JPH10133216A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

アクティブマトリクス型液晶表示装置

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JPH10133216A
JPH10133216A JP8291899A JP29189996A JPH10133216A JP H10133216 A JPH10133216 A JP H10133216A JP 8291899 A JP8291899 A JP 8291899A JP 29189996 A JP29189996 A JP 29189996A JP H10133216 A JPH10133216 A JP H10133216A
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film
liquid crystal
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scanning
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Kenichi Kizawa
賢一 鬼沢
Kikuo Ono
記久雄 小野
Toshiteru Kaneko
寿輝 金子
Kenichi Chiyabara
健一 茶原
Katsunori Nakajima
勝範 中島
Etsuko Nishimura
悦子 西村
Takeshi Sato
健史 佐藤
Tetsuo Minemura
哲郎 峯村
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 信号の伝送に関連する要素と要素との接続部
のコンタクト抵抗を下げること。 【解決手段】 透明絶縁基板１０上のドレン配線２０を
異方性導電膜２８を介して駆動回路チップ２２に接続
し、駆動回路チップ２２を異方性導電膜３２を介して端
子配線２４に接続し、端子配線２４を異方性導電膜３６
を介してＦＰＣ２６に接続する。ドレン配線２０と端子
配線２４の材料として、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗの中から
選んだ少なくとも一つの元素とＣｒとの合金膜を用い
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリクス型液晶表示装置に
は半導体能動素子（スイッチング素子）として、ＴＦＴ
（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が用い
られている。このＴＦＴの構造は、一般に逆スタガ構造
が採用されており、基板上にゲート電極が形成され、そ
の上に信号線や他の電極が形成されるようになってい
る。具体的には、透明絶縁基板上に走査信号線（ゲート
ライン、ゲート電極と同一）その上部にゲート絶縁膜、
このゲート絶縁膜上部に半導体層、半導体層上にドレン
電極（データライン）およびソース電極が形成されてお
り、ソース電極には透明な画素電極が接続されている。
そしてドレン電極（データライン）には映像信号電圧が
供給されるようになっている。このようなＴＦＴ構造を
採用したものとしては、例えば特開平２−４８６３９号
公報が知られている。
【０００３】一方、液晶表示装置の基板周辺部に駆動回
路等を実装するに際しては、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒ
ｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）とＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ
Ｇｌａｓｓ）の２種類の実装方式が採用されている。
これらの方式の内、従来ＴＣＰ方式が多く採用されてい
たが、近年、低コスト化、ファインピッチ化等の点で優
位性が見込まれるＣＯＧ方式に移行しつつある。
【０００４】ＣＯＧ方式では、駆動回路チップの入力側
端子と基板との接続、駆動回路チップの出力側端子と基
板との接続および基板と外部回路に接続されたＦＰＣ
（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃａｂｌｅ）と
の接続の計３種類の接続がある。そして各接続部には異
方性導電膜ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄ
ｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）が挿入され、異方性導電膜を
介して接続されるようになっている。この場合、接続の
信頼性を確保するために、基板側の配線材料には酸化イ
ンジウムを主体として酸化すずが添加された酸化インジ
ウムすず（ＩＴＯ）膜が用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＴＦＴを用いた液晶表
示装置はアクティブ駆動が可能なため、表示品質が高い
という特徴を備えている。しかし、基板上にＴＦＴを形
成する工程が複雑であり、少なくとも６回以上のホトリ
ソグラフィ工程を必要とする。その理由は、ＴＦＴを構
成する基本要素（膜）が、走査信号線（ゲートライ
ン）、ゲート絶縁膜、半導体層、ドレン電極（データラ
イン、通常ソース電極と同一）、透明画素電極および保
護性絶縁膜の６種があり、それぞれの膜をホトリソグラ
フィでパターニングするためである。さらにいずれの膜
も厚さが数百ｎｍであり、且つパターニングされた配線
の幅は１０μｍのオーダと微細であるため、製造工程中
に異物が混入したり、下地段差乗り越え部における配線
（特に、データラインおよび透明画素電極）に切断等が
起こりやすく、ホトリソグラフィ工程でパターンが精密
に転写されないと電極配線間に短絡が生じる。さらに、
工程中に表面汚染が加わると、ソース電極と透明画素電
