JP4656827B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

この発明は、液晶表示装置に関し、より特定的には、反射電極と透過電極とを備えた半透過型の液晶表示装置に関する。

従来、反射電極と透過電極とを備えた半透過型の液晶表示装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。

特許文献１の図２では、ガラス基板上に形成された複数の薄膜電界効果トランジスタ（ＴＦＴ）と、ＴＦＴ上に形成された層間絶縁膜と、それぞれ層間絶縁膜上に形成されているとともにＴＦＴに接続された複数の画素電極を備える、半透過型の液晶表示装置が開示されている。画素電極は、透過電極と反射電極とを有している。
特開２００２−３０３８７２号公報

上述のような半透過型の液晶表示装置では、透過電極と反射電極とを形成するため、写真製版加工などの製造工程数が通常の液晶表示装置より増える。このため、液晶表示装置の製造コストが増大することになっていた。また、上述した写真製版加工における露光工程に必要な高精度露光装置は非常に高価な設備であり、写真製版加工工程が増えると、これらの装置の必要台数も増加する。したがって、設備投資が増え結果的に液晶表示装置の製造コストが上昇する原因となる。また、上述した写真製版加工工程で使用するレジスト現像液、またはレジスト剥離液などの使用量も写真製版加工工程が増加すれば増加する。これらの材料の使用量の増加も液晶表示装置の製造コストの上昇原因となる。また、工程数が増えることは製造工期の長期化に繋がり、納期の遅れ、トラブルのフィードバックの遅れなど製造上のデメリットが発生するおそれがある。

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、製造コストを低減するとともに製造工期の長期化を避けることが可能な液晶表示装置を提供することである。

この発明に従った液晶表示装置は、基板と、透過電極と、下地導電体膜と、反射電極と、端子電極と、下地膜と、配線と、下地層と上層とを備える。透過電極は基板上に形成されスズ添加酸化インジウムを含む。下地導電体膜は、基板上において透過電極の一部上に重なっている。下地導電体膜は、下側の表面全体が透過電極と接触する。下地導電体膜は、高融点金属を主成分とする金属および窒素を含有するアルミニウムを主成分とする金属のいずれか一方を含む。反射電極は、下地導電体膜上に形成される。反射電極は下地導電体膜の平面形状と実質的に同じ平面形状を有し、アルミニウムを主成分とする金属からなる。端子電極は、基板上に形成され、透過電極と同一レイヤにより構成される。下地膜は、基板上において、端子電極下に位置する。配線は、下地膜の下に位置し、モリブデン膜、アルミニウム系合金膜、モリブデン膜が順次積層された構造を有する。下地膜には、配線の表面の少なくとも一部を露出させる開口部が形成される。端子電極は、下地膜の開口部の内部にまで延在するとともに、開口部の内部において配線と電気的に接続されるように形成される。下地層は、端子電極上において、開口部上に位置する領域に形成され、端子電極の一部上に重なって、下側の表面全体が端子電極と接触し、下地導電体膜と同一レイヤにより構成される。上層は、下地層上に形成され、下地層の平面形状と実質的に同じ平面形状を有し、反射電極と同一レイヤにより構成される。

本発明によれば、製造工程数を削減できるため、製造コストを低減するとともに製造工期の長期化を避けることが可能な液晶表示装置およびその製造方法を提供できる。

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において、同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。

（実施の形態１）
図１は、本発明による液晶表示装置の実施の形態１を示す図面模式図である。図１を参照して、本発明による液晶表示装置の実施の形態１を説明する。

図１に示すように、液晶表示装置は、半透過型の液晶表示装置であって、表示画素領域と端子領域とを備える。表示画素領域から端子領域にまで延在するガラス基板１上において、表示画素領域では薄膜電界効果トランジスタ２、蓄積容量１１、薄膜電界効果トランジスタ２の上層に位置する透過電極３および反射電極４が形成されている。また、端子領域においては、ガラス基板１上に実装接続用の端子電極５が形成されている。端子電極５は、薄膜電界効果トランジスタ２などに電源電流や信号を外部から供給するためのものである。

液晶表示装置の表示画素領域における構造をまず説明する。液晶表示装置の表示画素領域においては、ガラス基板１上に下地膜６が形成されている。下地膜６は、ガラス基板１の表面上に形成されたシリコン窒化膜５１と、このシリコン窒化膜５１上に形成されたシリコン酸化膜５２とから構成されている。この下地膜６上には、薄膜電界効果トランジスタ２のソース／ドレイン領域７ａ、７ｂと、このソース／ドレイン領域７ａ、７ｂの間に位置するチャネル領域８、さらに蓄積容量１１を構成する下部電極９が形成されている。ソース／ドレイン領域７ａ、７ｂ、チャネル領域８および下部電極９は、同一レイヤの半導体膜としてのポリシリコン膜により形成されている。

ソース／ドレイン領域７ａ、７ｂ、チャネル領域８および下部電極９上から下地膜６上にまで延在するように絶縁膜１０が形成されている。この絶縁膜１０は、チャネル領域８上に位置し薄膜電界効果トランジスタ２のゲート絶縁膜として作用する部分、および下部電極９上に位置し蓄積容量１１の誘電体膜として作用する部分を含む。

チャネル領域８上に位置する領域では、絶縁膜１０上にゲート電極１２が形成されている。また、下部電極９上に位置する領域においては、誘電体膜として作用する絶縁膜１０上に共通電極１３が形成されている。ゲート電極１２および共通電極１３は、同一レイヤの導電体膜により構成されている。ゲート電極１２と共通電極１３との上から絶縁膜１０上にまで延在するように、保護膜１４が形成されている。保護膜１４と絶縁膜１０との一部をエッチングにより除去することにより、コンタクトホール１５ａ〜１５ｃが形成されている。具体的には、下部電極９上であって共通電極１３から間隔を隔てた部分にコンタクトホール１５ａが形成されている。また、ソース／ドレイン領域７ａ上にコンタクトホール１５ｂが形成されている。また、ソース／ドレイン領域７ｂ上にコンタクトホール１５ｃが形成されている。

このコンタクトホール１５ａ〜１５ｃの内部から保護膜１４の上部表面上にまで延在するように、電極１６ａ〜１６ｃが形成されている。電極１６ａは、具体的にはコンタクトホール１５ａの内部から保護膜１４の上部表面上にまで延在するモリブデン（Ｍｏ）膜５３、Ｍｏ膜５３上に形成されたアルミニウム（Ａｌ）系合金膜５４、およびアルミニウム系合金膜５４上に形成されたモリブデン（Ｍｏ）膜５５により構成されている。また、電極１６ｂ、１６ｃも、電極１６ａと同様の構造を備えている。

電極１６ａ〜１６ｃ上から保護膜１４上にまで延在するように絶縁膜１７が形成されている。また、絶縁膜１７上には有機絶縁膜１８が形成されている。有機絶縁膜１８および絶縁膜１７を部分的にエッチングにより除去することにより、コンタクトホール１９ａ、１９ｂが形成されている。コンタクトホール１９ａは、その底部において電極１６ｃの上部表面の一部が露出するように形成されている。

コンタクトホール１９ｂの内部から有機絶縁膜１８の上部表面上にまで延在するように、ＩＴＯ膜からなる透過電極３が形成されている。透過電極３は、後述する液晶２７を駆動するための電界を形成するための電極であるとともに、ガラス基板１の背面からの光（バックライトの光）を透過させることができるように、透明または半透明の材料により構成された電極である。透過電極３の材料としては、ＩＴＯ膜以外であっても、光を透過させることが可能な導電体膜であれば他の材料を用いることができる。また、コンタクトホール１９ａの内部から有機絶縁膜１８の上部表面上にまで延在するようにクロム（Ｃｒ）膜からなる下地電極２０が形成されている。下地電極２０は、コンタクトホール１９ａの底部において電極１６ｃと電気的に接続されている。また、下地電極２０上にはアルミニウム系合金膜からなる反射電極４が形成されている。反射電極４は、対向ガラス基板２５側からの光を反射させるための反射板としての機能と、後述する液晶２７を駆動するための電界を形成するのに用いる電極としての機能を有する。反射電極４の材料としては、ある程度の光の反射率を示す導電体であれば、クロム以外の材料を用いてもよい。

有機絶縁膜１８の上部表面上においては、透過電極３の端部４４ａが、下地電極２０の端部３７下に潜り込むような状態で配置されている。すなわち、下地電極２０の端部３７および反射電極４の端部３９は、透過電極３の端部４４ａ上に乗り上げた状態となっている。この部分で、透過電極３は下地電極２０と電気的に接続された状態となっている。また、ガラス基板１の表示画素領域においては、反射電極４および透過電極３上を覆うように配向膜２８ａが形成されている。

ここで、電極１６ｃには下地電極２０ａが直接接続されている。電極１６ｃはソース／ドレイン領域７ｂと電気的に接続されている。そして、電極１６ｃから下地電極２０ａを介して反射電極４および透過電極３に電荷が供給される。

なお、反射電極４を構成するアルミニウム系合金と、透過電極３を構成するＩＴＯとは、直接接合した場合、その接合部に高抵抗のアルミニウム酸化物が生成する。そのため、アルミニウム系合金とＩＴＯとを直接接続することによって電気的な導通を図ることは困難である。このため、アルミニウム系合金からなる反射電極４とＩＴＯからなる透過電極３との両方と電気的導通を図ることが可能な材料により構成された下地電極２０ａを配置している。この下地電極２０ａの材料としてはクロム（Ｃｒ）膜を用いることができる。また、下地電極２０ａを構成するＣｒ膜は有機絶縁膜１８および絶縁膜１７に形成されたコンタクトホール１９ａを介して、安定して下層の電極１６ｃと電気的抵抗の低い接続部を形成できる。

ガラス基板１上の表示画素領域以外の領域である端子領域においては、液晶表示装置へ電源電流などを供給する、あるいは外部の駆動ＩＣなどを接続するための端子電極５が形成されている。具体的には、端子領域において、ガラス基板１上に、シリコン窒化膜５１およびシリコン酸化膜５２からなる下地膜６上に位置する絶縁膜１０、絶縁膜１０上に位置する保護膜１４、保護膜１４上に位置する絶縁膜１７、絶縁膜１７上に位置する有機絶縁膜１８が形成されている。上述したそれぞれの膜は、基本的に表示画素領域から延在するように形成されている。

また、保護膜１４と絶縁膜１７との間には、配線２１が形成されている。配線２１は、基本的に表示画素領域における電極１６ａ〜１６ｃと同一レイヤからなり、電極１６ａ〜１６ｃと同様の構造を有する。すなわち、配線２１は、保護膜１４上に形成されたモリブデン膜５３、モリブデン膜５３上に形成されたアルミニウム系合金膜５４、アルミニウム系合金膜５４上に形成されたモリブデン膜５５とからなる。

絶縁膜１７は、配線２１上から保護膜１４上にまで延在するように配置されている。配線２１上においては、有機絶縁膜１８および絶縁膜１７の一部をエッチングにより除去することにより、コンタクトホール１９ｃが形成されている。コンタクトホール１９ｃの底部においては、配線２１の上部表面が露出した状態となっている。

そして、ガラス基板１の端子領域においては、コンタクトホール１９ｃの内部から有機絶縁膜１８の上部表面上にまで延在するように下地配線４１が形成されている。この下地配線４１は下地電極２０と同一レイヤからなり、クロム膜によって形成されている。また、下地配線４１上には上層配線４２が形成されている。下地配線４１と上層配線４２とから接続配線４３が構成される。上層配線４２は、反射電極４と同一レイヤからなり、アルミニウム系合金膜によって構成されている。コンタクトホール１９ｃの底部において下地配線４１が配線２１の上部表面と接触することにより、配線２１と下地配線４１（つまり接続配線４３）とは電気的に接続されている。

また、有機絶縁膜１８の上部表面上においては、下地配線４１と電気的に接続された端子電極５が形成されている。端子電極５は透過電極３と同一レイヤからなり、ＩＴＯ膜から構成されている。端子電極５の端部４４ｂは、下地配線４１の端部４７下に潜り込んだ状態となっている。すなわち、下地配線４１の端部４７および上層配線４２の端部４６は、端子電極５の端部４４ｂ上に乗り上げた状態となっている。配線２１と端子電極５とは、下地配線４１と上層配線４２とにより構成される接続配線４３によって電気的に接続されている。

ガラス基板１において上述した反射電極４などが形成された面と対向するように、対向ガラス基板２５が配置されている。対向ガラス基板２５においてガラス基板１と対向する面上にはカラーフィルタ２３が形成されている。カラーフィルタ２３においてガラス基板１と対向する面上には対向電極２４が形成されている。対向電極２４においてガラス基板１と対向する面上には配向膜２８ｂが形成されている。そして、このようなカラーフィルタ２３、対向電極２４および配向膜２８ｂが形成された対向ガラス基板２５と、反射電極４、透過電極３、端子電極５および配向膜２８ａなどが形成されたガラス基板１とは、シール剤２６を介して対向するように貼り合わされている。配向膜２８ａ、２８ｂおよびシール剤２６により囲まれた領域には液晶２７が注入封止されている。なお、対向ガラス基板２５は、ガラス基板１の表示画素領域を覆うような形状となっている。

図２〜図１２は、図１に示した液晶表示装置の製造方法を説明するための断面模式図である。図２〜図１２を参照して、図１に示した液晶表示装置の製造方法を説明する。

まず、ガラス基板１（図２参照）を準備する。このガラス基板１上に、一般的な方法を用いて下地膜６を形成する。具体的には、たとえばＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）を用いてシリコン窒化膜５１（図２参照）およびシリコン酸化膜５２（図２参照）を形成する。下地膜６としては、このようなシリコン窒化膜５１およびシリコン酸化膜５２からなる２層膜を用いることができるが、他の構造の膜を用いてもよい。

次に、この下地膜６上に連続的にアモルファスシリコン膜を形成する。そして、エキシマレーザ装置を用いて、薄膜電界効果トランジスタ２（図１参照）のチャネル領域８およびソース／ドレイン領域７ａ、７ｂ（図１参照）および蓄積容量１１の下部電極９（図１参照）となるべきアモルファスシリコン膜を熱処理する。この結果、アモルファスシリコン膜が結晶化することによりポリシリコン膜が形成される。

このポリシリコン膜上に写真製版加工工程によりパターンを有するレジスト膜（図示せず）を形成する。このレジスト膜をマスクとして用いて、エッチングによりポリシリコン膜を部分的に除去することにより、ポリシリコン膜２９ａ、２９ｂ（図２参照）を形成する。この後レジスト膜を除去する。そして、ポリシリコン膜２９ａ、２９ｂ上から下地膜６上にまで延在するように、絶縁膜１０（図２参照）を形成する。この絶縁膜１０は、ポリシリコン膜２９ｂ上に位置する部分が薄膜電界効果トランジスタ２（図１参照）のゲート絶縁膜として作用し、ポリシリコン膜２９ａ上に位置する部分が蓄積容量１１（図１参照）の誘電体膜として作用する。絶縁膜１０を構成する材料としては、たとえばＰＥＣＶＤ法を用いて形成したＴＥＯＳ（Tetra Ethoxy Silane）シリコン酸化膜を用いることができる。このようにして、図２に示すような構造を得る。

次に、ポリシリコン膜２９ａ（図２参照）にリン（Ｐ）イオンを選択的に注入する。この結果、蓄積容量１１（図１参照）の下部電極９（図３参照）を形成できる。なお、ここでリンイオンを選択的に注入する方法としては、たとえば絶縁膜１０上に、ポリシリコン膜２９ａ上において開口パターンを有するレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクとしてリンイオンをポリシリコン膜２９ａに注入するといった方法を用いることができる。

