 2013-02-13 株式会社アルバック 真空処理装置
KR101263726B1 (ko) * 2008-11-07 2013-05-13 엘지디스플레이 주식회사 폴리실리콘을 이용한 박막트랜지스터를 포함하는 어레이 기판 및 이의 제조방법
JP5498762B2 (ja) * 2008-11-17 2014-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
KR101643204B1 (ko) 2008-12-01 2016-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR20100067612A (ko) 2008-12-11 2010-06-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 트랜지스터 및 표시 장치
WO2010067698A1 (en) 2008-12-11 2010-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor and display device
JP5436231B2 (ja) * 2009-01-16 2014-03-05 昭和電工株式会社 半導体素子の製造方法及び半導体素子、並びに半導体装置
US8247812B2 (en) * 2009-02-13 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
US8278657B2 (en) * 2009-02-13 2012-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
CN101840936B (zh) * 2009-02-13 2014-10-08 株式会社半导体能源研究所 包括晶体管的半导体装置及其制造方法
WO2010103906A1 (en) 2009-03-09 2010-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor
US9018109B2 (en) * 2009-03-10 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor including silicon nitride layer and manufacturing method thereof
US9401431B2 (en) * 2009-04-21 2016-07-26 Cbrite Inc. Double self-aligned metal oxide TFT
JP5888802B2 (ja) 2009-05-28 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタを有する装置
WO2011027649A1 (en) 2009-09-02 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a transistor, and manufacturing method of semiconductor device
US8840763B2 (en) 2009-09-28 2014-09-23 Applied Materials, Inc. Methods for stable process in a reactive sputtering process using zinc or doped zinc target
KR101681234B1 (ko) * 2009-11-09 2016-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101686242B1 (ko) * 2009-12-18 2016-12-28 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 및 평판형 표시장치 제조방법
TWI535028B (zh) * 2009-12-21 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 薄膜電晶體
KR101836067B1 (ko) * 2009-12-21 2018-03-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 트랜지스터와 그 제작 방법
KR101840622B1 (ko) * 2009-12-21 2018-05-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 트랜지스터와 그 제작 방법
US8476744B2 (en) 2009-12-28 2013-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with channel including microcrystalline and amorphous semiconductor regions
US8299467B2 (en) * 2009-12-28 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor and fabrication method thereof
KR101952555B1 (ko) * 2010-01-22 2019-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8436403B2 (en) * 2010-02-05 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor provided with sidewall and electronic appliance
KR101780841B1 (ko) * 2010-02-26 2017-09-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI443829B (zh) 2010-04-16 2014-07-01 Ind Tech Res Inst 電晶體及其製造方法
TWI512981B (zh) 2010-04-27 2015-12-11 Semiconductor Energy Lab 微晶半導體膜的製造方法及半導體裝置的製造方法
CN102290440A (zh) * 2010-06-21 2011-12-21 财团法人工业技术研究院 晶体管及其制造方法
TWI409528B (zh) * 2010-07-02 2013-09-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 顯示面板
US8704230B2 (en) 2010-08-26 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9230826B2 (en) 2010-08-26 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Etching method using mixed gas and method for manufacturing semiconductor device
TWI538218B (zh) 2010-09-14 2016-06-11 半導體能源研究所股份有限公司 薄膜電晶體
US8338240B2 (en) 2010-10-01 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing transistor
JP5110143B2 (ja) * 2010-10-06 2012-12-26 ソニー株式会社 電界効果型トランジスタ
US8916866B2 (en) 2010-11-03 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101844953B1 (ko) 2011-03-02 2018-04-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
WO2013042562A1 (en) * 2011-09-22 2013-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2013094547A1 (en) * 2011-12-23 2013-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2014109827A1 (en) * 2013-01-08 2014-07-17 Applied Materials, Inc. High mobility film through quantum confinement using metal oxynitrides and oxides
KR102290247B1 (ko) 2013-03-14 2021-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
DE112015002491T5 (de) * 2014-05-27 2017-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
WO2016072024A1 (ja) * 2014-11-07 2016-05-12 堺ディスプレイプロダクト株式会社 薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ及び表示パネル
US9793252B2 (en) 2015-03-30 2017-10-17 Emagin Corporation Method of integrating inorganic light emitting diode with oxide thin film transistor for display applications
CN107093557B (zh) * 2017-04-26 2020-04-21 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法
JP2020004860A (ja) * 2018-06-28 2020-01-09 堺ディスプレイプロダクト株式会社 薄膜トランジスタ、表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法