極との間、基板周辺の端子部におけるゲートライン、デ
ータラインと透明画素電極との間の電気的コンタクト抵
抗が著しく増大する。これらの現象が発生すると、液晶
表示装置としての表示欠陥を引き起こすことになる。す
なわち、基板の歩留まりが低下し、製造コストの増加を
招く。
【０００６】歩留まりを向上させる一つの方法として、
従来技術では、ＴＦＴのソース電極およびドレン電極上
に層間絶縁膜（保護性絶縁膜）を設け、この層間絶縁膜
中に設けられた開口部を介してソース電極およびドレン
電極と画素電極とを接続する構造が提案されている。こ
の構造によれば、ソース電極およびドレン電極と透明画
素電極とが同一平面上にある場合に生じやすい両電極間
の短絡を防止することができる。
【０００７】しかし、従来技術では、液晶表示装置の基
板上に駆動回路やＴＦＴを実装する際に、電気信号が流
れる伝送路を構成する各要素の接続部のコンタクト抵抗
を低くすることについて十分配慮されておらず、特に端
子接続部の歩留まりが低いという問題点がある。すなわ
ち、従来技術では、駆動回路チップとドレン配線とを接
続するに際して、ドレン配線をＣｒで構成し、駆動回路
チップ側にＩＴＯ膜を配置し、両者をほぼ全面に渡って
接触させ、接触面積を大きくしてコンタクト抵抗を小さ
くするようにしている。一方、表示パネルの表示領域以
外の領域（額縁）の面積を小さくすることが要求されて
いる。この要求に対処するために、コンタクト部の面積
を小さくすると、ＩＴＯとＣｒとの比コンタクト抵抗
（単位面積当たりのコンタクト抵抗）が高いために、コ
ンタクト抵抗を小さくできなくなる。またコンタクト部
分が増大すると、封止樹脂中のピンホール等の欠陥を通
して水分が浸入し、且つ接合部の劣化を招きやすくな
る。
【０００８】本発明の目的は、信号の伝送路を形成する
要素と要素との接続部のコンタクト抵抗を低くすること
ができるアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、複数の画素を構成する液晶を含む液晶層
と、液晶層を間にして相対向して配置されて少なくとも
一方が透明な一対の基板と、走査パルスを発生する走査
パルス発生手段と、画像データを発生する画像データ発
生手段と、一対の基板の一方の基板に分散して配置され
て走査パルス発生手段に接続された複数の走査線と、複
数の走査線とマトリクス状に交差するように配置されて
画像データ発生手段に接続された複数のデータ信号線と
を備えているとともに、複数の走査線と複数のデータ信
号線とにより囲まれた複数の表示領域に、一対の基板の
うち一方の基板側に配置された透明画素電極と、液晶層
を間にして透明画素電極と相対向して配置されて液晶駆
動電圧が印加される対向電極と、走査線とデータ信号線
および透明画素電極に接続された画素駆動用半導体能動
素子と、各走査線と各データ信号線および画素駆動用半
導体能動素子をそれぞれ被覆する絶縁膜とを備えてお
り、前記走査線と前記データ信号線に関連する信号伝送
路を構成する要素と要素との接続部のうち少なくとも一
方の要素の材料は、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗの中から選ん
だ少なくとも一つの元素とＣｒとの合金であり、走査線
と走査パルス発生手段とは絶縁膜に形成された第１の開
口部を介して接続され、データ信号線と画像データ発生
手段とは絶縁膜に形成された第２の開口部を介して接続
され、第１の開口部には走査パルス発生手段に接続され
た多結晶薄膜が挿入され、第２の開口部には画像データ
発生手段に接続された多結晶薄膜が挿入され、前記多結
晶薄膜は、酸化インジウムを主体として酸化すずが添加
された酸化インジウムすずで構成され、比抵抗が６×１
０~ 4Ωcm以下であるアクティブマトリクス型液晶表示
装置を構成したものである。
【００１０】また、本発明は、複数の画素を構成する液
晶を含む液晶層と、液晶層を間にして相対向して配置さ
れて少なくとも一方が透明な一対の基板と、走査パルス
を発生する走査パルス発生手段と、画像データを発生す
る画像データ発生手段と、一対の基板の一方の基板に分
散して配置されて走査パルス発生手段に接続された複数
の走査線と、複数の走査線とマトリクス状に交差するよ
うに配置されて画像データ発生手段に接続された複数の
データ信号線とを備えているとともに、複数の走査線と
複数のデータ信号線とにより囲まれた複数の表示領域
に、一対の基板のうち一方の基板側に配置された透明画
素電極と、液晶層を間にして透明画素電極と相対向して
配置されて液晶駆動電圧が印加される対向電極と、走査
線とデータ信号線および透明画素電極に接続された画素
駆動用半導体能動素子と、各走査線と各データ信号線お
よび画素駆動用半導体能動素子をそれぞれ被覆する絶縁
膜とを備えており、前記走査線と、前記データ信号線お
よび前記画素駆動用半導体能動素子の電極を構成するも
ののうち少なくとも一つの材料は、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、
Ｗの中から選んだ少なくとも一つの元素とＣｒとの合金
であり、走査線と走査パルス発生手段とは絶縁膜に形成
された第１の開口部を介して接続され、データ信号線と
画像データ発生手段とは絶縁膜に形成された第２の開口
部を介して接続され、画素駆動用半導体能動素子の電極
と透明画素電極とは第３の開口部を介して接続され、第
１の開口部には走査パルス発生手段に接続された多結晶
薄膜が挿入され、第２の開口部には画像データ発生手段
に接続された多結晶薄膜が挿入され、第３の開口部には
透明画素電極に接続された多結晶薄膜が挿入されてお
り、前記多結晶薄膜は、酸化インジウムを主体として酸
化すずが添加された酸化インジウムすずで構成され、比
抵抗が６×１０~ 4Ωcm以下であるアクティブマトリク
ス型液晶表示装置を構成したものである。
【００１１】前記各液晶表示装置を構成するに際して
は、以下の要素を付加することができる。
【００１２】（１）Ｃｒとの合金膜を形成する元素の組