次に、絶縁膜１０上にスパッタリング法を用いてクロム膜（図示せず）を形成する。このクロム膜上に写真製版加工工程を用いてパターンを有するレジスト膜を形成する。このレジスト膜をマスクとしてクロム膜をエッチングにより部分的に除去する。その後レジスト膜を除去する。この結果、クロム膜からなるゲート電極１２（図３参照）および共通電極１３（図３参照）を得ることができる。その後、ｎ型の導電性不純物をポリシリコン膜２９ｂに注入することにより、ソース／ドレイン領域７ａ、７ｂ（図３参照）を形成する。このとき、ゲート電極１２がｎ型の導電性不純物を注入する際のマスクとして作用する。ｎ型の導電性不純物としてはたとえばリンイオンを用いることができる。また、ゲート電極１２下に位置するポリシリコン膜２９ｂの部分は、リンイオンが注入されず、チャネル領域８（図３参照）となる。この結果、図３に示すように、ｎ型の薄膜電界効果トランジスタ２および蓄積容量１１を形成することができる。

次に、ゲート電極１２、共通電極１３上から絶縁膜１０上にまで延在するように保護膜１４（図４参照）を形成する。このようにして、図４に示すような構造を得る。ここで、保護膜１４としては、ＰＥＣＶＤ法を用いて形成されたＴＥＯＳシリコン酸化膜を用いることができる（ＴＥＯＳ ＰＥＣＶＤを用いて形成されたシリコン酸化膜を用いることができる）。

この後、ソース／ドレイン領域７ａ、７ｂなどに注入された導電性不純物を活性化するための活性化アニール処理を行なう。この活性化アニール処理における加熱温度はたとえば４００℃という値を用いることができる。

次に、保護膜１４上にパターンを有するレジスト膜（図示せず）を形成する。このレジスト膜をマスクとして用いて、保護膜１４および絶縁膜１０を部分的にエッチングにより除去する。そのあと、レジスト膜を除去する。このようにして、コンタクトホール１５ａ〜１５ｃ（図５参照）を形成する。このコンタクトホール１５ａ〜１５ｃの内部から保護膜１４の上部表面上にまで延在するように、スパッタリング法を用いてモリブデン（Ｍｏ）膜を形成する。このモリブデン膜上にスパッタリング法を用いてアルミニウム系合金膜を形成する。このアルミニウム系合金膜上にスパッタリング法を用いてモリブデン膜を形成する。

このようにして形成された３層からなる金属膜上に、パターンを有するレジスト膜を形成する。このレジスト膜をマスクとして３層からなる金属膜を部分的にエッチングにより除去することにより、電極１６ａ〜１６ｃおよび配線２１（図５参照）を形成する。その後レジスト膜を除去する。この結果、図５に示すような構造を得る。図５からもわかるように、電極１６ａ〜１６ｃおよび配線２１は、それぞれ保護膜１４側からモリブデン膜５３、アルミニウム系合金膜５４およびモリブデン膜５５が順次積層された３層構造の積層体（３層膜）という構造を有している。

この後、水素プラズマを用いてチャネル領域８の水素化を行なう。このようにして、薄膜電界効果トランジスタ２（図１参照）の特性の向上および安定化を図る。そして、電極１６ａ〜１６ｃ、配線２１上から保護膜１４上にまで延在するように絶縁膜１７（図６参照）を形成する。この絶縁膜１７としては、たとえばシリコン窒化膜を用いることができる。

次に、絶縁膜１７上に有機絶縁膜１８（図６参照）を形成する。この有機絶縁膜１８上にパターンを有するレジスト膜（図示せず）を形成する。このレジスト膜をマスクとして用いて、有機絶縁膜１８および絶縁膜１７を部分的にエッチングにより除去することにより、コンタクトホール１９ａ〜１９ｃを形成する。その後レジスト膜を除去する。このようにして、図６に示すような構造を得る。

図６からもわかるように、コンタクトホール１９ａは電極１６ｃ上に形成され、コンタクトホール１９ａの底部においては電極１６ｃの上部表面の一部が露出している。また、コンタクトホール１９ｃは配線２１上に形成され、コンタクトホール１９ｃの底部において配線２１の上部表面が部分的に露出している。

次に、半透過型液晶表示装置の画素電極と端子電極とを以下のフローによって形成する。まず、図７に示すように、コンタクトホール１９ａ〜１９ｃの内部から有機絶縁膜１８の上部表面上にまで延在するようにアモルファス状態のＩＴＯ膜５９を形成する。このＩＴＯ膜５９の膜厚はたとえば１００ｎｍ程度とすることができる。

次に、図８に示すように、画素電極と端子電極とを形成する工程における一度目の写真製版加工工程により、透過電極３（図９参照）および端子電極５（図９参照）を形成するためのパターンを有するレジスト膜５８（図８参照）を形成する。この結果、図８に示すような構造を得る。

そして、このレジスト膜５８をマスクとしてウエットエッチングによりＩＴＯ膜５９を部分的に除去する。なお、このウエットエッチングで用いるエッチング液としては、たとえばシュウ酸系のエッチング液を用いることができる。その後、レジスト膜５８を除去する。この結果、図９に示すような構造を得る。図９からもわかるように、上述したエッチングにより透過電極３および端子電極５が形成されている。透過電極３および端子電極５は上述したＩＴＯ膜によって構成されている。

次に、図１０に示すように、透過電極３、端子電極５および有機絶縁膜１８の上部表面上にクロム膜５６およびアルミニウム系合金膜５７をスパッタリング法によって連続形成する。クロム膜５６の膜厚は、たとえば５０ｎｍ程度とすることができる。アルミニウム系合金膜５７の膜厚はたとえば１５０ｎｍ程度とすることができる。

次に、２回目の写真製版加工工程を行なうことにより図１１に示すようにレジスト膜５８を形成する。レジスト膜５８は、反射電極４（図１２参照）および接続配線４３（図１２参照）を形成するためのパターンを有している。

次に、レジスト膜５８をマスクとして用いて、アルミニウム系合金膜５７およびクロム膜５６を部分的にエッチングにより除去する。その後レジスト膜５８を除去する。この結果、図１２に示すように、下地電極２０、反射電極４および下地配線４１と上層配線４２とからなる接続配線４３を形成することができる。

図１２に示すように、反射電極４および下地電極２０が透過電極３の端部４４ａ上に乗り上げるように（透過電極３の上層になるように）することによって、透過電極３を構成するＩＴＯ膜とクロム膜からなる下地電極２０とを容易に直接接続することができる。

また、反射電極４と下地電極２０とを同じ平面形状としているので（反射電極４と下地電極２０とを別々の形状に加工する必要がないため）、図１１および図１２で示したように、一度の写真製版加工工程により形成されたレジスト膜５８を用いたエッチングによって一度に連続して反射電極４および下地電極２０を形成することができる。この結果、合計２回の写真製版加工工程を実施することによって、半透過型の液晶表示装置における（反射電極４および透過電極３を含む）画素電極と（端子電極５を含む）端子電極とを完成することができる。

上述した本発明による液晶表示装置による効果を、参考例としての液晶表示装置の構造およびその製造方法と対比することによってより詳しく説明する。図１３は、本発明による液晶表示装置の効果を説明するための参考例としての液晶表示装置を示す断面模式図である。図１４〜図２３は、図１３に示した液晶表示装置の製造方法を説明するための断面模式図である。

図１３に示した参考例としての液晶表示装置は、基本的には図１に示した液晶表示装置と同様の構造を備えるが、下地電極２０ａ、２０ｂ、反射電極４、透過電極３、および端子電極５の構造が異なる。図１３に示した液晶表示装置では、表示画素領域におけるコンタクトホール１９ａの内部から有機絶縁膜１８の上部表面上にまで延在するように、下地電極２０ａと、この下地電極２０ａ上に形成され、画素電極を構成する反射電極４が配置されている。

また、下地電極２０ａは、コンタクトホール１９ｂの内部にまでは延在していない。すなわち、下地電極２０ａには、コンタクトホール１９ｂが形成された部分の有機絶縁膜１８を露出させるような開口部２２が形成されている。そして、この開口部２２の内部においてコンタクトホール１９ｂの内壁上から下地電極２０ａおよび反射電極４の端部上にまで延在するように透明性導電材料（たとえばＩＴＯ膜）からなる透過電極３が形成されている。下地電極２０ａのコンタクトホール１９ｂ側に位置する側面３６の位置は、反射電極４の側面３５の位置よりもコンタクトホール１９ｂ側にずれた位置に配置されている（下地電極２０ａの端部３７は、反射電極４の側面３５の位置よりも突出した状態となっている）。このため、透過電極３は下地電極２０ａと接触することにより、電気的に接続された状態となっている。

ガラス基板１上の表示画素領域以外の領域である端子領域においては、コンタクトホール１９ｃの内部から有機絶縁膜１８の上部表面上にまで延在するように、下地電極２０ｂが形成されている。下地電極２０ｂは、表示画素領域における下地電極２０ａと同一レイヤからなる。下地電極２０ｂ上には、端子電極５が形成されている。端子電極５は、透過電極３と同一レイヤにより構成されている。ここでは、端子電極５は透過電極３を構成する材料と同じ材料であるＩＴＯにより構成されている。下地電極２０ｂは、コンタクトホール１９ｃの内部において配線２１の上部表面上と直接接続されている。また、端子電極５は、下地電極２０ｂの上部表面の少なくとも一部を覆った状態で配置されている。

次に、図１４〜図２３を参照して、図１３に示した液晶表示装置の製造方法を説明する。

まず、図２〜図６に示した工程を実施した後、以下の工程に従って半透過型の液晶表示装置の画素電極と端子電極とを形成する。具体的には、まず図１４に示すように、クロム（Ｃｒ）膜５６とアルミニウム（Ａｌ）系合金膜５７とをスパッタリング法を用いて連続的に形成する。ここで、クロム膜５６の膜厚は、たとえば５０ｎｍ程度とすることができる。また、アルミニウム系合金膜５７の膜厚はたとえば１５０ｎｍ程度とすることができる。

次に、図１５に示すように、反射電極４（図１３参照）を形成するためのパターンを有するレジスト膜５８を１回目の写真製版加工により形成する。そして、このレジスト膜５８をマスクとして用いて、アルミニウム系合金膜５７を部分的にエッチングにより除去することにより、反射電極４（図１６参照）を形成する。この後レジスト膜５８を除去する。この結果、図１６に示すような構造を得る。

次に、２回目の写真製版加工により、有機絶縁膜１８においてコンタクトホール１９ｂが形成された部分を露出させる開口部２２（図１８参照）を形成するためのパターンを有するレジスト膜５８（図１７参照）を形成する。この結果、図１７に示すような構造を得る。

そして、この図１７に示したレジスト膜５８をマスクとして用いて、エッチングによりクロム膜５６を部分的に除去することにより、クロム膜５６における開口部２２（図１８参照）を形成する。その後レジスト膜５８（図１７参照）を除去する。この結果、図１８に示すような構造を得る。

次に、スパッタリング法を用いて、反射電極４上からクロム膜５６および有機絶縁膜１８のコンタクトホール１９ｂ内部にまで延在するアモルファス状態のＩＴＯ膜５９（図１９参照）を形成する。この結果、図１９に示すような構造を得る。なお、ＩＴＯ膜５９の膜厚としては、たとえば１００ｎｍ程度の値を用いることができる。

次に、ＩＴＯ膜５９上に、透過電極３（図２１参照）および端子電極５（図２１参照）を形成するためのパターンを有するレジスト膜５８を形成することにより、図２０に示すような構造を得る。そして、上述のように３回目の写真製版加工により形成されたレジスト膜５８（図２０参照）をマスクとして用いて、ＩＴＯ膜５９をエッチングにより部分的に除去することにより、透過電極３（図２１参照）および端子電極５（図２１参照）を形成する。このエッチングにおいては、シュウ酸系のエッチャントを用いてウエットエッチングを実施する。その後、レジスト膜５８（図２０参照）を除去する。この結果、図２１に示すような構造を得る。ここで、透過電極３の端部３８は下地電極２０ａ（図１３参照）となるべきクロム膜５６の端部および反射電極４の端部上にまで延在するように形成されている。

次に、図２２に示すように、下地電極２０ａ、２０ｂ（図１３参照）を形成するためのマスクとして用いる、パターンを有するレジスト膜５８を４回目の写真製版加工により形成する。そして、このレジスト膜５８をマスクとして用いて、クロム膜５６を部分的にエッチングにより除去する。この結果、表示画素領域の画素電極と端子領域の端子電極とをそれぞれ構成する下地電極２０ａ、２０ｂを互いに分離することができる。この後レジスト膜５８を除去する。この結果、図２３に示すような構造を得る。このように、合計４回の写真製版加工を用いることにより、半透過タイプの液晶表示装置における画素電極（下地電極２０ａ、反射電極４および透過電極３からなる画素電極）と端子電極（端子電極５と下地電極２０ｂとからなる端子電極）とが完成する。

なお、ここでクロム膜５６（図１７参照）などのエッチング（ウエットエッチング）においては、いずれも一般的なクロム膜に対するエッチャント（エッチング液）である硝酸第２セリウムアンモニウム（化学式：Ｃｅ（ＮＨ₄）₂（ＮＯ₃）₆）の水溶液に過塩素酸（化学式：ＨＣｌＯ₄）を含むエッチャント（エッチング液）を用いることができる。

そして、ガラス基板１の表示画素領域においては、通常の方法を用いて、反射電極４および透過電極３上に配向膜２８ａ（図１３参照）が形成される。また、通常の方法を用いて、カラーフィルタ２３（図１３参照）、対向電極２４（図１３参照）および配向膜２８ｂ（図１３参照）が形成された対向ガラス基板を準備する。そして、ガラス基板１と対向ガラス基板２５とを、それぞれの配向膜２８ａ、２８ｂが対向するようにシール剤２６（図１３参照）を介して貼り合わせる。そして、このガラス基板１と対向ガラス基板２５との間にシール剤２６が存在することによって形成された間隙に液晶２７（図１３参照）を注入封止する。このような所定の工程を実施することにより、図１３に示すような液晶表示装置を得ることができる。

このように、図１４〜図２３に示した比較例としての液晶表示装置の製造方法では、図１５、図１７、図２０および図２２に示すように、合計４回の写真製版加工工程を行なうことが必要である。このような参考例としての液晶表示装置の製造方法に比べて、図１〜図１２に示した本発明による液晶表示装置の製造方法では、画素電極および端子電極を形成するために必要な写真製版加工工程は２回であるため、参考例の液晶表示装置の製造方法に比べて、本発明による液晶表示装置の製造方法は製造工程を削減することが可能であることがわかる。このため、図１に示した本発明による液晶表示装置は、図１３に示した参考例の液晶表示装置より製造コストの削減および製造工期の短縮を図ることができる。

図２４は、本発明による液晶表示装置の実施の形態１の変形例を示す断面模式図である。図２４を参照して、本発明による液晶表示装置の実施の形態１の変形例を説明する。

図２４に示すように、液晶表示装置は、基本的には図１に示した液晶表示装置と同様の構造を備えるが、透過電極３および端子電極５と配線２１との接続部の構造が異なっている。具体的には、図２４に示した液晶表示装置の表示画素領域においては、図１に示した液晶表示装置におけるコンタクトホール１９ｂに該当するコンタクトホールが形成されていない。このため、透過電極３は有機絶縁膜１８の平坦な上部表面上に形成されている。

ここで、図１に示した液晶表示装置においてコンタクトホール１９ｂが形成されたのは、有機絶縁膜１８を光が透過する際の光の減衰を少なくすることを目的の１つとしている。しかし、有機絶縁膜１８における光の透過率が十分大きい場合には、上述した透過光の減衰の程度は小さくなる。そのため、図２４に示すように、コンタクトホールなどを設けずに有機絶縁膜１８の上部表面上に透過電極３を形成するような構造を採用してもよい。

また、図２４に示した液晶表示装置では、端子領域において配線２１の上部表面を部分的に露出させるコンタクトホール１９ｄの直径が図１に示した液晶表示装置におけるコンタクトホール１９ｃの直径よりも大きくなっている。そして、コンタクトホール１９ｄの底部において、保護膜１４上に端子電極５が配置されている。これは、この端子電極５に接続する電源の端子や駆動ＩＣの接続部の形状などに対応して、図２４に示すような端子電極５の部分の構造を採用する方が好ましい場合もあるためである。