Family Cites Families (147)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US514885A (en) * 1894-02-13 Cone-holder for warping or other machines
US3484662A (en) 1965-01-15 1969-12-16 North American Rockwell Thin film transistor on an insulating substrate
US4268523A (en) * 1977-11-14 1981-05-19 Pfizer Inc. 1,9-Dihydroxyoctahydrophenanthrenes and intermediates therefor
US4368523A (en) * 1979-12-20 1983-01-11 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device having redundant pairs of address buses
US5859443A (en) * 1980-06-30 1999-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
GB2081018B (en) * 1980-07-31 1985-06-26 Suwa Seikosha Kk Active matrix assembly for display device
JPS5731179A (en) * 1980-07-31 1982-02-19 Sharp Corp Formation of thin-film transistor
JPS582073A (ja) * 1981-06-29 1983-01-07 Sony Corp 電界効果型トランジスタ
US4472240A (en) 1981-08-21 1984-09-18 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Method for manufacturing semiconductor device
US4376672A (en) 1981-10-26 1983-03-15 Applied Materials, Inc. Materials and methods for plasma etching of oxides and nitrides of silicon
JPS59163871A (ja) * 1983-03-09 1984-09-14 Nec Corp ダブルゲ−ト型薄膜トランジスタ
US4619034A (en) * 1983-05-02 1986-10-28 Ncr Corporation Method of making laser recrystallized silicon-on-insulator nonvolatile memory device
CA1186070A (en) * 1983-06-17 1985-04-23 Iain D. Calder Laser activated polysilicon connections for redundancy
JPH0693509B2 (ja) * 1983-08-26 1994-11-16 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ
JPS60103676A (ja) 1983-11-11 1985-06-07 Seiko Instr & Electronics Ltd 薄膜トランジスタアレイの製造方法
US4654295A (en) 1983-12-05 1987-03-31 Energy Conversion Devices, Inc. Method of making short channel thin film field effect transistor
CA1197628A (en) * 1984-01-05 1985-12-03 Thomas W. Macelwee Fabrication of stacked mos devices
GB8406330D0 (en) * 1984-03-10 1984-04-11 Lucas Ind Plc Amorphous silicon field effect transistors
US4963503A (en) * 1984-04-09 1990-10-16 Hosiden Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing liquid crystal display device
JPS60213062A (ja) * 1984-04-09 1985-10-25 Hosiden Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JPH07118443B2 (ja) * 1984-05-18 1995-12-18 ソニー株式会社 半導体装置の製法
JPS60245172A (ja) * 1984-05-18 1985-12-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 絶縁ゲイト型半導体装置
US4727044A (en) * 1984-05-18 1988-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making a thin film transistor with laser recrystallized source and drain
US4663494A (en) 1984-07-19 1987-05-05 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
JPH0682839B2 (ja) 1984-08-21 1994-10-19 セイコー電子工業株式会社 表示用パネルの製造方法
US4693960A (en) 1985-03-29 1987-09-15 International Business Machines Corporation Photolithographic etching process using organosilicon polymer composition
JPS61232483A (ja) 1985-04-08 1986-10-16 ホシデン株式会社 液晶表示素子
JPH0740101B2 (ja) * 1985-04-23 1995-05-01 旭硝子株式会社 薄膜トランジスタ
JPS61263273A (ja) * 1985-05-17 1986-11-21 Hitachi Ltd 薄膜半導体装置の製造方法
JPS6230379A (ja) * 1985-07-31 1987-02-09 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ
US4933296A (en) 1985-08-02 1990-06-12 General Electric Company N+ amorphous silicon thin film transistors for matrix addressed liquid crystal displays
DE3685623T2 (de) * 1985-10-04 1992-12-24 Hosiden Corp Duennfilmtransistor und verfahren zu seiner herstellung.
JPS62104171A (ja) * 1985-10-31 1987-05-14 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
DE3640174A1 (de) 1985-11-27 1987-06-04 Sharp Kk Duennfilm-transistor-anordnung
JPS62171160A (ja) * 1986-01-22 1987-07-28 Sharp Corp 薄膜トランジスタ
EP0236629B1 (en) * 1986-03-06 1994-05-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Driving circuit of a liquid crystal display device
US5170244A (en) * 1986-03-06 1992-12-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Electrode interconnection material, semiconductor device using this material and driving circuit substrate for display device
US4857907A (en) 1986-04-30 1989-08-15 501 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid-crystal display device
