JPH08171082A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置Info
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- JPH08171082A JPH08171082A JP31632894A JP31632894A JPH08171082A JP H08171082 A JPH08171082 A JP H08171082A JP 31632894 A JP31632894 A JP 31632894A JP 31632894 A JP31632894 A JP 31632894A JP H08171082 A JPH08171082 A JP H08171082A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】静電気に基づく液晶の配向乱れなく、広視野角
のアクティブマトリクス型液晶表示装置の提供。 【構成】複数の走査信号電極，映像信号電極，画素電極
およびアクティブ素子により一方の基板上に複数の表示
画素が構成され、液晶層に対し実質的に基板と平行に電
界を印加することにより光学特性を変化させるアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置であって、前記各電極およ
びアクティブ素子が構成されている基板３１上、また
は、その対向基板３２上に電気的に浮遊状態に設けた導
電体または半導体（ダミー電極３３，３５）を前記各電
極に与えられる信号を妨げないように付設したアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置。
のアクティブマトリクス型液晶表示装置の提供。 【構成】複数の走査信号電極，映像信号電極，画素電極
およびアクティブ素子により一方の基板上に複数の表示
画素が構成され、液晶層に対し実質的に基板と平行に電
界を印加することにより光学特性を変化させるアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置であって、前記各電極およ
びアクティブ素子が構成されている基板３１上、また
は、その対向基板３２上に電気的に浮遊状態に設けた導
電体または半導体（ダミー電極３３，３５）を前記各電
極に与えられる信号を妨げないように付設したアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、静電気による液晶の配
向乱れがなく広視野角のアクティブマトリクス型液晶表
示装置に関するものである。
向乱れがなく広視野角のアクティブマトリクス型液晶表
示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置は、一般に液晶層を
駆動する電極が２枚の基板界面上に形成し相対向させた
透明電極を有するもの（以下、垂直電界方式と云う）が
用いられていた。これは液晶に印加される電界方向が基
板界面にほぼ垂直で、ツイステッドネマチック表示方式
に代表される。
駆動する電極が２枚の基板界面上に形成し相対向させた
透明電極を有するもの（以下、垂直電界方式と云う）が
用いられていた。これは液晶に印加される電界方向が基
板界面にほぼ垂直で、ツイステッドネマチック表示方式
に代表される。
【０００３】一方、液晶に印加する電界方向を基板界面
にほぼ平行な方式（以下、横電界方式と云う）として
は、櫛歯電極対を用いるものが提案されている（例え
ば、特公昭６３−２１９０７号、ＵＳＰ４３４５２４
９、ＷＯ９１／１０９３６）。
にほぼ平行な方式（以下、横電界方式と云う）として
は、櫛歯電極対を用いるものが提案されている（例え
ば、特公昭６３−２１９０７号、ＵＳＰ４３４５２４
９、ＷＯ９１／１０９３６）。
【０００４】この横電界方式の場合は、電極は必ずしも
透明である必要はなく、従って、導電性に優れた不透明
な金属電極を用いることができる。
透明である必要はなく、従って、導電性に優れた不透明
な金属電極を用いることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の垂直電界方式で
は、２枚の透明電極付き基板が相対向している。これに
対して横電界方式では、一方の基板にのみ電極が付設さ
れていればよい。つまり、横電界方式の液晶表示装置で
は液晶や配向膜および絶縁膜に接する導電体が少なくな
ると云う利点がある。しかし、この副作用として、静電
気によって液晶の配向が容易に乱されると云う問題があ
る。特に、端子近傍や表示領域の周りには上下基板のい
ずれにも電極が付設されていない領域があり、そのため
静電気によって液晶の配向が乱れ易く、表示領域周りの
光漏れの原因になる。
は、２枚の透明電極付き基板が相対向している。これに
対して横電界方式では、一方の基板にのみ電極が付設さ
れていればよい。つまり、横電界方式の液晶表示装置で
は液晶や配向膜および絶縁膜に接する導電体が少なくな
ると云う利点がある。しかし、この副作用として、静電
気によって液晶の配向が容易に乱されると云う問題があ
る。特に、端子近傍や表示領域の周りには上下基板のい
ずれにも電極が付設されていない領域があり、そのため
静電気によって液晶の配向が乱れ易く、表示領域周りの
光漏れの原因になる。
【０００６】前記の従来技術においては、こうした静電
気が及ぼす液晶の配向乱れに対する影響を軽減するため
の対策については何ら言及していない。
