KR100569261B1 - 박막 트랜지스터 액정 표시 소자 - Google Patents

박막 트랜지스터 액정 표시 소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 개구율을 향상시킨 박막 트랜지스터 액정표시소자에 관한 것이다. 본 발명의 박막 트랜지스터 액정표시소자는, 수직·교차하도록 배열된 게이트 라인 및 데이터 라인들; 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차점에 인접된 게이트 라인 부분에 형성되는 박막 트랜지스터; 및 상기 게이트 라인과 데이터 라인에 의해 한정된 화소영역에 배치되어 상기 박막 트랜지스터와 콘택되는 화소전극을 포함하는 박막 트랜지스터 액정표시소자로서, 상기 게이트 라인은 화소전극과 보조용량을 형성하게 되는 제2영역이 상기 박막 트랜지스터가 형성되는 제1영역 보다 더 큰 폭을 갖도록 형성되며, 배선 부분인 제3영역은 상기 제1영역 보다는 크고 상기 제2영역 보다는 작은 폭을 갖도록 형성되며, 상기 화소전극은 상기 박막 트랜지스터와 콘택되는 일측면과 대향하는 타측면에 상기 게이트 라인의 제2영역과 오버랩되는 돌출부가 구비되어 있는 것을 특징으로 한다.

Description

박막 트랜지스터 액정표시소자
본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히, 개구율을 향상시키기 위한 게이트 라인 및 화소전극의 구조에 관한 것이다.
텔레비젼 및 그래픽 디스플레이 등의 표시 장치에 이용되는 액정표시소자(Liquid Crystal Display : 이하, LCD)는 CRT(Cathod-ray tube)를 대신하여 개발되어져 왔다.
특히, 매트릭스 형태로 배열된 각 화소에 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하, TFT)가 구비되는 TFT LCD는 고속 응답 특성을 갖는 잇점과 높은 화소수에 적합하다는 잇점 때문에 CRT에 필적할만한 표시 화면의 고화질화 및 대형화, 컬러화 등을 실현하는데 크게 기여하고 있다.
한편, 상기한 TFT LCD에서 좋은 화상을 얻기 위해서는 데이터 라인을 통하여 인가된 첫 번째 신호의 전압을 두 번째 신호가 전달될 때까지 일정하게 유지시키는 것이 필요하게 된다. 이에 따라, 종래에는 각 화소에 보조용량 라인이 형성되고 있다.
이러한 보조용량 라인은 통상 게이트 라인과 동일 재질로 형성되며, 이때, 보조용량 라인의 형성방법으로는 게이트 라인과 독립된 라인의 형태로 형성하는 온 커먼(On Common) 방식과, 게이트 라인에 연장된 형태로 형성하는 온 게이트(On Gate) 방식이 있다.
도 1은 종래 온 커먼 방식의 보조용량 라인이 구비된 TFT LCD의 하부기판을 도시한 평면도로서, 도시된 바와 같이, 게이트 라인들(2)과 데이터 라인들(6)이 수직·교차하도록 형성되며, 상기 게이트 라인들(2) 사이에는 보조용량 라인(4)이 형성된다. 그리고, 게이트 라인(2) 및 데이터 라인(6)에 의해 한정된 화소영역에는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 금속으로된 화소전극(8)이 형성되며, 상기 게이트 라인(2)과 데이터 라인(6)의 교차점에는 TFT(10)가 형성된다.
이때, TFT(10)는 게이트 라인(2)의 일부분인 게이트 전극과, 그 상부에 패턴의 형태로 형성된 반도체층(5) 및 상기 반도체층(5) 상에 이격되어 배치되는 소오스/드레인 전극(7a, 7b)을 포함한다.
한편, 도시되지는 않았지만, 보조용량 라인(4)과 화소전극(8) 사이에는 절연막이 개재되며, 이에 따라, 보조용량 라인(4)과 화소전극(8) 사이에는 보조용량(CSt)이 형성된다.
그러나, 상기와 같이 온 커먼 방식으로 보조용량 라인을 형성하는 경우에는 상기 보조용량 라인이 불투명 금속으로 형성되는 것에 기인하여 개구율이 감소되는 문제점이 있었다.
또한, 설명되지는 않았지만, 온 게이트 방식으로 보조용량 라인을 형성하는 경우에는 게이트 라인의 전기적 특성 감소를 방지하기 위해 상기 게이트 라인의 선폭을 증가시켜야 하기 때문에 개구 영역의 감소를 초래하게 되는 문제점이 있었다.
따라서, 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출된 본 발명은, 게이트 라인 및 화소전극의 구조를 변경시킴으로써, 개구율을 향상시킬 수 있는 TFT LCD를 제공하는데, 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 TFT LCD는, 수직·교차하도록 배열된 게이트 라인 및 데이터 라인들; 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차점에 인접된 게이트 라인 부분에 형성되는 TFT; 및 상기 게이트 라인과 데이터 라인에 의해 한정된 화소영역에 배치되어 상기 TFT와 콘택되는 화소전극을 포함하는 TFT LCD로서, 상기 게이트 라인은 화소전극과 보조용량을 형성하게 되는 제2영역이 상기 TFT가 형성되는 제1영역 보다 더 큰 폭을 갖도록 형성되며, 배선 부분인 제3영역은 상기 제1영역 보다는 크고 상기 제2영역 보다는 작은 폭을 갖도록 형성된다.