成は２０から８０重量％である。
【００１３】（２）走査線と走査パルス発生手段とは走
査線に沿って形成された複数の第１の開口部を介して形
成され、データ信号線と画像データ発生手段とはデータ
信号線に沿って形成された複数の第２の開口部を介して
接続されている。
【００１４】（３）第１の開口部と第２の開口部および
第３開口部における多結晶薄膜と合金との比コンタクト
抵抗は１×1０~ 4Ωμｍ 2以下である。
【００１５】（４）走査パルス発生手段に属する線とし
て表示領域外の基板上に配置されて走査パルスを伝送す
る走査パルス伝送用配線と他の部材とは異方性導電膜を
介して接続され、画像データ発生手段に属する線として
表示領域外の基板上に配置されて画像データを伝送する
画像データ伝送用配線は他の部材と異方性導電膜を介し
て接続されており、走査パルス伝送用配線の他の部材と
の接続面および画像データ伝送用配線の他の部材との接
続面には多結晶薄膜が形成され、この多結晶薄膜は、酸
化インジウムを主体として酸化すずが添加された酸化イ
ンジウムすずで構成され、比抵抗が６×１０~ 4Ωcm以
下である。
【００１６】前記した手段によれば、信号伝送路を構成
する要素と要素との接続部のうち一方の要素は、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔａ、Ｗの中から選んだ少なくとも一つの元素と
Ｃｒとの合金で構成されているため、接続部のコンタク
ト抵抗を小さくすることができ、回路素子の実装面積を
狭くしても、歩留まりの向上を図ることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
に基づいて説明する。
【００１８】（実施形態１）図１は本発明の第１実施形
態を示すアクティブマトリクス型液晶表示装置のドレン
端子部の断面図である。図１において、透明絶縁基板１
０は表示パネルの一構成要素としてほぼ平板上に形成さ
れており、この透明絶縁基板１０の中央部には表示領域
１２が形成され、端部周辺部にはドレン端子部１４が形
成されている。透明絶縁基板１０の表示領域１２上には
シール剤１６を介してカラーフィルタ基板１８が装着さ
れており、透明絶縁基板１０上にはデータ信号線として
のドレン配線２０が複数本分散して実装されている。そ
して各ドレン配線２０とマトリクス状に交差するように
複数の走査線（図示省略）が絶縁層を介して実装されて
おり、各ドレン配線２０と信号線とで囲まれた複数の表
示領域には画素に対応して、透明画素電極、対向電極、
画素駆動用半導体能動素子としてのＴＦＴ（薄膜トラン
ジスタ）等が実装されている。さらに基板１０とカラー
基板１８との間には画素を形成する液晶を含む液晶層が
形成されている。
【００１９】一方。ドレン端子部１４には、ＣＯＧ方式
により、駆動回路チップ２２、端子配線２４、ＦＰＣ
（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃａｂｌｅ）２
６が実装されている。駆動回路チップ２０にはシフトレ
ジスタ等の回路素子を備え、画像データを発生する画像
データ発生手段の１要素として構成されている。そして
駆動回路チップ２２の底部両側に金製のバンプが形成さ
れており、一方のバンプが異方性導電膜（ＡＣＦ）２８
を介してドレン配線２０のパット部３０に接続され、他
方のバンプが異方性導電膜３２を介して端子配線２４の
パッド部３４に接続されている。異方性導電膜２８、３
２中にはニッケルと金がこの順にメッキされたプラスチ
ック粒子が分散しており、金のバンプとパッド部３０、
３４間に圧力および熱を加えると粒子がつぶれ、金のバ
ンプとパッド部３０、３４とが電気的に接続されるよう
になっている。すなわち異方性導電膜２８、３２は垂直
方向には導電性を示し、水平方向には絶縁性を示すよう
になっている。ＦＰＣ２６は外部の電源やタイミング回
路に接続されており、ＦＰＣ２６は底部に形成された銅
の配線パターンが異方性導電膜２８を介して端子配線２
４のパッド部３８に接続されている。そしてパッド部３
４、３８の周囲には封止樹脂４０が塗布されて外気から
遮断されている。
【００２０】パッド部３０は、図２に示すように、酸化
インジウムすず膜（以下、ＩＴＯ膜と称する）４２、保
護膜４４を備えており、ドレン配線２０を被覆する保護
膜４２の端部に形成された開口部４５を介してＩＴＯ膜
４２とドレン配線２０とが接続されている。ドレン配線
２０は、後述するように、ＣｒとＭｏとの合金で形成さ
れており、この合金によるドレン配線２０とＩＴＯ膜４
２とを接続することで、信号伝送路を構成する要素と要
素との接続部のコンタクト抵抗を小さくすることができ
る。このＩＴＯ膜４２の端部は異方性導電膜２８を介し
て駆動回路チップ２２のバンプに接続される。またＩＴ
Ｏ膜４２は、図３に示すように、ＴＦＴ素子とともに形
成される透明画素電極４６と同一の材料で同一の工程で
形成されるようになっている。ＴＦＴ素子は透明絶縁基
板１０上に形成されたゲート電極４８、ドレン電極５
０、ソース電極５２を備えており、ゲート電極４８上に
ゲート絶縁膜５４が形成され、ゲート絶縁膜５４上にア
モルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）半導体層５６が形成さ
れている。アモルファスシリコン半導体層５６上にはア
モルファスシリコンに燐（Ｐ）を高濃度にドーピングし
たｎ＋・ａ−Ｓｉ層５８が形成されており、アモルファ
スシリコン半導体層５６がｎ＋・ａ−Ｓｉ層５８を介し
てドレン電極５０とソース電極５２に接合されている。
またドレン電極５０とソース電極５２は保護膜４４で分
離されており、ソース電極５２は、保護膜４４に形成さ
れた開口部６０を介して透明画素電極４６と接続されて
いる。そしてゲート電極４８に印加される走査パルス信
号によってＴＦＴが動作すると、ドレン電極５０に供給
される画像データによるパルス信号が透明画素電極４６
に印加され、液晶に電界が印加されるようになってい