気が及ぼす液晶の配向乱れに対する影響を軽減するため
の対策については何ら言及していない。
【０００７】本発明の目的は、静電気による液晶の配向
乱れがなく、かつ、広視野角のアクティブマトリクス型
液晶表示装置を提供することにある。
乱れがなく、かつ、広視野角のアクティブマトリクス型
液晶表示装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の要旨は次のとおりである。
明の要旨は次のとおりである。
【０００９】〔１〕 複数の走査信号電極、映像信号電
極、画素電極およびアクティブ素子により一方の基板上
に表示画素が構成されており、さらにその上に液晶配向
膜が直接または絶縁層を介して形成されており、前記基
板と、液晶配向膜が形成され対向して配置されたもう一
方の透明基板とにより液晶層が挟持されており、前記各
電極と前記アクティブ素子は、前記液晶層に対し実質的
に前記基板と平行に電界を印加できるよう構成されてお
り、前記各電極と各アクティブ素子は、表示パターンに
応じて印加電界を任意に制御できる外部の制御手段と接
続されており、前記液晶層の配向状態により光学特性を
変化させる偏光手段を備えたアクティブマトリクス型液
晶表示装置であって、前記走査信号電極、映像信号電
極、画素電極およびアクティブ素子が構成されている基
板上、または、その対向基板上に電気的に浮遊状態に設
けた導電体または半導体を前記走査信号電極，映像信号
電極，画素電極に与えられる信号を妨げないように付設
したアクティブマトリクス型液晶表示装置。
極、画素電極およびアクティブ素子により一方の基板上
に表示画素が構成されており、さらにその上に液晶配向
膜が直接または絶縁層を介して形成されており、前記基
板と、液晶配向膜が形成され対向して配置されたもう一
方の透明基板とにより液晶層が挟持されており、前記各
電極と前記アクティブ素子は、前記液晶層に対し実質的
に前記基板と平行に電界を印加できるよう構成されてお
り、前記各電極と各アクティブ素子は、表示パターンに
応じて印加電界を任意に制御できる外部の制御手段と接
続されており、前記液晶層の配向状態により光学特性を
変化させる偏光手段を備えたアクティブマトリクス型液
晶表示装置であって、前記走査信号電極、映像信号電
極、画素電極およびアクティブ素子が構成されている基
板上、または、その対向基板上に電気的に浮遊状態に設
けた導電体または半導体を前記走査信号電極，映像信号
電極，画素電極に与えられる信号を妨げないように付設
したアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【００１０】〔２〕 前記電気的に浮遊状態に設けた導
電体または半導体は、表示面を囲むよう額縁状に形成さ
れていることを特徴とする。
電体または半導体は、表示面を囲むよう額縁状に形成さ
れていることを特徴とする。
【００１１】〔３〕 前記電気的に浮遊状態に設けた導
電体または半導体を表示面の周囲に島状に点在させたこ
とを特徴とする。
電体または半導体を表示面の周囲に島状に点在させたこ
とを特徴とする。
【００１２】〔４〕 前記電気的に浮遊状態に設けた導
電体または半導体上に基板面の段差を消失させる平坦化
膜を形成したことを特徴とする。
電体または半導体上に基板面の段差を消失させる平坦化
膜を形成したことを特徴とする。
【００１３】〔５〕 前記電気的に浮遊状態に設けた導
電体または半導体がアルミニウム，クロム，タンタル，
銅，亜鉛，インジウムチタニウムオキサイド（ＩＴ
Ｏ），黒鉛の少なくとも１種を含有した高分子膜，ポリ
ジアセチレン膜，アモルファスシリコン膜のいずれかで
構成されていることを特徴とする。
電体または半導体がアルミニウム，クロム，タンタル，
銅，亜鉛，インジウムチタニウムオキサイド（ＩＴ
Ｏ），黒鉛の少なくとも１種を含有した高分子膜，ポリ
ジアセチレン膜，アモルファスシリコン膜のいずれかで
構成されていることを特徴とする。
【００１４】上記薄膜は、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ
法、印刷法など公知の方法により形成できる。
法、印刷法など公知の方法により形成できる。
【００１５】
【作用】図３は横電界方式の原理を示すもので、図２の
平面図に対応する。電界方向９に対する偏光板透過軸１
１のなす角φPおよび界面近傍の液晶分子長軸（光学
軸）方向のなす角φLCと定義する。なお、偏光板および
液晶界面はそれぞれ上下に一対あるのでφP1、φLC1、
φP2、φLC2と表記する。
平面図に対応する。電界方向９に対する偏光板透過軸１
１のなす角φPおよび界面近傍の液晶分子長軸（光学
軸）方向のなす角φLCと定義する。なお、偏光板および
液晶界面はそれぞれ上下に一対あるのでφP1、φLC1、
φP2、φLC2と表記する。
【００１６】図２（ａ），（ｂ）は、本方式の液晶セル
内での液晶分子の動作を示す側断面図で、図２（ｃ），
（ｄ）はその平面図である。なお、図２ではアクティブ
素子は省略してある。また、本発明では複数の線状の電
極を組み合わせて複数の画素を形成するが、図２ではそ
の一画素分を示した。
内での液晶分子の動作を示す側断面図で、図２（ｃ），
（ｄ）はその平面図である。なお、図２ではアクティブ
素子は省略してある。また、本発明では複数の線状の電
極を組み合わせて複数の画素を形成するが、図２ではそ
の一画素分を示した。
【００１７】電圧無印加時のセル側断面を図２（ａ）
に、その平面図を図２（ｃ）に示す。一対の透明な基板
