JP2000019556A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JP2000019556A
JP2000019556A JP10183023A JP18302398A JP2000019556A JP 2000019556 A JP2000019556 A JP 2000019556A JP 10183023 A JP10183023 A JP 10183023A JP 18302398 A JP18302398 A JP 18302398A JP 2000019556 A JP2000019556 A JP 2000019556A
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liquid crystal
video signal
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Nobuyuki Suzuki
伸之 鈴木
Ryoji Oritsuki
良二 折付
Yasushi Nakano
泰 中野
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 走査信号線あるいは映像信号線からの各信号
の対向電圧信号線への漏れ電流の発生を回避する。 【解決手段】 液晶を介して対向配置される透明基板の
一方の透明基板の液晶側の面に、走査信号線、映像信号
線、および対向電圧信号線で囲まれる画素領域を構成
し、これら各画素領域に、走査信号線からの走査信号の
供給によって駆動する薄膜トランジスタと、この薄膜ト
ランジスタを介して映像信号線からの映像信号が供給さ
れる画素電極と、この画素電極と離間して配置され前記
対向電圧信号線に接続される対向電極とを備えるともと
に、前記各画素領域の集合体で構成される表示領域を囲
んで共通配線が形成され、映像信号線および走査信号線
の前記共通配線と交差する部分においてそれらを非線形
素子で接続させたものであって、前記共通配線は高抵抗
素子を介して対向電圧信号線に接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に、横電界方式と称される液晶表示装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】横電界方式と称される液晶表示装置は、
液晶を介して対向配置される透明基板の一方の透明基板
の液晶側の各画素領域に、画素電極とこの画素電極に離
間されて配置される対向電極とを備え、これら各電極と
の間に発生する電界によって液晶の光透過率を制御する
ように構成されている。
【０００３】そして、アクテッブ・マトリックス型のも
のにこの方式を採用した液晶表示装置は、該一方の透明
基板の液晶側の面に、ｘ方向に延在しｙ方向に並設され
る走査信号線と、やはりｘ方向に延在しｙ方向に並設さ
れる対向電圧信号線と、ｙ方向に延在しｘ方向に並設さ
れる映像信号線とを備え、互い隣接する走査信号線と対
向電圧信号線、および互いに隣接する一対の映像信号線
とで囲まれた各領域を画素領域としている。
【０００４】そして、各画素領域には、走査信号線から
の走査信号の供給によって駆動される薄膜トランジスタ
と、この薄膜トランジスタを介して一方の映像信号線か
らの映像信号が供給される画素電極とが形成されてい
る。
【０００５】この場合、画素電極は対向電極を基準にし
て映像信号に対応する電圧が印加されるようになってい
ることから、該対向電極は前記対向電圧信号線を介して
基準電圧が印加されるように構成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そして、このような液
晶表示装置は、その薄膜トランジスタが静電気に対して
破壊されやすい構造となっているため、その静電気対策
がなされることが必須となる。
【０００７】この場合、一例として、各画素の集合体で
ある表示領域を囲むようにして、共通配線層を形成し、
各走査信号線および各映像信号線が該共通配線層と交差
する部分においてそれらを非線形素子を介して接続する
ともに、該共通配線層を対向電圧信号線に接続させる試
みがある。
【０００８】走査信号線あるいは映像信号線を介して静
電気が浸入された場合、前記非線形素子を介して共通配
線層、対向電圧信号線に拡散させることによって、薄膜
トラジスタへの静電気の浸入を阻止せんとする考え方に
基づくものである。
【０００９】しかし、このように構成した場合、液晶表
示装置の駆動時において、映像信号線からの映像信号の
一部が非線形素子にリーク電流として流れてしまい、こ
のリーク電流が共通配線層、対向電圧信号線を介して各
画素の対向電極に流れるため、画質が劣化してしまうと
いう不都合が指摘されるに到った。
【００１０】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的は、走査信号線あるいは映像
信号線からの各信号の対向電圧信号線への漏れ電流の発
生を回避できる液晶表示装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１２】すなわち、液晶を介して対向配置される透
明基板の一方の透明基板の液晶側の面に、走査信号線、
映像信号線、および対向電圧信号線で囲まれる画素領域
を構成し、これら各画素領域に、走査信号線からの走査
信号の供給によって駆動する薄膜トランジスタと、この
薄膜トランジスタを介して映像信号線からの映像信号が
供給される画素電極と、この画素電極と離間して配置さ
れ前記対向電圧信号線に接続される対向電極とを備える
とともに、前記各画素領域の集合体で構成される表示領
域を囲んで共通配線が形成され、映像信号線および走査
信号線の前記共通配線と交差する部分においてそれらを
非線形素子で接続させたものであって、前記共通配線は
高抵抗素子を介して対向電圧信号線に接続されているこ
とを特徴とするものである。
【００１３】このように構成された液晶表示装置は、た
とえ走査信号あるいは映像信号が非線形素子を介してリ
ーク電流が流れたとしても、このリーク電流は高抵抗素
子によって対向電圧信号線に流れてしまうことを阻止で
きるようになる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明する。実施例１． 〔全体構成〕図２は、本発明による液晶表示装置の全体
を示す概略構成図である。この実施例では、広い視野角
