JP2000275666A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シール剤の内側から延在する信号線に発生す
る腐食を防止する。 【解決手段】 液晶を介して対向配置された基板のうち
一方の基板の液晶側の面の各画素領域に信号を供給する
信号線が形成され、この信号線は他方の基板を固定させ
るシール剤を超えて延在されているものであって、該シ
ール剤を超えて延在される信号線は、その信号線側から
第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜の順次積層体に
よって被われている。
る腐食を防止する。 【解決手段】 液晶を介して対向配置された基板のうち
一方の基板の液晶側の面の各画素領域に信号を供給する
信号線が形成され、この信号線は他方の基板を固定させ
るシール剤を超えて延在されているものであって、該シ
ール剤を超えて延在される信号線は、その信号線側から
第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜の順次積層体に
よって被われている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、液晶を介して互いに対
向配置される透明基板を外囲器とし、該液晶の広がり方
向に多数の画素を備えている。そして、これら各画素に
は映像信号に対応する電界を発生する手段が組み込ま
れ、該電界の強さに応じて液晶の光透過率を制御できる
ようになっている。このため、透明基板の一方の液晶側
の面には、その各画素領域に信号を供給する信号線が形
成され、この信号線は外囲器の外側にまで引き出される
ようになっている。すなわち、外囲器を構成する一対の
透明基板のうち、一方の透明基板（信号線が形成されて
いる側の基板）は、他方の透明基板よりも若干面積が大
きく構成され、該他方の透明基板と重畳していない領域
に該信号線が延在され、外部回路に接続されるようにな
っている。なお、他方の基板は、その周辺に相当する部
分にシール剤が配置されることにより、一方の基板に対
して固定され、それら各基板の間に所定のギャップを保
持するとともに液晶を封入できるようになっている。
向配置される透明基板を外囲器とし、該液晶の広がり方
向に多数の画素を備えている。そして、これら各画素に
は映像信号に対応する電界を発生する手段が組み込ま
れ、該電界の強さに応じて液晶の光透過率を制御できる
ようになっている。このため、透明基板の一方の液晶側
の面には、その各画素領域に信号を供給する信号線が形
成され、この信号線は外囲器の外側にまで引き出される
ようになっている。すなわち、外囲器を構成する一対の
透明基板のうち、一方の透明基板（信号線が形成されて
いる側の基板）は、他方の透明基板よりも若干面積が大
きく構成され、該他方の透明基板と重畳していない領域
に該信号線が延在され、外部回路に接続されるようにな
っている。なお、他方の基板は、その周辺に相当する部
分にシール剤が配置されることにより、一方の基板に対
して固定され、それら各基板の間に所定のギャップを保
持するとともに液晶を封入できるようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された液晶表示装置は、シール剤の内側から延
在する信号線に腐食が原因とする断線が往々にして起こ
ることが指摘されるようになった。これを究明した結
果、シール剤の内側から延在する信号線は、従来から、
画素の集合体から構成される表示領域に形成される保護
膜の延在膜によって被われて形成されているが、その延
在膜にピンホール等の何らか等の欠陥があった場合、そ
の欠陥部分下の信号線が腐食することが判明した。特
に、近年において、信号線はそれと隣接する信号線との
間の距離が狭くなる傾向にあり、それらの間の電界強度
が大きくなるため、信号線腐食をより促進させてしまう
という背景も有する。また、断線にまでは到らなくて
も、信号線の腐食がシール剤の下部にまで到ってしまう
ことによって、該シール剤にリーク孔が生じ、液晶のリ
ーク不良を回避できない憂いも有する。本発明は、この
ような事情に基づいてなされたもので、その目的は、シ
ール剤の内側から延在する信号線に発生する腐食を防止
できる液晶表示装置を提供することにある。
うに構成された液晶表示装置は、シール剤の内側から延
在する信号線に腐食が原因とする断線が往々にして起こ
ることが指摘されるようになった。これを究明した結
果、シール剤の内側から延在する信号線は、従来から、
画素の集合体から構成される表示領域に形成される保護
膜の延在膜によって被われて形成されているが、その延
在膜にピンホール等の何らか等の欠陥があった場合、そ
の欠陥部分下の信号線が腐食することが判明した。特
に、近年において、信号線はそれと隣接する信号線との
間の距離が狭くなる傾向にあり、それらの間の電界強度
が大きくなるため、信号線腐食をより促進させてしまう
という背景も有する。また、断線にまでは到らなくて
も、信号線の腐食がシール剤の下部にまで到ってしまう
ことによって、該シール剤にリーク孔が生じ、液晶のリ
ーク不良を回避できない憂いも有する。本発明は、この
ような事情に基づいてなされたもので、その目的は、シ
ール剤の内側から延在する信号線に発生する腐食を防止
できる液晶表示装置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。手段１． 液晶を介して対向配置された基板のうち一方の
基板の液晶側の面の各画素領域に信号を供給する信号線
が形成され、この信号線は他方の基板を固定させるシー
ル剤を超えて延在されているものであって、該シール剤
を超えて延在される信号線は、その信号線側から第１絶
縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜の順次積層体によって
被われていることを特徴とするものである。このよう
に、シール剤を超えて延在される信号線を第１絶縁膜、
半導体層、及び第２絶縁膜の順次積層体によって被うこ