また、図２４に示した液晶表示装置においては、配線２１と端子電極５とを接続配線４３によって電気的に接続している。接続配線４３は、下地配線４１および上層配線４２からなる。接続配線４３は、配線２１の上部表面上から端子電極５の端部４４ｂ上にまで延在するように形成されている。接続配線４３における下地配線４１の端部と端子電極５の端部４４ｂとは接触することにより、電気的に接続されている。なお、接続配線４３は、コンタクトホール１９ｄの側壁上から有機絶縁膜１８の上部表面上にまで延在するようにも形成されている。

なお、図２４に示した液晶表示装置においては、端子電極５と配線２１とを接続配線４３によって電気的に接続しているが、たとえば端子電極５を保護膜１４上から配線２１の上部表面上にまで延在するように形成することにより、配線２１と端子電極５とを直接接触させて電気的に接続するようにしてもよい。なお、図２４に示した透過電極３および端子電極５の構造は、以下に説明する本発明による液晶表示装置の実施の形態のそれぞれに適用することが可能である。

図２５〜図２７は、図２４に示した液晶表示装置の製造方法を説明するための断面模式図である。図２５〜図２７を参照して、図２４に示した液晶表示装置の製造方法を説明する。

まず、図２〜図５に示した液晶表示装置の製造方法の工程を実施した後、電極１６ａ〜１６ｃ、配線２１および保護膜１４上に絶縁膜１７（図２５参照）を形成する。絶縁膜１７上に有機絶縁膜１８（図２５参照）を形成する。有機絶縁膜１８上に写真製版加工工程によってパターンを有するレジスト膜（図示せず）を形成する。このレジスト膜は、コンタクトホール１９ａ、１９ｄ（図２５参照）を形成するためのマスクとして用いるものである。このレジスト膜をマスクとして用いて、有機絶縁膜１８および絶縁膜１７をエッチングにより部分的に除去する。その後レジスト膜を除去する。この結果、図２５に示すように、コンタクトホール１９ａ、１９ｄを形成することができる。

次に、コンタクトホール１９ａ、１９ｄの内部から有機絶縁膜１８の上部表面上にまでアモルファス状態のＩＴＯ膜（図示せず）を形成する。このＩＴＯ膜上に写真製版加工工程によってパターンを有するレジスト膜を形成する。このレジスト膜をマスクとしてＩＴＯ膜を部分的にエッチングにより除去する。その後レジスト膜を除去する。その結果、図２６に示すように、透過電極３および端子電極５を形成することができる。この後、透過電極３、端子電極５上から有機絶縁膜１８の上部表面上にまで延在するように、クロム膜とアルミニウム系合金膜（図示せず）とをスパッタリング法によって連続的に形成する。そして、アルミニウム系合金膜上に写真製版加工によってパターンを有するレジスト膜を形成する。このレジスト膜をマスクとして用いて、アルミニウム系合金膜およびクロム膜を部分的にエッチングにより除去する。その後レジスト膜を除去する。この結果、図２７に示すように、クロム膜からなる下地電極２０、アルミニウム系合金膜からなる反射電極４、クロム膜からなる下地配線４１、アルミニウム系合金膜からなる上層配線４２を形成することができる。下地配線４１と上層配線４２とから接続配線４３が構成されている。

この後、図２４に示すように、表示画素領域において反射電極４および透過電極３を覆うように配向膜２８ａを形成する工程、カラーフィルタ２３、対向電極２４および配向膜２８ｂを備える対向ガラス基板２５を準備する工程、さらにガラス基板１と対向ガラス基板２５とを対向させてシール剤２６を介して接続固定する工程、ガラス基板１、対向ガラス基板２５との間においてシール剤２６が存在することにより形成された間隙に液晶２７（図２３参照）を注入封止する工程を実施することにより、図２４に示すような液晶表示装置を得ることができる。

（実施の形態２）
図２８は、本発明による液晶表示装置の実施の形態２を示す断面模式図である。図２８を参照して、本発明による液晶表示装置の実施の形態２を説明する。

図２８に示した液晶表示装置は、基本的には図１に示した液晶表示装置と同様の構造を備えるが、反射電極４および接続配線４３の構造が図１に示した液晶表示装置とは異なっている。すなわち、図２８に示した液晶表示装置においては、銀（Ａｇ）系合金からなる反射電極４がコンタクトホール１９ａの内部から有機絶縁膜１８の上部表面上にまで延在するように形成されている。コンタクトホール１９ａの底部においては、反射電極４と電極１６ｃの上部表面とが直接接続することによって、反射電極４と電極１６ｃとが電気的に接続されている。

また、ＩＴＯ膜からなる透過電極３の端部４４ａ上に反射電極４の端部３９が部分的に重なるように配置されている。この部分において、反射電極４と透過電極３とは電気的に接続されている。つまり、透過電極３には、電極１６ｃから反射電極４を介して必要な電荷が供給される。

反射電極４を構成する銀系合金は透過電極３を構成するＩＴＯと直接接合して必要な電気的導通を図ることができる材料である。また、銀系合金は有機絶縁膜１８に形成されたコンタクトホール１９ａを介しても、安定して下層の導電層である電極１６ｃと低抵抗の接続部を形成することができる。さらに、銀系合金は反射電極４の材料として必要な光の反射率を示す。このため、図１に示した液晶表示装置のように、反射電極４と電極１６ｃとの間の導通および透過電極３との間の導通を図るために下地電極２０を形成する必要がない。

また、端子領域においても、銀系合金からなる接続配線４３が、コンタクトホール１９ｃの内部から有機絶縁膜１８の上部表面上にまで延在するように形成されている。そして、接続配線４３の端部４６は、端子電極５の端部４４ｂ上に乗り上げるように配置されている。接続配線４３の端部４６と端子電極５の端部４４ｂとの間は電気的に接続された状態となっている。

ここで、接続配線４３は反射電極４と同一レイヤからなり、銀系合金によって構成されている。上述のように、銀系合金は端子電極５を構成するＩＴＯ膜と直接接合して必要な電気的導通を図ることができるとともに、有機絶縁膜１８のコンタクトホール１９ｃの底部において下層の導電体層である配線２１と低抵抗な接続部を安定して形成することができる。このため、接続配線４３を介して、配線２１と端子電極５とを電気的に接続することができる。

図２９〜図３１は、図２８に示した液晶表示装置の製造方法を説明するための断面模式図である。図２９〜図３１を参照して、図２８に示した液晶表示装置の製造方法を説明する。

まず、図２〜図９に示した液晶表示装置の製造方法と同様の工程を実施する。この結果、画素電極と端子電極とを形成するための１回目の写真製版加工工程（図８参照）を実施することにより、透過電極３および端子電極５（図９参照）が形成される。そして、透過電極３および端子電極５上から有機絶縁膜１８の上部表面上にまで延在するように銀系合金膜７０（図２９参照）を形成する。この結果、図２９に示すように構造を得る。銀系合金膜７０は、スパッタリング法を用いて形成される。銀系合金膜７０の膜厚はたとえば１５０ｎｍ程度とすることができる。

次に、２回目の写真製版加工工程によって、図３０に示すようにパターンを有しレジスト膜５８を銀系合金膜７０上に形成する。図３０に示したレジスト膜５８は、反射電極４および接続配線４３（図３１参照）に対応するパターンを有している。そして、このレジスト膜５８をマスクとして用いて、銀系合金膜７０を部分的にエッチングにより除去する。その後レジスト膜５８を除去する。この結果、図３１に示すように、銀系合金膜からなる反射電極４および接続配線４３を形成することができる。このように、合計２回の写真製版加工を行なうことにより、半透過型の液晶表示装置における画素電極（反射電極４および透過電極３）と端子電極（接続配線４３と端子電極５）とを形成することができる。

この後、本発明による液晶表示装置の実施の形態１の製造方法と同様に、配向膜２８ａ（図２８参照）の形成工程、カラーフィルタ２３、対向電極２４および配向膜２８ｂが形成された対向ガラス基板２５を準備する工程、ガラス基板１と対向ガラス基板２５とをシール剤２６を介して対向して配置し接続固定する工程およびシール剤２６によってガラス基板１と対向ガラス基板２５との間に形成された間隙に液晶２７を注入封止する工程を実施することにより、図２８に示した液晶表示装置を得ることができる。

このように、反射電極４の材料として銀系合金を採用することにより、本発明による液晶表示装置の実施の形態１のようにクロム膜からなる下地電極２０（図１参照）を形成する必要がない。これは、銀系合金は反射電極４の材料として必要な光の反射率を有する材料であって、かつＩＴＯ膜との間の電気的な接続やコンタクトホール１９ａを介した電極１６ｃとの間の電気的な接続を低抵抗に実現することが可能な材料だからである。このため、本発明による液晶表示装置の実施の形態１の製造方法と比較して、図２９〜図３１に示した液晶表示装置の製造方法では、クロム膜からなる下地電極２０（図１参照）を形成するためのクロム膜の成膜からエッチング加工工程までの一連の工程が不要となる。つまり、本発明による液晶表示装置の実施の形態１の製造方法と比べて、さらに製造工程数の削減を図ることができる。この結果、液晶表示装置の製造コストを低減することができる。

また、反射電極４の端部３９が透過電極３の端部４４ａ上に乗り上げるような構造を採用することによって、本発明による液晶表示装置の実施の形態１と同様の効果を得ることができる。また、接続配線４３を反射電極４と同一レイヤである銀系合金によって構成しているので、接続配線４３を画素電極を構成する反射電極４と同一工程によって形成できる。このため、合計２回の写真製版加工を行なうことによって、画素電極および端子電極を形成することができる。

（実施の形態３）
図３２は、本発明による液晶表示装置の実施の形態３を示す断面模式図である。図３２を参照して、本発明による液晶表示装置の実施の形態３を説明する。

図３２に示した液晶表示装置は、基本的に図１に示した液晶表示装置と同様の構造を備えるが、透過電極３および端子電極５の形状が異なっている。すなわち、図３２に示した液晶表示装置においては、透過電極３が下地電極７１の下部表面全体と接触するように形成されている。つまり、透過電極３は、コンタクトホール１９ｂの内部から有機絶縁膜１８の上部表面上およびコンタクトホール１９ａの内部にまで延在するように形成されている。

また、端子領域においては、端子電極５がコンタクトホール１９ｃの内部にまで延在するように形成されている。そして、端子電極５においてコンタクトホール１９ｃの内部に位置する領域上には、下地層７２および上層７３からなる保護キャップ７４が形成されている。

また、図３２に示した液晶表示装置は、下地電極７１を構成する材料が図１に示した液晶表示装置の下地電極２０を構成する材料とは異なる。すなわち、図３２に示した液晶表示装置においては、下地電極７１を構成する材料は窒素を含有するアルミニウムを主成分とする合金（以下窒素含有アルミニウム系合金ともいう）である。また、保護キャップ７４を構成する下地層７２は、下地電極７１と同一レイヤによって構成されているため、この下地層７２も窒素含有アルミニウム系合金によって構成される。なお、反射電極４を構成する材料はアルミニウム系合金である。また、保護キャップ７４を構成する上層７３は、反射電極４と同一レイヤによって構成されるため、上層７３を構成する材料は反射電極４を構成する材料と同じアルミニウム系合金である。

ここで、窒素含有アルミニウム系合金は、図１に示した液晶表示装置において下地電極２０の材料として用いたクロム膜と同様に、ＩＴＯ膜およびアルミニウム系合金膜の両方と直接接合して十分な電気的導通を図ることができる。また、ＩＴＯ膜は、有機絶縁膜１８に形成されたコンタクトホール１９ａを介して下層の導電層である電極１６ｃと低抵抗の接続部を形成することが可能である。なお、図３２に示した保護キャップ７４は省略してもよい。

次に、図３２に示した液晶表示装置の製造方法を、図３３〜図３７を参照して説明する。図３３〜図３７は、図３２に示した液晶表示装置の製造方法を説明するための断面模式図である。

まず、図２〜図７に示した工程を実施した後、画素電極および端子電極を形成する工程における１回目の写真製版加工工程を実施することにより、図３３に示すようにＩＴＯ膜５９上にパターンを有するレジスト膜５８を形成する。レジスト膜５８は、透過電極３（図３４参照）および端子電極５（図３４参照）の平面形状に対応する平面形状を有している。このレジスト膜５８をマスクとして用いて、ＩＴＯ膜５９を部分的にエッチングにより除去する。このエッチングにおいては、シュウ酸系のエッチング液を用いることができる。その後レジスト膜を除去する。この結果、図３４に示すように、透過電極３および端子電極５を形成することができる。

次に、透過電極３、端子電極５および有機絶縁膜１８の上部表面上に窒素含有アルミニウム系合金膜７５およびアルミニウム系合金膜５７をスパッタリング法によって連続的に形成することにより、図３５に示すような構造を得る。この窒素含有アルミニウム系合金膜７５およびアルミニウム系合金膜５７の形成方法としては、たとえば、まず成膜の初期には窒素ガスを反応容器内に流しながらアルミニウム系合金膜をスパッタリング法によって成膜する。このようにして、窒素含有アルミニウム系合金膜７５を形成することができる。そして、途中から窒素ガスの反応容器内への流入を停止してアルミニウム系合金膜をスパッタリング法により成膜することにより、窒素含有アルミニウム系合金膜７５上に連続してアルミニウム系合金膜５７を形成することができる。このようにして、窒素含有アルミニウム系合金膜７５とアルミニウム系合金膜５７とからなる２層膜を形成することができる。ここで、窒素含有アルミニウム系合金膜７５の膜厚はたとえば２０ｎｍ程度とすることができる。また、アルミニウム系合金膜５７の膜厚はたとえば１５０ｎｍ程度とすることができる。

次に、２回目の写真製版加工工程を実施することにより、図３６に示すようにアルミニウム系合金膜５７上にパターンを有するレジスト膜５８を形成する。このレジスト膜５８は、反射電極４（図３７参照）と保護キャップ７４（図３７参照）に対応する平面形状を有している。そして、このレジスト膜５８をマスクとしてアルミニウム系合金膜５７および窒素含有アルミニウム系合金膜７５を、同じエッチング液を用いて連続的にエッチングにより部分的に除去する。その後レジスト膜５８を除去する。この結果、図３７に示すように、反射電極４、下地電極７１、保護キャップ７４を形成することができる。なお、保護キャップ７４は、窒素含有アルミニウム系合金膜からなる下地層７２と、アルミニウム系合金膜からなる上層７３とにより構成されている。

この後、本発明による液晶表示装置の実施の形態１の製造方法と同様に、配向膜２８ａを形成する工程などを実施することにより、図３２に示した液晶表示装置を得ることができる。

このように、反射電極４および下地電極７１の全体が透過電極３上に積層された構造（下地電極７１の下部表面全体が透過電極３の上部表面の一部と接触した状態となった構造）を採用することにより、ＩＴＯ膜からなる透過電極３と下地電極７１との接続面積を大きくすることができる。この結果、透過電極３と下地電極７１との接続部の接続抵抗を低減できる。

また、上述のように反射電極４と下地電極７１とを、それぞれアルミニウム系合金膜および窒素含有アルミニウム系合金膜という同じエッチング液で加工可能な材料により構成するので、反射電極４と下地電極７１とを同じエッチング工程において連続的に加工することができる。また、下地電極７１の下部表面と透過電極３とを接続するので、反射電極４と下地電極７１との平面形状を異ならせる必要はないことからも、上述のように反射電極４と下地電極７１とを１回のエッチング工程において連続的に（同じ平面形状を有するように）形成することが可能となる。

また、下地電極７１を構成する窒素含有アルミニウム系合金膜は、反射電極４を構成するアルミニウム系合金膜および透過電極３を構成するＩＴＯ膜の両方と電気的導通を図ることができるので、下地電極７１を構成する材料として適したものである。さらに、透過電極３を構成するＩＴＯ膜は、有機絶縁膜１８に形成されたコンタクトホール１９ａを介して下層の導電体層である電極１６ｃと接触するように形成されている。透過電極３を構成するＩＴＯ膜は、この電極１６ｃと低抵抗な電気的接続部を形成することができる。