JPH0622245B2 (ja) 1986-05-02 1994-03-23 富士ゼロックス株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JPS62291067A (ja) * 1986-06-10 1987-12-17 Nec Corp 薄膜トランジスタの製造方法
JPS63164A (ja) * 1986-06-19 1988-01-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
US4851363A (en) * 1986-07-11 1989-07-25 General Motors Corporation Fabrication of polysilicon fets on alkaline earth alumino-silicate glasses
JPS6346776A (ja) * 1986-08-14 1988-02-27 Nec Corp 薄膜トランジスタの製造方法
JP2678596B2 (ja) * 1986-09-30 1997-11-17 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタ
JPS63101829A (ja) * 1986-10-17 1988-05-06 Nec Corp アクテイブ・マトリツクス液晶表示装置およびその製造方法
US4803536A (en) * 1986-10-24 1989-02-07 Xerox Corporation Electrostatic discharge protection network for large area transducer arrays
JPS62148928A (ja) * 1986-10-27 1987-07-02 Seiko Epson Corp 液晶表示装置
US4862234A (en) 1986-11-29 1989-08-29 Sharp Kabushiki Kaisha Thin-film transistor
JPH0680685B2 (ja) * 1986-12-29 1994-10-12 日本電気株式会社 薄膜トランジスタとその製造方法
JPS63232483A (ja) 1987-03-20 1988-09-28 古河電気工業株式会社 モ−ルドプリント配線板
JPS63237577A (ja) * 1987-03-26 1988-10-04 Nec Corp Ｍｉｓｆｅｔ製造方法
JPS63289965A (ja) 1987-05-22 1988-11-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2620240B2 (ja) 1987-06-10 1997-06-11 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US5153702A (en) * 1987-06-10 1992-10-06 Hitachi, Ltd. Thin film semiconductor device and method for fabricating the same
JP2605723B2 (ja) * 1987-07-22 1997-04-30 日本電気株式会社 薄膜トランジスタアレー形液晶表示装置
JP2507464B2 (ja) 1987-08-13 1996-06-12 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JPS6450028A (en) * 1987-08-21 1989-02-27 Nec Corp Thin film transistor substrate
US5229644A (en) 1987-09-09 1993-07-20 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor having a transparent electrode and substrate
US5327001A (en) 1987-09-09 1994-07-05 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor array having single light shield layer over transistors and gate and drain lines
US5166085A (en) 1987-09-09 1992-11-24 Casio Computer Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor
US5032883A (en) 1987-09-09 1991-07-16 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor and method of manufacturing the same
JPH01155025A (ja) 1987-12-11 1989-06-16 Fuji Heavy Ind Ltd 多気筒型エンジンの吸気装置
JPH01161316A (ja) * 1987-12-18 1989-06-26 Sharp Corp 液晶表示装置の検査方法
JPH01173650A (ja) 1987-12-26 1989-07-10 Seikosha Co Ltd 非晶質シリコン薄膜トランジスタの製造方法
JP2626782B2 (ja) 1988-01-29 1997-07-02 アネルバ株式会社 真空処理装置
US4960719A (en) 1988-02-04 1990-10-02 Seikosha Co., Ltd. Method for producing amorphous silicon thin film transistor array substrate
US4998152A (en) * 1988-03-22 1991-03-05 International Business Machines Corporation Thin film transistor
US5051800A (en) 1988-04-30 1991-09-24 Hajime Shoji Thin film semiconductor device and liquid crystal display apparatus using thereof
JP2653099B2 (ja) * 1988-05-17 1997-09-10 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクスパネル，投写型表示装置及びビューファインダー
EP0347178A3 (en) 1988-06-15 1990-04-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Orientation control film of liquid crystal molecule and liquid crystal element using it
US5493129A (en) * 1988-06-29 1996-02-20 Hitachi, Ltd. Thin film transistor structure having increased on-current
GB2220792B (en) * 1988-07-13 1991-12-18 Seikosha Kk Silicon thin film transistor and method for producing the same
JPH0227320A (ja) * 1988-07-18 1990-01-30 Hitachi Ltd 薄膜半導体表示装置とその製造方法
JP2600827B2 (ja) * 1988-07-23 1997-04-16 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JP2606900B2 (ja) 1988-09-08 1997-05-07 株式会社東芝 パターン形成方法
JPH0283941A (ja) 1988-09-21 1990-03-26 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JPH01157520A (ja) 1988-11-18 1989-06-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd プラズマ気相反応方法
JP2592511B2 (ja) 1988-12-03 1997-03-19 株式会社フレンドテック研究所 縦型半導体製造システム
JP2734587B2 (ja) * 1988-12-28 1998-03-30 ソニー株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JPH02203567A (ja) * 1989-02-01 1990-08-13 Nec Corp 薄膜トランジスタ
JPH02208635A (ja) * 1989-02-08 1990-08-20 Seiko Epson Corp 半導体装置
JPH02222545A (ja) * 1989-02-23 1990-09-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜トランジスタの作製方法