の一方の基板１の内側に線状の電極３，４，５が形成さ
れ、その上に絶縁膜７が被覆され、さらに配向膜８が形
成されている。
に、その平面図を図２（ｃ）に示す。一対の透明な基板
の一方の基板１の内側に線状の電極３，４，５が形成さ
れ、その上に絶縁膜７が被覆され、さらに配向膜８が形
成されている。
【００１８】棒状の液晶分子１２は、電界無印加時には
線状の電極の長手方向に対して若干の角度、即ち、４５
度＜φLC＜１３５度、または、−４５度＜φLC＜−１３
５度となるよう配向膜により制御されている。上下界面
上の液晶分子の配向方向は、ここでは平行、即ちφLC1
＝φLC2を例に説明する。また、液晶組成物の誘電異方
性は正を想定している。
線状の電極の長手方向に対して若干の角度、即ち、４５
度＜φLC＜１３５度、または、−４５度＜φLC＜−１３
５度となるよう配向膜により制御されている。上下界面
上の液晶分子の配向方向は、ここでは平行、即ちφLC1
＝φLC2を例に説明する。また、液晶組成物の誘電異方
性は正を想定している。
【００１９】次に、横電界を印加すると図２（ｂ）、
（ｄ）のように電界方向９に液晶分子１２がその向きを
変える。偏光板２を偏光板透過軸１１に設定配置するこ
とで、電界印加によって光透過率を変えることができ
る。
（ｄ）のように電界方向９に液晶分子１２がその向きを
変える。偏光板２を偏光板透過軸１１に設定配置するこ
とで、電界印加によって光透過率を変えることができ
る。
【００２０】このように横電界方式によれば、透明電極
でなくてもコントラストを与える表示が可能となる。な
お、液晶組成物の誘率異方性は正を想定したが、負であ
っても構わない。その場合には、液晶分子の初期配向状
態を線状電極の長手方向に対して垂直方向から若干の角
度｜φLC｜（−４５度＜φLC＜４５度、または、１３５
度＜φLC＜２２５度）を持つように配向させる。
でなくてもコントラストを与える表示が可能となる。な
お、液晶組成物の誘率異方性は正を想定したが、負であ
っても構わない。その場合には、液晶分子の初期配向状
態を線状電極の長手方向に対して垂直方向から若干の角
度｜φLC｜（−４５度＜φLC＜４５度、または、１３５
度＜φLC＜２２５度）を持つように配向させる。
【００２１】なお、図２では共通電極５が信号電極３お
よび画素電極４と異層に設けた場合を示したが、共通電
極は信号電極および画素電極と同層に設けてもよい。ま
た、特に共通電極を設けなくとも、走査電極に共通電極
の機能を持たせることも可能である。
よび画素電極４と異層に設けた場合を示したが、共通電
極は信号電極および画素電極と同層に設けてもよい。ま
た、特に共通電極を設けなくとも、走査電極に共通電極
の機能を持たせることも可能である。
【００２２】横電界方式は、画素構造に関係なく、一方
の基板には電極が形成されないのが一般的である。つま
り、一方の基板には導電体が存在しない構成となる。従
って、導電体が全くない領域が生じ、ここに蓄積された
電荷によって液晶の配向乱れが生ずる。本発明において
は、こうした領域の電荷の蓄積を防ぐため、電気的に浮
遊状態に設けた導電体または半導体を付設したことにあ
る。これは、電気的な接続または接地等の必要がないの
が特徴であり、端子の引き回しや画素のような微細加工
が不要である。即ち、上記導電体または半導体を画素以
外の領域に設けるだけで本発明の目的を達成することが
できる。
の基板には電極が形成されないのが一般的である。つま
り、一方の基板には導電体が存在しない構成となる。従
って、導電体が全くない領域が生じ、ここに蓄積された
電荷によって液晶の配向乱れが生ずる。本発明において
は、こうした領域の電荷の蓄積を防ぐため、電気的に浮
遊状態に設けた導電体または半導体を付設したことにあ
る。これは、電気的な接続または接地等の必要がないの
が特徴であり、端子の引き回しや画素のような微細加工
が不要である。即ち、上記導電体または半導体を画素以
外の領域に設けるだけで本発明の目的を達成することが
できる。
【００２３】具体的には、上記の導電体または半導体
を、表示領域を囲むよう額縁状に設けるか、或いは、端
子／端子間や液晶セルの封入口近傍の上下基板共に電極
が全く存在しない領域に島状に設ける。液晶封入の際に
も静電気が発生するが、これらによって静電気の影響を
低減することができる。
を、表示領域を囲むよう額縁状に設けるか、或いは、端
子／端子間や液晶セルの封入口近傍の上下基板共に電極
が全く存在しない領域に島状に設ける。液晶封入の際に
も静電気が発生するが、これらによって静電気の影響を
低減することができる。
【００２４】なお、導電体または半導体の付設によって
生ずる段差を、絶縁膜や配向膜を厚く形成することによ
り平坦化し、ラビング不良に基づく光漏れ現象を防ぐこ
とができる。
生ずる段差を、絶縁膜や配向膜を厚く形成することによ
り平坦化し、ラビング不良に基づく光漏れ現象を防ぐこ
とができる。
【００２５】
【実施例】本発明を実施例により具体的に説明する。
【００２６】〔実施例 １〕図６に、本発明の一実施例
における単位画素の各種電極の構造を示す。薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ素子）１５は，画素電極４，信号電極
３，走査電極１３およびアモルファスシリコン１４から
構成される。共通電極５は走査電極１３と同層に設け、
同一の金属薄膜をパターン化したものである。また、画
素電極４と信号電極３も同一金属薄膜でパターン化し