なお、下地電極７１の材料として、上述のような窒素含有アルミニウム系合金膜以外の材料を用いることもできる。この場合、下地電極７１を構成する材料としては、たとえばモリブデン系合金やクロム膜などの高融点金属材料を用いてもよい。この場合も、反射電極４を構成する材料および透過電極３を構成する材料との間における電気的導通を図ることができる。このため、上述した窒素含有アルミニウム系合金膜を下地電極７１の構成材料として用いた場合と同様の効果を得ることができる。

また、反射電極４を形成するための写真製版加工において用いられる現像液やその後のエッチング工程において用いられるエッチング液などにより、コンタクトホール１９ａの側面において露出する電極１６ｃの表面やコンタクトホール１９ｃの側面に露出する配線２１の表面が腐食されるといった可能性が従来はあった。しかし、図３２に示すような液晶表示装置においては、表示画素領域および端子領域の双方においてコンタクトホール１９ａ、１９ｃ上に反射電極４や保護キャップ７４を残すような形状としたので、上述のような電極１６ｃや配線２１の表面が腐食するといった問題の発生する可能性を低減できる。なお、上述した現像液やエッチング液について、電極１６ｃや配線２１を腐食しにくいような組成のものを採用するとともに、エッチングの際の条件について、オーバーエッチング時間を短かめに設定するなどの対応により、保護キャップ７４を省略することもできる。

なお、保護キャップ７４は、基本的に反射電極４および下地電極７１と同一レイヤによって構成されているので、これらの反射電極４および下地電極７１と同時に保護キャップ７４を形成することができる。このように、上述のように２回の写真製版加工を実施することで、表示画素領域および端子領域のそれぞれにおいて半透過型の液晶表示装置における画素電極（透過電極３、反射電極４および下地電極７１）および端子電極５（さらに保護キャップ７４）を形成することができる。

（実施の形態４）
図３８は、本発明による液晶表示装置の実施の形態４を示す断面模式図である。図３８を参照して、本発明による液晶表示装置の実施の形態４を説明する。

図３８に示した液晶表示装置は、基本的には図３２に示した液晶表示装置と同様の構造を備えるが、反射電極４が銀系合金によって構成されるとともに、図３２に示した液晶表示装置における下地電極７１が存在しない点が異なる。また、図３８に示した液晶表示装置の端子領域では、保護キャップ７４が図３２に示した液晶表示装置の保護キャップ７４のように２層膜ではなく、反射電極４と同一レイヤからなる銀系合金の単層膜によって保護キャップ７４が構成されている。

反射電極４は、透過電極３の上部表面上であって、コンタクトホール１９ａ上に位置する部分を含む一部分を覆うような形状となっている。また、実施の形態３における保護キャップ７４と同様に、図３８に示した保護キャップ７４も省略することが可能である。

図３９〜図４１は、図３８に示した液晶表示装置の製造方法を説明するための断面模式図である。図３９〜図４１を参照して、図３８に示した液晶表示装置の製造方法を説明する。

まず、図２〜図７に示した工程、図３３および図３４に示した工程を実施した後、図３９に示すように透過電極３および端子電極５上から有機絶縁膜１８の上部表面上にまで延在するように銀系合金膜７０をスパッタリング法により形成する。なお図３３に示した工程において、透過電極３などを形成するための１回目の写真製版加工工程が実施されている。

そして図３９に示した工程に続いて、２回目の写真製版加工工程を実施することにより、図４０に示すように銀系合金膜７０上にパターンを有するレジスト膜５８を形成する。レジスト膜５８は反射電極４（図４１参照）および保護キャップ７４（図４１参照）の平面形状に対応した平面形状を有している。

そして、レジスト膜５８をマスクとして、銀系合金膜７０をエッチングにより部分的に除去する。その後レジスト膜５８を除去する。この結果、図４１に示すように、銀系合金膜からなる反射電極４および保護キャップ７４を形成することができる。

この後、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態１などと同様に、配向膜２８ａの形成工程などを実施することにより、図３８に示す液晶表示装置を得ることができる。

このように、図３８に示した液晶表示装置においては、反射電極４の材料として銀系合金膜を採用している。銀系合金膜は、反射電極４の材料として必要な光の反射率を有する材料である。また、銀系合金膜はＩＴＯ膜との低抵抗な電気的接続を形成することができる。このため、図３２に示した液晶表示装置のように、下地電極７１を形成する必要がない。したがって、図３２に示した液晶表示装置と比べると、その製造工程において下地電極７１を形成するための成膜工程からエッチング工程にかけての工程が不要となる。このため、図３２に示した液晶表示装置の製造工程に比べてさらにの製造工程数を削減することができる。この結果、液晶表示装置の製造コストを低減することができる。

また、図２８に示した液晶表示装置と比べると、図３８に示した液晶表示装置は、反射電極４がその下部表面全体で透過電極３と接続している（反射電極４の下部表面全面が透過電極３の上部表面の一部と接触している）ような構造となっているので、ＩＴＯ膜からなる透過電極３と反射電極４との接触面積を大きくすることができる。このため、透過電極３と反射電極４との間の接続部の電気抵抗を低減することができる。また、図１に示したような下地電極２０を形成していないので、反射電極４を形成するために一度の写真製版加工工程およびエッチング工程を実施すればよい。

さらに、反射電極４および保護キャップ７４がそれぞれコンタクトホール１９ａ、１９ｃの内部に残存するような構造となっているので、この反射電極４および保護キャップ７４を形成する工程において銀系合金膜をエッチングするエッチング液や、そのエッチングに用いるレジスト膜を形成するための写真製版加工において用いる現像液などによって、コンタクトホール１９ａ、１９ｃの底部に位置する電極１６ｃおよび配線２１が腐食する可能性を低減できる。

また、保護キャップ７４は反射電極４と同一レイヤ（同一材料）によって構成されているので、反射電極４を形成する際に同一工程において保護キャップ７４を形成することができる。このため、保護キャップ７４を形成する場合であっても特に写真製版加工工程が増えることは無い（つまり、画素電極および端子電極を形成するために２回の写真製版加工工程を実施すればよい）。

（実施の形態５）
図４２〜図４６は、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態５を説明するための断面模式図である。図４２〜図４６を参照して、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態５を説明する。なお、図４２〜図４６に示した製造方法によって得られる液晶表示装置は、基本的に図３２に示した液晶表示装置と同様の構造を備える。

まず、図２〜図６に示した工程を実施した後、図４２に示すように、有機絶縁膜１８上にＩＴＯ膜５９、窒素含有アルミニウム系合金膜７５およびアルミニウム系合金膜５７を、スパッタリング法を用いて連続的に形成する。具体的には、ＩＴＯ膜５９の成膜工程に続いて、窒素ガスを流しながらアルミニウム系合金膜を成膜することにより、窒素含有アルミニウム系合金膜７５を形成できる。そして、窒素含有アルミニウム系合金膜７５の厚みが所定の厚みとなった時点で窒素ガスを反応容器内へと供給することを停止する一方で、アルミニウム系合金膜の成膜工程を継続することにより、アルミニウム系合金膜５７を形成できる。このようにして、ＩＴＯ膜５９、窒素含有アルミニウム系合金膜７５およびアルミニウム系合金膜５７からなる３層膜を形成できる。

ＩＴＯ膜５９の膜厚はたとえば１００ｎｍ程度とすることができる。また、窒素含有アルミニウム系合金膜７５の膜厚はたとえば２０ｎｍ程度とすることができる。また、アルミニウム系合金膜５７の膜厚はたとえば１５０ｎｍ程度とすることができる。

次に、画素電極および端子電極を形成する工程における一度目の写真製版加工工程により、図４３に示すように、パターンを有するレジスト膜５８をアルミニウム系合金膜５７上に形成する。レジスト膜５８は、反射電極４（図４４参照）および保護キャップ７４（図４４参照）の平面形状に対応する平面形状を有している。そして、このレジスト膜５８をマスクとして用いて、アルミニウム系合金膜５７および窒素含有アルミニウム系合金膜７５を、同じエッチング液を用いてウエットエッチングにより部分的に除去する。その後レジスト膜５８を除去する。この結果、図４４に示すように、表示画素領域では反射電極４および下地電極７１が形成される。また、端子領域では下地層７２と上層７３とからなる保護キャップ７４が形成される。

次に、２回目の写真製版加工工程を実施することにより、図４５に示すようにパターンを有するレジスト膜５８を形成する。レジスト膜５８の平面形状は、透過電極３（図４６参照）および端子電極５（図４６参照）の平面形状とほぼ同じ平面形状を有している。そして、このレジスト膜５８をマスクとして用いて、ウエットエッチングによりＩＴＯ膜５９を部分的に除去する。ここで、ウエットエッチングに用いるエッチング液としては、シュウ酸系のエッチング液を用いることができる。この後レジスト膜５８を除去する。この結果、図４６に示すように、透過電極３および端子電極５を得ることができる。

この後、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態１と同様に、配向膜２８ａを形成する工程などを実施することにより、図３２に示した液晶表示装置を得ることができる。

上述した液晶表示装置の製造方法では、図４１に示すようにＩＴＯ膜５９、窒素含有アルミニウム系合金膜７５およびアルミニウム系合金膜５７という３つの層を連続的に成膜するので、上述した３種類の膜を別々に成膜する場合に比べて、成膜処理を行なうための反応容器内の真空引きや、成膜処理を行なう前のガラス基板１の洗浄処理などの工程の数を削減できる（つまり真空引きや洗浄処理などは、上述した３種類の膜を形成するために１回で十分である）。したがって、液晶表示装置の製造工程数や処理時間を削減することができる。この結果、液晶表示装置の製造コストを低減することができる。

また、上述したＩＴＯ膜５９、窒素含有アルミニウム系合金膜７５およびアルミニウム系合金膜５７を１つの成膜装置内でガラス基板１を外気にさらすことなく連続的に行なえるため、これらの膜の界面に不純物などの汚染物質が侵入する可能性を低減できる。したがって、このような汚染物質が存在することに起因して、ＩＴＯ膜からなる透過電極３（図４６参照）と下地電極７１（図４６参照）との間の電気抵抗値、あるいは下地電極７１と反射電極４（図４６参照）との間の接続部の電気抵抗値が上昇する可能性を低減できる。

また、下地電極７１を構成する材料は窒素含有アルミニウム系合金膜である。この窒素含有アルミニウム系合金は反射電極４を構成するアルミニウム系合金と同一のエッチング液でエッチングすることが可能な材料である。このため、反射電極４および下地電極７１を形成するためのエッチングを同一のエッチング液を用いて連続して行なうことができる。

また、窒素含有アルミニウム系合金は、反射電極４を構成するアルミニウム形合金および透過電極３を構成するＩＴＯの両方と電気的導通を図ることが可能な材料である。そのため、この窒素含有アルミニウム系合金は下地電極７１を構成する材料として適した材料であるといえる。なお、上述した下地電極７１（図４６参照）を構成する材料としては、上述のような窒素含有アルミニウム系合金膜に代えて、モリブデン系合金膜やクロム膜などの高融点金属材料を用いてもよい。この場合も、下地電極７１と反射電極４および透過電極３との間の電気的導通を図ることができるとともに、窒素含有アルミニウム系合金膜を下地電極７１の材料として用いた場合と同様の効果を得ることができる。

また、反射電極４と下地電極７１とを同じ平面形状を有するように形成している（１回のエッチング工程によって形成している）ので、反射電極４を構成するために写真製版加工工程およびエッチング工程を実施して、また下地電極７１を形成するために別途写真製版加工工程およびエッチング工程を実施する場合よりも、液晶表示装置の製造工程数を削減できる。また、図３２に示した液晶表示装置と同様に、コンタクトホール１９ａ、１９ｃの内部に反射電極４または保護キャップ７４を残存させた構造としているので、反射電極４を形成するための写真製版加工工程において用いる現像液や、反射電極４を形成するためのエッチング工程において用いるエッチング液などによってコンタクトホール１９ａ、１９ｃの底部に位置する電極１６ｃまたは配線２１が腐食するといった問題の発生確率を低減できる。

また、保護キャップ７４を反射電極４および下地電極７１と同一レイヤによって構成しているので、反射電極４および下地電極７１を形成する工程において同時に保護キャップ７４を形成することができる。このため、保護キャップ７４を形成するために写真製版加工工程およびエッチング工程などの工程数が増加することがない。

また、画素電極および端子電極を形成するために、上述した液晶表示装置の製造方法においては合計２回の写真製版加工工程を実施すればよいため、たとえば図１３〜図２３に示した参考例としての液晶表示装置の製造方法のように４回の写真製版加工工程を実施する場合よりも製造工程数を削減することができる。この結果、参考例としての液晶表示装置よりも製造コストを低減できる。

（実施の形態６）
図４７〜図５１は、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態６を説明するための断面模式図である。図４７〜図５１を参照して、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態６を説明する。なお、図４７〜図５１に示した液晶表示装置の製造方法によって得られる液晶表示装置は、基本的に図３８に示した液晶表示装置と同様の構造を備える。

まず、図２〜図６に示した工程を実施した後、図４７に示すように有機絶縁膜１８上にＩＴＯ膜５９および銀系合金膜７０をスパッタリングにより連続的に形成する。ここで、ＩＴＯ膜５９の膜厚はたとえば１００ｎｍ程度とすることができる。また、銀系合金膜７０の膜厚はたとえば１５０ｎｍ程度とすることができる。

次に、図４８に示すように、画素電極および端子電極を形成する工程において、銀系合金膜７０上に１回目の写真製版加工工程を用いてパターンを有するレジスト膜５８を形成する。レジスト膜５８は、反射電極４および保護キャップ７４の平面形状とほぼ同様の平面形状を有する。

そして、このレジスト膜５８をマスクとして用いて、銀系合金膜７０を部分的にエッチングにより除去する。その後レジスト膜５８を除去する。この結果、図４９に示すように、反射電極４および保護キャップ７４を形成することができる。

次に、２回目の写真製版加工工程を実施することにより、図５０に示すようにパターンを有するレジスト膜５８を形成する。このレジスト膜５８は、透過電極３および端子電極５の平面形状とほぼ同様の平面形状を有している。そして、このレジスト膜５８をマスクとして用いて、ＩＴＯ膜５９を部分的に除去することにより、透過電極３（図５１参照）および端子電極５（図５１参照）を得ることができる。その後レジスト膜５８を除去する。この結果、図５１に示すような構造を得る。

このように、２回の写真製版加工工程を実施することにより半透過型の液晶表示装置における画素電極（透過電極３および反射電極４）および端子電極５を得ることができる。

この後、本発明による液晶表示装置の実施の形態１の製造方法と同様に、配向膜２８ａ（図３８参照）の形成工程などを実施することにより、図３８に示したような構造の液晶表示装置を得ることができる。

上述した液晶表示装置の製造方法では、図４７に示すように、ＩＴＯ膜５９および銀系合金膜７０を連続的に成膜するので、ＩＴＯ膜５９および銀系合金膜７０を形成するために、成膜処理を行なう反応容器の真空引きや処理前のガラス基板１の洗浄処理などを１回行なえばよい。つまり、上述した２つの膜のそれぞれを形成するために独立した成膜工程を実施する場合に比べて、真空引き工程や洗浄処理工程などの回数を削減することができるので、液晶表示装置の製造工程数を削減するとともに製造工期を短縮することができる。この結果、液晶表示装置の製造コストを低減できる。

また、図３８に示したような構造、すなわち反射電極４の画面全体と透過電極３の上部表面の一部とが接触したような構造（透過電極３上に反射電極４が積層されたような構造）であるため、図４７〜図５１に示すように積層された銀系合金膜７０およびＩＴＯ膜５９を順にエッチング加工することができる。