とによって、第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜の
それぞれにピンホール等の欠陥が生じていても、それら
の欠陥の個所が信号線上において重なりあうことは極め
て希となり、ほとんど皆無といっても過言でなくなる。
このため、信号線を被う材料のピンホール等の欠陥によ
る腐食を回避できることになる。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。手段１． 液晶を介して対向配置された基板のうち一方の
基板の液晶側の面の各画素領域に信号を供給する信号線
が形成され、この信号線は他方の基板を固定させるシー
ル剤を超えて延在されているものであって、該シール剤
を超えて延在される信号線は、その信号線側から第１絶
縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜の順次積層体によって
被われていることを特徴とするものである。このよう
に、シール剤を超えて延在される信号線を第１絶縁膜、
半導体層、及び第２絶縁膜の順次積層体によって被うこ
とによって、第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜の
それぞれにピンホール等の欠陥が生じていても、それら
の欠陥の個所が信号線上において重なりあうことは極め
て希となり、ほとんど皆無といっても過言でなくなる。
このため、信号線を被う材料のピンホール等の欠陥によ
る腐食を回避できることになる。
【０００５】手段２．手段１の構成において、各画素領
域には保護膜で被われた薄膜トランジスタを備え、前記
第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜は、それぞれ、
該薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜、半導体
層、及び前記保護膜と同一の材料であることを特徴とす
るものである。このようにした場合、第１絶縁膜、半導
体層、及び第２絶縁膜は、各画素を形成する際に並行し
て形成することができることから、製造工程の増大をも
たらすことがないという効果を奏する。
域には保護膜で被われた薄膜トランジスタを備え、前記
第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜は、それぞれ、
該薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜、半導体
層、及び前記保護膜と同一の材料であることを特徴とす
るものである。このようにした場合、第１絶縁膜、半導
体層、及び第２絶縁膜は、各画素を形成する際に並行し
て形成することができることから、製造工程の増大をも
たらすことがないという効果を奏する。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の一実施例を図面を用いて説明する。実施例１． 〈液晶表示装置の等価回路〉図２は、本発明による液晶
表示装置の一実施例を示す等価回路図である。同図は回
路図であるが、実際の幾何学的配置に対応して描かれて
いる。同図において、液晶表示パネル１がある。この液
晶表示パネル１は液晶を介して互いに対向配置される一
対の透明基板のうち一方の透明基板１Ａの液晶側の面
に、そのｘ方向に延在しｙ方向に並設される走査信号線
２と、この走査信号線２に絶縁されｙ方向に延在しｘ方
向に並設される映像信号線３が形成されている。隣接さ
れる各走査信号線２と隣接される各映像信号線３とで囲
まれる矩形状の領域は画素領域を構成し、これら各画素
領域には、一方の走査信号線２からの走査信号の供給に
よってオンされる薄膜トランジスタＴＦＴと、このオン
された薄膜トランジスタＴＦＴを介して一方の映像信号
線３からの映像信号が供給される画素電極５とが形成さ
れている。この画素電極５は透明材料からなりたとえば
ＩＴＯ（Indum-Tin-Oxide）膜によって構成されてい
る。また、画素電極５と他方の走査信号線２との間には
付加容量素子Ｃａｄｄが形成され、この付加容量素子Ｃ
ａｄｄによって画素電極５に供給された映像信号に相当
する電荷を比較的長く蓄積できるようになっている。こ
のように構成される透明基板１Ａと液晶を介して配置さ
れる他の透明基板１Ｂの液晶側の面には、図示していな
いが、各画素領域に共通して透明材料からなる共通電極
が形成され、この共通電極と前記画素電極５との間に発
生する電界によって、その間の液晶の光透過率が制御さ
れるようになっている。また、各走査信号線２の一端側
には外部端子を介して垂直走査回路７から走査信号が供
給されるようになっている。この垂直走査回路７は透明
基板１Ａ上にフェースダウンして搭載された複数の駆動
ＩＣから構成され、その出力電極が前記外部端子に接続
されるようになっている。同様に、各映像信号線３の一
端側には外部端子を介して映像信号駆動回路８から映像
信号が供給されるようになっている。この映像信号駆動
回路８も透明基板１Ａ上にフェースダウンして搭載され
た複数の駆動ＩＣから構成され、その出力電極が前記外
部端子に接続されるようになっている。ここで、垂直走
査回路７及び映像信号駆動回路８はいずれもそれが搭載
された領域において透明基板１Ｂは張り出していない構
成になっている。すなわち、透明基板１Ｂは、透明基板
１Ａよりも若干面積が小さく形成され、該透明基板１Ａ
とその図中右側端辺と下側端辺とを一致づけて配置さ
れ、透明基板１Ａが透明基板１Ｂから露呈された領域に
垂直走査回路７及び映像信号駆動回路８が搭載されるよ
うになっている。
の一実施例を図面を用いて説明する。実施例１． 〈液晶表示装置の等価回路〉図２は、本発明による液晶
表示装置の一実施例を示す等価回路図である。同図は回
路図であるが、実際の幾何学的配置に対応して描かれて
いる。同図において、液晶表示パネル１がある。この液
晶表示パネル１は液晶を介して互いに対向配置される一
対の透明基板のうち一方の透明基板１Ａの液晶側の面
に、そのｘ方向に延在しｙ方向に並設される走査信号線