た。容量素子３９は、２本の共通電極の間を結合する領
域において画素電極４と共通電極５とでゲート絶縁膜
（ＳｉＮ）６を挟む構造に形成した。
における単位画素の各種電極の構造を示す。薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ素子）１５は，画素電極４，信号電極
３，走査電極１３およびアモルファスシリコン１４から
構成される。共通電極５は走査電極１３と同層に設け、
同一の金属薄膜をパターン化したものである。また、画
素電極４と信号電極３も同一金属薄膜でパターン化し
た。容量素子３９は、２本の共通電極の間を結合する領
域において画素電極４と共通電極５とでゲート絶縁膜
（ＳｉＮ）６を挟む構造に形成した。
【００２７】画素電極４は正面断面（Ａ−Ａ’）図にお
いて、２本の共通電極５の間に配置されている。画素ピ
ッチは信号電極３間（横方向）が６９μｍ、走査電極１
３間（縦方向）は２０７μｍで、電極幅はともに１０μ
ｍである。
いて、２本の共通電極５の間に配置されている。画素ピ
ッチは信号電極３間（横方向）が６９μｍ、走査電極１
３間（縦方向）は２０７μｍで、電極幅はともに１０μ
ｍである。
【００２８】一方、開口率向上のために１画素単位で独
立に形成した画素電極４および共通電極５の信号電極３
の長手方向に伸びた部分の幅を若干狭くし、それぞれ５
μｍと８μｍとした。できるだけ高い開口率を実現する
ために、ゲート絶縁膜６を介して共通電極５と信号電極
３が僅か（１μｍ）に重なるよう構成した。従って、走
査電極１３方向のみ遮光板１６で遮光するブラックマト
リクス構造とした。
立に形成した画素電極４および共通電極５の信号電極３
の長手方向に伸びた部分の幅を若干狭くし、それぞれ５
μｍと８μｍとした。できるだけ高い開口率を実現する
ために、ゲート絶縁膜６を介して共通電極５と信号電極
３が僅か（１μｍ）に重なるよう構成した。従って、走
査電極１３方向のみ遮光板１６で遮光するブラックマト
リクス構造とした。
【００２９】このようにして、共通電極５と画素電極４
とのギャップが２０μｍ、開口部の長手方向の長さが１
５７μｍとなり、４４.０％の高開口率が得られた。画
素数は３２０本の信号電極３と１６０本の走査電極１３
とにより３２０×１６０個とした。なお、これらの電極
の形成方法は常法に従った。
とのギャップが２０μｍ、開口部の長手方向の長さが１
５７μｍとなり、４４.０％の高開口率が得られた。画
素数は３２０本の信号電極３と１６０本の走査電極１３
とにより３２０×１６０個とした。なお、これらの電極
の形成方法は常法に従った。
【００３０】また、薄膜トランジスタ１５を有する基板
に相対向する基板上には、図４に示すようにストライプ
状の３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のカラーフィルタ３６を設け
た。カラーフィルタ３６上には透明樹脂からなる表面平
坦化膜３７を積層した。透明樹脂材料としてはエポキシ
樹脂を用いた。さらに、この表面平坦化膜３７上に表示
領域をマスクで保護しながら厚さ０.１μｍのクロムを
額縁状にスパッタ法で形成した。つまり、クロムで構成
されるダミー電極３３を額縁状に表示部分を囲むように
設けた。そして、ポリイミド系の配向膜８を塗布，形成
し、図６の基板と対向させて組み立てた。その液晶セル
の外観は図１（ａ）のようになった。
に相対向する基板上には、図４に示すようにストライプ
状の３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のカラーフィルタ３６を設け
た。カラーフィルタ３６上には透明樹脂からなる表面平
坦化膜３７を積層した。透明樹脂材料としてはエポキシ
樹脂を用いた。さらに、この表面平坦化膜３７上に表示
領域をマスクで保護しながら厚さ０.１μｍのクロムを
額縁状にスパッタ法で形成した。つまり、クロムで構成
されるダミー電極３３を額縁状に表示部分を囲むように
設けた。そして、ポリイミド系の配向膜８を塗布，形成
し、図６の基板と対向させて組み立てた。その液晶セル
の外観は図１（ａ）のようになった。
【００３１】一方、上下基板の配向膜８の表面上のラビ
ング方向は互いにほぼ平行で、かつ印加電界方向とのな
す角度を１０５度（φLC1＝φLC2＝１０５°）とした
（図３参照）。また、上下基板ギャップｄは球形のポリ
マビーズを基板間に分散して挾持し、液晶封入状態で
４.２μｍとした。
ング方向は互いにほぼ平行で、かつ印加電界方向とのな
す角度を１０５度（φLC1＝φLC2＝１０５°）とした
（図３参照）。また、上下基板ギャップｄは球形のポリ
マビーズを基板間に分散して挾持し、液晶封入状態で
４.２μｍとした。
【００３２】このセルを２枚の偏光板〔日東電工社製Ｇ
１２２０ＤＵ〕で挾み、一方の偏光板の偏光板透過軸１
１をラビング方向にほぼ平行、即ちφP1＝１０５°と
し、他方をそれに直交、即ちφP2＝１５°とした。これ
により、ノーマリクローズ特性の液晶セルを得た。
１２２０ＤＵ〕で挾み、一方の偏光板の偏光板透過軸１
１をラビング方向にほぼ平行、即ちφP1＝１０５°と
し、他方をそれに直交、即ちφP2＝１５°とした。これ
により、ノーマリクローズ特性の液晶セルを得た。
【００３３】まお、液晶セルに封入する液晶としては、
末端に３つのフルオロ基を有する化合物を主成分とした
誘電異方性が正の液晶を、絶縁膜７には窒化シリコン
（ＳｉＮ）を、配向膜にはＰＩＱ−５３００（日立化成
製）のポリイミド配向膜を用いた。
