JP2845215B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス方式の液晶表示装置及びその製造方法に関する。特
に、本発明は、横電界駆動方式により液晶の配列を制御
するアクティブマトリクス方式の液晶表示装置及びその
製造方法に関し、外部からの静電気による表示品質の劣
化防止に係る液晶表示装置及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来一般に、アクティブマトリクス方式
の液晶表示装置では、一対の透明基板の間にネマチック
液晶を挟持し、透明基板間に電圧をかけて液晶を立ち上
がらせることにより、光の透過を制御する方式（縦電界
駆動方式）を用いている。

【０００３】上記方式による液晶表示装置では、スイッ
チ素子と各種電極を形成したアクティブマトリクス基板
と、これに対向する対向基板と、両基板間に封入された
液晶と、両基板外側に配置された偏光板とから構成され
ている。アクティブマトリクス基板には、ゲート電極と
ドレイン電極とが縦横に形成され、この交差部にスイッ
チ素子が形成されている。

【０００４】ゲート電極とドレイン電極とで囲まれた領
域に、透明な画素電極が形成されることで、その部分が
１画素となり、透明基板上にはこれらの画素が多数形成
されている。対向する透明基板（対向基板）にはコモン
電極が形成されている。そして、これらの両透明基板に
形成された電極間に印加された電圧により、液晶分子の
配向状態が変化させられ、光の透過率が変化するように
なっている。

【０００５】図３(ａ)は、従来のアクティブマトリクス
方式の液晶表示装置の構成を示す平面図、図３(ｂ)は図
３(ａ)におけるＡ−Ａ’部分の電圧非印加時の状態を示
す断面図、図３(ｃ)は同部分の電圧印加時の状態を示す
断面図である。

【０００６】図に示すように、この液晶表示装置では、
一方の透明基板１上に、ドレイン電極１４とゲート電極
１０が縦横に形成されており、それらに囲まれた内部に
透明な画素電極１７が形成されている。画素電極１７
は、スイッチ素子１８とソース電極１５を介して、ドレ
イン電極１４と接続されている。

【０００７】このスイッチ素子１８としては、薄膜トラ
ンジスタがよく用いられている。薄膜トランジスタは、
ドレイン電極１４とソース電極１５が半導体層３０を介
して接しており、半導体層３０の下にはゲート絶縁膜２
０、さらにその下にはゲート電極１０が形成されてい
る。

【０００８】対向するもう一方の透明基板である対向基
板（以下「透明電極」とも言う）５０８上には、コモン
電極１６が形成されている。２枚の透明基板１、５０８
の間には液晶組成物（液晶分子５１３）が挟持されてお
り、配向膜ＯＲ１１、ＯＲ１２により、液晶（液晶分子
５１３）は透明基板１、５０８にほぼ平行に、かつ一方
の透明基板１から他方の透明基板５０８に向かって９０
゜捩じれて配向している。

【０００９】次に動作を説明する。ゲート電極１０に特
定の電圧が印加されると、薄膜トランジスタ（スイッチ
素子１８）がオンされ、ドレイン電極１４から、半導体
層３０及びソース電極１５を通して電荷が画素電極１７
へ移動する。そして、図３(ｃ)に示すように、液晶（液
晶分子５１３）は、画素電極１７とコモン電極１６との
間の電界により、所定の方向に立ち上がり、光の旋光性
が変化する。これにより各画素を通る光の透過率が変化
し、明暗が生じて、画像を形成することができる。

【００１０】しかし、このような一般的な液晶表示装置
においては、画面を見る角度によって視覚特性の明暗が
変わることが知られている。例えば垂直に立てて配置さ
れた画面を、正面から、つまり画面の法線方向から見る
場合には、コントラストのよい画像が見えるが、同画面
を法線方向よりも斜め下方向から見る場合には、黒っぽ
く見え、さらに下方向から見ると階調反転が起こること
があり、斜め上方向から見る場合には白っぽく見えるこ
とがある。

【００１１】この現象は、液晶に縦方向電界（透明基板
に垂直方向の電界）を印加し、電界方向に沿って液晶分
子を立ち上がらせることで、旋光性を制御する表示方式
であり、液晶分子の立ち上がり方向が決まっているため
に起こる。

【００１２】そこで、そのような視野角の問題を解決す
るために、いくつかの方法が提案されており、具体的に
は、光学補償フィルム、マルチドメイン配向法、横電界
を用いる駆動方法等が知られている。

【００１３】光学補償フィルムを用いる方法としては、
回折を利用する方法と、集光させた平行光を散乱させる
方法がある。これらの方法では、正面の輝度低下や階調
反転などの問題があった。最近では、ネマチック液晶分
子の傾きに合わせて、円盤上の分子構造をしたディスコ
チック液晶を並べて塗布したフィルムを、偏光板に張り
付ける方法が開発され、上記の欠点は解消した。