２と、この走査信号線２に絶縁されｙ方向に延在しｘ方
向に並設される映像信号線３が形成されている。隣接さ
れる各走査信号線２と隣接される各映像信号線３とで囲
まれる矩形状の領域は画素領域を構成し、これら各画素
領域には、一方の走査信号線２からの走査信号の供給に
よってオンされる薄膜トランジスタＴＦＴと、このオン
された薄膜トランジスタＴＦＴを介して一方の映像信号
線３からの映像信号が供給される画素電極５とが形成さ
れている。この画素電極５は透明材料からなりたとえば
ＩＴＯ（Indum-Tin-Oxide）膜によって構成されてい
る。また、画素電極５と他方の走査信号線２との間には
付加容量素子Ｃａｄｄが形成され、この付加容量素子Ｃ
ａｄｄによって画素電極５に供給された映像信号に相当
する電荷を比較的長く蓄積できるようになっている。こ
のように構成される透明基板１Ａと液晶を介して配置さ
れる他の透明基板１Ｂの液晶側の面には、図示していな
いが、各画素領域に共通して透明材料からなる共通電極
が形成され、この共通電極と前記画素電極５との間に発
生する電界によって、その間の液晶の光透過率が制御さ
れるようになっている。また、各走査信号線２の一端側
には外部端子を介して垂直走査回路７から走査信号が供
給されるようになっている。この垂直走査回路７は透明
基板１Ａ上にフェースダウンして搭載された複数の駆動
ＩＣから構成され、その出力電極が前記外部端子に接続
されるようになっている。同様に、各映像信号線３の一
端側には外部端子を介して映像信号駆動回路８から映像
信号が供給されるようになっている。この映像信号駆動
回路８も透明基板１Ａ上にフェースダウンして搭載され
た複数の駆動ＩＣから構成され、その出力電極が前記外
部端子に接続されるようになっている。ここで、垂直走
査回路７及び映像信号駆動回路８はいずれもそれが搭載
された領域において透明基板１Ｂは張り出していない構
成になっている。すなわち、透明基板１Ｂは、透明基板
１Ａよりも若干面積が小さく形成され、該透明基板１Ａ
とその図中右側端辺と下側端辺とを一致づけて配置さ
れ、透明基板１Ａが透明基板１Ｂから露呈された領域に
垂直走査回路７及び映像信号駆動回路８が搭載されるよ
うになっている。
【０００７】〔画素領域〕図３（ａ）は、前記画素領域
の構成の一実施例を示す平面図である。そして、同図
（ａ）のｂ−ｂ線における断面を同図（ｂ）に示してい
る。同図において、透明基板１Ａ上に、図中ｘ方向に延
在されｙ方向に並設される走査信号線２があり、この走
査信号線２をも被って透明基板１Ａの表面の全域には絶
縁膜４が形成されている。この絶縁膜４は、後に形成さ
れる映像信号線３に対する走査信号線２の層間絶縁膜と
して機能し、また、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域
においてはそのゲート絶縁膜として機能し、さらには、
付加容量素子Ｃａｄｄの形成領域においては誘電体膜と
して機能するようになっている。そして、この絶縁膜４
の表面には画素電極５が形成され、この画素電極５はた
とえばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）膜からなる透明の電
極から構成されている。この画素電極５は、その一部
が、一方の走査信号線２（図中上側の信号配線）に重畳
するようにして形成され、それらの間に配置される絶縁
膜４を誘電体膜とする付加容量素子Ｃａｄｄを構成して
いる。薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域は一方の走査
信号線２（図中下側の信号配線）に重畳するようにして
形成され、この領域に島状のたとえばアモルファスＳｉ
からなる半導体層６が形成されている。この半導体層６
の表面にドレイン電極３ｄ及びソース電極３ｓが形成さ
れることにより前記走査信号線２の一部をゲート電極と
するＭＩＳ型のトランジスタが形成されるが、これらド
レイン電極３ｄ及びソース電極３ｓは映像信号線３とと
もに形成されるようになっている。すなわち、ｙ方向に
延在しｘ方向に並設される映像信号線３が形成され、こ
の映像信号線３の一部は前記薄膜トランジスタＴＦＴの
形成領域の半導体層６の表面にまで延在されてドレイン
電極３ｄを形成するようになっている。そして、この際
に同時に形成されるソース電極３ｓは画素領域側に延在
され、予め形成されている画素電極５と接続が図れるよ
うになっている。さらに、このように加工された基板の
表面の全域には、たとえばシリコン窒化膜なる保護膜９
が形成され、この保護膜９の上面には液晶の配向を規制
させるための配向膜１０が形成されている。このように
形成された画素領域は、走査信号線２から走査信号が供
給されることによって薄膜トランジスタＴＦＴが駆動さ
れ、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して映像信号線３
からの映像信号が画素電極５に供給されるようになって
いる。薄膜トランジスタＴＦＴがオフした際には、画素
電極５に供給された映像信号を付加容量素子Ｃａｄｄに
よって長く蓄積させるようになっている。
の構成の一実施例を示す平面図である。そして、同図
（ａ）のｂ−ｂ線における断面を同図（ｂ）に示してい
る。同図において、透明基板１Ａ上に、図中ｘ方向に延
在されｙ方向に並設される走査信号線２があり、この走
査信号線２をも被って透明基板１Ａの表面の全域には絶
縁膜４が形成されている。この絶縁膜４は、後に形成さ
れる映像信号線３に対する走査信号線２の層間絶縁膜と
して機能し、また、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域
においてはそのゲート絶縁膜として機能し、さらには、
付加容量素子Ｃａｄｄの形成領域においては誘電体膜と
して機能するようになっている。そして、この絶縁膜４
の表面には画素電極５が形成され、この画素電極５はた
とえばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）膜からなる透明の電