また、図４７に示すようにＩＴＯ膜５９および銀系合金膜７０を連続的に成膜できるので、上述した２つの膜の成膜工程を１つの成膜処理装置内で、成膜処理の途中でガラス基板１を外気にさらすことなく連続的に行なっている。そのため、ＩＴＯ膜５９と銀系合金膜７０との界面に外部から不純物が侵入する可能性を低減できる。このため、このような不純物の存在に起因してＩＴＯ膜からなる透過電極３と銀系合金膜７０からなる反射電極４との接触部のコンタクト抵抗が増大する可能性を低減できる。

また、図１に示した液晶表示装置のように反射電極４下に下地電極２０を形成していないので、この下地電極を形成するためのエッチング工程などを実施する必要がない。また、図４９に示すようにコンタクトホール１９ａ、１９ｃの内部に反射電極４または保護キャップ７４が残存した状態であるので、この反射電極４および保護キャップ７４を形成するためのエッチング工程において用いるエッチング液や、図４８に示したレジスト膜５８を形成するための写真製版加工工程において用いる現像液によって、コンタクトホール１９ａ、１９ｃ下に位置する電極１６ｃまたは配線２１が腐食される可能性を小さくできる。また、保護キャップ７４は反射電極４と同一レイヤによって構成されているので、反射電極４を形成する工程において同時に保護キャップ７４を形成できる。

（実施の形態７）
図５２〜図５６は、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態７を説明するための断面模式図である。図５２〜図５６を参照して、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態７を説明する。なお、図５２〜図５６に示した製造方法より得られる液晶表示装置は、基本的には図３２に示した液晶表示装置と同様の構造を備える。ただし、図５２〜図５６に示した製造方法によって得られる液晶表示装置では、下地電極７１（図３２参照）を構成する材料がモリブデン（Ｍｏ）系合金膜である。

本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態７では、まず図２〜図６に示した工程を実施する。その後、図５２に示すように、ＩＴＯ膜５９、モリブデン系合金膜６４およびアルミニウム系合金膜５７をスパッタリング法を用いて順次連続的に形成する。ここで、ＩＴＯ膜５９の膜厚はたとえば１００ｎｍ程度とすることができる。また、モリブデン系合金膜６４の膜厚はたとえば５０ｎｍ程度とすることができる。また、アルミニウム系合金膜５７の膜厚はたとえば１５０ｎｍ程度とすることができる。

次に、図５３に示すように、アルミニウム系合金膜５７上にレジスト膜８０を形成する。そして、矢印７９に示すようにマスク７６を介して露光光をレジスト膜８０に照射することにより、レジスト膜８０の所定領域を露光する。ここで、マスク７６は、露光光を透過する材料からなるメンブレン７７と、露光光を遮蔽する遮光体７８とによって構成されている。遮光体７８は、メンブレン７７上において、露光したくない領域の平面形状に対応する平面形状のパターンを構成するように形成されている。ここでは、遮光体７８は、レジスト膜８０において透過電極３（図３２参照）および端子電極５（図３２参照）が形成されるべき領域上に未露光部８２を形成するように配置されている。

そして、この露光工程によって、レジスト膜８０においては、未露光部８２以外の領域（すなわち露光された領域）である露光部８１が形成されている。なお、この露光工程において用いられる露光光の光量は、レジスト膜８０を完全に露光できる光量（すなわち現像処理を行なうことによってレジスト膜８０を完全に除去することが可能な光量の１．４倍程度の光量）とすることが好ましい。

次に、図５４に示すように、レジスト膜８０に対して、図５３に示したマスク７６とは別の露光用マスクであるマスク８３を用いて、２回目の露光工程を実施する。マスク８３においては、メンブレン７７上に、図５３に示したマスク７６における遮光体７８とは異なるパターンを有する遮光体８４が形成されている。遮光体８４のパターン（平面形状）は、反射電極４（図３２参照）および保護キャップ７４（図３２参照）が形成されるべき領域上に位置するレジスト膜８０の部分に露光光が当らないような形状となっている。

このようなマスク８３を用いて露光工程を実施することにより、レジスト膜８０においては２回目の露光部８５が形成される。なお、この２回目の露光工程での露光量は、レジスト膜８０を現像処理によって完全に除去することが可能な露光量の０．７倍程度の露光量とすることが好ましい。この結果、２回目の露光部８５は、レジスト膜８０の深さ方向においてレジスト膜８０の底面（アルミニウム系合金膜５７の表面とレジスト膜８０との接触部）にまで到達しない。

そして、上述した２回の露光工程が終了した後、レジスト膜８０に対して現像処理を実施する。この結果、図５５に示すように、厚肉部８６と薄肉部８７という厚みの異なる２つの部分を有するレジスト膜５８を得ることができる。そして、このレジスト膜５８をマスクとして用いてアルミニウム系合金膜５７、モリブデン系合金膜６４およびＩＴＯ膜５９（図５４参照）をそれぞれエッチングにより部分的に除去する。この結果、図５５に示すように、透過電極３および端子電極５を形成できるとともに、これらの透過電極３および端子電極５の平面形状と同じ平面形状を有するアルミニウム系合金膜５７およびモリブデン系合金膜６４を得ることができる。なお、このときのエッチングにおいて、エッチング液としてリン酸、硝酸、酢酸の水溶液を用いることによって、アルミニウム系合金膜５７とモリブデン系合金膜６４とを同一のエッチング液を用いて連続的にエッチングすることができる。

次に、レジスト膜５８のうち薄肉部８７を除去する工程を実施する。具体的には、レジスト膜５８の全体を除去可能な時間（すなわち厚肉部８６の全てを除去可能な時間）のたとえば０．６倍程度の時間だけ酸素プラズマを用いたアッシングを実施する。この結果、図５６に示すように、レジスト膜５８のうち薄肉部８７（図５５参照）が除去され、厚肉部８６（図５４参照）であった部分のみが残存する。

そして、図５６に示したレジスト膜５８が存在する状態で、再度リン酸、硝酸、酢酸の水溶液を用いて、レジスト膜５８をマスクとしてアルミニウム系合金膜５７およびモリブデン系合金膜６４を連続的にエッチングにより部分的に除去する。この結果、反射電極４（図３２参照）および下地電極７１（図３２参照）さらに下地層７２および上層７３からなる保護キャップ７４（図３２参照）を形成することができる。なお、下地電極７１および下地層７２はそれぞれモリブデン系合金膜によって構成されている。この後レジスト膜５８を除去する。

このようにすれば、図５３〜図５５に示したレジスト膜５８を形成するための１回の写真製版加工工程によって、半透過型の液晶表示装置における画素電極（透過電極３、反射電極４および下地電極７１（図３２参照））と端子電極５（および保護キャップ７４（図３２参照））とを形成することができる。

なお、上述した液晶表示装置の製造方法では、厚肉部８６と薄肉部８７とを有するレジスト膜５８（図５５参照）を形成するため図５３および図５４に示すように２回の露光工程を実施している。そして、これらの２回の露光工程においては、露光量と使用するマスクを変更している。しかし、このようなレジスト膜５８を形成する方法としては、他の方法を用いてもよい。

たとえば、露光に用いるマスクとして、露光光をほぼ完全に遮光する領域と、露光光を若干透過させることができる領域と、露光光をほぼ完全に透過する領域という、露光光の透過率が異なる３つの領域を有するようなマスクを使用するといった方法も考えられる。そして、上述のほぼ完全に露光光を遮光する領域の平面形状（パターン形状）が、反射電極４（図３２参照）および保護キャップ７４（図３２参照）が形成されるべき領域上に位置するレジスト膜５８の厚肉部８６の平面形状に対応するようにしてもよい。また、上述のように若干露光光を透過することが可能な領域の平面形状が、レジスト膜５８の薄肉部８７の平面形状に対応するようにしてもよい。そして、ほぼ完全に露光光を透過する領域の平面形状が、レジスト膜５８が完全に除去される部分の平面形状に対応してもよい。

このようなマスクを用いて、露光光の光量をレジスト膜８０（図５３参照）が完全に露光される程度の光量の露光光により露光工程を実施する。そして、このような露光工程を行なった後にレジスト膜に対して現像処理を実施することにより、図５５に示すような膜厚の異なる２つの部分（厚肉部８６と薄肉部８７）を有するレジスト膜５８を形成することができる。

なお、上述のマスクにおいて、若干の露光光を透過することが可能な領域を構成する材料としては、光の透過率が０ではないがある程度低い材料を用いてもよいが、露光光をほぼ完全に遮光することが可能な材料を用いて、当該領域において、使用する露光装置の解像度以下の幅を有するハッチングを形成してもよい。このような構造を用いても、光の透過率を０ではないがある程度低い状態とすることができる。

図３２に示すように、反射電極４の下において、下地電極７１の下面全体が透過電極３の上部表面と接触するような構造（透過電極３の一部上に下地電極７１および反射電極４が積層したような構造）を採用するとともに、図５５に示したような２段階に膜厚の異なった部分を有するレジスト膜５８を用いることによって、１回の写真製版加工により半透過型の液晶表示装置の画素電極と端子電極とを形成できる。また、ＩＴＯ膜５９、モリブデン系合金膜６４およびアルミニウム系合金膜５７を連続的に成膜しているので、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態５と同様に、これらの積層された膜の間に異物が侵入する可能性を低減できる。

さらに、上述した３つの膜を連続して成膜するので、それぞれの膜を独立して形成する場合に比べて、成膜処理を行なうための処理装置の反応容器内の真空引き（圧力調整工程）や処理前のガラス基板１の洗浄処理工程などが一度ですむことから（つまり、３つの膜のそれぞれの成膜処理毎に、圧力調整工程や洗浄処理工程を実施する必要が無いので）、製造工程数の削減および製造工期の短縮を図ることができる。この結果、液晶表示装置の製造コストを低減できる。

また、上述した液晶表示装置の製造方法では、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態５と同様に、コンタクトホール１９ａ、１９ｃ上に反射電極４および保護キャップ７４が形成され残存した状態となる。このため、反射電極４や保護キャップ７４を形成するために用いるエッチング液や現像液などによって、コンタクトホール１９ａ、１９ｃ下に位置する電極１６ｃまたは配線２１が腐食される危険性を低減できる。

なお、図５２〜図５６に示した製造方法では、現像処理は一度だけであることから、配線２１などに対する現像液による腐食などのダメージの発生確率は本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態５に比べてさらに低くなっている。つまり、配線２１などに対してダメージを与える要因としては、エッチングの際に用いられるエッチング液が主なものであると考えられる。このため、図５２〜図５６に示した製造方法を採用する場合には、比較的保護キャップ７４を省略するという構成を採用しやすいと考えられる。

また、下地電極７１（図３２参照）を構成する材料として、モリブデン系合金膜６４が用いられているが、このモリブデン系合金膜６４は上述したようにアルミニウム系合金膜５７と同一のエッチング液によりエッチングが可能である。このため、図５５および図５６において示したアルミニウム系合金膜５７とモリブデン系合金膜６４とのエッチング工程を、１つのエッチング液を用いることで連続して行なうことができる。

なお、上述した説明では、下地電極７１を構成する材料としてモリブデン系合金膜６４を用いる場合を示したが、モリブデン系合金膜６４に代えて窒素含有アルミニウム系合金膜や、クロム膜などの高融点金属材料からなる膜を用いてもよい。この場合も同様の効果を得ることができる。

（実施の形態８）
図５７〜図６０は、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態８を説明するための断面模式図である。図５７〜図６０を参照して、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態８を説明する。なお、図５７〜図６０に示した製造方法によって得られる液晶表示装置は、基本的に図３８に示した液晶表示装置と同様の構造を備える。

まず、図２〜図６に示した工程および図４７に示した工程を実施する。その後、銀系合金膜７０上にレジスト膜８０（図５７参照）を形成する。そして、図５３に示した工程と同様に１回目の露光工程を実施する。この結果、図５７に示すように、レジスト膜８０において、反射電極４（図３８参照）および端子電極５（図３８参照）上に位置する部分に未露光部８２が形成され、未露光部８２以外の部分に１回目の露光部８１が形成される。

次に、図５４に示した露光工程と同様の２回目の露光工程を実施する。この結果、図５８に示すように、レジスト膜８０において２回目の露光部８５が形成される。この２回目の露光部８５は、露光量が十分ではないため銀系合金膜７０の表面にまでは到達しない。

この後、レジスト膜８０に対して現像処理を行なうことにより、図５９に示すような厚肉部８６と薄肉部８７とを有するレジスト膜５８を得ることができる。このレジスト膜５８をマスクとして用いて、銀系合金膜７０およびＩＴＯ膜５９（図５８参照）を部分的にエッチングにより除去する。この結果、図５９に示すような構造を得る。この工程により、透過電極３および端子電極５が形成される。

そして、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態７と同様にレジスト膜５８の薄肉部８７を除去する工程を実施する。この結果、図６０に示すように、厚肉部８６（図５９参照）が位置していた部分のみにレジスト膜５８が残存した構造を得ることができる。このレジスト膜５８をマスクとして、銀系合金膜７０をエッチングにより部分的に除去する。この後レジスト膜５８を除去する。この結果、反射電極４（図３８参照）および保護キャップ７４（図３８参照）を得ることができる。

この後、配向膜２８ａ（図３８参照）の形成工程などを実施することにより、図３８に示したような構造の液晶表示装置を得ることができる。

この場合も、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態７と同様の効果を得ることができる。

（実施の形態９）
図６１〜図６５は、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態９を説明するための断面模式図である。図６１〜図６５を参照して、本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態９を説明する。なお、図６１〜図６５に示した製造方法によって得られる液晶表示装置は、基本的に図３２に示した液晶表示装置と同様の構造を備える。

まず、図２〜図６に示した工程を実施した後、図６１に示すように、有機絶縁膜１８上にＩＴＯ膜５９、モリブデン系合金膜６４、アルミニウム系合金膜５７およびモリブデン系合金膜８８をスパッタリング法を用いて順次連続的に形成する。ここで、ＩＴＯ膜５９の膜厚はたとえば１００ｎｍ程度とすることができるまた、モリブデン系合金膜６４の膜厚はたとえば５０ｎｍ程度とすることができる。また、アルミニウム系合金膜５７の膜厚はたとえば１５０ｎｍ程度とすることができる。また、最上層のモリブデン系合金膜８８の膜厚はたとえば２０ｎｍ程度とすることができる。

次に、画素電極および端子電極を形成する工程における１回目の写真製版加工工程を実施することにより、図６２に示すようにパターンを有するレジスト膜５８を形成する。レジスト膜５８は、反射電極４（図６３参照）および保護キャップ７４（図６３参照）の平面形状とほぼ同様の平面形状を有するように形成されている。

そして、このレジスト膜５８をマスクとして用いて、エッチングによりモリブデン系合金膜８８、アルミニウム系合金膜５７および下層のモリブデン系合金膜６４を部分的に除去する。この後レジスト膜５８を除去する。なお、ここでアルミニウム系合金膜５７とモリブデン系合金膜８８、６４とは同一のエッチング液でエッチングが可能であるため、連続してエッチングを行なうことかできる。この結果、図６３に示すような構造を得る。

図６３からもわかるように、このエッチングにより画素表示領域では下地電極６３ａおよび反射電極４が形成されている。また、端子領域ではモリブデン系合金膜からなる下地層６９と、上層７３とからなる保護キャップ７４が形成される。そして、反射電極４および保護キャップ７４上にはそれぞれモリブデン系合金膜８８（図６２参照）からなるカバー膜４５が形成された状態となっている。

次に、２回目の写真製版加工工程を実施することにより、図６４に示すように、パターンを有するレジスト膜５８を形成する。このレジスト膜５８は、透過電極３（図６５参照）および端子電極５（図６５参照）の平面形状と同様の平面形状を有するように形成されている。そして、このレジスト膜５８をマスクとして用いて、ＩＴＯ膜５９（図６４参照）を部分的にエッチングにより除去する。この結果、透過電極３および端子電極５を形成できる。このエッチングにおいては、シュウ酸系のエッチング液を用いることかできる。その後、カバー膜４５を除去する。このようにして、図６５に示すような構造を得る。

