CN114335018A - 一种显示面板的制备方法及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例公开了一种显示面板的制备方法及显示面板，显示面板的制备方法，包括以下制备步骤：在基板上制备一层金属层；在所述金属层上制备光阻层，以所述光阻层为掩膜板刻蚀去除裸露于所述光阻层外的金属层；刻蚀所述光阻层使其成为间隔设置的第一光阻单元和第二光阻单元；在所述第一光阻单元、所述第二光阻单元、刻蚀后的所述金属层以及所述基板上制备导电材料形成导电层；去除所述第一光阻单元、所述第二光阻单元，同时去除覆盖在所述第一光阻单元和所述第二光阻单元上的导电层；刻蚀并去除裸露于所述导电层外的金属层形成间隔设置的第一金属单元和第二金属单元。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板的制备方法及显示面板。
背景技术
金属氧化物因其较高的透过率、较好的导电性，在大尺寸显示基板有广泛的应用。为提升显示面板穿透率，通常将金属氧化物用于Com(公共电极)线作为电容使用。
目前在氧化物+金属灰色调工艺过程中，容易出现氧化物结晶的问题，从而导致无法进行蚀刻，特别是在金属层厚增加的情况下，由于金属溅射产生的热量导致底层氧化物升温。以ITO(氧化物)+Cu(金属)为例，当Cu膜厚达到5500A以上后，ITO受热结晶导致蚀刻无法进行。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板的制备方法及显示面板，可以解决现有技术中显示面板的金属氧化物刻蚀困难的技术问题。
本申请实施例提供一种显示面板的制备方法，包括以下制备步骤：
在基板上制备一层金属层；在所述金属层上制备光阻层，以所述光阻层为掩膜板刻蚀去除裸露于所述光阻层外的金属层；刻蚀所述光阻层使其成为间隔设置的第一光阻单元和第二光阻单元；在所述第一光阻单元、所述第二光阻单元、刻蚀后的所述金属层以及所述基板上制备导电材料形成导电层；去除所述第一光阻单元、所述第二光阻单元，同时去除覆盖在所述第一光阻单元和所述第二光阻单元上的导电层；刻蚀并去除裸露于所述导电层外的金属层形成间隔设置的第一金属单元和第二金属单元。
可选的，在本申请的一些实施例中，在所述导电层制备步骤中，所述导电层包括覆盖于所述金属层和所述基板上的第一导电层以及覆盖在所述第一光阻单元和所述第二光阻单元上的第二导电层。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一光阻单元和所述第二光阻单元为在垂直于所述基板的截面为倒置梯形。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二导电层设于所述第一光阻单元和所述第二光阻单元远离所述基板的一侧表面。
可选的，在本申请的一些实施例中，采用金属剥离技术去除覆盖在所述第一光阻单元和所述第二光阻单元上的导电层。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述光阻层远离所述基板的一侧表面设有第一突块和第二突块，所述第一突块和第二突块间隔设置。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一光阻单元和厚度与所述第一突块的厚度相同，所述第二光阻单元和厚度与所述第二突块的厚度相同。
可选的，在本申请的一些实施例中，在所述刻蚀并去除裸露于所述导电层外的金属层的步骤之后，还包括以下制备步骤：
在所述基板上制备第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述金属层和所述导电层；
在所述第一绝缘层上制备有源层、第二绝缘层和源漏电极，所述有源层和所述源漏电极对应所述第一金属单元，所述第二绝缘层设于所述第一绝缘层上，且覆盖所述有源层和所述源漏电极。
可选的，在本申请的一些实施例中，采用半色调光罩或灰色调光罩在所述基板上制备所述金属层。
相应的，本申请实施例还提供一种显示面板，由上述显示面板的制备方法制备而成。
本实施例的有益效果在于，本实施例的一种显示面板及显示装置采用金属剥离技术将金属氧化物材料形成于金属层和光阻层上，通过去除光阻层从而同步去除部分金属氧化物材料形成导电层，再利用导电层为掩膜板刻蚀金属层形成栅极和供导电层连接的金属走线，从而避免了在制备高膜厚金属层时导致金属氧化物结晶以致无法刻蚀的问题，采用本实施例显示面板的制备方法制备形成的显示面板的金属层厚度较高，降低了金属层的电阻，满足了显示面板的低电阻需求，提升了显示面板本身的充电率和穿透率。
附图说明
图1是本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的显示面板的制备方法流程图；
图3是本申请实施例提供的步骤S3中的制备光阻层的结构图；
图4是本申请实施例提供的步骤S3中的刻蚀金属层的结构图；
图5是本申请实施例提供的步骤S5中的制备导电层的结构图；
图6是本申请实施例提供的步骤S6中的去除光阻层后的结构图；
图7是本申请实施例提供的步骤S7中的刻蚀金属层的结构图。
附图标记说明：
基板100； 金属层200；
显示区101； 非显示区102；
第一金属单元210； 第二金属单元220；
导电层300； 第一导电层301；
第二导电层302； 第一导电走线310；
第二导电走线320； 第一绝缘层400；
有源层500； 源漏电极600；
第二绝缘层700； 像素电极800；
电容电极900； 光阻层30；
第一光阻单元31； 第二光阻单元32；
第一突块33； 第二突块34。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种显示面板的制备方法及显示面板。以下进行详细说明。
实施例