【００１４】マルチドメイン配向法は、ツイステッドネ
マチック液晶の非対称な光学特性を改良する為、画素内
を複数の配向方向に分ける方法である。この内、例えば
２ドメイン法は、一つの画素を上下２分し、配向膜のラ
ビング方向を、互いに反対にして液晶分子を逆に配列さ
せる方法である。こうすることで、一つの画素内では上
下対称な光学特性が得られ、視覚的に平均化されるため
に、視野角特性が改善される。

【００１５】ここで問題とする横電界を用いる駆動方法
は、前述したように、従来の液晶表示装置が縦方向電界
で液晶の配向状態を制御しているのに対して、透明基板
に平行な横方向の電界で制御する方式である。この方式
は、広視野角であり、しかも色調の変化が少ないため、
最も効果の高い改善案として開発が盛んに行われてい
る。

【００１６】横電界を用いる駆動方法は、特開平６−１
６０８７８号公報に示されているように、透明基板に平
行な方向に電界を印加することにより、液晶を電界方向
に旋回させ、光の透過率を制御する方式である。

【００１７】図４及び図５は、この方式の液晶表示装置
の単位画素当たりの動作原理を示す図で、図４(ａ)は電
圧非印加時の状態を示す平面図、図４(ｂ)は図４(ａ)そ
のＡ−Ａ’部分の断面図、図５(ａ)は電圧印加時の状態
を示す平面図、図５(ｂ)は図５(ａ)のＡ−Ａ’部分の断
面図である。

【００１８】この液晶表示装置は、液晶を封入した一対
の透明基板１、５０８と、これらの外側に配置された偏
光板５０５とからなる。透明基板１には、ドレイン電極
１４とゲート電極１０とが縦横に形成され、ドレイン電
極１４はスイッチ素子１８を介してソース電極１５と接
続されている。

【００１９】コモン電極１６とソース電極１５は互いに
対向した櫛歯状の形状をしており、この２つの電極間に
かかる電界により、液晶の配向状態は変化する。透明基
板１と対向基板５０８の間には液晶組成物（液晶分子５
１３）が挟持されており、配向膜ＯＲ１１、ＯＲ１２を
介して液晶は透明基板１、５０８にほぼ平行に配向して
いる。偏光板５０５は、上下の偏光板５０５の透過軸が
互いに直交するように所謂クロスニコル配置されてい
る。

【００２０】次に動作原理について説明する。図４
(ａ)、(ｂ)に示すように、電界非印加時には、液晶分子
５１３は櫛歯状のソース電極１５及びコモン電極１６の
長手方向に対して若干の傾きをもって配向している。こ
こで、ゲート電極１０に電圧を印加して、スイッチ素子
１８をＯＮすると、ソース電極１５に電圧が印加され、
ソース電極１５とコモン電極１６間に電界Ｅ１がかか
り、図５(ａ)、(ｂ)に示すように、電界方向に液晶分子
が向きを変える。

【００２１】ここで、液晶（液晶分子５１３）は正の誘
電率異方性を有するものとする。この上下透明基板１、
５０８の表面に配置した２枚の偏光板５０５の偏光透過
軸を所定の角度ＡＧＬ１に配置することで、電界印加に
よって光の透過率を変化させることが可能になる。つま
り、電圧非印加状態では、液晶分子５１３の複屈折が０
になり、透過光強度が０になるのに対し、電界を印加し
た場合は、電界方向に同一な平面上で液晶分子５１３が
旋回し、複屈折が生じて、透過光強度が０でなくなる。
この２状態で明暗を制御しているため、縦方向電界方式
のように液晶分子が立ち上がることがなく、したがっ
て、視角方向を変えたときの明るさの変化が小さく、視
角特性が大幅に改善される。

【００２２】しかし、横電界で液晶の配向を変え、液晶
を制御しているため、パネル表面（襟章表示装置の表
面）に静電気が生じた場合には、その静電荷と電極との
間に縦方向の電界がかかり、液晶が立ち上がって表示を
乱すことがある。

【００２３】従来の縦方向の電界を用いる方式では、透
明基板上に対向電極が形成されているため、静電気の影
響を受けにくいが、横電界を用いる方式では、アクティ
ブマトリクス基板上に電極が形成されており、対向基板
には電極が形成されていない。そのため、透明基板外側
に静電気が生じた場合、つまり偏光板の表面に静電気が
蓄積された場合、この静電荷により、液晶層に印加され
ている電界に乱れが生じやすく、表示むらが出やすい。

【００２４】また、横電界駆動方式の液晶表示装置は、
ネマチック液晶を水平に配向させて使うため、縦電界駆
動方式に比べ、静電気により縦方向の電界が生じると、
これにより液晶が動作して、表示むらやコントラストの
低下を起こすという問題が生じやすい。

【００２５】そこで、帯電による液晶パネルへの静電的
な影響を無くすため、液晶を挟持する透明基板の外側
に、透明導電膜を形成する方法が提案されている。例え
ば、特開平４−５１２２０号公報には、縦電界方式の液
晶表示装置において、透明基板の液晶とは反対側の表面
に、導電膜を形成する方法が開示されている。この場合
の導電膜としては、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）ある
いはポリエチレンサルファイトフィルム上に形成された
ＩＴＯが挙げられている。