この後、配向膜２８ａ（図３２参照）を形成する工程などを実施することにより、図３２に示すような液晶表示装置を得ることができる。

このように、図６２に示したレジスト膜５８を形成するための現像処理を行なう際には、アルミニウム系合金膜５７の表面を覆うようにカバー金属膜としてのモリブデン系合金膜８８が形成された状態になっている。ここで、上述した現像処理の際にモリブデン系合金膜８８が存在しなかった場合に発生し得る不具合について簡単に説明する。すなわち、モリブデン系合金膜８８が存在しない場合には、図６２に示したレジスト膜５８が残存しない部分においてはアルミニウム系合金膜５７の表面が現像液と直接接触することになる。このとき、同時にＩＴＯ膜が上記現像液と接触しているような部分があると、現像液として一般的なアルカリ系の現像液を使用した場合に、ＩＴＯ膜は電離作用によって発生した水素ガスにより還元腐食される可能性がある。

なお、カバー金属膜としてのモリブデン系合金膜８８が存在しない場合であっても、ＩＴＯ膜５９はモリブデン系合金膜６４やアルミニウム系合金膜５７によって覆われているため、直接ＩＴＯ膜５９が現像液と接触する場合は通常では考えにくい。しかし、上述したモリブデン系合金膜６４およびアルミニウム系合金膜５７の一部にピンホールなどの欠陥が存在すると、この欠陥が存在した部分ではＩＴＯ膜５９と現像液とが接触する可能性がある。この場合には上述のようにＩＴＯ膜５９に腐食が発生し得る。

なお、上述のようなピンホールなどの不良については、処理装置内のダスト管理を精度よく行なうなどの対応によって発生確率が低くなってきている。また、現像液についても、還元腐食の危険性を低減するため酸化剤などの添加物を入れたようなものが開発されてきている。さらに、露光時の露光量を増加させて、現像時間のオーバー量を極力減らすなどといった対応などにより、カバー金属膜としてのモリブデン系合金膜８８を使用しない場合であっても、上述のようなＩＴＯ膜５９の腐食の発生確率を低減することは可能ではある。

しかし、本発明のようにカバー金属膜としてのモリブデン系合金膜８８を形成することによって、現像液とアルミニウム系合金膜５７とが直接接しない状態で現像処理を行なえば、原理的に電離作用が生じ得ないために、ＩＴＯ膜５９の腐食が発生する可能性を極めて低くすることができる。したがって、上述のような処理装置内におけるダスト管理の精度についてもそれほど厳しい条件で管理する必要がない。

なお、上述のようなモリブデン系合金膜８８（カバー金属膜）を用いる方法は、本発明の実施の形態１〜実施の形態８のいずれに適用した場合であっても、同様の効果を得ることができる。また、上述した説明においては、カバー金属膜としてモリブデン系合金膜８８を用いたが、このカバー金属膜としては、高融点金属を主成分とする金属膜、あるいは窒素を含有するアルミニウムを主成分とする金属膜等を用いることができる。この場合も同様の効果を得ることができる。

また、カバー金属膜を除去する工程において、その手法としてはドライエッチングを用いてもよいが、カバー金属膜の材料によってアルミニウム系金属膜からなる反射電極４やＩＴＯ膜からなる透過電極３と選択的にエッチングが可能であればウエットエッチングを用いてもよい。ただし、ウエットエッチングを行なう場合には、端子領域の端子電極５がエッチングにさらされる時間が長くなる傾向があるため、保護キャップ７４を形成することがより好ましい。

この発明に従った液晶表示装置の一例としての、図１に示した液晶表示装置の特徴的な構成を要約すれば、液晶表示装置は、基板としてのガラス基板１と、透過電極３と、下地導電体膜としての下地電極２０と、反射電極４と、端子電極５と、下地配線４１と、上層配線４２とを備える。透過電極３は、ガラス基板１上に形成される。透過電極３は、可視光線を透過させることができる透明または半透明の導電体であれば、どのような材料を用いてもよい。反射電極４は、可視光線を反射することができる導電体であれば任意の材料を用いてもよい。透過電極３は液晶２７を駆動する電界を形成するためのものである。下地電極２０は、ガラス基板１上において、透過電極３の一部である端部４４ａ上に重なっている。下地電極２０は、ガラス基板１上において、透過電極３と重ならない領域に位置する部分を含んでいてもよく、透過電極３の一部である端部４４ａと接触していてもよい（電気的に接続されていてもよい）。反射電極４は、下地電極２０上に接触するように形成される。反射電極４は、下地電極２０の平面形状と実質的に同じ平面形状を有する。反射電極４は、液晶２７を駆動する電界を形成するためのものであってもよい。端子電極５は、ガラス基板１上に形成され、透過電極３と同一レイヤにより構成される。下地配線４１は、ガラス基板１上において、端子電極５の一部（端部４４ｂ）上に重なるとともに、下地電極２０と同一レイヤにより構成される。下地配線４１は、端子電極５の一部と接触して電気的に接続されていてもよい。上層配線４２は下地配線４１上に形成される。上層配線４２は、反射電極４と同一レイヤにより構成される。

このようにすれば、下地電極２０を透過電極３および反射電極４の両方と接触して接続することができるので、下地電極２０介して透過電極３および反射電極４に電荷を供給することができる。

また、下地電極２０が透過電極３の一部（端部４４ａ）上に重なっているので、下地電極２０上に透過電極３を重ねる場合のように、下地電極２０の上部表面において透過電極３の一部が重なって接触するための領域（つまり、反射電極４が下地電極２０と接触していない領域、あるいは下地電極２０上において反射電極４が形成されていない領域）を確保する必要が無い。このため、反射電極４の平面形状と下地電極２０の平面形状とを同じにすることができる。したがって、反射電極４および下地電極２０を形成する工程において、同じマスク膜（たとえばレジスト膜５８（図１１参照））を用いて、１回の連続した加工工程（エッチング工程）により反射電極４および下地電極２０を形成できる。このため、反射電極４と下地電極２０とを別々の工程により形成する場合より、液晶表示装置の製造工程数を削減できるとともに、液晶表示装置の製造工期を短縮できる。この結果、液晶表示装置の製造コストを削減できる。

また、透過電極３、下地電極２０および反射電極４とそれぞれ同一レイヤにより端子電極５、下地配線４１および上層配線４２を構成しているので、透過電極３などの形成工程において、同時に端子電極５などを形成できる。つまり、端子電極５などを形成するために、製造工程数が増加することを防止できる。したがって、端子電極５などを形成することに起因する製造コストの増加を避けることができる。

上記液晶表示装置において、下地電極２０は、透過電極３と反射電極４との両方と電気的に接続される。下地電極２０を構成する材料は、透過電極３および反射電極４を構成する材料と電気的な導通を図ることが可能な材料である。

また、この発明に従った液晶表示装置の一例である図３２に示した液晶表示装置の特徴的な構成を要約すれば、液晶表示装置は、基板としてのガラス基板１と、透過電極３と、下地導電体膜としての下地電極７１と、反射電極４と、端子電極５とを備える。透過電極３は、ガラス基板１上に形成される。透過電極３は液晶２７を駆動する電界を形成するためのものであってもよい。下地電極７１は、透過電極３の一部上に重なって、下側（透過電極３側）の表面全体が透過電極３と接触する。反射電極４は下地電極７１上に形成される。反射電極４は下地電極７１と接触することにより電気的に接続されていてもよい。反射電極４は、下地電極７１の平面形状と実質的に同じ平面形状を有する。反射電極４は液晶２７を駆動する電界を形成するためのものであってもよい。端子電極５は、ガラス基板１上に形成され、透過電極３と同一レイヤにより構成される。

このようにすれば、透過電極３と反射電極４とが、それぞれ直接接触させて電気的導通を図ることができないような材料（たとえばＩＴＯとアルミニウム系合金）により構成されていても、下地電極７１の材質を適宜選択することにより透過電極３から下地電極７１を介して反射電極４に電荷を供給することができる。たとえば、ＩＴＯとアルミニウム系合金の両方と導通可能な窒素含有アルミニウム合金を下地電極７１の材料として選択することが考えられる。

また、下地電極７１において透過電極３側の表面全体が、透過電極３と接触しているので、下地電極７１における上記表面（下部表面）の一部のみが透過電極３と接触している場合より、透過電極３と下地電極７１との接触部の面積を大きくできる。このため、透過電極３と下地電極７１との接触部の電気的な接続抵抗値を小さくできる。

また、反射電極４の平面形状と下地電極７１の平面形状とがほぼ同じになっているので、反射電極４および下地電極７１を形成する工程において、同じマスク膜（レジスト膜５８（図３６参照））を用いて、１回の連続した加工工程（エッチング工程）により反射電極４および下地電極７１を形成できる。このため、反射電極４と下地電極７１とを別々の工程により形成する場合より、液晶表示装置の製造工程数を削減できるとともに、液晶表示装置の製造工期を短縮できる。この結果、液晶表示装置の製造コストを削減できる。

また、透過電極３と同一レイヤにより端子電極５を構成しているので、透過電極３の形成工程において同時に端子電極５を形成できる。つまり、端子電極５を形成するために製造工程数が増加することを防止できる。したがって、端子電極５を形成することに起因する製造コストの増加を避けることができる。

上記液晶表示装置は、ガラス基板１上において、端子電極５下に位置する下地膜としての有機絶縁膜１８および絶縁膜１７と、この絶縁膜１７の下に位置する配線２１とを備えていてもよい。下地膜（有機絶縁膜１８および絶縁膜１７）には、配線２１の表面の少なくとも一部を露出させる開口部としてのコンタクトホール１９ｃが形成されていてもよい。端子電極５は、下地膜の開口部（コンタクトホール１９ｃ）の内部にまで延在するとともに、開口部（コンタクトホール１９ｃ）の内部において配線２１と電気的に接続するように（配線２１の表面と接触するように）形成されていてもよい。上記液晶表示装置は、さらに、下地層７２と上層７３とからなる保護キャップ７４を備えていてもよい。下地層７２は、端子電極５上において、前記コンタクトホール１９ｃ上に位置する領域に形成さていてもよい。下地層７２は、下地電極７１と同一レイヤにより構成されていてもよい。上層７３は、下地層７２上に形成され、反射電極４と同一レイヤにより構成されていてもよい。

この場合、端子電極５が下地膜（有機絶縁膜１８および絶縁膜１７）の開口部（コンタクトホール１９ｃ）の内部に形成され、また、コンタクトホール１９ｃ上に下地層７２および上層７３からなる保護キャップ７４が形成されるので、この端子電極５などを形成する工程において用いられる薬液（エッチング液や現像液など）がコンタクトホール１９ｃの内部に侵入することを防止する保護部材として、端子電極５および保護キャップ７４が作用することになる。このため、上記薬液によりコンタクトホール１９ｃの内部において配線２１が腐食するといった問題の発生確率を小さくできる。

また、下地層７２および上層７３は、それぞれ下地電極７１および反射電極４と同一レイヤにより構成されるので、下地電極７１および反射電極４を形成する工程において、同時にこれらの下地層７２および上層７３を形成できる。したがって、下地層７２および上層７３を形成するために製造工程数が増加することを避けることができる。

上記液晶表示装置において、反射電極４は、アルミニウムを主成分とする金属および銀を主成分とする金属の少なくともいずれか一方を含んでいてもよい。また、下地電極２０、７１は、高融点金属を主成分とする金属および窒素を含有するアルミニウムを主成分とする金属の少なくともいずれか一方を含んでいてもよい。透過電極３はスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）を含んでいてもよい。

なお、アルミニウムを主成分とする金属とは、アルミニウム（Ａｌ）およびアルミニウムを主成分として他の成分を含む合金（アルミニウム系合金）を包含する。また、銀を主成分とする金属とは、銀（Ａｇ）および銀を主成分として他の成分を含む合金（銀系合金）を包含する。また、高融点金属を主成分とする金属とは、高融点金属（たとえばクロム、モリブデン、タンタル、タングステンなど）および高融点金属を主成分として他の成分を含む合金を包含する。また、窒素を含有するアルミニウムを主成分とする金属とは、窒素を含有するアルミニウムおよび窒素を含有するアルミニウムを主成分として他の成分を含む合金（窒素含有アルミニウム系合金）を包含する。

この場合、上述した下地電極２０、７１を構成する材料は、反射電極４を構成する材料および透過電極３を構成する材料とそれぞれ電気的導通を図ることが可能な材料である。したがって、下地電極２０、７１から反射電極４および透過電極３に電荷を確実に供給する、あるいは透過電極３から下地電極７１を介して反射電極４に電荷を確実に供給することができる。

また、アルミニウムや銀は、光の反射率が高いため、反射電極４の材料として適している。また、スズ添加酸化インジウムは透明性導電材料であるため、光を透過させる透過電極３の材料として適している。そして、クロムまたはモリブデンなどの高融点金属および窒素を含有するアルミニウムは、上記したアルミニウムや銀およびスズ添加酸化インジウムと電気的に接続可能な材料であるため、下地電極２０、７１の材料として適している。

上記液晶表示装置において、反射電極４を構成する材料と下地電極２０、７１を構成する材料とは、同一のエッチング液を用いてエッチングが可能となるように決定されていてもよい。

この場合、反射電極４となるべき部分を含む膜と下地電極２０、７１となるべき部分を含む膜とを、同じエッチング液を用いて連続的にエッチング加工することにより、反射電極４および下地電極２０、７１を１回のエッチング工程によって形成できる。このため、液晶表示装置の製造工程数を削減することができる。

この発明に従った液晶表示装置の一例としての図２８に示した液晶表示装置の特徴的な構成を要約すれば、液晶表示装置は、基板としてのガラス基板１と、透過電極３と、反射電極４とを備える。透過電極３はガラス基板１上に形成される。透過電極３は液晶を駆動する電界を形成するためのものであってもよい。透過電極３はスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）を含む。反射電極４は、ガラス基板１上において、透過電極３と重ならない領域に位置する部分を含むとともに、透過電極３の一部（端部４４ａ）上に重なって形成される。反射電極４は透過電極３の一部上に接触することにより、透過電極３と電気的に接続されていてもよい。反射電極４は液晶２７を駆動する電界を形成するためのものであってもよい。反射電極４は銀を主成分とする金属（たとえば銀、または銀系合金）を含む。

このようにすれば、銀はスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）と良好な電気的接続部を形成できるので、下地電極２０（図１参照）などを介することなく、反射電極４から直接透過電極３に電荷を供給できる。このため、下地電極２０を形成する場合より、さらに液晶表示装置の製造工程数を削減できる。この結果、液晶表示装置の製造コストを削減できる。

また、銀は光の反射率が高いため、反射電極４の材料として適している。また、スズ添加酸化インジウムは透明性導電材料であるため、光を透過させる透過電極３の材料として適している。

上記液晶表示装置は、ガラス基板１上に形成され、透過電極３と同一レイヤにより構成される端子電極５と、ガラス基板１上において、端子電極５の一部（端部４４ｂ）上に重なるとともに、反射電極４と同一レイヤにより構成される接続配線４３とを備えていてもよい。接続配線４３は端子電極５の一部上に接触することにより、端子電極５と電気的に接続されていてもよい。

この場合、透過電極３および反射電極４とそれぞれ同一レイヤにより端子電極５および接続配線４３を構成しているので、透過電極３の形成工程において同時に端子電極５を形成できるとともに、反射電極４の形成工程において同時に接続配線４３を形成できる。つまり、端子電極５および接続配線４３を形成するために製造工程数が増加することを防止できる。したがって、端子電極５などを形成することに起因する製造コストの増加を避けることができる。

この発明に従った液晶表示装置の一例としての図３８に示した液晶表示装置の特徴的な構成を要約すれば、液晶表示装置は、基板としてのガラス基板１と、透過電極３と、反射電極４とを備える。透過電極３はガラス基板１上に形成される。透過電極３は液晶２７を駆動する電界を形成するためのものであってもよい。透過電極３はスズ添加酸化インジウムを含む。反射電極４は、透過電極３の一部上に重なって、下側（透過電極３側）の表面全体（下部表面全体）が透過電極３と接触するように形成されている。反射電極４は液晶２７を駆動する電界を形成するためのものであってもよい。反射電極４は銀を主成分とする金属を含む。