をもつものとして知られているいわゆる横電界方式を採
用した液晶表示装置に本発明を適用させている。
【００１５】まず、液晶表示パネル１があり、その液晶
表示パネル１は、液晶を介して互いに対向配置された透
明基板１Ａ、１Ｂを外囲器としている。この場合、一方
の透明基板（図中下側の基板：マトリックス基板１Ａ）
は他方の透明基板（図中上側の基板：カラーフィルタ基
板１Ｂ）に対して若干大きく形成され、図中下側と右側
の周辺端はほぼ面一に合わせて配置されてる。
【００１６】この結果、一方の透明基板１Ａの図中左側
の周辺および図中上側の周辺は他方の基透明板１Ｂに対
して外方に延在されるようになっている。後に詳述する
が、この部分はゲート駆動回路およびドレイン駆動回路
が搭載される領域となっている。
【００１７】各透明基板１Ａ、１Ｂの重畳する領域には
マトリックス状に配置された画素２が構成され、この画
素２は、図中ｘ方向に延在されｙ方向に並設される走査
信号線３とｙ方向に延在されｘ方向に並設される映像信
号線４とで囲まれる領域に形成され、少なくとも、一方
の走査信号線３から走査信号の供給によって駆動される
スイッチング素子ＴＦＴと、このスイッチング素子ＴＦ
Ｔを介して一方の映像信号線４から供給される映像信号
が印加される画素電極とが備えられている。
【００１８】ここでは、上述したように、各画素２は、
いわゆる横電界方式を採用したもので、後に詳述するよ
うに、上記のスイッチング素子ＴＦＴおよび画素電極の
他に、基準電極および付加容量素子が備えられるように
なっている。
【００１９】そして、各走査信号線３はその一端（図中
左側の端部）が透明基板１Ｂ外にまで延在され、透明基
板１Ａに搭載されたゲート駆動回路（ＩＣ）５の出力端
子に接続されるようになっている。
【００２０】この場合、ゲート駆動回路５は複数設けら
れているともに、前記走査信号線３は互いに隣接するも
の同士でグループ化され、これら各グループ化された走
査信号線３が近接する各ゲート駆動回路５にそれぞれ接
続されるようになっている。
【００２１】また、同様に、各映像信号線４はその一端
（図中上側の端部）が透明基板１Ｂ外にまで延在され、
透明基板１Ａに搭載されたドレイン駆動回路（ＩＣ）６
の出力端子に接続されるようになっている。
【００２２】この場合も、ドレイン駆動回路６は複数設
けられているともに、前記映像信号線４は互いに隣接す
るもの同士でグループ化され、これら各グループ化され
た映像信号線４が近接する各ドレイン駆動回路６にそれ
ぞれ接続されるようになっている。
【００２３】一方、このようにゲート駆動回路５および
ドレイン駆動回路６が搭載された液晶表示パネル１に近
接した配置されるプリント基板１０（コントロール基板
１０）があり、このプリント基板１０には電源回路１１
等の他に、前記ゲート駆動回路５およびドレイン駆動回
路６に入力信号を供給するためのコントロール回路１２
が搭載されている。
【００２４】そして、このコントロール回路１２からの
信号はフレキシブル配線基板（ゲート回路基板１５、ド
レイン回路基板１６Ａ、ドレイン回路基板１６Ｂ）を介
してゲート駆動回路５およびドレイン駆動回路６に供給
されるようになっている。
【００２５】すなわち、ゲート駆動回路５側には、これ
ら各ゲート駆動回路５の入力側の端子にそれぞれ対向し
て接続される端子を備えるフレキシブル配線基板（ゲー
ト回路基板１５）が配置されている。
【００２６】そのゲート回路基板１５は、その一部が前
記コントロール基板１０側に延在されて形成され、その
延在部において、該コントロール基板１０と接続部１８
を介して接続されている。
【００２７】コントロール基板１０に搭載されたコント
ロール回路１２からの出力信号は、該コントロール基板
１０上の配線層、前記接続部１８、さらにはゲート回路
基板１５上の配線層を介して各ゲート駆動回路５に入力
されるようになっている。
【００２８】また、ドレイン駆動回路６側には、これら
各ドレイン駆動回路６の入力側の端子にそれぞれ対向し
て接続される端子を備えるドレイン回路基板１６Ａ、１
６Ｂが配置されている。
【００２９】このドレイン回路基板１６Ａ、１６Ｂは、
その一部が前記コントロール基板１０側に延在されて形
成され、その延在部において、該コントロール基板１０
と接続部１９Ａ、１９Ｂを介して接続されている。
【００３０】コントロール基板１０に搭載されたコント
ロール回路１２からの出力信号は、該コントロール基板
１０上の配線層、前記接続部１９Ａ、１９Ｂ、さらには
ドレイン回路基板１６Ａ、１６Ｂ上の配線層を介して各
ドイレン駆動回路１６Ａ、１６Ｂに入力されるようにな
っている。
【００３１】なお、ドレイン駆動回路６側のドレイン回
路基板１６Ａ、１６Ｂは、図示のように、２個に分割さ
れて設けられている。液晶表示パネル１の大型化にとも
なって、たとえばドレイン回路基板の図中ｘ方向への長
さの増大による熱膨張による弊害を防止する等のためで
ある。
【００３２】そして、コントロール基板１０上のコント
ロール回路１２からの出力は、ドレイン回路基板１６Ａ
の接続部１９Ａ、およびドレイン回路基板１６Ｂの接続
部１９Ｂをそれぞれ介して、対応するドレイン駆動回路
６に入力されている。
【００３３】さらに、コントロール基板１０には、映像
信号源２２からケーブル２３によってインターフェース
基板２４を介して映像信号が供給され、該コントロール
基板１０に搭載されたコントロール回路１２に入力され
るようになっている。
【００３４】なお、この図では、液晶表示パネル１、ゲ
ート回路基板１５、ドイレン回路基板１６Ａ、１６Ｂ、
およびコントロール基板１０がほぼ同一平面内に位置づ
けられるように描かれていいるが、実際には該コントロ
ール基板１０はゲート回路基板１５、ドイレン回路基板
１６Ａ、１６Ｂの部分で屈曲されて液晶表示パネル１に
対してほぼ直角になるように位置づけられるようになっ
ている。
【００３５】いわゆる額縁の面積を小さくさせる趣旨か
らである。ここで、額縁とは、液晶表示装置の外枠の輪
郭と表示部の輪郭の間の領域をいい、この領域を小さく
することによって、外枠に対して表示部の面積を大きく
できる効果を得ることができる。
【００３６】〔画素の構成〕図３は、前記画素領域の詳
細な構成を示す平面図を示している。同図において、マ
トリックス基板１Ａの主表面に、ｘ方向に延在する走査
信号線３と対向電圧信号線５０とが形成されている。そ
して、これら各信号線３、５０と後述のｙ方向に延在す