極から構成されている。この画素電極５は、その一部
が、一方の走査信号線２（図中上側の信号配線）に重畳
するようにして形成され、それらの間に配置される絶縁
膜４を誘電体膜とする付加容量素子Ｃａｄｄを構成して
いる。薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域は一方の走査
信号線２（図中下側の信号配線）に重畳するようにして
形成され、この領域に島状のたとえばアモルファスＳｉ
からなる半導体層６が形成されている。この半導体層６
の表面にドレイン電極３ｄ及びソース電極３ｓが形成さ
れることにより前記走査信号線２の一部をゲート電極と
するＭＩＳ型のトランジスタが形成されるが、これらド
レイン電極３ｄ及びソース電極３ｓは映像信号線３とと
もに形成されるようになっている。すなわち、ｙ方向に
延在しｘ方向に並設される映像信号線３が形成され、こ
の映像信号線３の一部は前記薄膜トランジスタＴＦＴの
形成領域の半導体層６の表面にまで延在されてドレイン
電極３ｄを形成するようになっている。そして、この際
に同時に形成されるソース電極３ｓは画素領域側に延在
され、予め形成されている画素電極５と接続が図れるよ
うになっている。さらに、このように加工された基板の
表面の全域には、たとえばシリコン窒化膜なる保護膜９
が形成され、この保護膜９の上面には液晶の配向を規制
させるための配向膜１０が形成されている。このように
形成された画素領域は、走査信号線２から走査信号が供
給されることによって薄膜トランジスタＴＦＴが駆動さ
れ、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して映像信号線３
からの映像信号が画素電極５に供給されるようになって
いる。薄膜トランジスタＴＦＴがオフした際には、画素
電極５に供給された映像信号を付加容量素子Ｃａｄｄに
よって長く蓄積させるようになっている。
【０００８】《駆動ＩＣ近傍の構成》図４は、透明基板
１Ａに搭載された駆動ＩＣ７Ａ、８Ａの近傍における構
成の一実施例を示した斜視図であり、図２において矢印
IV側から観た図である。透明基板１Ｂから露呈された透
明基板１Ａの図中ｙ方向辺にはその方向に沿って垂直走
査回路７を構成する複数の駆動ＩＣ７Ａが搭載され、ま
た、図中ｘ方向辺にはその方向に沿って映像信号駆動回
路８を構成する複数の駆動ＩＣ８Ａが搭載されている。
たとえば複数の駆動ＩＣ７Ａは、互いに隣接する所定数
のグループ化された各走査信号線２に対して一つの駆動
ＩＣ７Ａが担当するように配置されている。ここで、走
査信号線２は、画素領域から透明基板１Ｂが形成されて
いない透明基板１Ａ上にまで延在され、その一端におい
て該駆動ＩＣ７Ａの出力端子に接続されるようになって
いる。また、駆動ＩＣ７Ａの入力端子は透明基板１Ａの
辺部に形成された配線層に接続され、この配線層はフレ
キシブルなプリント基板ＪＴ２から信号が供給されるよ
うになっている。なお、このような構成は映像信号駆動
回路８を構成する駆動ＩＣ８Ａ側でも同様となってい
る。
１Ａに搭載された駆動ＩＣ７Ａ、８Ａの近傍における構
成の一実施例を示した斜視図であり、図２において矢印
IV側から観た図である。透明基板１Ｂから露呈された透
明基板１Ａの図中ｙ方向辺にはその方向に沿って垂直走
査回路７を構成する複数の駆動ＩＣ７Ａが搭載され、ま
た、図中ｘ方向辺にはその方向に沿って映像信号駆動回
路８を構成する複数の駆動ＩＣ８Ａが搭載されている。
たとえば複数の駆動ＩＣ７Ａは、互いに隣接する所定数
のグループ化された各走査信号線２に対して一つの駆動
ＩＣ７Ａが担当するように配置されている。ここで、走
査信号線２は、画素領域から透明基板１Ｂが形成されて
いない透明基板１Ａ上にまで延在され、その一端におい
て該駆動ＩＣ７Ａの出力端子に接続されるようになって
いる。また、駆動ＩＣ７Ａの入力端子は透明基板１Ａの
辺部に形成された配線層に接続され、この配線層はフレ
キシブルなプリント基板ＪＴ２から信号が供給されるよ
うになっている。なお、このような構成は映像信号駆動
回路８を構成する駆動ＩＣ８Ａ側でも同様となってい
る。
【０００９】図１は、図４のI−I線における断面を示し
た図である。同図において、透明基板１Ａの上面には透
明基板１Ｂの対向面側から延在する走査信号線２が形成
され、この走査信号線２の延在端はフェースダウンされ
る駆動ＩＣ７Ａの出力端子１２に接続されている。そし
て、この走査信号線は絶縁膜４、半導体層６、保護膜９
の順次積層体によって被われている。これら絶縁膜４、
半導体層６、保護膜９は、各画素における絶縁膜４、半
導体層６、保護膜９であり、透明基板１Ｂの外側にまで
延在され、その縁辺は駆動ＩＣ７Ａの下側であってその
出力端子１２の近傍にまで及んで形成されている。な
お、透明基板１Ａに対する透明基板１Ｂは、前記保護膜
９上に形成されるシール剤１３によって固定されてい
る。このシール剤１３は透明基板１Ａと透明基板１Ｂの
間のギャップを所定の値に保持するとともに、該ギャッ
プの間の液晶を封入する機能を有する。そして、このシ
ール剤１３の外側において透明基板１Ａと透明基板１Ｂ
との間には有機樹脂１４が塗布されている。また、駆動
ＩＣ７Ａの出力端子１２側において透明基板１Ａと該駆
動ＩＣ７Ａとの間には有機樹脂１５が塗布されている。
これら有機樹脂１４、１５は、その下層に位置づけられ
る走査信号線２の腐食等に対してその防止の信頼性を向
上させるために形成されている。このような構成は、映
像信号線３における駆動ＩＣ８Ａの近傍においても同様
となっている。このようにシール剤１３を超えて延在さ
れる走査信号線２（映像信号線３）を絶縁膜４、半導体
層６、及び保護膜９の順次積層体によって被うことによ
って、絶縁膜４、半導体層６、及び保護膜９のそれぞれ
にピンホール等の欠陥が生じていても、それらの欠陥の
個所が走査信号線２上において重なりあうことは極めて
希となり、ほとんど皆無といっても過言でなくなる。こ
のため、走査信号線２（映像信号線３）を被う材料のピ
ンホール等の欠陥による腐食を回避できることになる。
また、絶縁膜４、半導体層６、及び保護膜９は、各画素