このようにすれば、銀はスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）と良好な電気的接続部を形成できるので、下地電極７１（図３２参照）などを介することなく、反射電極４から直接透過電極３に電荷を供給できる。このため、下地電極７１を形成する場合より、さらに液晶表示装置の製造工程数を削減できる。この結果、液晶表示装置の製造コストを削減できる。

また、反射電極４において透過電極３側の表面全体（反射電極４の下部表面全体）が、透過電極３と接触しているので、反射電極４における上記表面（下部表面）の一部のみが透過電極３と接触している場合より、透過電極３と反射電極４との接触部の面積を大きくできる。このため、透過電極３と反射電極４との接触部の電気的な接続抵抗値を小さくできる。

上記液晶表示装置は、ガラス基板１上に形成され、透過電極３と同一レイヤにより構成される端子電極５を備える。

この場合、透過電極３と同一レイヤにより端子電極５を構成しているので、透過電極３の形成工程において同時に端子電極５を形成できる。つまり、端子電極５を形成するために製造工程数が増加することを防止できる。したがって、端子電極５を形成することに起因する製造コストの増加を避けることができる。

上記液晶表示装置は、図３８に示すように、ガラス基板１上において、端子電極５下に位置する下地膜（有機絶縁膜１８および絶縁膜１７）と、下地膜の下に位置する配線２１とを備えていてもよい。下地膜（有機絶縁膜１８および絶縁膜１７）には、配線２１の表面の少なくとも一部を露出させる開口部としてのコンタクトホール１９ｃが形成されていてもよい。端子電極５は、下地膜のコンタクトホール１９ｃの内部にまで延在するとともに、コンタクトホール１９ｃの内部において配線２１の表面と電気的に接続されるように（たとえば接触するように）形成されていてもよい。さらに、液晶表示装置は、端子電極５上において、コンタクトホール１９ｃ上に位置する領域に形成され、反射電極４と同一レイヤにより構成される保護キャップ７４を備えていてもよい。

この場合、端子電極５が下地膜のコンタクトホール１９ｃの内部に形成され、また、コンタクトホール１９ｃ上に保護キャップ７４が形成されるので、この端子電極５を形成する工程において用いられる薬液（エッチング液や現像液など）がコンタクトホール１９ｃの内部に侵入することを防止する保護部材として保護キャップ７４が作用することになる。このため、上記薬液によりコンタクトホール１９ｃの内部において配線２１が腐食するといった問題の発生確率を小さくできる。

また、保護キャップ７４は反射電極４と同一レイヤにより構成されるので、反射電極４を形成する工程において、同時に保護キャップ７４を形成できる。したがって、保護キャップ７４を形成するために製造工程数が増加することを避けることができる。

この発明に従った液晶表示装置の製造方法の一例としての図２〜図１５に示した液晶表示装置の製造方法の特徴的な構成を要約すれば、液晶表示装置の製造方法は、以下の工程を備える。まず、図２に示すようなガラス基板１を準備する工程を実施する。そして、ガラス基板１上に透過膜としてのＩＴＯ膜５９を形成する工程（図７参照）を実施する。透過膜は、可視光線を透過させることができる、透明または半透明の導電体からなる膜であれば、他の材料を用いてもよい。ＩＴＯ膜５９は透過電極３（図１参照）となるべき部分を含む膜である。そして、図８および図９に示すように、ＩＴＯ膜５９をエッチングにより部分的に除去することにより、透過電極３と、透過電極３と同一レイヤにより構成される端子電極５とを形成する透過膜加工工程を実施する。図１０に示すように、透過電極３および端子電極５が形成されたガラス基板１上に（透過電極３上から透過電極３が位置する領域以外の領域を介して端子電極５上にまで延在するように）、下層導電体膜としてのクロム膜５６を形成する工程を実施する。クロム膜５６は、下地導電体膜としての下地電極２０および下地配線４１（図１参照）となるべき部分を含む膜である。クロム膜５６上に、導電体膜としてのアルミニウム系合金膜５７を形成する工程を実施する。アルミニウム系合金膜５７は反射電極４および上層配線４２となるべき部分を含む膜である。図１１および図１２に示すように、導電体膜（アルミニウム系合金膜５７）および下層導電体膜（クロム膜５６）を、連続的にエッチングにより部分的に除去することにより、透過電極３の一部（端部４４ａ）上に重なる下地導電体膜（下地電極２０）と、下地導電体膜上に位置する反射電極４と、端子電極５の一部（端部４４ｂ）上に重なる下地配線４１と、下地配線４１上に位置する上層配線４２とを形成する加工工程を実施する。なお、下地配線４１と上層配線４２とから、配線２１と端子電極５とを接続する接続配線４３が構成される。また、下地導電体膜（下地電極２０）は透過電極３と重ならない領域に位置する部分を含み、また、下地導電体膜は透過電極３の一部上に接触することにより電気的に接続される。下地配線４１は端子電極５と重ならない領域に位置する部分を含む。また、下地配線４１は端子電極５の一部上に接触することにより電気的に接続される。

このようにすれば、図１に示したような本発明による液晶表示装置を容易に得ることができる。また、導電体膜（アルミニウム系合金膜５７）および下層導電体膜（クロム膜５６）を連続的にエッチングすることにより、下地電極２０、反射電極４、端子電極５に接続された下地配線４１および上層配線４２を一度のエッチング工程で形成できるので、上述した下地電極２０などをそれぞれ個別のエッチング工程により形成する場合より、液晶表示装置の製造工程数を削減できる。

この発明に従った液晶表示装置の製造方法の特徴的な構成を要約すれば、図２９〜図３１に示した液晶表示装置の製造方法は、以下の工程を備える。まず、図２に示すように、基板としてのガラス基板１を準備する工程を実施する。図７に示すように、ガラス基板１上に透過膜（ＩＴＯ膜５９）を形成する工程を実施する。透過膜（ＩＴＯ膜５９）は透過電極３となるべき部分を含む膜である。図８および図９に示すように、透過膜（ＩＴＯ膜５９）をエッチングにより部分的に除去することにより、透過電極３と、透過電極３と同一レイヤにより構成される端子電極５とを形成する透過膜加工工程を実施する。図２９に示すように、透過電極３および端子電極５が形成されたガラス基板１上に（透過電極３上から透過電極３が位置する領域以外の領域を介して端子電極５上にまで延在するように）、導電体膜（銀系合金膜７０）を形成する工程を実施する。導電体膜（銀系合金膜７０）は反射電極４（図２８参照）および接続配線４３となるべき部分を含む膜である。図３０および図３１に示すように、導電体膜（銀系合金膜７０）をエッチングにより部分的に除去することにより、透過電極３の一部（端部４４ａ）上に重なる反射電極４と、端子電極５の一部（端部４４ｂ）上に重なる接続配線４３とを形成する加工工程を実施する。なお、反射電極４は透過電極３と重ならない領域に位置する部分を含むとともに、透過電極３の一部上に接触することにより透過電極３と電気的に接続されている。また、接続配線４３は端子電極５と重ならない領域に位置する部分を含むとともに、端子電極５の一部上に接触することにより、端子電極５と電気的に接続されている。

このようにすれば、図２８に示した本発明による液晶表示装置を容易に得ることができる。また、導電体膜としての銀系合金膜７０をエッチングすることにより反射電極４および接続配線４３を形成できるので、上述した反射電極４と接続配線４３とをそれぞれ個別のエッチング工程により形成する場合より、液晶表示装置の製造工程数を削減できる。

この発明に従った液晶表示装置の製造方法の特徴的な構成を要約すれば、図３３〜図３７に示した液晶表示装置の製造方法は、以下の工程を備える。まず、図２に示すように基板としてのガラス基板１を準備する工程を実施する。図７に示すように、ガラス基板１上に透過膜（ＩＴＯ膜５９）を形成する工程を実施する。透過膜（ＩＴＯ膜５９）は透過電極３となるべき部分を含む膜である。図３３および図３４に示すように、透過膜（ＩＴＯ膜５９）をエッチングにより部分的に除去することにより、透過電極３（図３２参照）と、透過電極３と同一レイヤにより構成される端子電極５（図３２参照）を形成する透過膜加工工程を実施する。図３５に示すように、透過電極３および端子電極５が形成された基板上に（透過電極３上から端子電極５上にまで延在するように）、下層導電体膜（窒素含有アルミニウム系合金膜７５）を形成する工程を実施する。下層導電体膜（窒素含有アルミニウム系合金膜７５）は下地導電体膜（下地電極７１（図３２参照））および下地層７２となるべき部分を含む膜である。また、図３５に示すように、下層導電体膜（窒素含有アルミニウム系合金膜７５）上に、導電体膜（アルミニウム系合金膜５７）を形成する工程を実施する。導電体膜（アルミニウム系合金膜５７）は反射電極４および上層７３となるべき部分を含む膜である。図３６および図３７に示すように、導電体膜（アルミニウム系合金膜５７）および下層導電体膜（窒素含有アルミニウム系合金膜７５）を、連続的にエッチングにより部分的に除去することにより、透過電極３の一部上に重なって下側（透過電極３側）の表面全体が透過電極３と接触する下地導電体膜（下地電極７１）と、下地電極７１上に位置する反射電極４と、端子電極５の一部上に重なる下地層７２と、下地層７２上に位置する上層７３とを形成する加工工程を実施する。下地層７２は端子電極５の一部上に接触する。

このようにすれば、図３２に示した液晶表示装置を容易に得ることができる。また、導電体膜（アルミニウム系合金膜５７）および下層導電体膜（窒素含有アルミニウム系合金膜７５）を連続的にエッチングすることにより下地電極７１、反射電極４、端子電極５上に位置する下地層７２および上層７３を形成できるので、上述した下地電極７１などをそれぞれ個別のエッチング工程により形成する場合より、液晶表示装置の製造工程数を削減できる。

この発明に従った液晶表示装置の製造方法の特徴的な構成を要約すれば、図３９〜図４１に示した液晶表示装置の製造方法は、以下の工程を備える。まず、図２に示すように、基板としてのガラス基板１を準備する工程を実施する。図７に示すように、ガラス基板１上に透過膜（ＩＴＯ膜５９）を形成する工程を実施する。透過膜（ＩＴＯ膜５９）は透過電極３となるべき部分を含む膜である。図３３および図３４に示すように、透過膜（ＩＴＯ膜５９）をエッチングにより部分的に除去することにより、透過電極３と、透過電極３と同一レイヤにより構成される端子電極５とを形成する透過膜加工工程を実施する。図３９に示すように、透過電極３および端子電極５が形成されたガラス基板１上に（透過電極３上から端子電極５上にまで延在するように）、導電体膜（銀系合金膜７０）を形成する工程を実施する。導電体膜（銀系合金膜７０）は反射電極４および保護キャップ７４となるべき部分を含む膜である。図４０および図４１に示すように、導電体膜（銀系合金膜７０）をエッチングにより部分的に除去することにより、透過電極３の一部上に重なって、下側（透過電極３側）の表面全体が透過電極３と接触する反射電極４と、端子電極５の一部上に重なる保護キャップ７４とを形成する加工工程を実施する。保護キャップ７４は端子電極５の一部上に接触している。

このようにすれば、図３８に示した液晶表示装置を容易に得ることができる。また、導電体膜（銀系合金膜７０）をエッチングすることにより反射電極４および保護キャップ７４を形成できるので、上述した反射電極４などをそれぞれ個別のエッチング工程により形成する場合より、液晶表示装置の製造工程数を削減できる。

この発明に従った液晶表示装置の製造方法の特徴的な構成を要約すれば、図４２〜図４６に示した液晶表示装置の製造方法は、以下の工程を備える。まず、図２に示すように、基板としてのガラス基板１を準備する工程を実施する。図４２に示すように、ガラス基板１上に透過膜（ＩＴＯ膜５９）を形成する工程を実施する。透過膜（ＩＴＯ膜５９）は透過電極３および端子電極５となるべき部分を含む膜である。透過膜（ＩＴＯ膜５９）上に、下層導電体膜（窒素含有アルミニウム系合金膜７５）を形成する工程を実施する。下層導電体膜（窒素含有アルミニウム系合金膜７５）は下地導電体膜（下地電極７１（図３２参照））となるべき部分を含む膜である。下層導電体膜（窒素含有アルミニウム系合金膜７５）上に、導電体膜（アルミニウム系合金膜５７）を形成する工程を実施する。導電体膜（アルミニウム系合金膜５７）は反射電極４となるべき部分を含む膜である。図４３および図４４に示すように、導電体膜（アルミニウム系合金膜５７）および下層導電体膜（窒素含有アルミニウム系合金膜７５）を連続的にエッチングにより部分的に除去することにより、透過膜の一部上（透過膜において透過電極３（図３２参照）となるべき部分の一部上）に重なって、下側（透過電極３となるべき部分側）の表面全体が前記一部と接触する下地導電体膜（下地電極７１）と、下地電極７１上に位置する反射電極４とを形成する加工工程を実施する。図４５および図４６に示すように、透過膜（ＩＴＯ膜５９）をエッチングにより部分的に除去することにより、前記下地電極７１下に位置する領域から下地電極７１が形成されていない領域にまで延在する透過電極３と、透過電極３と同一レイヤにより構成され、透過電極３が形成された領域とは異なる領域に位置する端子電極５とを形成する透過膜加工工程を実施する。

このようにすれば、図３２に示した液晶表示装置を容易に得ることができる。
また、透過膜（ＩＴＯ膜５９）、下層導電体膜（窒素含有アルミニウム系合金膜７５）および導電体膜（アルミニウム系合金膜５７）を連続して（間にエッチング工程などを実施することなく）形成することができるので、上述した３つの膜をそれぞれ形成するために成膜装置の真空引きやガラス基板１の洗浄などの工程を３つの膜の成膜工程ごとに実施する場合より、液晶表示装置の製造工程数を削減できる。

また、上述した加工工程では下地導電体膜（下地電極７１）および反射電極４を連続的なエッチングにより（つまり１回のエッチングにより）形成しているので、上記下地電極７１および反射電極４を別々のエッチング工程で形成する場合よりも液晶表示装置の製造工程数を削減できる。この結果、液晶表示装置の製造コストを削減できる。

上記液晶表示装置の製造方法では、加工工程において、下地電極７１と同一レイヤにより構成される下地層７２が形成されるとともに、反射電極４と同一レイヤにより構成される上層７３が形成されていてもよい。つまり、加工工程では、下層導電体膜（窒素含有アルミニウム系合金膜７５）をエッチングにより部分的に除去することにより、透過膜（ＩＴＯ膜５９）の他の一部（投下膜において端子電極５となるべき部分の一部）上に重なって、下側（端子電極５となるべき部分側）の表面全体が前記他の一部に接触する下地層７２が形成されていてもよい。また、加工工程では、導電体膜（アルミニウム系合金膜５７）をエッチングにより部分的に除去することにより、下地層７２上に位置する上層７３が形成されていてもよい。

この場合、製造工程数を増やすことなく、保護キャップ７４を構成する下地層７２および上層７３を形成できる。このため、液晶表示装置の製造コストの上昇を抑制できる。

この発明に従った液晶表示装置の製造方法の特徴的な構成を要約すれば、図４７〜図５１に示した液晶表示装置の製造方法では、以下の工程を実施する。まず、図２に示すように、基板としてのガラス基板１を準備する工程を実施する。図４７に示すように、ガラス基板１上に透過膜（ＩＴＯ膜５９）を形成する工程を実施する。透過膜（ＩＴＯ膜５９）は透過電極３および端子電極５となるべき部分を含む部分を含む膜である。透過膜（ＩＴＯ膜５９）上に、導電体膜（銀系合金膜７０）を形成する工程を実施する。導電体膜（銀系合金膜７０）は反射電極４となるべき部分を含む部分を含む膜である。図４８および図４９に示すように、導電体膜（銀系合金膜７０）をエッチングにより部分的に除去することにより、透過膜（ＩＴＯ膜５９）の一部上（ＩＴＯ膜５９において透過電極３となるべき部分の一部上）に重なって、下側（透過電極３となるべき部分側）の表面全体が上記ＩＴＯ膜５９の一部と接触する反射電極４を形成する加工工程を実施する。図５０および図５１に示すように、透過膜（ＩＴＯ膜５９）をエッチングにより部分的に除去することにより、反射電極４下に位置する領域から反射電極４が形成されていない領域にまで延在する透過電極３と、透過電極３と同一レイヤにより構成され、透過電極３が形成された領域とは異なる領域に位置する端子電極５とを形成する透過膜加工工程を実施する。