る。そして液晶に電界が印加されることによって画素部
分の透過率が変化し、画像データにしたがった画像が表
示されるようになっている。
【００２１】一方、端子配線２４のパッド部３４、３８
は、図４に示すように、ＦＰＣ２６からタイミング信号
等の高周波信号が入力されるため、二重構造が採用され
ている。すなわち、端子配線２４は、ドレン配線２０と
同一の材料および同一の工程で形成される合金膜６２
と、透明画素電極４６と同一の工程で形成されるＩＴＯ
膜４２とから構成されている。合金膜６２はＣｒとＭｏ
との合金で透明絶縁基板１０上に形成されており、この
合金膜６２は保護膜４４で被覆されている。そして合金
膜６２両側の保護膜４４には開口部６４、６６が形成さ
れており、開口部６４、６６には保護膜４４上に積層さ
れたＩＴＯ膜４２の一部が挿入され、ＩＴＯ膜４２と合
金膜６２とが開口部６４、６６で接合されている。開口
部６４におけるＩＴＯ膜４２は異方性導電膜２８を介し
て駆動回路チップ２２の金のバンプに接続され、開口部
６６におけるＩＴＯ膜４２は異方性導電膜３６を介して
ＦＰＣ２６の配線パターンに接続されている。合金膜６
２はＣｒとＭｏとの合金で構成されているため、合金膜
６２とＩＴＯ膜４２との接合部におけるコンタクト抵抗
を小さくすることができる。さらに合金膜６２は開口部
６４、６６を介してのみＩＴＯ膜４２と接合され、それ
以外の部分は保護膜４４で覆われているため、端子配線
２４周囲を封止樹脂で塗布することで水分の浸入を２重
に防止することができる。また合金膜６２の端部が保護
膜４４で被覆され、ＩＴＯ膜４２とは開口部６４、６６
を介してのみ接合されているため、水分が原因となって
合金膜６２とＩＴＯ膜４２との間に電池反応（腐食）が
生じて、コンタクト抵抗が高くなったり、端子配線２４
が破断したりするのを防止することができ、信頼性を高
めることができる。
【００２２】本実施形態によれば、ドレン配線２０を、
ＣｒとＭｏとの合金で形成し、ドレン配線２０とＩＴＯ
膜４２とを接続するようにしたので、画像データを伝送
する信号伝送路のうちドレン配線２０とＩＴＯ膜４２と
の接続部のコンタクト抵抗を小さくすることができる。
【００２３】前記実施形態においては、画像データを伝
送する信号伝送路を構成する要素と要素との接合部につ
いて述べたが、走査パルス発生手段からの走査パルスを
伝送する伝送路を構成する要素と要素との接合部につい
ても前記実施形態と同様な構造を採用することができ
る。この場合にも接続部のコンタクト抵抗を低くするこ
とができる。
【００２４】（実施形態２）次に、ドレン配線２０と端
子配線２４を構成する膜の作成方法について説明する。
【００２５】まず、従来型のＤＣマグネトロンスパッタ
装置を用いたドレン配線２０、端子配線２４を堆積し、
膜特性を評価したところ、ゲート配線およびドレン配線
として広く用いられているＣｒ膜に比べて、ＣｒにＭｏ
を添加した合金では、膜の比抵抗と膜応力が大幅に低減
できることが分かった。ついで、ＣｒにＭｏを添加した
合金とＩＴＯとのコンタクト特性を評価したところ、こ
のコンタクト特性は、Ｃｒ膜とＩＴＯとのコンタクト特
性に比べて特性が大きく向上することが見いだされた。
【００２６】次に、これらの知見に基づいて、最近ＴＦ
Ｔ用の量産ラインで広く稼動するようになった枚葉式Ｄ
Ｃマグネトロンスパッタ装置を用い、Ｃｒ−Ｍｏ合金膜
を量産品と同一サイズの無アルカリボロシリケートガラ
ス（３７０ｍｍ×４７０ｍｍ×０．７ｍｍ（厚さ）上に
形成した。Ｃｒ−Ｍｏ合金ターゲットのＭｏ組成は５０
ｗｔ（重量）％とした。このターゲットは、５０ｗｔ％
ＣｒとＭｏ粉末とを混合した後、缶に封入し、ＨＩＰ
（Ｈｏｔ Ｉｓｏｓｔａｔｉｃ Ｐｒｅｓｓ）法で固形
化し、機械加工で２６０ｍｍ×２４３ｍｍ×６ｍｍの大
きさに成形し、これら６枚を銅製バッキングプレート上
に張り合わせたものである。またスパッタ装置のパワー
は９．６ｋｗ、アルゴンガスの圧力は０．４ＰａでＣｒ
−Ｍｏ合金膜を堆積し、膜厚を２００ｎｍとした。さら
に、４端針法でシート抵抗を測定し、触針式プロファイ
ラを用いて膜厚を測定し、これらの測定値を用いて比抵
抗を求めた。またＳｉウエハ上に膜を作成し、ウエハの
反り量を求め、膜応力を計算した。得られて結果を次の
表１に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】なお、Ｃｒ−Ｍｏ合金膜の結果（表１）と
の比較のため、従来用いられた１００％Ｃｒ膜について
同様な実験を行なったところ、次の表２に示すような結
果が得られた。
【００２９】
【表２】
【００３０】表１から、Ｃｒ−Ｍｏ合金膜を用いたとき
には、基板温度の上昇に伴って比抵抗、膜応力がともに
減少し、基板温度２００℃（ＴＦＴの生成工程における
温度に相当）では膜応力がほぼ０になることが分かる。
また表２に示すＣｒ膜との結果と比較しても、比抵抗が
低く、膜応力が格段に小さいことが分かる。また基板温
度１３０℃の場合についてさらに検討を進めた結果、Ｃ
ｒ膜では特性向上は成されなかったが、Ｃｒ−Ｍｏ合金
膜の場合には、スパッタパワーおよび圧力の最適化によ
り比抵抗１８μΩｃｍ、膜応力１８０ＭＰａまで低減す
ることができた。
【００３１】次に、得られた膜の構造を観察するため
に、基板温度を２００℃として、Ｃｒ−Ｍｏ合金膜とＣ
ｒ膜を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。この結
果、Ｃｒ−Ｍｏ合金膜では５０〜１００ｎｍの大きさの
サブグレインからなる粒径約５００ｎｍの大きなドメン
構造が認められた。このドメイン構造は一つ一つが結晶
粒１個として振る舞うと考えられる。また膜の断面を観
察した結果、結晶粒界がはっきりとは認められず、大き
な結晶粒が緻密に充填していることが分かる。さらに膜
の切断面がひきちぎられるようになっており、膜がやわ
らかく、換言すれば、延性に優れていること分かった。
これに対して、Ｃｒ膜では、結晶粒径は５０ｎｍ以下と
小さく、断面の観察から結晶粒界がはっきりと認められ