る映像信号線２とで囲まれる領域が画素領域として形成
されることになる。
【００３７】すなわち、この実施例では、走査信号線３
との間に対向電圧信号線５０が走行して形成され、その
対向電圧信号線５０を境にして±ｙ方向のそれぞれに画
素領域が形成されることになる。
【００３８】このようにすることによって、ｙ方向に並
設される対向電圧信号線５０は従来の約半分に減少させ
ることができ、それによって閉められていた領域を画素
領域側に分担させることができ、該画素領域の面積を大
きくすることができるようになる。
【００３９】各画素領域において、前記対向電圧信号線
５０にはそれと一体となってｙ方向に延在された対向電
極５０Ａがたとえば３本等間隔に形成されている。これ
ら各対向電極５０Ａは走査信号線３に接続されることな
く近接して延在され、このうち両脇の２本は映像信号線
３に隣接して配置され、残りの１本は中央に位置づけら
れている。
【００４０】さらに、このように走査信号線３、対向電
圧信号線５０、および対向電極５０Ａが形成された透明
基板１Ａの主表面には、これら走査信号線３等をも被っ
てたとえばシリコン窒化膜からなる絶縁膜が形成されて
いる。この絶縁膜は後述する映像信号線２に対しては走
査信号線３および対向電圧信号線５０との絶縁を図るた
めの層間絶縁膜として、薄膜トランジスタＴＦＴに対し
てはゲート絶縁膜として、蓄積容量Ｃｓｔｇに対しては
誘電体膜として機能するようになっている。
【００４１】この絶縁膜の表面には、まず、その薄膜ト
ランジスタＴＦＴの形成領域において半導体層５１が形
成されている。この半導体層５１はたとえばアモルファ
スＳｉからなり、走査信号線３上において後述する映像
信号線２に近接された部分に重畳されて形成されてい
る。これにより、走査信号線３の一部が薄膜トランジス
タＴＦＴのゲート電極を兼ねた構成となっている。
【００４２】そして、この絶縁膜の表面にはそのｙ方向
に延在しかつｘ方向に並設される映像信号線２が形成さ
れている。この映像信号線２は、薄膜トランジスタＴＦ
Ｔを構成する前記半導体層５１の表面の一部にまで延在
されて形成されたドレイン電極２Ａが一体となって備え
られている。
【００４３】さらに、画素領域における絶縁膜の表面に
は薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極５３Ａに接続さ
れた画素電極５３が形成されている。この画素電極５３
は前記対向電極５０Ａのそれぞれの中央をｙ方向に延在
して形成されている。すなわち、画素電極５３の一端は
前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極５３Ａを兼
ね、そのままｙ方向に延在され、さらに対向電圧信号線
５０上をｘ方向に延在された後に、ｙ方向に延在するコ
字形状となっている。
【００４４】ここで、画素電極５３の対向電圧信号線５
０に重畳される部分は、該対向電圧信号線５０との間に
前記絶縁膜を誘電体膜とする蓄積容量Ｃｓｔｇを構成し
ている。この蓄積容量Ｃｓｔｇによってたとえば薄膜ト
ランジスタＴＦＴがオフした際に画素電極５３に映像情
報を長く蓄積させる効果を奏するようにしている。
【００４５】なお、前述した薄膜トランジスタＴＦＴの
ドレイン電極２Ａとソース電極５３Ａとの界面に相当す
る半導体層５１の表面にはリン（Ｐ）がドープされて高
濃度層となっており、これにより前記各電極におけるオ
ーミックコンタクトを図っている。この場合、半導体層
５１の表面の全域には前記高濃度層が形成されており、
前記各電極を形成した後に、該電極をマスクとして該電
極形成領域以外の高濃度層をエッチングするようにして
上記の構成とすることができる。
【００４６】そして、このように薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ、映像信号線２、画素電極５３、および蓄積容量Ｃｓ
ｔｇが形成された絶縁膜の上面にはたとえばシリコン窒
化膜からなる保護膜が形成され、この保護膜の上面には
配向膜が形成されて、液晶表示パネル１のいわゆる下側
基板を構成している。
【００４７】なお、図示していないが、いわゆる上側基
板となる透明基板（カラーフィルタ基板）１Ｂの液晶側
の部分には、各画素領域に相当する部分に開口部を有す
るブラックマトリックス（図３の符号５４に相当する）
が形成されている。
【００４８】さらに、このブラックマトリックス５４の
画素領域に相当する部分に形成された開口部を被ってカ
ラーフィルタが形成されている。このカラーフィルタは
ｘ方向に隣接する画素領域におけるそれとは異なった色
を備えるとともに、それぞれブラックマトリックス５４
上において境界部を有するようになっている。
【００４９】また、このようにブラックマトリックス、
およびカラーフィルタが形成された面には樹脂膜等から
なる平坦膜が形成され、この平坦膜の表面には配向膜が
形成されている。
【００５０】〔静電保護回路〕図１は、前記マトリック
ス基板１Ａに形成された静電保護回路の一実施例を示す
構成図である。
【００５１】同図に示す静電保護回路は、マトリックス
基板１Ａ上において、画素領域の集合体からなる表示領
域（図中符号ＡＲで示す）とカラーフィルタ基板１Ｂと
の間に液晶を封入するためのシールド材（図中符号ＳＤ
で示す）との間の領域に形成されている。
【００５２】まず、表示領域の上下にそれぞれ映像信号
線２と交差するようにして共通配線７１Ａ、７１Ｂが形
成されている。
【００５３】これら共通配線７１Ａ、７１Ｂはそれぞれ
たとえば走査信号線３および対向電圧信号線５０と同一
の材料からなり、かつ同一の工程で形成されるようにな
っている。このため、これら各共通配線７１Ａ、７１Ｂ
は絶縁膜を介して映像信号線２と交差するようにして形
成される。
【００５４】そして、各共通配線７１Ａ、７１Ｂと映像
信号線２の交差部にはそれらの間を接続させるための非
線形素子ＮＬが形成されている。
【００５５】これら非線形素子ＮＬは、たとえば図中左
側から奇数番目の映像信号線にあっては表示領域の上側
に設けられ、偶数番目の映像信号線にあっては表示領域
の下側に設けられている。
【００５６】このように各映像信号線２において、隣接
するもの同志で非線形素子ＮＬの配置が異なるのは、液
晶表示装置の製造の工程中に該映像信号線２および走査
信号線３の断線等の検査において、支障のないようにす
るための配慮からである。
【００５７】各非線形素子ＮＬは、たとえば２つのダイ