여기서, 상기 화소전극은 상기 TFT와 콘택되는 일측면과 대향하는 타측면에 상기 게이트 라인의 제2영역과 오버랩되는 돌출부가 구비된 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 화소영역 내에 보조용량 라인을 배치시키지 않기 때문에 개구율을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 TFT LCD를 도시한 평면도로서, 도시된 바와 같이, 게이트 라인들(12) 및 데이터 라인들(14)이 수직·교차하도록 형성되며, 게이트 라인(12) 및 데이터 라인(14)에 의해 한정된 화소영역에는 ITO 금속으로된 화소전극(16)이 형성되고, 상기 게이트 라인(12) 및 데이터 라인(14)의 교차점에 인접된 상기 게이트 라인(12) 부분에는 TFT(20)가 형성된다.
한편, 도시되지는 않았지만, 게이트 라인(12)과 데이터 라인(14) 사이에는 그들간의 전기적 절연을 위하여 게이트 절연막이 개재된다.
상기에서, 도시된 바와 같이, 게이트 라인(12)은 TFT(20)가 형성되는 제1영역(12a)과, 상기 화소전극(16)과 보조용량을 형성하게 되는 제2영역(12b), 및 배선의 역할을 하게 되는 제3영역(12c)이 상이한 폭을 갖도록 형성된다.
자세하게, 제1영역(12a)은 게이트 라인의 저항 및 TFT의 특성을 고려하여 종래 온 커먼 방식에서 형성되는 게이트 라인의 폭 보다는 크게 형성하고, 제2영역(12b)은 사각의 형태를 갖음과 동시에 일측이 돌출된 형태를 갖도록 형성한다. 그리고, 제3영역(12c)은 게이트 라인에 보조용량(Cst)이 형성되는 것에 기인하여 게이트 라인에서의 신호지연 현상이 발생되기 때문에, 즉, 신호지연 발생 인자인 R 또는 C 중에서 C가 증가하는 것에 기인하여 신호지연 현상이 발생되기 때문에, 이러한 신호지연 현상을 보상하기 위해서는 R을 상대적으로 감소시켜야 하는 것에 기인하여 그 하나의 해결 방법으로서 게이트 라인의 선폭을 종래 보다는 두껍게, 아울러, 제2영역(12b) 보다는 작지만, 제1영역(12a) 보다도 더 두꺼운 선폭을 갖도록 한다.
계속해서, 화소전극(16)은 전체적으로는 사각의 형상으로 형성되지만, 일측 부분에는 돌출부(16a)를 갖도록 형성된다. 즉, 화소전극(16)은 그의 일측부에 보조용량을 형성하기 위한 돌출부(16a)가 구비되며, 이때, 돌출부(16a)는 드레인 전극(14b)과 콘택되는 일측면과 대향하는 타측면에 형성되고, 아울러, 게이트 라인(12)의 제2영역(12b)의 두께와 동일한 두께로 구비되어 상기 제2영역(12b)과 완전히 오버랩된다.
이에 따라, 게이트 라인(12)의 제2영역(12b)과 화소전극(16)의 돌출부(16a) 사이에는 게이트 절연막의 개재하에 상기 화소전극의 돌출부(16a) 크기에 해당하는 보조용량(Cst)이 형성된다.
상기와 같은 형태로 게이트 라인과 화소전극을 형성하는 경우에는 온 게이트 방식으로 보조용량을 형성하게 된다. 그런데, 종래 온 게이트 방식에서는 게이트 라인의 선폭을 증가시켜야 하기 때문에 개구 영역이 감소되는 문제점이 있으나, 본 발명에서는 화소전극과 오버랩되는 부분의 폭을 증가시키는 것이고, 아울러, 게이트 라인과 화소전극이 오버랩되는 부분은 실질적으로 상부기판 상에 형성되는 블랙 매트릭스에 의해 가려지는 부분인 것에 기인하여 개구율에는 영향을 미치지 않게 된다.
따라서, 종래와 비교할 때, 화소영역에 배치되는 보조용량 라인을 제거할 수 있기 때문에 개구율의 향상을 얻을 수 있게 된다.
이상에서와 같이, 본 발명은 게이트 라인과 화소전극간의 오버랩되는 부분이 상부기판에 형성되는 블랙 매트릭스에 의해 가려지는 부분에서 이루어지도록 함으로써, 충분한 보조용량을 얻으면서도 각 화소에서의 개구율을 향상시킬 수 있다.
한편, 여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 특허청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.
도 1 은 종래 기술에 따른 박막 트랜지스터 액정표시소자의 하부기판을 도시한 평면도.
도 2 는 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 액정표시소자의 하부기판을 도시한 평면도.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
12 : 게이트 라인 12a : 제1영역
12b : 제2영역 12c : 제3영역
13 : 반도체층 14 : 데이터 라인
14a : 소오스 전극 14b : 드레인 전극
16 : 화소전극 20 : TFT

Claims (2)

  1. 수직·교차하도록 배열된 게이트 라인 및 데이터 라인들; 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차점에 인접된 게이트 라인 부분에 형성되는 박막 트랜지스터; 및 상기 게이트 라인과 데이터 라인에 의해 한정된 화소영역에 배치되어 상기 박막 트랜지스터와 콘택되는 화소전극을 포함하는 박막 트랜지스터 액정표시소자로서,
    상기 게이트 라인은 화소전극과 보조용량을 형성하게 되는 제2영역이 상기 박막 트랜지스터가 형성되는 제1영역보다 더 큰 폭을 갖도록 형성되며, 배선 부분인 제3영역은 상기 제1영역 보다는 크고 상기 제2영역보다 작은 폭을 갖도록 형성된 박막 트랜지스터 액정표시소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화소전극은 상기 박막 트랜지스터와 콘택되는 일측면과 대향하는 타측면에 상기 게이트 라인의 제2영역과 오버랩되는 돌출부가 구비된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시소자.
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