た。したがって、Ｃｒ膜では小さな結晶粒が比較的粗に
充填されており、延性も小さいと判断できる。
【００３２】（実施形態３）次に、実施形態２で作成し
たＣｒ−５０ｗｔ％Ｍｏ合金膜のパターニング特性につ
いて説明する。
【００３３】まず、ホトリソグラフィ工程でレジストの
配線パターンを形成後、Ｃｒ用のエッチング液である硝
酸第２セリウムアンモニウム１５％水溶液を用いてエッ
チング加工した。このエッチングにはシャワー方式の装
置を用いた。
【００３４】次に、形成したＣｒ−Ｍｏ合金膜パターン
の断面を走査型電子顕微鏡で観察した。この結果、Ｃｒ
膜ではパターン面がほぼ垂直で立っているのに対して、
Ｃｒ−Ｍｏ合金膜ではテーパ状になっており、このテー
パの角度は約５０度であることが分かった。さらに、詳
細にこのテーパ角と作成プロセス条件の関係を調べたと
ころ、テーパは、ホトレジストのベーキング条件とシャ
ワーエッチングの噴出圧力に依存することが分かり、こ
れらを適切に調節することによって、パターン端部に再
現性よくテーパを付与することが実証された。なお、Ｃ
ｒ膜の場合には、テーパがうまく形成できない理由は、
Ｃｒ膜とレジストとの密着性が強すぎ、両者の界面にエ
ッチング面が浸透しにくいと考えられる。Ｃｒ−Ｍｏ合
金膜におけるテーパは、エッチング液が膜とレジストと
の間に浸入し、横方向（膜厚と直角方向）へも等方にエ
ッチングが進行することによって達成される。
【００３５】（実施形態４）次に、Ｃｒ膜とＩＴＯ膜と
のコンタクト特性およびＣｒ−Ｍｏ合金膜とＩＴＯ膜と
のコンタクト特性について説明する。
【００３６】まず、よく洗浄したガラス基板上にＣｒ膜
とＣｒ−（５０ＷＴ％）Ｍｏ合金膜を枚葉式ＤＣマグネ
トロンスパッタ法で堆積する。このとき基板温度を２０
０℃、膜厚を２００ｎｍとした。この膜をホトリソグラ
フィによって多数の配線パターンに加工し、線幅を３０
μｍとし、先端部には測定用端針を立てるためのパッド
を形成した。Ｃｒ膜とＣｒ−（５０ｗｔ％）Ｍｏ合金膜
とも硝酸第２セリウムアンモニウム水溶液を用いたウエ
ットエッチング法によって加工した。そしてレジストを
剥離した後、メタル配線パターン上に層間絶縁膜のＳｉ
Ｎ膜をプラズマＣＶＤ法によって形成した。このとき基
板温度を３００℃、膜厚を３５０ｎｍとした。次に、ホ
トリソグラフィによって、メタル配線上のＳｉＮ膜にス
ルーホールパターンを形成した。ＳｉＮ膜のスルーホー
ルはＣＦ4とＯ2の混合ガスを用いたドライエッチング法
によって加工した。次にレジストを剥離した後、ＩＴＯ
膜をＤＣマグネトロンスパッタ法（本工程では従来型の
インライン式を利用）で堆積した。
【００３７】次に、基板温度を２００℃とし、スパッタ
ガスにＡｒとＯ2の混合ガスを用いた場合と、基板温度
を室温とし、スパッタガスにＡｒとＨ2Ｏの混合ガスを
用いた場合の２種類について検討した。前者の場合は、
堆積した状態で多結晶のＩＴＯ膜（以下、ｐ−ＩＴＯと
称する）、後者の場合には、堆積した状態では非晶質
（アモルファス）のＩＴＯ膜（以下ａ−ＩＴＯと称す
る）になっている。非晶質の場合には、後の工程で最高
２４０℃程度の熱が加わるため、結晶化して最終的には
多結晶となる。また膜厚はどちらの場合にも１４０ｎｍ
とした。続いて、ホトリソグラフィによって、ＩＴＯ膜
をパターンニングし、ＳｉＮ膜のスルーホールを介して
メタル配線膜と十字上に交差するコンタクト抵抗の評価
パターンを作成した。そしてＣｒからＩＴＯに対して電
流を流し、４端針法によって、Ｃｒ膜とＩＴＯ膜とのコ
ンタクト部と、Ｃｒ−Ｍｏ合金膜とＩＴＯ膜とのコンタ
クト部における電圧降下Ｖをそれぞれ測定し、この測定
結果から比コンタクト抵抗を求めた。この結果を次の表
３に示す。
【００３８】
【表３】
【００３９】表３から、メタル膜としてＣｒ−Ｍｏ合金
膜を用いた場合には、ＩＴＯが多結晶、非晶質によらず
比コンタクト抵抗がＣｒの場合よりも低いことが分か
る。後述するが、パッド部３０、３４、３８におけるコ
ンタクト部では比コンタクト抵抗が１×１０5Ωμｍ 2
以下である必要が分かった。したがって、Ｃｒ膜の場合
には、コンタクト特性が不十分であることが分かる。
【００４０】なお、上述した比コンタクト抵抗は、ＩＴ
Ｏ膜自身の抵抗値に依存することが分かった。すなわち
ＩＴＯ膜の比抵抗が６×１０~ 4Ωｃｍより大きい場合
は、Ｃｒ−Ｍｏ合金膜でも、比コンタクト抵抗値を１×
１０ 5Ωμｍ 2以下にできない。しかも、ＩＴＯ膜の比
抵抗はＩＴＯ膜のスパッタ条件によって変化し、例え
ば、ｐ−ＩＴＯの場合は、Ｏ2の添加量が多過ぎると上
昇し、ａ−ＩＴＯの場合にはＨ2Ｏの添加量が多すぎる
と上昇する。そしてＨ2Ｏの添加量はＡｒに対して２％
以下であれば、比コンタクト抵抗を１×１０5Ωμｍ 2
以下にすることができる。
【００４１】（実施形態５）前述した実施形態で確立し
た技術を用いて液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）を作成
したときの表示部の構成について説明する。
【００４２】図５は液晶表示装置の表示部の一つの画素
の平面図である。なお、作成したデバイスのＴＦＴ部の
構造は図３と同様であり、ドレン端子部は図２および図
４に示す構造と同様である。図５において、ドレン配線
２０とゲート配線６８で囲まれた表示領域には画素電極
４６が形成されているとともにＴＦＴが形成されてい
る。ＴＦＴの内ソース電極５２と画素電極４６とは保護
膜４４に開口されたコンタクトホールＣＮ１を介して電
気的に接続されている。このような構造を採用すること
により、次のような効果が得られる。
【００４３】（１）ドレン配線２０と画素電極４６とを
異層化しているので、両者の間で短絡の生じる確率を著
しく減少させることができ、それに基づく不良を防止す
ることができる。
【００４４】（２）ゲート電極４８、６８を用いて遮光
膜７０を構成し、しかも画素電極４６をこの上にかぶせ
るように形成することにより、ドレン配線２０と画素電
極４６間からの光漏れをなくすことができる。したがっ