オードから構成され、そのうちの一方のダイオードは、
映像信号線２の信号供給側をアノード、共通配線層７１
Ａ（あるいは７１Ｂ）側をカソードとして接続され、他
方のダイオードは、共通配線層７１Ａ（あるいは７１
Ｂ）側をアノード、映像信号線２の表示領域側をカソー
ドとして接続されている。
【００５８】そして、これら各ダイオードは、各画素領
域の薄膜トランジスタＴＦＴと並行して形成され、ゲー
ト電極とソース電極とが互いに接続されている点を除く
他は該薄膜トランジスタとほぼ同様の構成となってい
る。
【００５９】また、表示領域の図中左側（走査信号線３
の信号供給側）に走査信号線３と交差するようにして共
通配線７１Ｃが形成されている。
【００６０】共通配線７１Ｃはたとえば映像信号線２と
同一の材料からなり、かつ同一の工程で形成されるよう
になっている。このため、共通配線７１Ｃは絶縁膜を介
して走査信号線３と交差するようにして形成される。
【００６１】そして、共通配線７１Ｃと走査信号線３の
交差部にはそれらの間を接続させるための非線形素子Ｎ
Ｌが形成されている。
【００６２】各非線形素子ＮＬは、たとえば２つのダイ
オードから構成され、そのうちの一方のダイオードは、
走査信号線３の信号供給側をアノード、共通配線層７１
Ｃ側をカソードとして接続され、他方のダイオードは、
共通配線層７１Ｃ側をアノード、走査信号線３の表示領
域側をカソードとして接続されている。
【００６３】そして、これら各ダイオードも、各画素領
域の薄膜トランジスタＴＦＴと並行して形成され、ゲー
ト電極とソース電極とが互いに接続されている点を除く
他は該薄膜トランジスタとほぼ同様の構成となってい
る。
【００６４】さらに、表示領域をｘ方向に延在しｙ方向
に並設される対向電圧信号線５０は、それらの両端にお
いて、それぞれ対向電圧共通ライン５０Ｂ、５０Ｃに接
続されている。
【００６５】これら各対向電圧共通ライン５０Ｂ、５０
Ｃは、たとえばそれぞれに信号供給端子が設けられ、こ
の信号供給端子から各対向電圧共通ライン５０Ｂ、５０
Ｃ、対向電圧信号線５０を介して各画素領域の対向電極
５０Ａに対向電圧が印加されるようになっている。
【００６６】このように、各対向電圧信号線５０の両側
から対向電圧を供給することによって、該対向電圧の信
号の波形歪みを生じさせることなく各対向電極５０Ａに
信号を供給させることができるようになる。
【００６７】この場合、この発明の適用にあっては、必
ずしも対向電圧信号線５０の両側から対向電圧を供給す
ることはなく、いずれか一方の側から対向電圧を供給す
るようにしてもよいことはいうまでもない。
【００６８】さらに、映像信号線２と交差するようにし
て形成された一方の共通配線層７１Ａは、その一端側に
おいて高抵抗素子８０を介して対向電圧共通ライン５０
Ｂと接続され、他端側において高抵抗素子８１を介して
対向電圧共通ライン５０Ｃと接続されている。
【００６９】また、映像信号線２と交差するようにして
形成された他方の共通配線層７２Ａは、その一端側にお
いて高抵抗素子８２を介して対向電圧共通ライン５０Ｂ
と接続され、他端側において高抵抗素子８３を介して対
向電圧共通ライン５０Ｃと接続されている。
【００７０】同様に、走査信号線３と交差するようにし
て形成された共通配線層７１Ｃは、その一端側において
高抵抗素子８４を介して対向電圧共通ライン５０Ｂと接
続され、他端側において高抵抗素子８５を介して対向電
圧共通ライン５０Ｂと接続されている。
【００７１】このように構成された静電保護回路は、走
査信号線３、映像信号線２、及び対向電圧共通ライン５
０Ｃの信号供給側から静電気が浸入してきたとしても、
非線形素子ＮＬを介して共通配線層７１Ａ、７２Ｂ、７
１Ｃ等に拡散され、各画素領域の薄膜トラジスタＴＦＴ
に浸入するのを回避できるようになる。
【００７２】また、液晶表示装置の駆動中において、映
像信号が非線形素子ＮＬを介してリーク電流が流れたと
しても、このリーク電流は高抵抗素子８０、８１、８
２、８３によって対向電圧共通ライン５０Ｂ、５０Ｃに
流れてしまうことを阻止できるようになる。
【００７３】同様に、走査信号が非線形素子ＮＬを介し
てリーク電流が流れたとしても、このリーク電流は高抵
抗素子８４、８５によって対向電圧共通ライン５０Ｂに
流れてしまうことを阻止できるようになる。
【００７４】そして、前述した各高抵抗素子８０、８
１、８２、８３、８４、８５は、たとえば図示のように
極性方向を互いに異ならしめて並列接続された２つのダ
イオードから構成されている。
【００７５】この場合、各ダイオードは、各画素領域の
薄膜トランジスタＴＦＴと並行して形成され、ゲート電
極とソース電極とが互いに接続されている点を除く他は
該薄膜トランジスタとほぼ同様の構成となっている。
【００７６】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、走査信号線あるい
は映像信号線からの各信号の対向電圧信号線への漏れ電
流の発生を回避できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す要
部構成図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す概
略構成図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の画素領域の一実施
例を示す平面構成図である。
【符号の説明】
１Ａ…マトリックス基板、２…映像信号線、３…走査信
号線、５０…対向電圧信号線、５０Ｂ，５０Ｃ…対向電
圧共通ライン、ＮＬ…非線形素子、８０〜８５…高抵抗
素子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中野 泰 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 Ｆターム(参考） 2H092 HA14 JB79 KA24 MA57 NA16 NA25 NA29 PA06 PA08 QA06 QA18

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 液晶組成物を介して対向配置される第１
    の基板と第２の基板と、前記第１の基板面に形成された
    映像信号線、走査信号線、共通配線で互いに接続される
    対向電圧信号線とを備え、 前記共通配線は、静電保護回路に接続されていることを