このようにすれば、図３８に示した液晶表示装置を容易に得ることができる。
また、図４７に示すように、透過膜（ＩＴＯ膜５９）および導電体膜（銀系合金膜７０）を連続して（間にエッチング工程などを実施することなく）形成することができるので、上述した２つの膜をそれぞれ形成するために成膜装置の真空引きやガラス基板１の洗浄などの工程を２つの膜の成膜工程ごとに実施する場合より、液晶表示装置の製造工程数を削減できる。

上記液晶表示装置の製造方法では、加工工程において、導電体膜（銀系合金膜７０）をエッチングにより部分的に除去することにより、透過膜（ＩＴＯ膜５９）の他の一部上（ＩＴＯ膜５９において端子電極５となるべき部分の一部上）に重なって、下側（端子電極５となるべき部分側）の表面全体がＩＴＯ膜５９の一部に接触し、反射電極４と同一レイヤにより構成される保護キャップ７４が形成されてもよい。

この場合、製造工程数を増やすことなく保護キャップ７４を形成できる。このため、液晶表示装置の製造コストの上昇を抑制できる。

上記液晶表示装置の製造方法では、図６１に示すように、導電体膜（アルミニウム系合金膜５７、あるいは図４７の銀系合金膜７０）上に保護膜（モリブデン系合金膜８８）を形成する工程を実施してもよい。上記加工工程では、保護膜（モリブデン系合金膜８８）が形成された状態でエッチングが行なわれてもよい。

この場合、保護膜としてのモリブデン系合金膜８８が存在することにより、エッチング工程において保護膜（モリブデン系合金膜８８）下に位置する透過膜（ＩＴＯ膜５９）などとエッチングに用いられるエッチング液などとの間で不必要な反応が起きる可能性を低減できる。

この発明に従った液晶表示装置の製造方法の特徴的な構成を要約すれば、図５２〜図５６に示した液晶表示装置の製造方法では、以下の工程を実施する。まず、図２に示すように、基板としてのガラス基板１を準備する工程を実施する。図５２に示すように、ガラス基板１上に透過膜（ＩＴＯ膜５９）を形成する工程を実施する。透過膜（ＩＴＯ膜５９）は透過電極３および端子電極５となるべき部分を含む膜である。透過膜（ＩＴＯ膜５９）上に、下層導電体膜（モリブデン系合金膜６４）を形成する工程を実施する。下層導電体膜（モリブデン系合金膜６４）は下地導電体膜（下地電極７１）となるべき部分を含む膜である。そして、下層導電体膜（モリブデン系合金膜６４）上に、導電体膜（アルミニウム系合金膜５７）を形成する工程を実施する。導電体膜（アルミニウム系合金膜５７）は反射電極４となるべき部分を含む膜である。図５２〜図５５に示すように、導電体膜（アルミニウム系合金膜５７）上に、相対的に厚い膜厚を有する第１の部分（厚肉部８６）と、相対的に薄い膜厚を有する第２の部分（薄肉部８７）とを含むレジスト膜５８を形成する工程を実施する。図５５に示すように、レジスト膜５８をマスクとして用いて、導電体膜（アルミニウム系合金膜５７）、下層導電体膜（モリブデン系合金膜６４）および透過膜（ＩＴＯ膜５９）をエッチングにより部分的に除去することにより、透過膜（ＩＴＯ膜５９）により構成される透過電極３と、透過電極３と同一レイヤにより構成され、透過電極３が形成された領域とは異なる領域に位置する端子電極５と、透過電極３および端子電極５上に残存する導電体膜（アルミニウム系合金膜５７）および下層導電体膜（モリブデン系合金膜６４）の部分とを形成する第１の加工工程を実施する。図５６に示すように、第１の加工工程の後、レジスト膜８０の表面層を除去することにより、第１の部分（厚肉部８６）を残存させる一方第２の部分（薄肉部８７）を除去する工程を実施する。図５６および図３７に示すように、レジスト膜５８の第１の部分（厚肉部８６）をマスクとして用いて、第１の加工工程後に残存している導電体膜（アルミニウム系合金膜５７）および下層導電体膜（モリブデン系合金膜６４）の部分を連続的にエッチングにより部分的に除去することにより、透過電極３上に重なる下地導電体膜（下地電極７１）と、下地電極７１上に位置する反射電極４とを形成する第２の加工工程を実施する。下地導電体膜（下地電極７１）は透過電極３上に接触することにより、透過電極３と電気的に接続されていてもよい。

このようにすれば、１つのレジスト膜５８を利用して、透過電極３、端子電極５、下地電極７１および反射電極４を形成できるので、透過電極３などを形成するために複数のレジスト膜を形成する必要が無い。このため、従来より液晶表示装置の製造工程数を削減できる。

上記液晶表示装置の製造方法では、第２の加工工程において、図５６および図３７に示すように、下地層７２および上層７３が形成されてもよい。つまり、加工工程では、下層導電体膜（モリブデン系合金膜６４）の部分をエッチングにより部分的に除去することにより、端子電極５上に位置し、下地電極７１と同一レイヤにより構成される下地層７２が形成されてもよい。下地層７２は、その下側（端子電極５側）の表面全体が端子電極５に接触していてもよい。また、加工工程では、導電体膜（アルミニウム系合金膜５７）の部分をエッチングにより部分的に除去することにより、下地層７２上に位置し、反射電極４と同一レイヤにより構成される上層７３が形成されてもよい。

この場合、製造工程数を増やすことなく、保護キャップ７４を構成する下地層７２および上層７３を形成できる。このため、液晶表示装置の製造コストの上昇を抑制できる。

この発明に従った液晶表示装置の製造方法の特徴的な構成を要約すれば、図５７〜図６０に示した液晶表示装置の製造方法では、以下の工程を実施する。まず、図２に示したように、基板としてのガラス基板１を準備する工程を実施する。図４７に示したように、ガラス基板１上に透過膜（ＩＴＯ膜５９）を形成する工程を実施する。透過膜（ＩＴＯ膜５９）は透過電極３および端子電極５となるべき部分を含む膜である。透過膜（ＩＴＯ膜５９）上に、導電体膜（銀系合金膜７０）を形成する工程を実施する。導電体膜（銀系合金膜７０）は反射電極４となるべき部分を含む膜である。図５７〜図５９に示すように、導電体膜（銀系合金膜７０）上に、相対的に厚い膜厚を有する第１の部分（厚肉部８６）と、相対的に薄い膜厚を有する第２の部分（薄肉部８７）とを含むレジスト膜５８を形成する工程を実施する。図５９に示すように、レジスト膜５８をマスクとして用いて、導電体膜（銀系合金膜７０）および透過膜（ＩＴＯ膜５９）をエッチングにより部分的に除去することにより、透過膜（ＩＴＯ膜５９）により構成される透過電極３と、透過電極３と同一レイヤにより構成される端子電極５と、透過電極３および端子電極５上に残存する導電体膜（銀系合金膜７０）の部分とを形成する第１の加工工程を実施する。図６０に示すように、第１の加工工程の後、レジスト膜５８（図５９参照）の表面層を除去することにより、第１の部分（厚肉部８６）を残存させる一方第２の部分（薄肉部８７）を除去する工程を実施する。図６０および図５１に示すように、レジスト膜５８の第１の部分（厚肉部８６）をマスクとして用いて、第１の加工工程後に残存している導電体膜（銀系合金膜７０）の部分をエッチングにより部分的に除去することにより、透過電極３上に重なる反射電極４を形成する第２の加工工程を実施する。反射電極４は透過電極３上に接触することにより、透過電極３と電気的に接続されていてもよい。

このようにすれば、１つのレジスト膜５８を利用して、透過電極３、端子電極５および反射電極４を形成できるので、透過電極３などを形成するために複数のレジスト膜を形成する必要が無い。このため、従来より液晶表示装置の製造工程数を削減できる。

上記液晶表示装置では、第２の加工工程において、導電体膜（銀系合金膜７０）の部分をエッチングにより部分的に除去することにより、端子電極５上に位置し、反射電極４と同一レイヤにより構成される保護キャップ７４が形成されてもよい。保護キャップ７４は、下側（端子電極５側）の表面全体が前記端子電極５に接触していてもよい。

この場合、製造工程数を増やすことなく保護キャップ７４を形成できる。このため、液晶表示装置の製造コストの上昇を抑制できる。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明による液晶表示装置の実施の形態１を示す図面模式図である。 図１に示した液晶表示装置の製造方法の第１工程を説明するための断面模式図である。 図１に示した液晶表示装置の製造方法の第２工程を説明するための断面模式図である。 図１に示した液晶表示装置の製造方法の第３工程を説明するための断面模式図である。 図１に示した液晶表示装置の製造方法の第４工程を説明するための断面模式図である。 図１に示した液晶表示装置の製造方法の第５工程を説明するための断面模式図である。 図１に示した液晶表示装置の製造方法の第６工程を説明するための断面模式図である。 図１に示した液晶表示装置の製造方法の第７工程を説明するための断面模式図である。 図１に示した液晶表示装置の製造方法の第８工程を説明するための断面模式図である。 図１に示した液晶表示装置の製造方法の第９工程を説明するための断面模式図である。 図１に示した液晶表示装置の製造方法の第１０工程を説明するための断面模式図である。 図１に示した液晶表示装置の製造方法の第１１工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の効果を説明するための参考例としての液晶表示装置を示す断面模式図である。 図１３に示した液晶表示装置の製造方法の第１工程を説明するための断面模式図である。 図１３に示した液晶表示装置の製造方法の第２工程を説明するための断面模式図である。 図１３に示した液晶表示装置の製造方法の第３工程を説明するための断面模式図である。 図１３に示した液晶表示装置の製造方法の第４工程を説明するための断面模式図である。 図１３に示した液晶表示装置の製造方法の第５工程を説明するための断面模式図である。 図１３に示した液晶表示装置の製造方法の第６工程を説明するための断面模式図である。 図１３に示した液晶表示装置の製造方法の第７工程を説明するための断面模式図である。 図１３に示した液晶表示装置の製造方法の第８工程を説明するための断面模式図である。 図１３に示した液晶表示装置の製造方法の第９工程を説明するための断面模式図である。 図１３に示した液晶表示装置の製造方法の第１０工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の実施の形態１の変形例を示す断面模式図である。 図２４に示した液晶表示装置の製造方法の第１工程を説明するための断面模式図である。 図２４に示した液晶表示装置の製造方法の第２工程を説明するための断面模式図である。 図２４に示した液晶表示装置の製造方法の第３工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の実施の形態２を示す断面模式図である。 図２８に示した液晶表示装置の製造方法の第１工程を説明するための断面模式図である。 図２８に示した液晶表示装置の製造方法の第２工程を説明するための断面模式図である。 図２８に示した液晶表示装置の製造方法の第３工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の実施の形態３を示す断面模式図である。 図３２に示した液晶表示装置の製造方法の第１工程を説明するための断面模式図である。 図３２に示した液晶表示装置の製造方法の第２工程を説明するための断面模式図である。 図３２に示した液晶表示装置の製造方法の第３工程を説明するための断面模式図である。 図３２に示した液晶表示装置の製造方法の第４工程を説明するための断面模式図である。 図３２に示した液晶表示装置の製造方法の第５工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の実施の形態４を示す断面模式図である。 図３８に示した液晶表示装置の製造方法の第１工程を説明するための断面模式図である。 図３８に示した液晶表示装置の製造方法の第２工程を説明するための断面模式図である。 図３８に示した液晶表示装置の製造方法の第３工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態５の第１工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態５の第２工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態５の第３工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態５の第４工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態５の第５工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態６の第１工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態６の第２工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態６の第３工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態６の第４工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態６の第５工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態７の第１工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態７の第２工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態７の第３工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態７の第４工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態７の第５工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態８の第１工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態８の第２工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態８の第３工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態８の第４工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態９の第１工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態９の第２工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態９の第３工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態９の第４工程を説明するための断面模式図である。 本発明による液晶表示装置の製造方法の実施の形態９の第５工程を説明するための断面模式図である。

符号の説明

１ ガラス基板、２ 薄膜電界効果トランジスタ、３ 透過電極、４ 反射電極、５ 端子電極、６ 下地膜、７ａ，７ｂ ソース／ドレイン領域、８ チャネル領域、９ 下部電極、１０，１７ 絶縁膜、１１ 蓄積容量、１２ ゲート電極、１３ 共通電極、１４ 保護膜、１５ａ〜１５ｃ，１９ａ〜１９ｄ コンタクトホール、１６ａ〜１６ｃ 電極、１８ 有機絶縁膜、２０，２０ａ，２０ｂ 下地電極、２１ 配線、２２ 開口部、２３ カラーフィルタ、２４ 対向電極、２５ 対向ガラス基板、２６ シール剤、２７ 液晶、２８ａ，２８ｂ 配向膜、２９ａ，２９ｂ ポリシリコン膜、３５，３６ 側面、３７〜３９，４４ａ，４４ｂ，４６，４７ 端部、４１ 下地配線、４２ 上層配線、４３ 接続配線、４５ カバー膜、５１ シリコン窒化膜、５２ シリコン酸化膜、５３，５５ モリブデン膜、５４，５７ アルミニウム系合金膜、５６ クロム膜、５８，８０ レジスト膜、５９ ＩＴＯ膜、６３ａ モリブデン系下地電極、６４ モリブデン系合金膜、６９，７２ 下地層、７０ 銀系合金膜、７１ 下地電極、７３ 上層、７４ 保護キャップ、７５ 窒素含有アルミニウム系合金膜、７６ マスク、７７ メンブレン、７８，８４ 遮光体、７９ 矢印、８１，８５ 露光部、８２ 未露光部、８３ マスク、８６ 厚肉部、８７ 薄肉部、８８ モリブデン系合金膜。

Claims (3)

1. 基板と、
   前記基板上に形成されたスズ添加酸化インジウムを含む透過電極と、
   前記透過電極の一部上に重なって、下側の表面全体が前記透過電極と接触し、高融点金属を主成分とする金属および窒素を含有するアルミニウムを主成分とする金属のいずれか一方を含む下地導電体膜と、
   前記下地導電体膜上に形成され、前記下地導電体膜の平面形状と実質的に同じ平面形状を有するアルミニウムを主成分とする金属からなる反射電極と、
   前記基板上に形成され、前記透過電極と同一レイヤにより構成される端子電極と、
   前記基板上において、前記端子電極下に位置する下地膜と、
   前記下地膜の下に位置し、モリブデン膜、アルミニウム系合金膜、モリブデン膜が順次積層された構造を有する配線とを備え、
   前記下地膜には、前記配線の表面の少なくとも一部を露出させる開口部が形成され、
   前記端子電極は、前記下地膜の開口部の内部にまで延在するとともに、前記開口部の内部において前記配線と電気的に接続されるように形成され、さらに、
   前記端子電極上において、前記開口部上に位置する領域に形成され、前記端子電極の一部上に重なって、下側の表面全体が前記端子電極と接触し、前記下地導電体膜と同一レイヤにより構成される下地層と、
   前記下地層上に形成され、前記下地層の平面形状と実質的に同じ平面形状を有し、前記反射電極と同一レイヤにより構成される上層とを備える、液晶表示装置。
2. 前記高融点金属はモリブデンである、請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記反射電極を構成する材料と前記下地導電体膜を構成する材料とは、同一のエッチング液を用いてエッチングが可能となるように決定されている、請求項１または２に記載の液晶表示装置。

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