を形成する際に並行して形成することができることか
ら、製造工程の増大をもたらすことがないという効果も
奏する。
た図である。同図において、透明基板１Ａの上面には透
明基板１Ｂの対向面側から延在する走査信号線２が形成
され、この走査信号線２の延在端はフェースダウンされ
る駆動ＩＣ７Ａの出力端子１２に接続されている。そし
て、この走査信号線は絶縁膜４、半導体層６、保護膜９
の順次積層体によって被われている。これら絶縁膜４、
半導体層６、保護膜９は、各画素における絶縁膜４、半
導体層６、保護膜９であり、透明基板１Ｂの外側にまで
延在され、その縁辺は駆動ＩＣ７Ａの下側であってその
出力端子１２の近傍にまで及んで形成されている。な
お、透明基板１Ａに対する透明基板１Ｂは、前記保護膜
９上に形成されるシール剤１３によって固定されてい
る。このシール剤１３は透明基板１Ａと透明基板１Ｂの
間のギャップを所定の値に保持するとともに、該ギャッ
プの間の液晶を封入する機能を有する。そして、このシ
ール剤１３の外側において透明基板１Ａと透明基板１Ｂ
との間には有機樹脂１４が塗布されている。また、駆動
ＩＣ７Ａの出力端子１２側において透明基板１Ａと該駆
動ＩＣ７Ａとの間には有機樹脂１５が塗布されている。
これら有機樹脂１４、１５は、その下層に位置づけられ
る走査信号線２の腐食等に対してその防止の信頼性を向
上させるために形成されている。このような構成は、映
像信号線３における駆動ＩＣ８Ａの近傍においても同様
となっている。このようにシール剤１３を超えて延在さ
れる走査信号線２（映像信号線３）を絶縁膜４、半導体
層６、及び保護膜９の順次積層体によって被うことによ
って、絶縁膜４、半導体層６、及び保護膜９のそれぞれ
にピンホール等の欠陥が生じていても、それらの欠陥の
個所が走査信号線２上において重なりあうことは極めて
希となり、ほとんど皆無といっても過言でなくなる。こ
のため、走査信号線２（映像信号線３）を被う材料のピ
ンホール等の欠陥による腐食を回避できることになる。
また、絶縁膜４、半導体層６、及び保護膜９は、各画素
を形成する際に並行して形成することができることか
ら、製造工程の増大をもたらすことがないという効果も
奏する。
【００１０】実施例２．図５（ａ）は、本発明による液
晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応し
た図である。図１と異なる構成は、絶縁膜４、半導体層
６の順次積層体はシール剤１３の形成個所には形成され
ていないことにある。すなわち、シール剤１３の外側か
ら駆動ＩＣ７Ａ側に延在されて形成されている。この場
合、保護膜９に関しては図１と同様にシール剤１３の内
側からそのまま延在されて形成している。このように構
成した理由は、シール剤１３の形成個所において平坦性
を確保し、透明基板１Ａに対する透明基板１Ｂのギャッ
プの均一性を向上させんがためである。この場合、シー
ル剤１３の近傍における走査信号線２の腐食は有機樹脂
１４によって充分に回避できるようになる。
晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応し
た図である。図１と異なる構成は、絶縁膜４、半導体層
６の順次積層体はシール剤１３の形成個所には形成され
ていないことにある。すなわち、シール剤１３の外側か
ら駆動ＩＣ７Ａ側に延在されて形成されている。この場
合、保護膜９に関しては図１と同様にシール剤１３の内
側からそのまま延在されて形成している。このように構
成した理由は、シール剤１３の形成個所において平坦性
を確保し、透明基板１Ａに対する透明基板１Ｂのギャッ
プの均一性を向上させんがためである。この場合、シー
ル剤１３の近傍における走査信号線２の腐食は有機樹脂
１４によって充分に回避できるようになる。
【００１１】実施例３．図５（ｂ）は、本発明による液
晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応し
た図である。図１と異なる構成は、絶縁膜４、半導体層
６の順次積層体はシール剤１３下の途中から駆動ＩＣ７
Ａ側に延在されて形成されている。すなわち、シール剤
１３はその外方側において絶縁膜４、半導体層６の順次
積層体を介して形成されているのに対して、内方側にお
いてそれらが介在されていないようになっている。この
場合、保護膜９に関しては図１と同様にシール剤１３の
内側からそのまま延在されて形成している。このように
構成した理由は、走査信号線２の腐食防止強化とシール
剤１３の形成個所の平坦化を併せもつ効果を得んとせん
がためである。
晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応し
た図である。図１と異なる構成は、絶縁膜４、半導体層
６の順次積層体はシール剤１３下の途中から駆動ＩＣ７
Ａ側に延在されて形成されている。すなわち、シール剤
１３はその外方側において絶縁膜４、半導体層６の順次
積層体を介して形成されているのに対して、内方側にお
いてそれらが介在されていないようになっている。この
場合、保護膜９に関しては図１と同様にシール剤１３の
内側からそのまま延在されて形成している。このように
構成した理由は、走査信号線２の腐食防止強化とシール
剤１３の形成個所の平坦化を併せもつ効果を得んとせん
がためである。
【００１２】実施例４．図６（ａ）は、本発明による液
晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応し
た図である。図１と異なる構成は、絶縁膜４、半導体層
６、保護膜９の順次積層体は、駆動ＩＣ７Ａの出力端子
１２の途中まで延在されて形成されている。すなわち、
出力端子１２はそのシール剤１３の側において絶縁膜
４、半導体層６、保護膜９の順次積層体を介して形成さ
れているのに対して、その反対側においてそれらが介在
されていないようになっている。このように構成した理
由は、走査信号線２をその全域にわたって該積層体で被
うことによって腐食防止強化を図らんがためである。
晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応し