如图1所示，本实施例中，本发明的显示面板包括基板100、第一金属单元210、第二金属单元220、第一导电走线310、第二导电走线320、第一绝缘层400、有源层500、源漏电极600、第二绝缘层700、像素电极800以及电容电极900。
基板100为硬质基板，一般为玻璃材质，用以承接各膜层和电路结构，同时用以避免外界水汽或杂质入侵，从而保护所述膜层和电路结构。
第一金属单元210和第二金属单元220为同一金属层图案化后形成，第一金属单元210和第二金属单元220设于基板100的同一侧表面，其中，第一金属单元210位于显示面板的显示区101中，作为栅极使用。第二金属单元220位于非显示区102中，用以连通并充当存储电极，以便与电源连接。
第一导电走线310和第二导电走线320为同一导电层图案化后形成，所述导电层材料为金属氧化物材料，在本实施例中，所述金属氧化物材料为氧化铟锡材料，第一导电走线310设于第一金属单元210上，与第一金属单元210共同作为栅极，第二导电走线320搭接在第二金属单元220上，用以作为公共电极和存储电极。
第一绝缘层400设于基板100上，且覆盖第一金属单元210、第二金属单元220、第一导电走线310以及第二导电走线320，第一绝缘层400为无机材料，能够有效隔绝第一金属单元210、第二金属单元220、第一导电走线310以及第二导电走线320相互接触造成短路或与其他金属走线接触造成短路，同时也能隔绝水氧，避免造成金属走线腐蚀。
有源层500设于第一绝缘层400上，且与第一金属单元210相对设置，源漏电极600设于有源层500上，其中，第一金属单元210、有源层500以及源漏电极600共同组成薄膜晶体管单元，起到开关作用。
第二绝缘层700设于第一绝缘层400上，且覆盖有源层500和源漏电极600，第二绝缘层700为钝化层，用以避免有源层500和源漏电极600与其他金属走线接触后导致短路，同时也能隔绝水氧，避免造成金属走线腐蚀。
像素电极800和电容电极900为同一导电材料图案化形成，特别的，像素电极800和电容电极900采用透明导电材料，本实施例中，采用氧化铟锡材料，其具备良好的导电效果和透光效果，在不影响电信号传输的前提下，能够很好的透光光线。
像素电极800与有源层500相对应，且像素电极800贯穿第二绝缘层700与源漏电极600连接，用以传输电信号，电容电极900与第二导电走线320相对应，电容电极900与第二导电走线320形成存储电容，用以存储和释放电信号，以保持像素单元的稳定发光。
如图2所示，本实施例中，为了更好的解释本发明，还提供了上述显示面板的制备方法，主要解决在制备第一金属单元210和第二金属单元220时，由于金属溅射产生的热量导致制备第一导电走线310和第二导电走线320的氧化物材料升温结晶，从而导致氧化物材料无法被刻蚀形成第一导电走线310和第二导电走线320，本实施例中，上述显示面板的制备方法具体制备步骤如下：
S1)提供一玻璃材质的基板100，清洗表面污渍并吹去表面浮尘。
S2)在基板100上制备一层金属层200，金属层200的材料包括铝、铜、铝钼合金、铜钼合金、钴钼钛合金或其他单层、叠层金属材料，本实施例中，采用半色调(half tone)光罩或灰色调(gray tone)光罩制备图案化金属材料后形成金属层200。
S3)如图3和图4所示，在金属层200上制备光阻层30，光阻层30覆盖部分金属层200，以光阻层30为掩膜板刻蚀所述金属层200，从而去除裸露于光阻层30外的金属层200，以便后续制备第一金属单元210和第二金属单元220。
S4)刻蚀光阻层30使其成为间隔设置的第一光阻单元31和第二光阻单元32，本实施例中，采用干刻法整面刻蚀光阻层30，故在光阻层30上设有第一突块33和第二突块34，第一突块33和第二突块34突出于光阻层30的上表面，在整面刻蚀光阻层30时，其刻蚀的厚度为光阻层30其余部分的厚度，从而留下间隔设置的第一光阻单元31和第二光阻单元32，在本发明的其他优选实施例中，也可采用掩膜板设于光阻层30上后刻蚀，此方案无需设置第一突块33和第二突块34,也可将光阻层30分离形成第一光阻单元31和第二光阻单元32。
S5)如图5所示，在第一光阻单元31、第二光阻单元32、金属层200以及基板100上制备导电材料形成导电层300。本实施例中，第一光阻单元31和第二光阻单元32在垂直于基板100方向上的截面为倒置梯形，即第一光阻单元31和第二光阻单元32的侧壁与基板100的夹角为锐角，第一光阻单元31和第二光阻单元32的上表面大于第一光阻单元31和第二光阻单元32的下表面，从而在制备导电层300时，导电层300由于第一光阻单元31和第二光阻单元32与基板100之间的段差断裂成设于第一光阻单元31和第二光阻单元32的第一导电层301和设于金属层200和基板100上的第二导电层302，以便后续去除第一导电层301。在本发明的其他优选实施例中，第一光阻单元31和第二光阻单元32也可为常规形状设置，即第一光阻单元31和第二光阻单元32在垂直于基板100方向的截面为梯形，只需在采用疏松的光阻材料或将第一光阻单元31和第二光阻单元32处理后使其内部疏松多孔，此时即使导电层300整面覆盖第一光阻单元31和第二光阻单元32，去除光阻的药液也可顺畅进入第一光阻单元31和第二光阻单元32，方便去除。
S6)如图6所示，通过金属剥离技术去除第一光阻单元31、第二光阻单元32，同时去除覆盖在第一光阻单元31和第二光阻单元32上的第二导电层302，留下覆盖在金属层200和基板100上的第一导电层301。
S7)如图7所示，以第一导电层301为掩膜板刻蚀并去除裸露于第一导电层301外的金属层200以形成间隔设置的第一金属单元210和第二金属单元220，由于金属层200的整体成膜早于导电层300刻蚀成型步骤之前，故本实施例中的金属层200可以进一步增加厚度，以便满足上述显示面板的充电率需求，提升所述显示面板的穿透率。