JPH02223912A (ja) * 1989-02-27 1990-09-06 Hitachi Ltd アクテイブマトリクス液晶デイスプレイの形成方法およびその駆動方法
US5157470A (en) * 1989-02-27 1992-10-20 Hitachi, Ltd. Thin film transistor, manufacturing method thereof and matrix circuit board and image display device each using the same
US5166757A (en) 1989-03-31 1992-11-24 Nippon Steel Corporation Dry-etched amorphous silicon device with recessed electrode
JPH02310932A (ja) * 1989-05-25 1990-12-26 Nec Corp 逆スタガー型薄膜トランジスタの製造方法
JP2558351B2 (ja) * 1989-06-29 1996-11-27 沖電気工業株式会社 アクティブマトリクス表示パネル
US5062690A (en) * 1989-06-30 1991-11-05 General Electric Company Liquid crystal display with redundant FETS and redundant crossovers connected by laser-fusible links
US5153754A (en) 1989-06-30 1992-10-06 General Electric Company Multi-layer address lines for amorphous silicon liquid crystal display devices
US5173753A (en) * 1989-08-10 1992-12-22 Industrial Technology Research Institute Inverted coplanar amorphous silicon thin film transistor which provides small contact capacitance and resistance
JP3009438B2 (ja) 1989-08-14 2000-02-14 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JPH0391932A (ja) * 1989-09-04 1991-04-17 Canon Inc 半導体装置の製造方法
US5270567A (en) * 1989-09-06 1993-12-14 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistors without capacitances between electrodes thereof
US5041888A (en) 1989-09-18 1991-08-20 General Electric Company Insulator structure for amorphous silicon thin-film transistors
US5063378A (en) * 1989-12-22 1991-11-05 David Sarnoff Research Center, Inc. Scanned liquid crystal display with select scanner redundancy
JP2857900B2 (ja) * 1989-12-28 1999-02-17 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
US5124769A (en) * 1990-03-02 1992-06-23 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Thin film transistor
US5010027A (en) 1990-03-21 1991-04-23 General Electric Company Method for fabricating a self-aligned thin-film transistor utilizing planarization and back-side photoresist exposure
JPH0830825B2 (ja) 1990-04-20 1996-03-27 シャープ株式会社 アクティブマトリクス表示装置
US5198379A (en) * 1990-04-27 1993-03-30 Sharp Kabushiki Kaisha Method of making a MOS thin film transistor with self-aligned asymmetrical structure
US5200847A (en) * 1990-05-01 1993-04-06 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display device having driving circuit forming on a heat-resistant sub-substrate
DE69127395T2 (de) * 1990-05-11 1998-01-02 Asahi Glass Co Ltd Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilm-Transistors mit polykristallinem Halbleiter
JP2796175B2 (ja) * 1990-06-05 1998-09-10 松下電器産業株式会社 薄膜トランジスターの製造方法
JPH0442579A (ja) * 1990-06-08 1992-02-13 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ及び製造方法
US5147826A (en) * 1990-08-06 1992-09-15 The Pennsylvania Research Corporation Low temperature crystallization and pattering of amorphous silicon films
US5198694A (en) 1990-10-05 1993-03-30 General Electric Company Thin film transistor structure with improved source/drain contacts
KR920010885A (ko) * 1990-11-30 1992-06-27 카나이 쯔또무 박막반도체와 그 제조방법 및 제조장치 및 화상처리장치
JP2999271B2 (ja) * 1990-12-10 2000-01-17 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US5420048A (en) * 1991-01-09 1995-05-30 Canon Kabushiki Kaisha Manufacturing method for SOI-type thin film transistor
EP0499979A3 (en) * 1991-02-16 1993-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
KR960001611B1 (ko) * 1991-03-06 1996-02-02 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐뀨쇼 절연 게이트형 전계 효과 반도체 장치 및 그 제작방법
JPH04280637A (ja) * 1991-03-08 1992-10-06 Nippondenso Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JPH04360580A (ja) * 1991-06-07 1992-12-14 Casio Comput Co Ltd 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
JP3255942B2 (ja) * 1991-06-19 2002-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 逆スタガ薄膜トランジスタの作製方法
US6979840B1 (en) * 1991-09-25 2005-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistors having anodized metal film between the gate wiring and drain wiring
US5485019A (en) * 1992-02-05 1996-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
JP3201538B2 (ja) 1992-03-22 2001-08-20 株式会社松井製作所 成形機における被粉砕材還元装置
