JP5096006B2 - 接触部及びその製造方法、薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の他の目的は、良好な接触特性を有する接触構造を備える薄膜トランジスタ表示板およびその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、液晶表示板のための薄膜トランジスタパネルの簡素な製造方法を提供することにある。
この時、化学的転換溶液は、タングステン、ジルコニウム、モリブデンまたはクロムの少なくとも1つを含むことが好ましい。
本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上にゲート線を形成する段階、ゲート絶縁膜を形成する段階、半導体層を形成する段階、オーミック接触層を形成する段階、データ線及びドレイン電極を形成する段階、ドレイン電極を露出させるコンタクトホールを有するパッシベーション層を形成する段階、コンタクトホールによって露出するドレイン電極の表面に接触層を形成する段階を含む。
そして、化学的転換溶液は、タングステン、ジルコニウム、モリブデンまたはクロムの少なくとも1つを含むことが好ましい。
また、保護膜を形成する段階において、データ線またはゲート線の少なくとも一つの線の一端部を露出させるコンタクトホールを形成する段階を含むことが好ましい。
この方法では、ゲート線と同一層に維持電極線を形成する段階をさらに含むように構成できる。
本発明による接触部は、基板、基板上に形成されている第1配線、第1配線を覆い、第1配線の一部分を露出させるコンタクトホールを有する絶縁膜、コンタクトホールによって露出する第1配線の表面に形成されている接触層、絶縁膜上に形成され、接触層を介して第1配線と接続される第2配線とを備えている。ここで、第1配線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成され、第2配線は、ITOまたはIZOで形成されている。
接触部は、第1配線下に形成されている下部金属配線をさらに含むことができ、下部層は、クロム、チタニウム、モリブデン、モリブデンタングステン合金の少なくとも1つを含む導電膜で形成することが好ましい。
この表示板は、ゲート線と同一層に形成される維持電極線をさらに有するように構成できる。
維持電極線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成されることが好ましい。
パッシベーション層とゲート絶縁層は、維持電極線の一部を露出させる第2コンタクトホールを有し、コンタクトホールを介して露出した維持電極線の一部上に形成された第2接触層、第2接触層を介して維持電極線と電気的に接続される接触補助部材をさらに有するように構成できる。
この表示板は、半導体層とデータ線及びドレイン電極の間に形成されているオーミック接触層をさらに有するように構成でき、オーミック接触層は、データ線及びドレイン電極と同一の平面パターンを有し、半導体層は、ドレイン電極とソース電極の間のチャンネルを除くデータ線とドレイン電極と同一の平面パターンを有することが好ましい。
また、データ線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第1導電層を有する構成とすることでき、データ線は第1導電層の下に形成される第2導電層をさらに備える構成とすることができる。 第2導電層は、クロム、チタニウム、モリブデン、モリブデンタングステン合金の少なくとも1つを有する導電膜が形成されていることが好ましい。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一な参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
(第1実施例)
図1は、本発明の一実施形態に係るLCDのための典型的な薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図2は、図1の薄膜トランジスタ表示板のII-II'線に沿って切断した断面図である。
各ゲート線121はほぼ横方向に延びており、各ゲート線の複数の部分が薄膜トランジスタの複数のゲート電極124を形成している。各ゲート電極124は、様々な形状に変形されゲート線121からの突出部とすることもできる。
ゲート絶縁膜140上には、水素化非晶質シリコン(非晶質シリコンはa-Siと略称する)などからなる複数の線状半導体層151が形成されている。各線状半導体層151は、主に縦方向に延びており、ここからゲート電極124まで拡大形成されている複数の突出部154を有する。各線状半導体層151の幅は、ゲート線121の多くの領域を覆うように、ゲート線121の近傍になるに従って大きく形成されている。 半導体層151上には、シリサイドまたはn型不純物が高濃度にドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどの物質からなる複数の線状及び島状オーミック接触層161、165が形成されている。線状オーミック接触層161は、複数の突出部163を有しており、この突出部163と島状接触層165は対をなして半導体層151の突出部154上に位置する。
複数のデータ線171および複数のドレイン電極は、それぞれ分離されてオーミック接触層161,165とゲート絶縁層140の上に形成される。
データ電圧を伝達するデータ線171はほぼ縦方向に延びており、ゲート線121および維持電極線131と交差している。