【００２６】また、偏光板に導電皮膜を形成する方法
が、特開平１−２８３５０４号公報に開示されている。
この方法は、偏光板の表面にハードコート皮膜を形成
し、このハードコート皮膜上に導電皮膜を蒸着形成し
て、導電皮膜付偏光板を製造するというものである。こ
の方法では、真空蒸着装置を用いた低温蒸着法により、
インジウム錫酸化物の蒸着を連続的に行なうことによ
り、ＩＴＯ付偏光板を得るようにしている。

【００２７】しかし、前掲の特開平４−５１２２０、特
開平１−２８３５０４号公報のように、導電膜としてイ
ンジウム錫酸化物（ＩＴＯ）や錫酸化物（ＮＥＳＡ）な
どを用いる場合、スパッタや真空蒸着することにより導
電膜を形成する必要がある。このような真空系設備を用
いる場合、成膜によるダメージを防止するため、プロセ
ス条件が限られたり、均質な膜を得るために金属酸化物
の下地にハードコート層を形成する工程が増え、プロセ
ス数の増加につながるという欠点がある。

【００２８】また、真空炉内のクリ−ニングに時間がか
かったり、コストの増加にもつながる。特に偏光板に導
電膜を形成する場合、前掲の特開平１−２８３５０４公
報の例においては、偏光板がトリアセチルセルロースな
どの繊維系透明基板を張り合わせているため、可塑剤の
溶出などにより均質な膜の形成が困難で、ハードコート
を施す必要があり、プロセスの工程が増加していた。

【００２９】このようにＩＴＯやＮＥＳＡをスパッタや
真空蒸着などの真空設備を用いた方法で成膜する場合、
プロセスによるダメージを防ぐため、プロセスの複雑
化、コストの増加は否めなかった。

【００３０】また、その他の導電材料を用いた例とし
て、偏光板にカチオン系界面活性剤等による処理層を形
成する方法が、特開昭６２−６７５１５号公報に開示さ
れている。しかし、具体的ではなく、実現性に乏しく、
またカチオン系界面活性剤等による処理層が露出してい
るため、長期的な効果を継続しがたいものであった。

【００３１】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、帯電に
よる液晶セルへの静電的なダメージをなくすため、従来
では、偏光板や液晶を挟持する透明基板の外側に透明導
電膜を形成する方法が行われている。また、長期間効果
が失われず、化学的に安定な透明導電膜を形成する方法
としては、金属酸化物、特にインジウム錫酸化物（ＩＴ
Ｏ）、錫酸化物（ＮＥＳＡ）を、スパッタ、真空蒸着等
により形成する方法がとられている。

【００３２】しかし、成膜によるダメージを防止するた
めにプロセス条件が制限されたり、金属酸化物薄膜の下
地にハードコート層を設ける工程が増え、プロセス数の
増加や複雑化につながるという欠点がある。

【００３３】本発明は、このような課題を解決するため
のもので、横電界により液晶を制御する方式において、
液晶セル外部からの静電気による電界の影響を防止する
ことができ、しかも真空系設備を用いない簡易なプロセ
スで、容易に製造することができる液晶表示装置及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。

【００３４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の液晶表示装置は、アクティブマトリクス基
板と、該アクティブマトリクス基板に対向する対向基板
と、アクティブマトリクス基板と対向基板に挟持された
液晶組成物と、アクティブマトリクス基板と対向基板の
外側に配置された偏向板とを備える。

【００３５】前記アクティブマトリクス基板は、透明基
板上に、ゲート電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と
ドレイン電極との各交差部に形成されたスイッチ素子
と、スイッチ素子に接続されたソース電極と、少なくと
も一部がソース電極と対向して形成されたコモン電極と
を形成したものである。ソース電極とコモン電極は、主
としてアクティブマトリクス基板に平行な電界を印加す
るような構造に形成されている。

【００３６】そして、本発明の液晶表示装置では、前記
対向基板の外側、または前記アクティブマトリクス基板
と対向基板の外側、または偏向板に有機導電膜を形成し
たことを特徴としている。有機導電膜としては、ポリチ
オフェン類［請求項２に示す式(１)の繰り返し単位を有
するポリチオフェン類が好ましい］、あるいはトリアセ
チル−(２−ヒドロキシエチル)アンモニウム塩、あるい
はポリ(アルキルアンモニウムテトラアルコキシボラン)
を合む有機導電膜が用いられる。

【００３７】このような有機導電膜を、透明基板上ある
いは偏光板に形成することにより、液晶表示装置の表面
（液晶パネル表面）の静電気による帯電を防止すること
ができる。したがって、これにより、静電気による液晶
の誤動作を防ぎ、高コントラストで、高品質な表示が得
られる。また、本発明の導電膜は透明基板及び偏光板に
容易に形成することができ、簡易なプロセスで、かつ低
コストで上記問題点を解決できる。