US5403762A (en) * 1993-06-30 1995-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a TFT
TW226478B (en) * 1992-12-04 1994-07-11 Semiconductor Energy Res Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
US5275851A (en) * 1993-03-03 1994-01-04 The Penn State Research Foundation Low temperature crystallization and patterning of amorphous silicon films on electrically insulating substrates
TW278219B (ja) * 1993-03-12 1996-06-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JP3359690B2 (ja) * 1993-03-12 2002-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体回路の作製方法
JP3137797B2 (ja) * 1993-03-12 2001-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタおよびその作製方法
JP3637069B2 (ja) * 1993-03-12 2005-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3347804B2 (ja) * 1993-03-22 2002-11-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体回路の作製方法
US5501989A (en) * 1993-03-22 1996-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making semiconductor device/circuit having at least partially crystallized semiconductor layer
JP3402380B2 (ja) * 1993-03-22 2003-05-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体回路およびその作製方法
US5441905A (en) * 1993-04-29 1995-08-15 Industrial Technology Research Institute Process of making self-aligned amorphous-silicon thin film transistors
US5473168A (en) 1993-04-30 1995-12-05 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film transistor
US5366926A (en) * 1993-06-07 1994-11-22 Xerox Corporation Low temperature process for laser dehydrogenation and crystallization of amorphous silicon
JP3173926B2 (ja) * 1993-08-12 2001-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法及びその半導体装置
KR100319332B1 (ko) * 1993-12-22 2002-04-22 야마자끼 순페이 반도체장치및전자광학장치
US5610737A (en) 1994-03-07 1997-03-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Thin film transistor with source and drain regions having two semiconductor layers, one being fine crystalline silicon
JP3326654B2 (ja) * 1994-05-02 2002-09-24 ソニー株式会社 表示用半導体チップの製造方法
DE19500380C2 (de) * 1994-05-20 2001-05-17 Mitsubishi Electric Corp Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür
JP3312083B2 (ja) * 1994-06-13 2002-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US5514253A (en) 1994-07-13 1996-05-07 I-Stat Corporation Method of measuring gas concentrations and microfabricated sensing device for practicing same
JP2762968B2 (ja) * 1995-09-28 1998-06-11 日本電気株式会社 電界効果型薄膜トランジスタの製造方法
US5817548A (en) * 1995-11-10 1998-10-06 Sony Corporation Method for fabricating thin film transistor device
KR100198556B1 (ko) 1995-11-22 1999-07-01 구자홍 박막트랜지스터의 구조 및 제조방법
JPH10133216A (ja) * 1996-11-01 1998-05-22 Hitachi Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3729955B2 (ja) * 1996-01-19 2005-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5834071A (en) * 1997-02-11 1998-11-10 Industrial Technology Research Institute Method for forming a thin film transistor
US6107641A (en) 1997-09-10 2000-08-22 Xerox Corporation Thin film transistor with reduced parasitic capacitance and reduced feed-through voltage
US6346730B1 (en) * 1999-04-06 2002-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having a pixel TFT formed in a display region and a drive circuit formed in the periphery of the display region on the same substrate
US6580127B1 (en) * 1999-09-30 2003-06-17 International Business Machines Corporation High performance thin film transistor and active matrix process for flat panel displays
US6509217B1 (en) * 1999-10-22 2003-01-21 Damoder Reddy Inexpensive, reliable, planar RFID tag structure and method for making same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8349669B2 (en) 2008-07-02 2013-01-08 Applied Materials, Inc. Thin film transistors using multiple active channel layers
CN102124569B (zh) * 2008-07-02 2013-03-20 应用材料公司 使用多有源沟道层的薄膜晶体管
US8435843B2 (en) 2008-07-02 2013-05-07 Applied Materials, Inc. Treatment of gate dielectric for making high performance metal oxide and metal oxynitride thin film transistors
US8809132B2 (en) 2008-07-02 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Capping layers for metal oxynitride TFTs