て、透明絶縁基板１０と対向するカラーフィルタ基板１
８に形成しているブラックマトリクスを省略できる。こ
のことは透明絶縁基板１０とカラーフィルタ基板１８と
のアライメントずれを抑制でき、ひいては画素部の開口
率の向上が可能となる。
【００４５】（３）（２）と同様な理由から、画素電極
４６とゲート配線６８とを平面的に重ねることによっ
て、付加容量Ｃａｄｄを形成できる(他方はゲート配線
６８とソース電極６２との重なりによる寄生容量Ｃｇｓ
となる)。このため、この部分からの光漏れをなくすこ
とができ、開口率の向上が図れる。
【００４６】（４）ドレン配線２０と画素電極４６間
は、図３に示すように、ゲート絶縁膜５４とゲート絶縁
膜５４／保護膜４４の積層絶縁膜とが遮光膜７０を介し
て容量結合することになるので、両電極間の寄生容量を
低減できる。
【００４７】本実施形態における構造を採用したときの
ホトマスク数は、（１）ゲート電極、（２）ｎ＋・ａ−
Ｓｉ層５８／アモルファスシリコン半導体層５６、
（３）ゲート絶縁膜５４、（４）ソース電極５２・ドレ
ン電極５０、（５）保護膜４４（電極端子、画素電極部
にスルーホール形成）、（６）画素電極４６の６である
が、（３）を省略し、これを（５）のマスクパターンを
用いて同時に加工することもできる。この場合、ホトマ
スク数が５と少なくなるので、製造パネル数の増大、す
なわちスループットの向上を実現できる。また、以上で
は、ＴＦＴ素子部分を念頭に説明したが、端子部分が同
一プロセス（なんらの付加工程なし）で作成できること
はいうまでもなく、その点が本発明の特徴でもある。
【００４８】ここで、ホトマスク数を５として作成した
ＴＦＴパネルのドレン端子部１４の構造を図６に示す。
図６に示すドレン端子部１４の場合は、ホトマスク数が
６の場合と比べると、ドレン配線２０の下にゲート絶縁
膜５４があること、さらにゲート絶縁膜５４と保護膜４
４の端面が一致していることである。これらは、前述し
たように、ホトマスクを用いたゲート絶縁膜の加工を省
略し、ゲート絶縁膜と保護膜４４とを同一ホトマスクで
一括して加工することによっている。
【００４９】次に、上述した方法によってＴＦＴ基板を
作成した。なお、ＩＴＯ膜４２には基板温度を２００℃
とするｐ−ＩＴＯ膜を用いた。ここで、比較のために、
次の３種類をそれぞれ１０枚ずつ作成した。
【００５０】（ａ）でゲート電極：Ｃｒ−５０ｗｔ％Ｍ
ｏ合金膜／ソース電極・ドレン電極：Ｃｒ−５０ｗｔ％
Ｍｏ合金膜 （ｂ）でゲート電極：Ｃｒ−５０ｗｔ％Ｍｏ合金膜／ソ
ース電極・ドレン電極：Ｃｒの膜 （ｃ）でゲート電極：Ｃｒ膜／ソース電極・ドレン電
極：Ｃｒ−５０ｗｔ％Ｍｏ合金膜 上記いずれのメタル膜も実施形態２に示した基板温度２
００℃の条件で堆積した。また、実施形態３で述べて方
法でエッチングを行なった。したがって、（ａ）、
（ｂ）のゲート電極にはテーパが形成されており、
（ｃ）ではほぼ垂直のパターン端部が形成されている。
このようなパネル作成を進める中で、（ｃ）による構造
の電極膜堆積時、枚葉スパッタ装置内で基板の反りによ
ると見られる搬送トラブルが発生した。そこで注意深く
搬送することにより基板割れは防止することはできた
が、作成には長時間を要した。これは、Ｃｒ膜の応力が
高いことに起因しており、量産ではスループットの低下
を引き起こすことになる。この点でも、Ｃｒ−Ｍｏ合金
膜が優れていることが示されている。
【００５１】次に、得られたパネルの欠陥を調べて結果
を次の表４に示す。
【００５２】
【表４】
【００５３】表４から、（ａ）の構造では、ドレン配線
２０に断線のあるパネルが１枚生じたが、これは、調査
した結果ＣＶＤ膜中に異物が存在した場合であって、ド
レン配線２０には問題がないことが明らかとなった。
（ｂ）の構造では、全てのパネルでドレン配線の断線が
発生した。この素子の断面構造を調べた結果、ゲート配
線をドレン配線が乗り越える部分でドレン配線のＣｒが
断線していることが分かった。この理由は、Ｃｒ膜に１
０００ＭＰａ程度の大きな応力が発生しており、その応
力の向きが引っ張りであるため、段差乗り越え部で配線
が切断されたものと考えられる。（ｃ）の構造では、ゲ
ート配線の断線の発生が２枚認められた。この原因を調
べて結果、ガラス基板に微小な傷が存在し、Ｃｒ配線の
エッチング時に、この部分にエッチング液が浸透し、Ｃ
ｒが切断したものと推定される。Ｃｒ−Ｍｏ合金配線を
用いたパネルでも同様な傷が存在しているが、Ｃｒ−Ｍ
ｏ合金膜は結晶粒径がＣｒ膜に比べて格段に大きいこ
と、膜の延性がＣｒ膜に比べて大きいことが原因であっ
て、エッチング時に断線しにくいとみられる。さらに表
４から、（ｃ）の構造では、ゲート配線にテーパが形成
されていないにもかかわらず、ドレン配線に断線が発生
していないことが分かる。このことから、Ｃｒ−Ｍｏ合
金膜を配線に用いることにより、プロセスマージンが拡
大される効果が期待できる。
【００５４】次いで、断線欠陥のなかったパネル全てと
欠陥のあったパネルの一部をＬＣＤ工程に移し、ＬＣＤ
装置を作成した。すなわち、カラーフィルタおよび共通
透明電極を有する対向基板とＴＦＴパネルにそれぞれ配
向膜を形成し、その表面をラビング処理した後、ビーズ
を分散する。そしてシール剤を塗布した後、両者を張り
合わせ、周囲をシールする。そしてセルに切断後張り合
わせ、両者の間に液晶を封入し、封入口を封止する。続
いて、端子部のガラスを切断する。そのガラス表面に偏
光板を取り付ける。こうして、ＬＣＤ装置を完成したあ
と、バックライトを設置して点灯状態を調べた。この結
果、ドレン配線２０にＣｒ−Ｍｏ合金膜を用いたパネル
では、画素が欠落する点欠陥および線状欠陥は認められ
ず、良好な状態であることが確認された。点欠陥が発生
しないことは、図３および図５におけるコンタクトホー
ルＣＮ１（開口部６０）でソース電極５２と透明画素電
極４６とが電気的に良好な接合状態にあることを示して
いる。
【００５５】次に、パネルの端子部に駆動回路チップ２
２、ＦＰＣ２６を用いて外部信号回路を実装した後、パ