データ線171はドレイン電極175の反対側に配置されるソース電極173を形成する突出部のような複数の突出部を備えている。線状半導体層151の突出部154に沿ったゲート電極124、ソース電極173、ドレイン電極175の各セットは、ソース電極173とドレイン電極175の間に配置される半導体突出部154中に形成されるチャネルを有するTFTを構成する。オーミック接触層161、165は、その下部の半導体層151とその上部のデータ線171及びドレイン電極175の間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする役割を果たす。線状半導体層151は、データ線171およびドレイン電極175で覆われない複数の露出部分を含み、このような部分はソース電極173とドレイン電極175の間に配置される。線状半導体層151の大部分はデータ線より幅が狭いが、ゲート線の近傍において、表面形状を滑らかにし、データ線171の断線を防止するために、上述したように線状半導体層151の幅が大きくなっている。線状半導体層151の一部は維持電極線131上に延長することもできる。
データ線171とドレイン電極175はアルミニウムやアルミニウム合金などのような材質で形成されている。
データ線171、ドレイン電極175及び露出した線状半導体層154上には、パッシベーション層180が形成されており、このパッシベーション層はデータ線171およびドレイン電極185を覆っている。
パッシベーション層180は、線状半導体層151のチャネル部が有機物と直接接触しないように、下部無機フィルムと上部有機フィルムを含む2重層構造とすることができる。
前記接触層700は、ゲート線121、データ線171、ドレイン電極175のうちコンタクトホールを介して露出した上部にのみ形成されており、コンタクトホール181,182,185と同一の境界線を有する。
好ましくは、ITOやIZOなどの透明導電物質またはアルミニウムや銀などの光反射性導電物質で形成される複数の画素電極190および複数の接触補助部材81,82がパッシベーション層180上に形成される。
そして、画素電極190は、共通電圧のような一定の電圧が印加される維持電極線131の間にストレージキャパシタを形成する。このストレージキャパシタは維持電極線131と画素電極190の重畳により構成される。ストレージキャパシタのキャパシタンスは、ドレイン電極175と維持電極線131との重畳により増加する。
接触補助部材81、82は、各々コンタクトホール181、182を介して各々ゲート線121及びデータ線171の一端部と接触層700を介して電気的に接続される。
(第1実施例−方法)
以下、図1及び図2に示す液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施形態によって製造する方法について、図3〜図7及び図1及び図2を参照して詳細に説明する。
図3および図4に示すように、導電膜は複数のゲート電極124を含むゲート線121および複数の維持電極線131を形成するためにパターニングされる。
下部導電膜と上部導電膜でなる2つの導電膜が、順にスパッタリング法で蒸着される。下部導電膜は、例えばクロム(Cr)、チタニウム(Ti)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)及びこれらの合金(例:モリブデン-タングステン(MoW)合金)などで構成されることが好ましく、その厚さは約500Åとすることが好ましい。上部導電膜は、約2500Åの厚さにすることが好ましく、上部導電膜のスパッタリングターゲットとして純粋なアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む。 図7および図8に示すように、上部導電膜と下部導電膜は、それぞれウェットエッチングおよびドライエッチングを行うか、あるいは両方の導電膜をウェットエッチングすることにより、複数のソース電極173を含む複数のデータ線171および複数のドレイン電極175を形成する。下部導電膜をモリブデンまたはモリブデン合金で形成する場合、上部導電膜および下部導電膜は、同一のエッチング条件でエッチング処理を行うことができる。上部導電膜171b、175bを含むデータ線171とドレイン電極175は、純アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成され、下部導電膜171a,175aは、チタニウム、タンタル、モリブデン、モリブデン合金またはクロムなどで構成される。
次に、基板110を化学的転換溶液に浸漬すれば、アルミニウム酸化膜内のアルミニウムが化学的転換溶液内のタングステン(W)、ジルコニウム(Zr)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)のような金属物質と置換反応する。したがって、タングステン、ジルコニウム、モリブデン、クロムを含む接触層700が、ゲート線121およびデータ線171の終端部、ドレイン電極175の一部に形成され、酸化アルミニウム層は除去される。
次に、図1及び図2に示すように、保護膜180上にITOまたはIZOなどの透明な導電物質を500Å〜1500Åの厚さで蒸着形成し、フォトエッチングして、複数の画素電極190と、複数の接触補助部材81,82を形成する。このとき、画素電極190と接触補助部材81、82は、接触層700と直接接触し、ドレイン電極175と、ゲート線121およびデータ線171の終端部と、それぞれ接触層700を介して接続される。
また、コンタクトホール181,182,185にアンダーカットがなく、接触部における接触不良を防止できる。これから、接触部の信頼性を改善でき、接触部の接触抵抗を最小にできる。
(第2実施例-構造)
本発明の他の実施形態によるLCDのための薄膜トランジスタ表示板を、図12および図13に基づいて説明する。