    特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 静電保護回路は、映像信号線に直交する
    方向に形成される回路、および走査信号線に直交する方
    向に形成される回路で構成されることを特徴とする請求
    項１記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 共通配線は、各対向電圧信号線のそれぞ
    れの端部において共通に接続される配線によって形成さ
    れ、その一方の共通配線と前記静電保護回路とでガード
    リングを構成することを特徴とする請求項２記載の液晶
    表示装置。
  4. 【請求項４】 他方の共通配線は、走査信号線に直交す
    る方向に形成される静電保護回路に対して内側に配置さ
    れていることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装
    置。
  5. 【請求項５】 それぞれの共通配線、映像信号線に直交
    する方向に形成される静電保護回路、および走査信号線
    に直交する方向に形成される静電保護回路は、それぞれ
    高抵抗を介して接続されていることを特徴とする請求項
    ３記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項６】 液晶を介して対向配置される透明基板の
    一方の透明基板の液晶側の面に、走査信号線、映像信号
    線、および対向電圧信号線で囲まれる画素領域を構成
    し、 これら各画素領域に、走査信号線からの走査信号の供給
    によって駆動する薄膜トランジスタと、この薄膜トラン
    ジスタを介して映像信号線からの映像信号が供給される
    画素電極と、この画素電極と離間して配置され前記対向
    電圧信号線に接続される対向電極とを備えるとともに、 前記各画素領域の集合体で構成される表示領域を囲んで
    共通配線が形成され、映像信号線および走査信号線の前
    記共通配線と交差する部分においてそれらを非線形素子
    で接続させたものであって、 前記共通配線は高抵抗素子を介して対向電圧信号線に接
    続されていることを特徴とする液晶表示装置。
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TW (1) TW473624B (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005275004A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Sanyo Electric Co Ltd 液晶パネル
US7616285B2 (en) 2003-11-28 2009-11-10 Sony Corporation Electronic circuit wiring and display device
JP2010049284A (ja) * 2009-11-30 2010-03-04 Sharp Corp 表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置
US7724314B2 (en) 2004-07-16 2010-05-25 Sharp Kabushiki Kaisha Method for repairing a short in a substrate for a display and display repaired according to that method
US7746417B2 (en) 2003-12-18 2010-06-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel for a display
JP2011095785A (ja) * 2011-02-18 2011-05-12 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置
KR101054342B1 (ko) * 2003-12-18 2011-08-04 삼성전자주식회사 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판
JP2011164653A (ja) * 2007-01-11 2011-08-25 Genta Kagi Kogyo Kofun Yugenkoshi 静電気防護機能を備えたアクティブマトリクス表示装置
JP2012137785A (ja) * 2012-03-30 2012-07-19 Sharp Corp 表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置
US8334959B2 (en) 2005-08-02 2012-12-18 Sony Corporation Electro-optical device and electronic apparatus including a sealed wiring portion connected to an electrostatic protection circuit
JP2013218344A (ja) * 2013-05-29 2013-10-24 Sharp Corp 表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置
US10504888B2 (en) 2017-09-28 2019-12-10 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and X-ray imaging panel including same
US11170697B2 (en) 2003-06-02 2021-11-09 138 East Lcd Advancements Limited Electro-optical module, power supply substrate, wiring substrate, and electronic apparatus
US11362081B2 (en) 2004-07-05 2022-06-14 138 East Lcd Advancements Limited Semiconductor device, display device, and electronic apparatus