ネルを駆動した。その結果、ドレン配線にＣｒを用いた
ものでは、表示むらが発生することが分かった。この結
果を調べたところ、端子配線部でのＩＴＯ／Ｃｒのコン
タクトが不十分であり、この比コンタクト抵抗が高いの
が原因であることが判明した。また、パネルの外周部に
設けたコンタクト抵抗評価素子を用いて、表示むらが生
じる臨界値を調べた結果、比コンタクト抵抗がほぼ１×
１０ 5Ωμｍ 2以下であれば、このような表示むらが発
生しないことが明らかとなった。そして配線Ｃｒ−Ｍｏ
合金膜を用いたときには、表示むらが全く生じなかった
ことはいうまでもない。
【００５６】次に、パネルの評価後、高温高湿試験にパ
ネルを移し、ここでの信頼性を評価した。この結果、配
線Ｃｒ−Ｍｏ合金膜を用いたパネルでは、全く表示品質
が低下しないことが実証された。
【００５７】次に、端子部構造の変形例を図７に示す。
図７に示す端子部の構造は、ドレン配線２０とＩＴＯ膜
４２とがほぼ全面に渡って接合されている。ただしドレ
ン配線２０の両端部は保護膜４４で被覆されている。こ
のような構造を採用することにより、たとえＩＴＯ膜４
２の表面にまで封止樹脂を通して外部から水が浸入した
としても、ＩＴＯ膜４２とドレン配線２２の界面にまで
水が浸入するのを抑制することができる。
【００５８】またＣｒ−Ｍｏ合金膜の方がＣｒ膜よりも
コンタクト抵抗が格段に低い理由は、膜表面を光電子分
光法で調べた結果、Ｃｒ−Ｍｏ合金膜表面に生成する酸
化膜の厚さがＣｒ膜表面の場合よりも薄いことおよび構
造がＣｒ膜表面とは異なるためと推定される。
【００５９】以上のことから、Ｃｒ−Ｍｏ合金膜をＴＦ
Ｔパネルの配線膜に用いることにより、工程中および信
頼性試験においても高い歩留まりを実現することがで
き、液晶表示装置の低コスト化を促進することができ
る。
【００６０】（実施形態６）次に、他の合金膜の適用に
ついて説明する。Ｃｒ−Ｍｏ合金膜以外の合金膜を用い
るために、Ｃｒ膜に、Ｎｂ、Ｔａ、およびＷをそれぞれ
５、１０、２０、３０、５０ｗｔ％添加した合金膜を作
製し、これらの合金膜の比抵抗と膜応力を測定した。合
金膜の作製方法は実施形態２で述べた方法と同様であ
る。これらの合金膜の測定結果の内、膜応力について
は、Ｎｂの場合、実施形態２に示したＭｏの場合とほぼ
同様な傾向を示した。ＴａおよびＷの場合には、Ｍｏよ
りは少ない添加量、すなわち１０ｗｔ％程度から応力の
低下が認められた。これらのことから、いずれの元素で
もＣｒと合金化することによって、Ｃｒ−Ｍｏ合金膜と
同様な効果が得られるものと判断される。比抵抗に関し
ては、ここで実施したＮｂ、ＴａおよびＷの添加では、
Ｃｒ−Ｍｏ合金膜よりも高くなってしまうことが判明し
た。したがって、Ｃｒとの合金膜を形成する元素とし
て、Ｎｂ、Ｔａ及びＷは非常に有効であるが、膜応力と
比抵抗の両方の結果を考慮すると、Ｍｏの添加が最も優
れていると判断される。
【００６１】なお、Ｃｒ−Ｍｏ合金膜のＭｏ組成は、主
として５０ｗｔ％の場合について説明したが、比コンタ
クト抵抗を低くする場合には、Ｍｏ組成が２０から８０
ｗｔ％の広い範囲のものを用いることができる。ただ
し、Ｍｏ組成が増大するにしたがって、硝酸第２セリウ
ムアンモニウム水溶液を用いたエッチングの速度が減少
することおよびＭｏ組成が減少するにしたがって膜応力
が増大することの理由によって、３０から５５ｗｔ％の
範囲のものを用いることが好ましい。
【００６２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
信号伝送路を構成する要素と要素との接続部のうち一方
の材料を、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗの中から選んだ少なく
とも一つの元素とＣｒとの合金で構成するようにしたた
め、接合部のコンタクト抵抗を低くすることができ、歩
留まりの向上に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態を示す液晶表示装置のドレ
ン端子部の断面図である。
【図２】端子接続部の断面図である。
【図３】ＴＦＴ素子の断面図である。
【図４】端子配線の断面図である。
【図５】ＴＦＴパネルの画素部の平面図である。
【図６】ホトマスク数を５としたときのドレン端子の断
面図である。
【図７】ドレン端子部の他の変形例を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
１０ 透明絶縁基板 １２ 表示領域 １４ ドレン端子部 １８ カラーフィルタ基板 ２０ ドレン配線 ２２ 駆動回路チップ ２４ 端子配線 ２６ ＦＰＣ ２８、３２、３６ 異方性導電膜 ３０、３４、３８ パッド部
フロントページの続き (72)発明者 茶原 健一 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 中島 勝範 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 西村 悦子 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 佐藤 健史 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 峯村 哲郎 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の画素を構成する液晶を含む液晶層
    と、液晶層を間にして相対向して配置されて少なくとも
    一方が透明な一対の基板と、走査パルスを発生する走査
    パルス発生手段と、画像データを発生する画像データ発
    生手段と、一対の基板の一方の基板に分散して配置され
    て走査パルス発生手段に接続された複数の走査線と、複
    数の走査線とマトリクス状に交差するように配置されて
    画像データ発生手段に接続された複数のデータ信号線と
    を備えているとともに、 複数の走査線と複数のデータ信号線とにより囲まれた複