【００３８】また、上記の液晶表示装置を製造する方法
は、次の(1)〜(6)の工程を有することを特徴としてい
る。 (1) セルを構成する一対の透明基板の一方の透明基板上
に、ソース電極、ゲート電極、コモン電極、スイッチ素
子を有し、前記ソース電極と前記コモン電極が液晶に対
し主として透明基板面に平行な電界を印加するように配
置されたアクティブマトリクス基板を形成する工程。 (2) 対向基板の液晶とは接しない表面上、またはアクテ
ィブマトリクス基板と対向基板の液晶とは接しない表面
上、または偏光板に、有機導電性物質を含む溶液を塗布
し、溶媒を除去することにより、有機導電膜を形成する
工程。 (3) 前記透明基板上に配向制御層を形成する工程。 (4) 表面に配向制御層を有する一対の透明基板を、液晶
分子配向能を有する表面を内側にした状態で、スペーサ
と透明基板周辺部に形成されたシール部を介して対向さ
せることによりセルを組み立てる工程。 (5) 前記セルに液晶を注入、封止し、液晶セルを形成す
る工程。 (6) 前記液晶セルに駆動回路を接続し、偏光板を配置
し、モジュール化する工程。

【００３９】（作用）本発明に係る液晶表示装置では、
前記したような有機導電膜をガラス透明基板上、あるい
は偏光板に形成することにより、パネル表面の静電気に
よる帯電を防止できる。これにより、静電気による液晶
の誤動作を防止でき、高コントラストで高品質な表面が
得られる。また、本発明による導電膜は、透明基板及び
偏光板に容易に形成することができ、簡易なプロセス
で、且つ低コストで製造することができる。

【００４０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。 〔第１実施形態〕図１(ａ)、(ｂ)は、本発明による液晶
表示装置の第１実施形態の構成を示す平面図及び断面図
である。

【００４１】この液晶表示装置は、液晶（液晶分子５１
３）を封入した一対の透明基板１、５０８と、一方の透
明基板（対向基板）５０８の外側に形成された有機導電
膜５０６と、透明基板１、５０８の外側に配置された偏
光板５０５とからなる。

【００４２】透明基板１上には、ドレイン電極１４とゲ
ート電極１０が縦横に形成され、ドレイン電極１４は、
スイッチ素子１８を介してソース電極１５と接続されて
いる。コモン電極１６とソース電極１５は互いに対向し
た櫛歯状の形状をしており、これら２つ電極間にかかる
電界により、液晶（液晶分子５１３）の配向状態が変化
する。これらの電極を被覆するように、保護絶縁膜２３
が形成され、その上に配向膜ＯＲ１１、ＯＲ１２が形成
されている。

【００４３】透明基板１と対向基板５０８の間の隙間に
は、正の誘電率異方性を有する液晶組成物（液晶分子５
１３）が挟持されており、配向膜ＯＲ１１、ＯＲ１２を
介して、液晶は透明基板１、５１３にほぼ平行に配向し
ている。対向基板５０８の液晶に接する側と反対側に、
有機導電膜５０６が形成され、その外側に偏光板５０５
が配置されている。

【００４４】偏光板５０５は、上下の偏光板５０５の透
過軸が互いに直交するように、所謂クロスニコル配置さ
れている。下の偏光板５０５の透過軸は、液晶分子５１
３の配向方向と一致するように、所定の角度ＡＧＬ１に
配置され、上の偏光板５０５の透過軸は、下の偏光板５
０５の透過軸と直交するように配置されている。

【００４５】スイッチ素子１８の構成は従来技術で述べ
た薄膜トランジスタと同様であり、ドレイン電極１４と
ソース電極１５が半導体層３０を介して接しており、半
導体層３０の下にゲー卜絶縁膜２０、さらにその下にゲ
ート電極１０が形成されている。

【００４６】次に動作について説明する。電界非印加時
には、液晶分子５１３は、櫛歯状のソース電極１５及び
コモン電極１６の長手方向に対して若干の角度、即ち液
晶分子５１３の長軸（光学軸）と電界の方向（ソース電
極１５とコモン電極１６の長手方向に垂直）のなす角に
して４５度以上９０度未満を持つように配向されてい
る。

【００４７】この状態では、液晶分子の複屈折は０であ
るため、透過光強度が０になる。ゲート電極１０に電圧
を印加してスイッチ素子１８をＯＮすると、ソース電極
１５に電圧が印加し、ソース電極１５−コモン電極１６
間に電界Ｅ１がかかると、電界方向に液晶分子が向きを
かえる。この上下透明基板１、５０８の表面に配置した
２枚の偏光板５０５の偏光透過軸を、所定の角度ＡＧＬ
Ｉに配置することで、電界印加によって光の透過率を変
化させることが可能になる。