図12及び図13に示すように、この実施形態によるLCDのための薄膜トランジスタ表示板の積層構造は、図1及び図2とほぼ同様である。即ち、基板110上に複数のゲート電極124を含む複数のゲート線121及び維持電極線131が形成され、ゲート絶縁膜140、複数の突出部154を含む複数の線状半導体層151、複数の突出部163と複数のオーミック接触アイランド165を含む複数のオーミック線状接触部161がその上に順に形成されている。複数のソース電極173および複数のドレイン電極175を含むデータ線171がオーミック接触部161,165上に形成されており、その上にパッシベーション層180が形成されている。複数のコンタクトホール181,182,185がパッシベーション層180および/またはゲート絶縁膜140に形成され、複数の画素電極190および複数の接触補助部材81,82がパッシベーション層180の上に形成されている。
(第2実施例−方法)
図12及び図13に示される構造を有する薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施形態によって製造する方法について、図14〜図22、図12及び図13を参照して詳細に説明する。
図16に示すように、ゲート絶縁膜140、真性非晶質シリコン層150、不純物非晶質シリコン層160が層140,150,160のような順になるように、CVDによる蒸着で形成する。アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成される下部導電膜170aとクロム、チタニウム、タンタル、モリブデンおよびこれらの合金のような金属で構成される上部導電膜170bを含む導電層170がスパッタリング法により蒸着され、この導電層170の上にフォトレジスト膜が1-2μmの厚さでコーティングされる。
図16に示すように、フォトレジストは1〜3の異なる厚さでなる複数の部分を含んでいる。配線領域Aに位置する第1部分とチャネル領域Bに位置する第2部分を、それぞれ引用符号52,54により表示し、残りの領域Cに位置する第3部分は、導電層170の下にある部分を露出するためにこれらの厚みをほぼゼロとするもので、これらの部分には引用符号を付していない。第2部分54と第1部分52の厚さの比は、次の処理工程中の処理条件に基づいて調整される。
(1)配線領域A上の導電層170不純物非晶質シリコン層160及び真性非晶質シリコン層150の第3部分を除去、
(2)フォトレジストの第2部分54を除去、
(3)チャンネル領域Bに位置した不純物非晶質シリコン層160と導電層170の第2部分を除去、
(4)フォトレジストの第1部分52を除去する。
(1)導電層170の第3部分を除去、
(2)フォトレジストの第2部分54を除去、
(3)不純物非晶質シリコン層160及び真性非晶質シリコン層150の第3部分を除去、
(4)導電層170の第2部分を除去、
(5)フォトレジストの第1部分52を除去、
(6)不純物非晶質シリコン層160の第2部分を除去する。
図17に示すように、その他の領域Cに露出している導電膜170の第3部分を湿式エッチングまたは乾式エッチングで除去し、その下部の不純物非晶質シリコン層160の第3部分を露出させる。
データ線171とドレイン電極175を含む導電層170の引用符号174で示される部分は互いに接続されおり、下部導電膜および上部導電膜は引用符号174a,174bでそれぞれ示される。乾式エッチングを行う際に、フォトレジスト52、54の上部を取り除くようにエッチングする。
フォトレジストの第2部分54の除去は、不純物非晶質シリコン層160及び真性非晶質シリコン層150の第3部分の除去と同時に行うことができ、また別々に行うこともできる。チャンネル領域Bに残っているフォトレジストの第2部分54の残留物は、アッシング処理で除去する。
導電層170の下部導電膜170a、不純物非晶質シリコン層160および真性非晶質シリコン層150は、連続して乾式エッチングすることによって製造工程を単純化することができる。この場合、同一なエッチングチャンバーで三つの層170、160、150に対する乾式エッチングを連続して行うインシチュー方法で行うことができる。
この場合、不純物線状半導体層164の露出された部分はデータ線171とドレイン電極175をエッチングマスクとして使用してフォトレジスト膜を除去した後に除去される。
このようにして、導電膜174各々が1つのデータ線171と複数のドレイン電極175に分離されて完成され、不純物非晶質シリコン層164も線状オーミック接触層161と複数の島状オーミック接触層165に分離されて完成される。
最後に、図12及び図13に示されるように、複数の画素電極190と複数の接触補助部材81,82が、ITOまたはIZO層をスパッタリングおよびエッチングすることによって、パッシベーション層180上に形成される。
ここで、維持電極線131も外部から共通電圧など信号の伝達を受けるための接触部を有するように構成できる。このような接触部も維持電極線131の一部を露出させるコンタクトホールと、これを介して維持電極線と接続される接触補助部材、及びこれらの間に形成され酸化導電膜からなる接触層とを有する。
ゲート駆動回路を構成する複数の薄膜トランジスタは、複数個の信号線によって電気的に接続されており、このような信号線は、ゲート線121またはデータ線171と同一層からなる導電膜で構成される。この場合にも、信号線は、互いに異なる層に配される導電膜を電気的に接続するための接触部を有する。このような接触部も導電膜の一部を露出させるコンタクトホールと、これを介して導電膜と接続され、画素電極190と同一層からなる接触補助部材、及びこれらの間に形成され、酸化導電膜からなる接触層を有する。
(第3実施例−構造)
上述した実施形態と異なって、液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板に、カラーフィルターを形成することができる。
図23は、本発明の第3実施形態に係る典型的な薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図24は、図23のXVII-XVII'線に沿って切断した断面図である。