た図である。図１と異なる構成は、絶縁膜４、半導体層
６、保護膜９の順次積層体は、駆動ＩＣ７Ａの出力端子
１２の途中まで延在されて形成されている。すなわち、
出力端子１２はそのシール剤１３の側において絶縁膜
４、半導体層６、保護膜９の順次積層体を介して形成さ
れているのに対して、その反対側においてそれらが介在
されていないようになっている。このように構成した理
由は、走査信号線２をその全域にわたって該積層体で被
うことによって腐食防止強化を図らんがためである。
【００１３】実施例５．図６（ｂ）は、本発明による液
晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応し
た図である。図１と異なる構成は、走査信号線２を被う
積層体は、絶縁膜４及び保護膜９の二層からなるもので
ある。すなわち、半導体層６は走査信号線２の腐食防止
対策に寄与していない構成となっている。このように構
成した理由は、走査信号線２の腐食防止対策は絶縁膜４
及び保護膜９の積層体で充分とし、シール剤１３の形成
個所の平坦化をより強化せんがためである。
晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応し
た図である。図１と異なる構成は、走査信号線２を被う
積層体は、絶縁膜４及び保護膜９の二層からなるもので
ある。すなわち、半導体層６は走査信号線２の腐食防止
対策に寄与していない構成となっている。このように構
成した理由は、走査信号線２の腐食防止対策は絶縁膜４
及び保護膜９の積層体で充分とし、シール剤１３の形成
個所の平坦化をより強化せんがためである。
【００１４】実施例６．図７は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図で
ある。図１と異なる構成は、走査信号線２を被う絶縁膜
４、半導体層６、保護膜９のうち、半導体層６のみがシ
ール剤１３の形成個所には形成されていないことにあ
る。すなわち、シール剤１３の外側から駆動ＩＣ７Ａ側
に延在されて形成されている。このように構成した理由
は、走査信号線２の腐食防止強化とシール剤１３の形成
個所の平坦化を併せもつ効果を得んとせんがためであ
る。
装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図で
ある。図１と異なる構成は、走査信号線２を被う絶縁膜
４、半導体層６、保護膜９のうち、半導体層６のみがシ
ール剤１３の形成個所には形成されていないことにあ
る。すなわち、シール剤１３の外側から駆動ＩＣ７Ａ側
に延在されて形成されている。このように構成した理由
は、走査信号線２の腐食防止強化とシール剤１３の形成
個所の平坦化を併せもつ効果を得んとせんがためであ
る。
【００１５】実施例２から実施例６まではいずれも走査
信号線２に接続される駆動ＩＣ７Ａの近傍の構成を示し
たものである。しかし、映像信号線３に接続される駆動
ＩＣ８Ａの近傍も同様の構成としてもよいことはいうま
でもない。また、上述した実施例は、そのいずれも信号
線を被う積層体の各層は、各画素領域に形成される所定
の層と同一材料としたものである。しかし、これに限定
されることはなく、各画素領域に形成される層と同一で
なくてもよい。また、上述した実施例は、そのいずれも
駆動ＩＣが透明基板に搭載されたいわゆるＣＯＧ（chip
on glass）型のものを説明したものである。しかし、
本発明はこれに限定されないことはいうまでもない。透
明基板１Ｂが対向配置されていない透明基板１の表面に
信号線が形成されている場合、この信号線の腐食防止に
本発明が適用できるからである。また、上述した実施例
は、いわゆる縦電界方式と称される液晶表示装置につい
て示したものである。しかし、横電界方式と称される液
晶表示装置等についても適用できることはいうまでもな
い。ここで、横電界方式の液晶表示装置とは、液晶を介
して対向配置される透明基板のうち一方の透明基板の液
晶側の面の画素領域に画素電極とこの画素電極に離間さ
れて配置された共通電極とを備え、これら各電極との間
に基板と平行に発生する電界によって液晶の光透過率を
制御するものである。
信号線２に接続される駆動ＩＣ７Ａの近傍の構成を示し
たものである。しかし、映像信号線３に接続される駆動
ＩＣ８Ａの近傍も同様の構成としてもよいことはいうま
でもない。また、上述した実施例は、そのいずれも信号
線を被う積層体の各層は、各画素領域に形成される所定
の層と同一材料としたものである。しかし、これに限定
されることはなく、各画素領域に形成される層と同一で
なくてもよい。また、上述した実施例は、そのいずれも
駆動ＩＣが透明基板に搭載されたいわゆるＣＯＧ（chip
on glass）型のものを説明したものである。しかし、
本発明はこれに限定されないことはいうまでもない。透
明基板１Ｂが対向配置されていない透明基板１の表面に
信号線が形成されている場合、この信号線の腐食防止に
本発明が適用できるからである。また、上述した実施例
は、いわゆる縦電界方式と称される液晶表示装置につい
て示したものである。しかし、横電界方式と称される液
晶表示装置等についても適用できることはいうまでもな
い。ここで、横電界方式の液晶表示装置とは、液晶を介
して対向配置される透明基板のうち一方の透明基板の液
晶側の面の画素領域に画素電極とこの画素電極に離間さ
れて配置された共通電極とを備え、これら各電極との間
に基板と平行に発生する電界によって液晶の光透過率を
制御するものである。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、シール剤の内側か
ら延在する信号線に発生する腐食を防止できる。
本発明による液晶表示装置によれば、シール剤の内側か
ら延在する信号線に発生する腐食を防止できる。
【図１】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す要
部断面図である。
部断面図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す等