【００４８】このような液晶表示装置の表面に、手を触
れる、あるいは何らかの原因で静電荷が与えられた場
合、この静電荷と電極との間で縦方向電界が生じ、液晶
が立ち上がって表示が乱れることがある。つまり、縦電
界駆動方式と同様に、電界方向に液晶分子が立ち上が
り、複屈折効果によって光が漏れるという現象が生じ
る。透明基板あるいは偏光板に導電膜がなく、絶縁され
ている状態では、このようなパネル外部から与えられた
静電荷が拡散されず、長時間蓄積された状態となる。し
たがって、手で触れるなどして静電気が生じた部分は、
光漏れした白表示となり、これが長時間持続し、表示を
極めて劣化させる。

【００４９】しかし、本発明のように、導電膜５０６が
基板５０８表面あるいは偏光板５０５に形成されている
場合は、この導電膜５０６を通じて蓄積した静電荷が拡
散され、あるいは相殺されて、液晶表示パネルに影響を
及ぼさない。このため、液晶セル外部からの静電気によ
る電界の影響を防止し、優れた表示品質を維持すること
ができる。

【００５０】次に本発明の液晶表示装置の製造方法につ
いて述べる。まず、透明基板１にスパッタ法によりクロ
ム膜を形成し、ホトリソグラフィ法によりゲート電極１
０とコモン電極１６をパターン化し、その上にＣＶＤ法
により、窒化シリコンからなるゲート絶縁膜２０、アモ
ルフアスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜３０を形成した。ａ−
Ｓｉの一部を覆い、薄膜トランジスタを形成するよう
に、クロムからなるドレイン電極１４及びソース電極１
５を、スパッタ法、フォトリソグラフィ法により形成
し、その上に窒化シリコンからなる絶縁保護２３を形成
した。

【００５１】ついで、これらの電極上に配向膜ＯＲ１１
(日産化学社製)を形成し、ソース電極１５と１５度をな
す方向に配向処理した。また、対向基板５０８の液晶と
接する側と反対側の表面上に、３，４−エチレンジオキ
シチオフェン１ｇとｐ一トルエンスルホン酸第２鉄５ｇ
のエタノ一ル溶液を塗布し、オーブンで加熱乾燥させ、
２００オングストロームの有機導電膜５０６を形成し
た。

【００５２】この有機導電膜５０６と反対の面に配向膜
ＯＲ１２(日産化学社製)を形成して配向処理した後、配
向方向がパラレル配向になるように２枚の基板を対向さ
せ、外径５．５μｍのスぺーサを挟み込んで液晶セルを
作製した。これに誘電率異方性が４．５、複屈折Δｎが
０．０６７のネマチック液晶組成物(チッソ社製)を封入
し、偏光板５０５(住友化学社製)を積層して、ノーマリ
ーブラック特性の液晶表示装置を得た。この液晶表示装
置に形成した導電膜５０６の表面抵抗を測定したとこ
ろ、１００キロオーム／□であり、静電気を拡散するに
は十分であった。

【００５３】この液晶表示装置を駆動したところ、偏光
板５０５の表面に静電気を外部から与えても、外部から
の静電気は、この導電膜５０６を通じて拡散され、静電
気による黒輝度の上昇は見られなかった。また、コント
ラストは十分高く、１：１２０であった。

【００５４】一方、従来の有機導電膜を持たない液晶表
示装置を駆動したところ、黒表示が白浮きし、コントラ
スト比が１：２５まで低下した。さらに、パネルの偏光
板表面を指で触れると、電界を印加しない場合にも触れ
た部分が白くなるという現象が見られた。指で触れるこ
とにより、偏光板の表面に静電気が生じ、この静電気に
より縦方向の電界が生じ、液晶が立ち上がって、本来黒
表示であるべきものが白くなったと考えられる。

【００５５】本発明の電極構造は、横方向電界を液晶に
印加できるものであるものならばよく、本実施形態の電
極方向のみには限定されない。コモン電極、ソース電極
の形状としては、なるべく開口率が大きくなるようなパ
ターンを採用することが望ましく、環状型、十字型、π
字型、エ字型、梯子型のいずれかの平面形状とし、これ
らを適宜組み合わせることにより、櫛歯状電極を用いる
場合に比べ、開口率を拡大できる。

【００５６】また、本実施形態では、対向基板５０８の
外側に有機導電膜５０６を形成したが、導電膜５０６は
両方の透明基板（ガラス基板）に形成してもよく、この
場合はより優れた静電気防止効果が得られる。

【００５７】また、本実施形態の導電膜５０６は、３，
４−エチレンジオキシチオフェンを反応条件下不活性な
溶媒中、酸化重合に適した酸化剤を使用するか、または
電気化学的に酸化して重合することによっても得られ
る。

【００５８】化学的酸化による場合では、３，４−エチ
レンジオキシチオフェンと酸化剤を反応条件下で不活性
な溶液中に一緒に入れ、基体に塗布し、室温乾燥、ある
いは加熱乾燥するという簡便な工程でポリエチレンジオ
キシチオフェンを得ることができる。また、前記３，４
−ジオキシチオフェンの溶液と酸化剤を含む溶液を別々
に塗布することにより製膜することもできる。溶媒とし
ては、反応条件下で不活性なものであればよく、脂肪族
アルコール、例えばメタノーノレ、エタノ一ル、プロバ
ノ一ル、芳香放炭化水素、例えばベンゼン、トルエン、
脂肪族ケトン、例えばアセトン、メチルエチルケトン、
水、更に水と有機溶剤の混合物も使用することができ
る。