    数の表示領域に、 一対の基板のうち一方の基板側に配置された透明画素電
    極と、 液晶層を間にして透明画素電極と相対向して配置されて
    液晶駆動電圧が印加される対向電極と、 走査線とデータ信号線および透明画素電極に接続された
    画素駆動用半導体能動素子と、各走査線と各データ信号
    線および画素駆動用半導体能動素子をそれぞれ被覆する
    絶縁膜とを備えており、 前記走査線と前記データ信号線に関連する信号伝送路を
    構成する要素と要素との接続部のうち少なくとも一方の
    要素の材料は、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗの中から選んだ少
    なくとも一つの元素とＣｒとの合金であり、 走査線と走査パルス発生手段とは絶縁膜に形成された第
    １の開口部を介して接続され、データ信号線と画像デー
    タ発生手段とは絶縁膜に形成された第２の開口部を介し
    て接続され、第１の開口部には走査パルス発生手段に接
    続された多結晶薄膜が挿入され、第２の開口部には画像
    データ発生手段に接続された多結晶薄膜が挿入され、前
    記多結晶薄膜は、酸化インジウムを主体として酸化すず
    が添加された酸化インジウムすずで構成され、比抵抗が
    ６×１０~ 4Ωcm以下であるアクティブマトリクス型液
    晶表示装置。
  2. 【請求項２】 複数の画素を構成する液晶を含む液晶層
    と、液晶層を間にして相対向して配置されて少なくとも
    一方が透明な一対の基板と、走査パルスを発生する走査
    パルス発生手段と、画像データを発生する画像データ発
    生手段と、一対の基板の一方の基板に分散して配置され
    て走査パルス発生手段に接続された複数の走査線と、複
    数の走査線とマトリクス状に交差するように配置されて
    画像データ発生手段に接続された複数のデータ信号線と
    を備えているとともに、 複数の走査線と複数のデータ信号線とにより囲まれた複
    数の表示領域に、 一対の基板のうち一方の基板側に配置された透明画素電
    極と、 液晶層を間にして透明画素電極と相対向して配置されて
    液晶駆動電圧が印加される対向電極と、 走査線とデータ信号線および透明画素電極に接続された
    画素駆動用半導体能動素子と、各走査線と各データ信号
    線および画素駆動用半導体能動素子をそれぞれ被覆する
    絶縁膜とを備えており、 前記走査線と、前記データ信号線および前記画素駆動用
    半導体能動素子の電極を構成するもののうち少なくとも
    一つの材料は、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗの中から選んだ少
    なくとも一つの元素とＣｒとの合金であり、 走査線と走査パルス発生手段とは絶縁膜に形成された第
    １の開口部を介して接続され、データ信号線と画像デー
    タ発生手段とは絶縁膜に形成された第２の開口部を介し
    て接続され、画素駆動用半導体能動素子の電極と透明画
    素電極とは第３の開口部を介して接続され、第１の開口
    部には走査パルス発生手段に接続された多結晶薄膜が挿
    入され、第２の開口部には画像データ発生手段に接続さ
    れた多結晶薄膜が挿入され、第３の開口部には透明画素
    電極に接続された多結晶薄膜が挿入されており、前記多
    結晶薄膜は、酸化インジウムを主体として酸化すずが添
    加された酸化インジウムすずで構成され、比抵抗が６×
    １０~ 4Ωcm以下であるアクティブマトリクス型液晶表
    示装置。
  3. 【請求項３】 走査線と走査パルス発生手段とは走査線
    に沿って形成された複数の第１の開口部を介して形成さ
    れ、データ信号線と画像データ発生手段とはデータ信号
    線に沿って形成された複数の第２の開口部を介して接続
    されている請求項１または２記載のアクティブマトリク
    ス型液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 第１の開口部と第２の開口部における多
    結晶薄膜と合金との比コンタクト抵抗は１×1０~ 4Ωμ
    ｍ 2以下である請求項１、２または３記載のアクティブ
    マトリクス型液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 第１の開口部と第２の開口部および第３
    開口部における多結晶薄膜と合金との比コンタクト抵抗
    は１×1０~ 4Ωμｍ 2以下である請求項２記載のアクテ
    ィブマトリクス型液晶表示装置。
  6. 【請求項６】 Ｃｒとの合金膜を形成する元素の組成は
    ２０から８０重量％である請求項１、２、３、４または
    ５記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 走査パルス発生手段に属する線として表
    示領域外の基板上に配置されて走査パルスを伝送する走
    査パルス伝送用配線と他の部材とは異方性導電膜を介し
    て接続され、画像データ発生手段に属する線として表示
    領域外の基板上に配置されて画像データを伝送する画像
    データ伝送用配線は他の部材と異方性導電膜を介して接
    続されており、走査パルス伝送用配線の他の部材との接
    続面および画像データ伝送用配線の他の部材との接続面
    には多結晶薄膜が形成され、この多結晶薄膜は、酸化イ
    ンジウムを主体として酸化すずが添加された酸化インジ
    ウムすずで構成され、比抵抗が６×１０~ 4Ωcm以下で
    ある請求項１、２、３、４、５または６記載のアクティ
    ブマトリクス型液晶表示装置。
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