末端に３つのフルオロ基を有する化合物を主成分とした
誘電異方性が正の液晶を、絶縁膜７には窒化シリコン
（ＳｉＮ）を、配向膜にはＰＩＱ−５３００（日立化成
製）のポリイミド配向膜を用いた。
【００３４】液晶セルは図７に示すのように駆動ＬＳＩ
が接続され、ＴＦＴ基板上に垂直走査回路２０、映像信
号駆動回路２１を接続し、電源回路およびコントローラ
２２から走査信号電圧、映像信号電圧、タイミング信号
を供給し、アクティブマトリクス駆動した。
が接続され、ＴＦＴ基板上に垂直走査回路２０、映像信
号駆動回路２１を接続し、電源回路およびコントローラ
２２から走査信号電圧、映像信号電圧、タイミング信号
を供給し、アクティブマトリクス駆動した。
【００３５】このようにして得られたアクティブマトリ
クス型液晶表示装置において、上下左右±６０°以上階
調反転が生じず、表示領域の外周において静電気による
液晶の配向乱れに基づく光漏れは全く認められなかった
（目視評価）。
クス型液晶表示装置において、上下左右±６０°以上階
調反転が生じず、表示領域の外周において静電気による
液晶の配向乱れに基づく光漏れは全く認められなかった
（目視評価）。
【００３６】〔実施例 ２〕本実施例の構成は下記の要
件を除けば、実施例１と同様にして行った。
件を除けば、実施例１と同様にして行った。
【００３７】カラーフィルタ３６の上に透明エポキシ樹
脂からなる表面平坦化膜３７を積層形成した。さらに、
この表面平坦化膜３７上にダミー電極として厚さ０.１
μｍの透明電極（ＩＴＯ）を端子部と端子部の間に配置
されるよう形成し、また、封入口近傍を覆う配置になる
ようにマスクスパッタ法で形成した。その上にポリイミ
ド系の配向膜８を塗布した。
脂からなる表面平坦化膜３７を積層形成した。さらに、
この表面平坦化膜３７上にダミー電極として厚さ０.１
μｍの透明電極（ＩＴＯ）を端子部と端子部の間に配置
されるよう形成し、また、封入口近傍を覆う配置になる
ようにマスクスパッタ法で形成した。その上にポリイミ
ド系の配向膜８を塗布した。
【００３８】このようにして得られたアクティブマトリ
クス型液晶表示装置において、上下左右±６０°以上階
調反転が生じず、表示領域の外周において静電気による
液晶の配向乱れに基づく光漏れは全く認められなかっ
た。
クス型液晶表示装置において、上下左右±６０°以上階
調反転が生じず、表示領域の外周において静電気による
液晶の配向乱れに基づく光漏れは全く認められなかっ
た。
【００３９】〔実施例 ３〕本実施例の構成は下記の要
件を除けば、実施例１と同様にして行った。
件を除けば、実施例１と同様にして行った。
【００４０】図１（ｂ）の基板３１の端子部と端子部の
間にダミーのアルミニウムで構成された厚さ０.１μｍ
の電極３５を設け、また、液晶の封入口側にもストライ
プ状のダミーの電極３５を設けた。これらは信号電極３
と同層でスパッタ後、エッチングでパターン化して形成
した。
間にダミーのアルミニウムで構成された厚さ０.１μｍ
の電極３５を設け、また、液晶の封入口側にもストライ
プ状のダミーの電極３５を設けた。これらは信号電極３
と同層でスパッタ後、エッチングでパターン化して形成
した。
【００４１】このようにして得られたアクティブマトリ
クス型液晶表示装置において、上下左右±６０°以上階
調反転が生じず、表示領域の外周において静電気による
液晶の配向乱れに基づく光漏れは全く認められなかっ
た。
クス型液晶表示装置において、上下左右±６０°以上階
調反転が生じず、表示領域の外周において静電気による
液晶の配向乱れに基づく光漏れは全く認められなかっ
た。
【００４２】〔実施例 ４〕本実施例の構成は下記の要
件を除けば、実施例１と同様にして行った。
件を除けば、実施例１と同様にして行った。
【００４３】カラーフィルター基板に設けられた額縁状
のダミー電極の端子を取り出し、０Ｖの一定の電位を与
えた。
のダミー電極の端子を取り出し、０Ｖの一定の電位を与
えた。
【００４４】このようにして得られたアクティブマトリ
クス型液晶表示装置において、上下左右±６０°以上階
調反転が生じず、表示領域の外周において静電気による
液晶の配向乱れに基づく光漏れは全く認められなかっ
た。
クス型液晶表示装置において、上下左右±６０°以上階
調反転が生じず、表示領域の外周において静電気による
液晶の配向乱れに基づく光漏れは全く認められなかっ
た。
【００４５】〔実施例 ５〕本実施例の構成は下記の要
件を除けば、実施例１と同様にして行った。
件を除けば、実施例１と同様にして行った。
【００４６】カラーフィルター基板には、図１（ａ）お
よび図５のように厚さ０.１μｍのクロムを額縁状にマ
スクスパッタ法で形成し、ダミー電極３３を額縁状に表
示部分を囲むように設け、その上に厚さ１μｍの窒化シ
リコン（ＳｉＮ）膜からなるダミー電極の平坦膜３８を
形成した。そして、ポリイミド系の配向膜８を全面に形
成した。
よび図５のように厚さ０.１μｍのクロムを額縁状にマ
スクスパッタ法で形成し、ダミー電極３３を額縁状に表
示部分を囲むように設け、その上に厚さ１μｍの窒化シ
リコン（ＳｉＮ）膜からなるダミー電極の平坦膜３８を
形成した。そして、ポリイミド系の配向膜８を全面に形
成した。
【００４７】このようにして得られたアクティブマトリ
クス型液晶表示装置において、上下左右±６０°以上階
調反転が生じず、表示領域の外周において静電気による
液晶の配向乱れに基づく光漏れは全く認められなかっ
た。
クス型液晶表示装置において、上下左右±６０°以上階
調反転が生じず、表示領域の外周において静電気による