価回路を示す図である。
価回路を示す図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の信号線に接続され
る駆動ＩＣの近傍の一実施例を示した斜視図である。
る駆動ＩＣの近傍の一実施例を示した斜視図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
要部断面図である。
要部断面図である。
【図６】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
要部断面図である。
要部断面図である。
【図７】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
要部断面図である。
要部断面図である。
１Ａ、１Ｂ……透明基板、２……走査信号線、４……絶
縁膜、５……半導体層、７Ａ……駆動ＩＣ、９……保護
膜、１２……出力端子、１３……シール剤、１４、１５
……有機樹脂。
縁膜、５……半導体層、７Ａ……駆動ＩＣ、９……保護
膜、１２……出力端子、１３……シール剤、１４、１５
……有機樹脂。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小野 記久雄 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 松田 正昭 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 阿武 恒一 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 大河原 洋 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 Ｆターム(参考） 2H092 GA49 GA50 GA57 GA60 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB51 JB57 JB63 JB69 KA05 KA07 MA32 MA35 MA37 NA15 NA25 NA27 NA28 PA04 PA06
Claims (9)
- 【請求項１】 液晶を介して対向配置された基板のうち
一方の基板の液晶側の面の各画素領域に信号を供給する
信号線が形成され、この信号線は他方の基板を固定させ
るシール剤を超えて延在されているものであって、 該シール剤を超えて延在される信号線は、その信号線側
から第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜の順次積層
体によって被われていることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項２】 各画素領域には保護膜で被われた薄膜ト
ランジスタを備え、前記第１絶縁膜、半導体層、及び第
２絶縁膜は、それぞれ、該薄膜トランジスタを構成する
ゲート絶縁膜、半導体層、及び前記保護膜と同一の材料
であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜
の順次積層体は、シール剤の内側から延在されて形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
置。 - 【請求項４】 第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜
の順次積層体は、シール剤の外側であって、他方の基板
端から信号線の延在方向に及んで形成されていることを
特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 第１絶縁膜、半導体層、及び第２絶縁膜
の順次積層体は、シール剤下の途中から延在されて形成
されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
置。 - 【請求項６】 信号線の延在端は駆動ＩＣの出力端子に
接続されるものであって、第１絶縁膜、半導体層、及び
第２絶縁膜の順次積層体は駆動ＩＣ下にまで延在されて
形成されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表
示装置。 - 【請求項７】 信号線の延在端は駆動ＩＣの出力端子に
接続されるものであって、第１絶縁膜、半導体層、及び
第２絶縁膜の順次積層体は該出力端子下の途中まで延在
されて形成されていることを特徴とする請求項１記載の
液晶表示装置。 - 【請求項８】 液晶を介して対向配置された基板のうち
一方の基板の液晶側の面の各画素領域に信号を供給する
信号線が形成され、この信号線は他方の基板を固定させ
るシール剤を超えて延在されているものであって、 該シール剤を超えて延在される信号線は、その信号線側
から第１絶縁膜、第２絶縁膜の順次積層体によって被わ
れていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項９】 各画素領域には保護膜で被われた薄膜ト
ランジスタを備え、前記第１絶縁膜、第２絶縁膜は、そ
れぞれ、該薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜、
前記保護膜と同一の材料であることを特徴とする請求項
８記載の液晶表示装置。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP11081094A JP2000275666A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 液晶表示装置 |
| KR1020000014327A KR100779204B1 (ko) | 1999-03-25 | 2000-03-21 | 액정표시장치 |
| TW089105271A TW486587B (en) | 1999-03-25 | 2000-03-22 | Liquid crystal display device |
