JP2006047827A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 202
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 36
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 230000036647 reaction Effects 0.000 abstract 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 10
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13454—Drivers integrated on the active matrix substrate
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Abstract
【解決手段】 液晶表示装置の外部駆動回路と接続するための端子の、表示パネル側と外部駆動端子側の両端部が保護膜で覆われており、端子上の保護膜で覆われていない部分には透明性導電膜が形成され、さらに端子上に形成された透明性導電膜は端子両端部の保護膜と接しない構造を有する。
【選択図】 図1
Description
配線は、Al、Cr、Mo等の金属で構成される。また、外部駆動回路と接続するための端子は、CrやMoで構成された電極表面を酸化インジウム錫(ITO)や酸化インジウム亜鉛(IZO)などの透明性導電酸化膜で覆うように構成される。
また、外部駆動回路と端子との接続には異方性導電粒子が用いられる。
図1は、本願発明の実施の形態1に係る液晶表示装置の上面図である。また、図2は、図1の破線A−Bにおける断面図及び表示エリア内の領域の断面図である。なお、以下に説明する各実施の形態で用いられる説明図において、同一又は相当部分には同一の符号を付してその説明を省略する。
実施の形態1では、絶縁性無機膜105に形成した第4の開口217cを介して、ソース・ドレイン配線215と同一の工程で形成され、ソース・ドレイン配線215と同層の膜であるCr/Al/Cr積層膜からなる信号配線109上のITO膜を、有機樹脂膜107に触れないように形成した。これに対し本実施の形態では、端子101のITO膜の下層にCr膜を形成するものである。
図4は、本願発明の実施の形態2に係る液晶表示装置の断面図である。
実施の形態1および2では、絶縁性無機膜105に形成した第4の開口217cを介して、ソース・ドレイン配線215と同一の工程で形成され、ソース・ドレイン配線215と同層の膜であるCr/Al/Cr配線上に、ITO膜を有機樹脂膜107に触れないように形成した。これに対し本実施の形態では、ゲート配線と同層に形成したCr電極配線を利用して、外部駆動回路からの信号を表示パネルに入力する構造とするものである。
図5は、本願発明の実施の形態2に係る液晶表示装置の上面図である。また、図6は、図5の破線A−Bにおける断面図及び表示エリア内の領域の断面図である。
103 透明性導電膜
105 絶縁性無機膜
107 有機樹脂膜
109 信号配線
201 ガラス基板
203 層間絶縁膜
205 保護膜
301 第1コンタクトホール
501 第2コンタクトホール
503 端子配線
505 下層配線
Claims (10)
- 薄膜トランジスタにより駆動される画素電極を形成した画素基板と、前記画素基板と対向する対向基板との間に液晶層を挟持し、前記画素基板の少なくとも一辺に外部駆動回路と接続するための端子が形成される液晶表示装置の製造方法において、基板上に半導体層を形成する工程と、前記半導体層の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程と、前記半導体層に不純物をイオン注入してソース・ドレイン領域を形成する工程と、前記基板上にソース・ドレイン配線を形成する工程と、前記基板上に端子配線を形成する工程と、前記端子配線の前記外部駆動回路側の領域と表示エリア側の領域上に絶縁性無機膜を形成する工程と、前記絶縁性無機膜上に有機樹脂膜を形成する工程と、前記絶縁性無機膜の少なくとも一部を含む前記端子配線上に導電膜を形成する工程を有し、前記導電膜は前記有機樹脂膜との間に所定の間隔を有するように形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
- 前記導電膜が透明性導電膜であることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記導電膜が透明性導電膜と金属薄膜との積層膜であることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記端子配線の形成は、前記画素基板上の前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン配線と同一の工程で形成されることを特徴とする請求項1ないし3記載の液晶表示装置の製造方法。
- 薄膜トランジスタにより駆動される画素電極を形成した画素基板と、前記画素基板と対向する対向基板との間に液晶層を挟持し、前記画素基板の少なくとも一辺に外部駆動回路と接続するための端子が形成された液晶表示装置の製造方法において、基板上に半導体層を形成する工程と、前記半導体層の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程と、前記基板上に第1の配線を形成する工程と、前記第1の配線上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に前記第1の配線と連通する開口を形成する工程と、前記開口の内部を導電体で満たす工程と、前記開口を含む前記層間絶縁膜上に第2の配線を形成する工程と、前記第2の配線上に透明性導電膜を形成する工程を有し、前記第2の配線と前記透明性導電膜は前記画素基板上の表示エリアに形成された保護膜との間に所定の間隔を有するように形成され、前記第1の配線と前記第2の配線は前記開口内部の前記導電体を介して接続されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1の配線の形成は、前記画素基板上の前記薄膜トランジスタのゲート電極と同一の工程で形成されることを特徴とする請求項5記載の液晶表示装置の製造方法。