【００５９】酸化剤としては、第二鉄塩、有機酸、有機
基を含む無機酸の第二鉄塩、アルカリ金属過硫酸塩、過
硫酸アンモニウムなどチオフェンの重合に用いられてい
るものを使用できる。特に過硫酸塩、有機酸、有機基を
含む無機酸の第二鉄塩を使用すると、酸化反応がゆっく
り進行するため好ましい。

【００６０】有機導電性物質を含む溶液の塗布は、スピ
ンコート、ディップコート、バーコート、スプレー、プ
リンティングによって行なうことができる。有機導電膜
はプリンティングにより、メッシュ状、格子状に形成し
てもよい。溶液塗布後、溶媒は室温で蒸発させることが
できるが、加工速度を早めるためには、加熱乾燥するの
が好ましい。また、８０℃程度の高温で溶媒を除去した
場合は、室温での乾燥に比べて導電率が増加するため有
利である。

【００６１】また、前記溶液に有機結合剤を加えること
により、偏光板や透明基板などの基体との密着性及び強
度が増加する。有機結合剤としては、例えばポリビニル
酢酸、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリエ
ステル、シリコン樹脂が挙げられる。必要ならば、可塑
剤などの添加材を加えてもよい。

【００６２】〔第２実施形態〕この第２実施形態では、
前記導電膜５０６の形成を、配向膜ＯＲ１１を形成した
後に行なった。他は第１実施形態と同様である。この液
晶表示装置を駆動したところ、静電気による黒輝度の上
昇やコントラストの低下は見られず、第１実施形態と同
様の効果が得られた。

【００６３】〔第３実施形態〕この第３実施形態では、
第１実施形態と同様に薄膜トランジスタ、電極を形成
し、これらの電極上に配向膜を形成し、電極と２５度を
なす方向に配向処埋を施した。

【００６４】即ち、対向基板上に、配向膜を形成し配向
処埋した後、配向方向がパラレル配向になるように２枚
の基板を対向させ、外径５．５μｍのスペーサを挟み込
んで液晶セルを作製し、誘電率異方性が４．５、複屈折
Δｎが０．０７２のネマチック液晶組成物を封入した。
この液晶セルの両面にポリ（アルキルアンモニウムテト
ラアルコキシボラン）０．５ｇ、トリアセチル−（２−
ヒドロキシエチル）アンモニウム塩０．５ｇのエタノ一
ル容液を塗布し、加熱乾燥した。ついで、偏光板を積層
して、ノーマリーブラック特性の液晶表示装置を得た。

【００６５】この液晶表示装置を駆動したところ、偏光
板表面に静電気が外部から与えられても、静電気による
黒輝度の上昇やコントラストの低下は見られなかった。
形成した導電膜の表面抵抗を測定したところ、１００キ
ロオーム／□であり、静電気を拡散するには十分であっ
た。

【００６６】〔第４実施形態〕この第４実施形態では、
導電膜の製造方法を、以下のように変えた。その他は第
１実施形態と同様である。

【００６７】即ち、透明基板（ガラス基板）１上に、
３，４−ジオキシチオフェンのプロパノ一ル溶液を塗布
した後、パラトルエンスルホン酸第２鉄のイソプロパノ
ール溶液を塗布した。塗布した基板を加熱乾燥した後、
流水で洗浄し、乾燥した。

【００６８】この液晶表示装置を駆動したところ、偏光
板表面に静電気が外部から与えられても、静電気による
黒輝度の上昇やコントラストの低下は見られなかった。

【００６９】〔第５実施形態〕この第５実施形態では、
導電膜の製造方法を、以下のように変えた。その他は第
１実施形態と同様である。

【００７０】即ち、透明基板（ガラス基板）１上に、
３，４−エチレンジオキシチオフェンｌｇ、ｐ−トルエ
ンスルホン酸第２鉄２ｇ、ポリ酢酸ビニル５ｇをイソプ
ロパノ一ル−アセトン（１：１）混合物に溶解した溶液
を塗布した後、塗布した基板を加熱乾燥した。さらに、
流水で洗浄し、乾燥した。この液晶表示装置を駆動した
ところ、偏光板表面に静電気が外部から与えられても、
静電気による黒輝度の上昇やコントラストの低下は見ら
れなかった。

【００７１】〔第６実施形態〕図２は本発明の液晶表示
装置の第６実施形態を示す図である。本実施例の構成
は、偏光板５０５に有機導電膜５０６を形成する他は前
記各実施形態と同じである。