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3261699B2 (ja) 1995-10-03 2002-03-04 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板
US6677171B1 (en) * 1998-07-14 2004-01-13 Sharp Kabushiki Kaisha Manufacturing method of collective substrate of active-matrix substrates, manufacturing method of active-matrix substrates, and inspecting method of collective substrates of active-matrix substrates
TW457690B (en) * 1999-08-31 2001-10-01 Fujitsu Ltd Liquid crystal display
KR100633315B1 (ko) * 2000-06-01 2006-10-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 축적용량방식용 액정표시장치의 공통전극 배선과,횡전계모드용 액정표시장치의 스토리지전극 배선의 구조
US6888548B1 (en) 2001-08-31 2005-05-03 Attenex Corporation System and method for generating a visualized data representation preserving independent variable geometric relationships
US6778995B1 (en) 2001-08-31 2004-08-17 Attenex Corporation System and method for efficiently generating cluster groupings in a multi-dimensional concept space
US6978274B1 (en) 2001-08-31 2005-12-20 Attenex Corporation System and method for dynamically evaluating latent concepts in unstructured documents
KR100799375B1 (ko) * 2001-10-10 2008-01-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치
US7271804B2 (en) 2002-02-25 2007-09-18 Attenex Corporation System and method for arranging concept clusters in thematic relationships in a two-dimensional visual display area
US20050171948A1 (en) * 2002-12-11 2005-08-04 Knight William C. System and method for identifying critical features in an ordered scale space within a multi-dimensional feature space
KR100488156B1 (ko) * 2002-12-31 2005-05-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자
KR100841631B1 (ko) * 2002-12-31 2008-06-27 엘지디스플레이 주식회사 잔류전하를 제거하는 액정표시장치
US7610313B2 (en) 2003-07-25 2009-10-27 Attenex Corporation System and method for performing efficient document scoring and clustering
KR101133751B1 (ko) * 2003-09-05 2012-04-09 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
JP2005107489A (ja) 2003-09-12 2005-04-21 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法
US7191175B2 (en) 2004-02-13 2007-03-13 Attenex Corporation System and method for arranging concept clusters in thematic neighborhood relationships in a two-dimensional visual display space
US7119411B2 (en) * 2004-02-17 2006-10-10 Au Optronics Corp. Interconnect structure for TFT-array substrate and method for fabricating the same
CN100399133C (zh) * 2004-03-15 2008-07-02 友达光电股份有限公司 液晶显示板保护电路以及液晶显示器
US7356777B2 (en) 2005-01-26 2008-04-08 Attenex Corporation System and method for providing a dynamic user interface for a dense three-dimensional scene
US7404151B2 (en) 2005-01-26 2008-07-22 Attenex Corporation System and method for providing a dynamic user interface for a dense three-dimensional scene