液晶の配向乱れに基づく光漏れは全く認められなかっ
た。
【００４８】また、ダミー電極３３によって生ずる段差
によるラビング不良に基づく光漏れも全く認められなか
った。
によるラビング不良に基づく光漏れも全く認められなか
った。
【００４９】〔実施例 ６〕本実施例の構成は下記の要
件を除けば、実施例１と同様にして行った。
件を除けば、実施例１と同様にして行った。
【００５０】カラーフィルター基板には、図１（ａ）お
よび図５のように厚さ０.１μｍのアモルファスシリコ
ンを額縁状にマスクスパッタ法で形成し、ダミー電極３
３を額縁状に表示部分を囲むように設け、その上に厚さ
１μｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）膜からなるダミー電極
の平坦膜３８を形成した。そして、ポリイミド系の配向
膜８を全面に形成した。
よび図５のように厚さ０.１μｍのアモルファスシリコ
ンを額縁状にマスクスパッタ法で形成し、ダミー電極３
３を額縁状に表示部分を囲むように設け、その上に厚さ
１μｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）膜からなるダミー電極
の平坦膜３８を形成した。そして、ポリイミド系の配向
膜８を全面に形成した。
【００５１】このようにして得られたアクティブマトリ
クス型液晶表示装置において、上下左右±６０°以上階
調反転が生じず、表示領域の外周において静電気による
液晶の配向乱れに基づく光漏れは全く認められなかっ
た。
クス型液晶表示装置において、上下左右±６０°以上階
調反転が生じず、表示領域の外周において静電気による
液晶の配向乱れに基づく光漏れは全く認められなかっ
た。
【００５２】また、ダミー電極３３によって生ずる段差
によるラビング不良に基づく光漏れも全く認められなか
った。
によるラビング不良に基づく光漏れも全く認められなか
った。
【００５３】
【発明の効果】本発明によれば、横電界方式のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置の表示領域を囲み、額縁
状、または、島状に形成され、電気的に浮遊状態に設け
た導電体あるいは半導体を基板内に設けることによっ
て、静電気による液晶の配向乱れがなく、広視野角の液
晶表示装置を得ることができる。
ブマトリクス型液晶表示装置の表示領域を囲み、額縁
状、または、島状に形成され、電気的に浮遊状態に設け
た導電体あるいは半導体を基板内に設けることによっ
て、静電気による液晶の配向乱れがなく、広視野角の液
晶表示装置を得ることができる。
【図１】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の液晶セル基板の模式図である。
の液晶セル基板の模式図である。
【図２】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置
における液晶分子の動作を示す模式図である。
における液晶分子の動作を示す模式図である。
【図３】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の電界方向に対する液晶分子長軸の配向方向と偏光板透
過軸のなす角の一例を示す図である。
の電界方向に対する液晶分子長軸の配向方向と偏光板透
過軸のなす角の一例を示す図である。
【図４】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の基板の構成を示す模式図である。
の基板の構成を示す模式図である。
【図５】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の薄膜トランジスタ基板側と対向する基板の構成を示す
模式図である。
の薄膜トランジスタ基板側と対向する基板の構成を示す
模式図である。
【図６】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の薄膜トランジスタ基板の画素構成を示す模式図であ
る。
の薄膜トランジスタ基板の画素構成を示す模式図であ
る。
【図７】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の一例を示すシステム構成図である。
の一例を示すシステム構成図である。
１…基板、２…偏光板、３…信号電極、４…画素電極、
５…共通電極、６…ゲート絶縁膜、７…絶縁膜、８…配
向膜、９…電界方向、１０…ラビング方向、１１…偏光
板透過軸、１２…液晶分子、１３…走査電極、１４…ア
モルファスシリコン、１５…薄膜トランジスタ、１６…
遮光板、２０…走査信号回路、２１…映像信号回路、２
２…電源およびコントローラ、２３…共通電極駆動用回
路、２４…アクティブマトリクス型液晶表示素子、３１
…薄膜トランジスタ基板、３２…薄膜トランジスタ基板
に対向する基板、３３…ダミー電極、３４…端子、３５
…ダミー電極、３６…カラーフィルタ、３７…平坦化
膜、３８…ダミー電極の平坦化膜、３９…容量素子。
５…共通電極、６…ゲート絶縁膜、７…絶縁膜、８…配
向膜、９…電界方向、１０…ラビング方向、１１…偏光
板透過軸、１２…液晶分子、１３…走査電極、１４…ア
モルファスシリコン、１５…薄膜トランジスタ、１６…
遮光板、２０…走査信号回路、２１…映像信号回路、２
２…電源およびコントローラ、２３…共通電極駆動用回
路、２４…アクティブマトリクス型液晶表示素子、３１