【００７２】以下、本実施形態の製造方法について述べ
る。透明基板１に、スパッタ法によりクロム膜を形成
し、ホトリソグラフィ法によりゲート電極１０とコモン
電極１６をパターン化した。その上にＣＶＤ法により窒
化シリコンからなるゲート絶縁膜２０、アモルファスシ
リコンａ−Ｓｉ膜３０を形成した。

【００７３】ａ−Ｓｉ膜３０の一部を覆い、薄膜トラン
ジスタを形成するように、クロムからなるドレイン電極
１４を、及びソース電極１５を、スパッタ法、フォトリ
ソグラフィ法により形成し、その上に窒化シリコンから
なる絶縁保護膜２３を形成した。ついで、これらの電極
上に配向膜ＯＲ１１を形成し、電極と１５度をなす方向
に配向処理した。

【００７４】対向基板５０８上に、配向膜ＯＲ１２を形
成し配向処理した後、配向方向がパラレル配向になるよ
うに２枚の基板１、５０８を対向させ、外径５．５μｍ
のスベーサを挟み込んで液晶セルを作製した。これに誘
電率異方性が４．５、複屈折Δｎが０．０７２のネマチ
ック液晶組成物を封入し、偏光板５０５を積層して、ノ
ーマリーブラック特性の液晶表示装置を得た。

【００７５】一方、偏光素子を中心にトリアセテート基
板を張り合わせた偏光板に、３，４−ジオキシチオフェ
ン１ｇとｐ−トルエンスルホン酸第二鉄５ｇのイソプロ
パノール溶液を塗布し、室温で放置した。これを流水で
洗浄し、乾燥して、１００オングストロームの導電膜５
０６を形成した。これを前記液晶セルに接着剤を用いて
張り合わせ、ノーマリーブラック特性の液晶表示装置を
得た。

【００７６】この液晶表示装置を駆動したところ、偏光
板５０５の表面に静電気を外部から与えても、偏光板５
０５に導電膜５０６が形成してあるため、外部からの静
電気はこの導電膜５０６を通じて拡散され、静電気によ
る黒輝度の上昇は見られなかった。また、コントラスト
は十分高く、１：１３０であった。

【００７７】なお、偏光板５０５として、液晶表示装置
の表面反射を減らし、視認性を向上させるための無機コ
ート膜、強度や耐久性を確保するためのハードコート
層、表面反射を低減する目的でアンチグレア処埋を施し
たものがあるが、このような偏光板にも導電膜を形成す
ることは可能であった。

【００７８】〔第７実施形態〕この第７実施形態では、
導電膜の製造方法を、以下のように変えた他は、第６実
施形態と同様に液晶表示装置を作製した。

【００７９】即ち、偏光素子を中心にトリアセテート基
板を張り合わせた偏光板に、３，４−ジオキシチオフェ
ンのブロパノール溶液を塗布した後、ｐ−トルエンスル
ホン酸第２鉄のイソプロパノール溶液を塗布した。塗布
した基板を加熱乾燥した後、流水で洗浄し、乾燥した。

【００８０】この液晶表示装置を駆動したところ、静電
気による黒輝度の上昇やコントラストの低下は見られ
ず、第６実施形態と同様の効果が得られた。

【００８１】〔第８実施形態〕この第８実施形態では、
導電膜の製造方法を、以下のように変えた他は、第６実
施形態と同様に液晶表示装置を作製した。

【００８２】即ち、偏光素子を中心にトリアセテート基
板を張り台わせた偏光板に、３，４−エチレンジオキシ
チオフェンｌｇ、ｐ−トルエンスルホン酸第２鉄２ｇ、
ポリ酢酸ビニル５ｇをイソプロパノール−アセトン
（１：１）混合物に溶解した溶液を塗布した後、塗布し
た偏光板を加熱乾燥した。さらに、流水で洗浄し、乾燥
した。

【００８３】この液晶表示装置を駆動したところ、静電
気による黒輝度の上昇やコントラストの低下は見られ
ず、第６実施形態と同様の効果が得られた。

【００８４】〔第９実施形態〕この第９実施形態では、
導電膜の製造を以下のように変えた他は、第６実施形態
と同様に液晶表示装置を作製した。

【００８５】即ち、偏光素子を中心にトリアセテート基
板を張り合わせた偏光板に、ポリ（アルキルアンモニウ
ムテトラアルコキシボラン）０．５ｇ、トリアセチル−
（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム塩０．３ｇのエ
タノ一ル溶液を塗布し、加熱乾燥した。これを前記液晶
セルに接着剤を用いて張り合わせ、ノーマリーブラック
特性の液晶表示装置を得た。

【００８６】この液晶表示装置を駆動したところ、静電
気による黒輝度の上昇やコントラストの低下は見られ
ず、第６実施形態と同様の効果が得られた。

【００８７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
横電界により液晶を制御する液晶表示装置において、パ
ネル外部からの静電気による液晶の配向乱れ、コントラ
ストの低下、表示不良を防ぐことができる。

【００８８】また、本発明によれば、ＩＴＯやＮＥＳＡ
の製膜のように、スパッタ、真空蒸着などの真空系製造
設備を使用する必要がなく、溶液を塗布し、溶媒を除去
するという簡単なプロセスで製膜することができる。