- 基板上に薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタにより駆動される画素電極を形成した画素基板と、前記画素基板と対向する対向基板との間に液晶層を挟持した液晶表示装置において、前記画素基板の少なくとも一辺に外部駆動回路と接続するための端子が形成され、前記端子は端子配線と前記端子配線上の導電膜から成り、前記端子配線の前記外部駆動回路側の領域と表示パネル側の領域上が絶縁性無機膜と有機樹脂膜が積層された保護膜で覆われ、前記導電膜は前記絶縁性無機膜の少なくとも一部を含む前記端子配線上に形成され、前記導電膜は前記有機樹脂膜との間に所定の間隔を有することを特徴とする液晶表示装置。
- 前記導電膜が透明性導電膜であることを特徴とする請求項7記載の液晶表示装置。
- 前記導電膜が透明性導電膜と金属薄膜との積層膜であることを特徴とする請求項7記載の液晶表示装置。
- 基板上に薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタにより駆動される画素電極を形成した画素基板と、前記画素基板と対向する対向基板との間に液晶層を挟持した液晶表示装置において、前記画素基板は少なくとも一辺に外部駆動回路と接続するための端子と、前記外部駆動回路からの信号を前記端子を介して表示パネル側へ入力するための第1の配線を有し、前記端子は第2の配線と前記第2の配線上に形成された透明性導電膜を有し、前記透明性導電膜は前記画素基板上の表示エリアに形成された保護膜との間に所定の間隔を有し、前記第1の配線と前記第2の配線は開口を介して接続されることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004230824A JP2006047827A (ja) | 2004-08-06 | 2004-08-06 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
KR1020050065664A KR100670213B1 (ko) | 2004-08-06 | 2005-07-20 | 액정 표시장치 및 그 제조방법 |
US11/187,238 US7304711B2 (en) | 2004-08-06 | 2005-07-22 | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
TW094124932A TWI281746B (en) | 2004-08-06 | 2005-07-22 | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004230824A JP2006047827A (ja) | 2004-08-06 | 2004-08-06 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008302222A Division JP2009116338A (ja) | 2008-11-27 | 2008-11-27 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006047827A true JP2006047827A (ja) | 2006-02-16 |
JP2006047827A5 JP2006047827A5 (ja) | 2009-01-22 |
Family
ID=35757040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004230824A Pending JP2006047827A (ja) | 2004-08-06 | 2004-08-06 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7304711B2 (ja) |
JP (1) | JP2006047827A (ja) |
KR (1) | KR100670213B1 (ja) |
TW (1) | TWI281746B (ja) |
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TW200614499A (en) | 2006-05-01 |
TWI281746B (en) | 2007-05-21 |
KR100670213B1 (ko) | 2007-01-16 |
KR20060053923A (ko) | 2006-05-22 |
US7304711B2 (en) | 2007-12-04 |
US20060028606A1 (en) | 2006-02-09 |
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Date | Code | Title | Description |
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A521 | Written amendment |
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A621 | Written request for application examination |
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|
RD01 | Notification of change of attorney |
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A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A02 | Decision of refusal |
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