S8)在基板100上制备第一绝缘层400，所述第一绝缘层400覆盖第一金属单元210、第二金属单元220、第一导电走线310以及第二导电走线320。
S9)在第一绝缘层400上制备有源层500、源漏电极600和第二绝缘层700，有源层500和所述源漏电极600对应第一金属单元210，第二绝缘层700设于第一绝缘层400上，且覆盖有源层500和源漏电极600。
本实施例的有益效果在于，本实施例的一种显示面板及显示装置采用金属剥离技术将金属氧化物材料形成于金属层和光阻层上，通过去除光阻层从而同步去除部分金属氧化物材料形成导电层，再利用导电层为掩膜板刻蚀金属层形成栅极和供导电层连接的金属走线，从而避免了在制备高膜厚金属层时导致金属氧化物结晶以致无法刻蚀的问题，采用本实施例显示面板的制备方法制备形成的显示面板的金属层厚度较高，降低了金属层的电阻，满足了显示面板的低电阻需求，提升了显示面板本身的充电率和穿透率。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板的制备方法及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：
在基板上制备一层金属层；
在所述金属层上制备光阻层，以所述光阻层为掩膜板刻蚀去除裸露于所述光阻层外的金属层；
刻蚀所述光阻层使其成为间隔设置的第一光阻单元和第二光阻单元；
在所述第一光阻单元、所述第二光阻单元、刻蚀后的所述金属层以及所述基板上制备导电材料形成导电层；
去除所述第一光阻单元、所述第二光阻单元，同时去除覆盖在所述第一光阻单元和所述第二光阻单元上的导电层；
刻蚀并去除裸露于所述导电层外的金属层形成间隔设置的第一金属单元和第二金属单元。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述导电层制备步骤中，所述导电层包括覆盖于所述金属层和所述基板上的第一导电层以及覆盖在所述第一光阻单元和所述第二光阻单元上的第二导电层。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
所述第一光阻单元和所述第二光阻单元为在垂直于所述基板的截面为倒置梯形。
4.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
所述第二导电层设于所述第一光阻单元和所述第二光阻单元远离所述基板的一侧表面。
5.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
采用金属剥离技术去除覆盖在所述第一光阻单元和所述第二光阻单元上的导电层。
6.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
所述光阻层远离所述基板的一侧表面设有第一突块和第二突块，所述第一突块和第二突块间隔设置。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
所述第一光阻单元和厚度与所述第一突块的厚度相同，所述第二光阻单元和厚度与所述第二突块的厚度相同。
8.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
在所述刻蚀并去除裸露于所述导电层外的金属层的步骤之后，还包括以下制备步骤：
在所述基板上制备第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述金属层和所述导电层；在所述第一绝缘层上制备有源层、第二绝缘层和源漏电极，所述有源层和所述源漏电极对应所述第一金属单元，所述第二绝缘层设于所述第一绝缘层上，且覆盖所述有源层和所述源漏电极。
9.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，采用半色调光罩或灰色调光罩在所述基板上制备所述金属层。
10.一种显示面板，其特征在于，由权利要求1～9中任一项所述的显示面板的制备方法制备而成。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115360142A (zh) * | 2022-10-19 | 2022-11-18 | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板的制备方法以及阵列基板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110112154A (zh) * | 2019-04-17 | 2019-08-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 半导体基板结构及其制作方法 |
| WO2019166907A1 (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及びその作製方法 |
| CN111584509A (zh) * | 2020-05-14 | 2020-08-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
-
2021
- 2021-12-28 CN CN202111629085.6A patent/CN114335018B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019166907A1 (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及びその作製方法 |
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Cited By (2)
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