【００８９】また、本発明によれば、偏光板張り付け時
や保護フィル剥離時の静電気による素子の破壊を防ぎ、
作業性に優れた液晶パネルを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態の液晶表示装置の構造を
示し、(ａ)は要部の平面図、(ｂ)は(ａ)におけるＡ−
Ａ’部分の断面図である。

【図２】本発明の第６実施形態の液晶表示装置の構造を
示す図で、図１(ｂ)と同様部分の断面図である。

【図３】従来の一般的な液晶表示装置の構成図で、(ａ)
は要部の平面図、(ｂ)は(ａ)におけるＡ−Ａ’部分の電
圧非印加時の断面図、(ｃ)は(ａ)におけるＡ−Ａ’部分
の電圧印加時の断面図である。

【図４】従来の横電界により液晶を制御する方式の液晶
表示装置の構成図で、(ａ)は電圧非印加時の要部平面
図、(ｂ)は(ａ)におけるＡ−Ａ’部分の断面図である。

【図５】従来の横電界により液晶を制御する方式の液晶
表示装置の構成図で、(ａ)は電圧印加時の要部平面図、
(ｂ)は(ａ)におけるＡ−Ａ’部分の断面図である。

【符号の説明】

１ 透明基板 １０ ゲート電極 １４ ドレイン電極 １５ ソース電極 １６ コモン電極 １７ 画素電極 １８ スイッチ素子 ５０５ 偏光板 ５０８ 対向電極（透明電極） ５０６ 有機導電膜 ５１３ 液晶分子（液晶）

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G02F 1/136 500 G02F 1/1343 G02F 1/1333

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板上に、ゲート電極と、ドレイン
   電極と、前記ゲート電極とドレイン電極との各交差部に
   形成されたスイッチ素子と、該スイッチ素子に接続され
   たソース電極と、少なくとも一部が前記ソース電極と対
   向して形成されたコモン電極とを有するアクティブマト
   リクス基板と、該アクティブマトリクス基板に対向する
   対向基板と、前記アクティブマトリクス基板と前記対向
   基板間に挟持された液晶組成物と、前記アクティブマト
   リクス基板と対向基板の外側に配置された偏光板とから
   なり、前記ソース電極とコモン電極が、主として前記ア
   クティブマトリクス基板に平行な電界を印加するように
   構成された液晶表示装置において、前記対向基板の外
   側、または前記アクティブマトリクス基板と対向基板の
   外側、または偏光板に、有機導電膜を形成したことを特
   徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記有機導電膜が、下記式(１)で示され
   る構造単位を合むポリチオフェン類を含有することを特
   微とする請求項１記載の液晶表示装置。 【化１】
3. 【請求項３】 前記有機導電膜が、前記式(１)で示され
   る構造単位を含むポリチオフェン類と有機結合剤を含有
   することを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記有機導電膜が、トリアセチル−(２
   −ヒドロキシエチル)アンモニウム塩を含有することを
   特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
5. 【請求項５】 前記有機導電膜が、ポリ(アルキルアン
   モニウムテトラアルコキシボラン)を含有することを特
   微とする請求項１記載の液晶表示装置。
6. 【請求項６】 以下の(1)〜(6)の工程からなることを特
   徴とする液晶表示装置の製造方法。 (1) 透明基板上に、ソース電極、ゲート電極、コモン電
   極、スイッチ素子を有し、前記ソース電極と前記コモン
   電極が液晶に対し主として透明基板面に平行な電界を印
   加するように配置されたアクティブマトリクス基板を形
   成する工程。 (2) 対向基板の液晶とは接しない表面上、またはアクテ
   ィブマトリクス基板と対向基板の液晶とは接しない表面
   上、または偏光板に、有機導電性物質を含む溶液を塗布
   し、溶媒を除去することにより、有機導電膜を形成する
   工程。 (3) 前記透明基板上に配向制御層を形成する工程。 (4) 表面に配向制御層を有する一対の透明基板を、液晶
   分子配向能を有する表面を内側にした状態で、スペーサ
   と透明基板周辺部に形成されたシール部を介して対向さ
   せることによりセルを組み立てる工程。 (5) 前記セルに液晶を注入、封止し、液晶セルを形成す
   る工程。 (6) 前記液晶セルに駆動回路を接続し、偏光板を配置
   し、モジュール化する工程。
7. 【請求項７】 前記有機導電性物質が、ポリチオフェン
   類であることを特徴とする請求項６記載の液晶表示装置
   の製造方法。
8. 【請求項８】 前記有機導電性物質が、トリアセチル−
   (２−ヒドロキシエチル)アンモニウム塩であることを特
   徴とする請求項６記載の液晶表示装置の製造方法。
9. 【請求項９】 前記有機導電性物質が、ポリ(アルキル
   アンモニウムテトラアルコキシボラン)であることを特
   徴とする請求項６記載の液晶表示装置の製造方法。