JP2006267818A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置およびプロジェクタ
JP2006308803A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置
CN100442111C (zh) * 2005-08-16 2008-12-10 中华映管股份有限公司 具静电放电防护的液晶显示面板
US20070057977A1 (en) * 2005-09-14 2007-03-15 Po-Sheng Shih Flat panel electrostatic discharge protection device
KR101197054B1 (ko) * 2005-11-14 2012-11-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI350130B (en) * 2007-03-14 2011-10-01 Prime View Int Co Ltd Active matrix device or flat panel display with electrostatic protection
US8064028B2 (en) * 2007-03-16 2011-11-22 Sony Corporation Method for manufacturing electro-optical device wherein an electrostatic protection circuit is shielded by a light-shielding sheet that is separate and apart from the electro-optical device
CN101285974B (zh) * 2007-04-11 2011-08-31 北京京东方光电科技有限公司 一种tft lcd面板静电放电保护电路及液晶显示器
KR101571775B1 (ko) * 2009-03-09 2015-12-07 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판, 이의 제조 방법 및 어레이 기판의 리페어 방법
US8515957B2 (en) 2009-07-28 2013-08-20 Fti Consulting, Inc. System and method for displaying relationships between electronically stored information to provide classification suggestions via injection
EP2471009A1 (en) 2009-08-24 2012-07-04 FTI Technology LLC Generating a reference set for use during document review
KR20110028124A (ko) * 2009-09-11 2011-03-17 삼성전자주식회사 액정 표시장치
KR20160092592A (ko) * 2015-01-27 2016-08-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판
JP6785563B2 (ja) * 2016-02-19 2020-11-18 三菱電機株式会社 非線形素子、アレイ基板、およびアレイ基板の製造方法
US11068546B2 (en) 2016-06-02 2021-07-20 Nuix North America Inc. Computer-implemented system and method for analyzing clusters of coded documents
CN107844009B (zh) * 2017-11-22 2021-01-29 Tcl华星光电技术有限公司 显示装置及其显示面板
US11366366B2 (en) * 2019-02-13 2022-06-21 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and photoelectric imaging panel with the same

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US38292A (en) * 1863-04-28 Improved propeller
JP2764139B2 (ja) * 1989-10-20 1998-06-11 ホシデン・フィリップス・ディスプレイ株式会社 アクティブマトリックス液晶表示素子
JPH05333377A (ja) 1992-06-04 1993-12-17 Nec Corp 液晶表示装置の製造方法
JP3200753B2 (ja) 1993-03-31 2001-08-20 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタパネル
US5852480A (en) * 1994-03-30 1998-12-22 Nec Corporation LCD panel having a plurality of shunt buses
JP2769304B2 (ja) 1995-07-27 1998-06-25 株式会社日立製作所 液晶表示装置
TW354380B (en) 1995-03-17 1999-03-11 Hitachi Ltd A liquid crystal device with a wide visual angle
JPH0990428A (ja) 1995-09-28 1997-04-04 Casio Comput Co Ltd Ｔｆｔ液晶表示素子
JP3261699B2 (ja) * 1995-10-03 2002-03-04 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板
JP3313282B2 (ja) * 1996-06-24 2002-08-12 株式会社日立製作所 液晶表示装置
KR100232177B1 (ko) * 1996-07-22 1999-12-01 구본준 액정 표시 장치의 쇼팅바 및 그의 제조방법
KR100218697B1 (ko) * 1996-09-23 1999-09-01 구자홍 액정표시소자