…薄膜トランジスタ基板、３２…薄膜トランジスタ基板
に対向する基板、３３…ダミー電極、３４…端子、３５
…ダミー電極、３６…カラーフィルタ、３７…平坦化
膜、３８…ダミー電極の平坦化膜、３９…容量素子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 益幸 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 複数の走査信号電極，映像信号電極，画
素電極およびアクティブ素子により一方の基板上に複数
の表示画素が構成されており、さらにその上に液晶配向
膜が直接または絶縁層を介して形成されており、前記基
板と、液晶の配向膜が形成され対向して配置されたもう
一方の透明基板とにより液晶層が挟持されており、 前記各電極と前記アクティブ素子は、前記液晶層に対し
実質的に前記基板と平行に電界を印加できるよう構成さ
れており、前記各電極と各アクティブ素子は、表示パタ
ーンに応じて印加電界を任意に制御できる外部の制御手
段と接続されており、前記液晶層の配向状態により光学
特性を変化させる偏光手段を備えたアクティブマトリク
ス型液晶表示装置であって、 前記走査信号電極、映像信号電極、画素電極およびアク
ティブ素子が構成されている基板上、または、その対向
基板上に電気的に浮遊状態に設けた導電体または半導体
を前記走査信号電極，映像信号電極，画素電極に与えら
れる信号を妨げないように付設したことを特徴とするア
クティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記電気的に浮遊状態に設けた導電体ま
たは半導体は、表示面を囲むように額縁状に形成されて
いる請求項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示
装置。 - 【請求項３】 前記電気的に浮遊状態に設けた導電体ま
たは半導体を表示面の周囲に島状に点在させた請求項１
に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記電気的に浮遊状態に設けた導電体ま
たは半導体上に基板面の段差を消失させる平坦化膜が形
成されている請求項１〜３のいずれかに記載のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記電気的に浮遊状態に設けた導電体ま
たは半導体がアルミニウム，クロム，タンタル，銅，亜
鉛，インジウムチタニウムオキサイド（ＩＴＯ），黒鉛
の少なくとも１種を含有した高分子膜，ポリジアセチレ
ン膜，アモルファスシリコン膜のいずれかで構成されて
いる請求項１〜５のいずれかに記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31632894A JPH08171082A (ja) | 1994-12-20 | 1994-12-20 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31632894A JPH08171082A (ja) | 1994-12-20 | 1994-12-20 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08171082A true JPH08171082A (ja) | 1996-07-02 |
Family
ID=18075912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31632894A Pending JPH08171082A (ja) | 1994-12-20 | 1994-12-20 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08171082A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997034188A1 (fr) * | 1996-03-14 | 1997-09-18 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a cristaux liquides et equipment electronique |
| JPH10133205A (ja) * | 1996-11-05 | 1998-05-22 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
| US6191837B1 (en) | 1996-09-20 | 2001-02-20 | Nec Corporation | IPS LCD having an organic conductive layer outside the subtrate |
| US6297867B1 (en) | 1997-11-12 | 2001-10-02 | Nec Corporation | Wide view angle LCD operable in IPS mode which uses a pixel electrode as a shield to prevent disturbances in the electric field of a display pixel portion of the LCD |