| US09/534,520 US6697139B1 (en) | 1999-03-25 | 2000-03-24 | Liquid crystal display device having particular stacked layered structure at peripheral portion |
| US10/779,743 US6989881B2 (en) | 1999-03-25 | 2004-02-18 | Display device with signal line extended from display area to peripheral area being covered in peripheral area |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11081094A JP2000275666A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005185832A Division JP2005301311A (ja) | 2005-06-27 | 2005-06-27 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000275666A true JP2000275666A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13736814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11081094A Pending JP2000275666A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 液晶表示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6697139B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000275666A (ja) |
| KR (1) | KR100779204B1 (ja) |
| TW (1) | TW486587B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6809390B2 (en) | 2000-11-30 | 2004-10-26 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor chip mounting substrate, electrooptical device, liquid-crystal device, electroluminescent device, and electronic equipment |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006047827A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP4579074B2 (ja) | 2005-07-15 | 2010-11-10 | 三菱電機株式会社 | フレキシブル回路基板及びこれを用いた表示装置 |
| CN100444002C (zh) * | 2005-11-10 | 2008-12-17 | 比亚迪股份有限公司 | 一种防电极腐蚀方法及用该方法制造的液晶显示器 |
| KR101326246B1 (ko) * | 2006-12-12 | 2013-11-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| TWI390280B (zh) * | 2009-05-27 | 2013-03-21 | Au Optronics Corp | 觸控面板顯示器與觸控顯示裝置 |
| JP5840598B2 (ja) | 2012-12-17 | 2016-01-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチ検出機能付き表示装置、電子機器及びタッチ検出機能付き表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9447A (en) * | 1852-12-07 | Improved galvanic battery | ||
| US109801A (en) * | 1870-12-06 | Improvement in sash-locks | ||
| US132385A (en) * | 1872-10-22 | Improvement in filters | ||
| JPS6117126A (ja) | 1984-07-03 | 1986-01-25 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶セル |
| US4960719A (en) * | 1988-02-04 | 1990-10-02 | Seikosha Co., Ltd. | Method for producing amorphous silicon thin film transistor array substrate |
| JPH0268524A (ja) | 1988-09-05 | 1990-03-08 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2516688B2 (ja) | 1989-08-02 | 1996-07-24 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPH05232497A (ja) | 1992-02-25 | 1993-09-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶パネルおよび液晶表示装置 |
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