JPH1068964A (ja) 1996-08-29 1998-03-10 Kyocera Corp 液晶表示装置
JP2845215B2 (ja) * 1996-09-20 1999-01-13 日本電気株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
KR100244449B1 (ko) * 1997-02-11 2000-02-01 구본준 박막 트랜지스터 검사용 단락 배선을 갖는 액정 표시 장치와 그 제조 방법(liquid crystal display having shorting bar for testing tft and method for manufacturing the same)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11170697B2 (en) 2003-06-02 2021-11-09 138 East Lcd Advancements Limited Electro-optical module, power supply substrate, wiring substrate, and electronic apparatus
US11587495B2 (en) 2003-06-02 2023-02-21 138 East Lcd Advancements Limited Electro-optical module, power supply substrate, wiring substrate, and electronic apparatus
US7616285B2 (en) 2003-11-28 2009-11-10 Sony Corporation Electronic circuit wiring and display device
US7746417B2 (en) 2003-12-18 2010-06-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel for a display
KR101054342B1 (ko) * 2003-12-18 2011-08-04 삼성전자주식회사 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판
JP2005275004A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Sanyo Electric Co Ltd 液晶パネル
US11362081B2 (en) 2004-07-05 2022-06-14 138 East Lcd Advancements Limited Semiconductor device, display device, and electronic apparatus
US11955473B2 (en) 2004-07-05 2024-04-09 138 East Lcd Advancements Limited Semiconductor device, display device, and electronic apparatus
US7724314B2 (en) 2004-07-16 2010-05-25 Sharp Kabushiki Kaisha Method for repairing a short in a substrate for a display and display repaired according to that method
US8334959B2 (en) 2005-08-02 2012-12-18 Sony Corporation Electro-optical device and electronic apparatus including a sealed wiring portion connected to an electrostatic protection circuit
JP2011164653A (ja) * 2007-01-11 2011-08-25 Genta Kagi Kogyo Kofun Yugenkoshi 静電気防護機能を備えたアクティブマトリクス表示装置
JP2010049284A (ja) * 2009-11-30 2010-03-04 Sharp Corp 表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置
JP2011095785A (ja) * 2011-02-18 2011-05-12 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置
JP2012137785A (ja) * 2012-03-30 2012-07-19 Sharp Corp 表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置
JP2013218344A (ja) * 2013-05-29 2013-10-24 Sharp Corp 表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置
US10504888B2 (en) 2017-09-28 2019-12-10 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and X-ray imaging panel including same

Also Published As

Publication number Publication date
US20040169778A1 (en) 2004-09-02
US6888584B2 (en) 2005-05-03
KR100360749B1 (ko) 2002-11-18
US20020021397A1 (en) 2002-02-21
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US6710824B2 (en) 2004-03-23
TW473624B (en) 2002-01-21
US7129999B2 (en) 2006-10-31
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US6333769B1 (en) 2001-12-25

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