| US6483560B2 (en) * | 1996-09-18 | 2002-11-19 | Sony Corporation | Liquid crystal device having metal light shielding layer with portions at different potentials |
| US6914655B2 (en) | 1995-12-20 | 2005-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optic device |
| JP2011013655A (ja) * | 2008-09-30 | 2011-01-20 | Sony Corp | 液晶装置、電子機器、液晶装置の製造方法 |
| JP2013200573A (ja) * | 2013-06-05 | 2013-10-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US9316880B2 (en) | 1995-12-21 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
-
1994
- 1994-12-20 JP JP31632894A patent/JPH08171082A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8040450B2 (en) | 1995-12-20 | 2011-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optic device |
| US7692749B2 (en) | 1995-12-20 | 2010-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optic device |
| US7327412B2 (en) | 1995-12-20 | 2008-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optic device |
| US9182642B2 (en) | 1995-12-20 | 2015-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optic device |
| US8339558B2 (en) | 1995-12-20 | 2012-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optic device |
| US6914655B2 (en) | 1995-12-20 | 2005-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optic device |
| US9316880B2 (en) | 1995-12-21 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US6346932B1 (en) | 1996-03-14 | 2002-02-12 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device and electronic equipment |
| US6657608B2 (en) | 1996-03-14 | 2003-12-02 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device and electronic equipment |
| WO1997034188A1 (fr) * | 1996-03-14 | 1997-09-18 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a cristaux liquides et equipment electronique |
| USRE40770E1 (en) | 1996-03-14 | 2009-06-23 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device and electronic equipment |
| US6483560B2 (en) * | 1996-09-18 | 2002-11-19 | Sony Corporation | Liquid crystal device having metal light shielding layer with portions at different potentials |
| US6191837B1 (en) | 1996-09-20 | 2001-02-20 | Nec Corporation | IPS LCD having an organic conductive layer outside the subtrate |
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| JP2011013655A (ja) * | 2008-09-30 | 2011-01-20 | Sony Corp | 液晶装置、電子機器、液晶装置の製造方法 |
| JP2013200573A (ja) * | 2013-06-05 | 2013-10-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
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