Also Published As

Publication number Publication date
US5811328A (en) 1998-09-22
US7923311B2 (en) 2011-04-12
US20020042171A1 (en) 2002-04-11
JPH0645354A (ja) 1994-02-18
US7507991B2 (en) 2009-03-24
US6847064B2 (en) 2005-01-25
US5648662A (en) 1997-07-15
US6124155A (en) 2000-09-26
US20110101362A1 (en) 2011-05-05
US6166399A (en) 2000-12-26
US20020130322A1 (en) 2002-09-19
US6797548B2 (en) 2004-09-28
US6756258B2 (en) 2004-06-29
US20050017243A1 (en) 2005-01-27
US20080044962A1 (en) 2008-02-21
US6335213B1 (en) 2002-01-01
US20020127785A1 (en) 2002-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3255942B2 (ja) 逆スタガ薄膜トランジスタの作製方法
KR100197780B1 (ko) 트랜지스터 및 반도체 회로 제조 방법
JP3442500B2 (ja) 半導体回路の作製方法
JPH05190568A (ja) 絶縁ゲート薄膜トランジスタの製造方法
JP3359689B2 (ja) 半導体回路およびその作製方法
JPH0563196A (ja) 薄膜半導体装置及びその製造方法並び液晶表示装置
JP3369244B2 (ja) 薄膜トランジスタ
JP3431682B2 (ja) 半導体回路の作製方法
JPH06124890A (ja) 薄膜状半導体装置の作製方法。
JP3514891B2 (ja) 半導体装置およびその作製方法
JPH06267988A (ja) 半導体回路の作製方法
JP3430335B2 (ja) 半導体装置の作製方法
JP3431681B2 (ja) 半導体回路の作製方法
JP3435144B2 (ja) 薄膜トランジスタ及びアクティブマトリクス型表示装置
JP3457262B2 (ja) アクティブ型表示装置
JP3366626B2 (ja) 薄膜トランジスタ及びアクティブマトリクス型表示装置の作製方法
JP2003023162A (ja) 薄膜トランジスタ及びその作製方法
JP3431903B2 (ja) 半導体回路及び半導体装置
JP3462157B2 (ja) 半導体装置の作製方法
JPH06124889A (ja) 薄膜状半導体装置の作製方法
JP3316201B2 (ja) 半導体回路
JP4087363B2 (ja) 半導体装置
JP2005243938A (ja) 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP3393857B2 (ja) 半導体装置の作製方法
JPH088363B2 (ja) 絶縁ゲイト型電界効果トランジスタの作製方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081130

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091130

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091130

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091130

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101130

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101130

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111130

Year of fee payment: 10

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111130

Year of fee payment: 10