図23,24に示すように、この実施形態によるLCDの薄膜トランジスタ表示板の積層構造は、図1、2に示されたものとほぼ同様である。
なお、カラーフィルター230R、230G、230B上に層間絶縁膜801がさらに形成されている。層間絶縁膜801は、カラーフィルター230R、230G、230Bの顔料が画素電極190に流入するのを防ぎ、カラーフィルター230R、230G、230Bを保護するものであって、必要に応じて形成しない場合もある。
(第3実施例−方法)
図23及び図24に示される構造を有する液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施形態によって製造する方法について、図25〜図29を参照して詳細に説明する。
図25及び図27は、第3実施形態による薄膜トランジスタ表示板を製造する方法の中間工程における配置図であり、図26は、図25のXVIIIb-XVIIIb'線に沿って切断した断面図であり、図28は、図27のXIXb-XIXb'線に沿って切断した断面図であり、図29は、図28に続く工程における断面図である。
その後、図25及び図26に示されるように、窒化ケイ素または酸化ケイ素などの無機物質で構成されるパッシベーション層180を蒸着した後、絶縁基板110の上面に、3つの感光膜を順に塗布する。3つのネガティブ感光膜は、光重合開始剤、モノマー、バインダー、その他、および赤、緑、青色顔料を含む光重合感光性組成物で構成される水溶性分散溶液である。これから、感光膜は、カラーフィルター用のマスクを介してそれぞれ現像されて、カラーフィルター230R,230G,230Bが形成される。各カラーフィルター230R,230G,230Bはドレイン電極175を露出する複数のコンタクトホール235を備えている。
その後、コンタクトホール235内部のドレイン電極175およびデータ線171の終端部をそれぞれ露出するための複数のコンタクトホール182,185を形成するために、層間絶縁膜801エッチングする。
最後に、図23及び図24に示されるように、複数の画素電極190および複数の接触補助部材82を形成するために、ITOまたはIZO層をスパッタリングおよびフォトエッチングする。
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属する。
121 ゲート線
124 ゲート電極
131 維持電極線
140 ゲート絶縁膜
151、154 半導体層
161、165 オーミック接触層
700 接触層
171 データ線
173 ソース電極
175 ドレイン電極
190 画素電極
Claims (24)
- 基板上に第1配線を形成する段階と、
前記第1配線を覆い、前記第1配線の一部分を露出させるコンタクトホールを有する絶縁膜を形成する段階と、
前記基板を導電物質を含む化学的転換溶液に浸漬して、前記コンタクトホールによって露出する前記第1配線の表面にタングステン、ジルコニウム、モリブデンまたはクロムの少なくとも1つを含む酸化導電物質からなる接触層を形成する段階と、
前記接触層を介して前記第1配線と接続される第2配線を形成する段階と、
を含み、前記第1配線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成され、前記第2配線は、ITOまたはIZOで形成される接触部形成方法。 - 前記化学的転換溶液は、タングステン、ジルコニウム、モリブデンまたはクロムの少なくとも1つを含む請求項1に記載の接触部形成方法。
- 基板上にゲート線を形成する段階と、
ゲート絶縁膜を形成する段階と、
半導体層を形成する段階と、
オーミック接触層を形成する段階と、
データ線及びドレイン電極を形成する段階と、
前記ドレイン電極を露出させる第1コンタクトホールを有するパッシベーション層を形成する段階と、
前記基板を導電物質を含む化学的転換溶液に浸漬して、前記第1コンタクトホールによって露出する前記ドレイン電極の表面にタングステン、ジルコニウム、モリブデンまたはクロムの少なくとも1つを含む酸化導電物質からなる第1接触層を形成する段階と、
を含む薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 前記化学的転換溶液は、タングステン、ジルコニウム、モリブデンまたはクロムの少なくとも1つを含む請求項3に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記パッシベーション層を形成する段階において、前記データ線またはゲート線の一端部を露出させる第2コンタクトホールを形成する段階を含む請求項3に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記第1接触層を形成する段階において、前記ゲート線または前記データ線の露出した部分上部に第2接触層を形成する請求項5に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記ゲート線と同一層に維持電極線を形成する段階をさらに含む請求項3に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記パッシベーション層を形成する段階において、前記維持電極線の一端部を露出させる第2コンタクトホールを形成する段階を含む請求項6に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記第1接触層を形成する段階において、前記第2コンタクトホールによって露出する前記維持電極線の一端部の表面に第2接触層を形成する段階を含む請求項7に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されている第1配線と、
前記第1配線を覆い、前記第1配線の一部分を露出させるコンタクトホールを有する絶縁膜と、
前記コンタクトホールによって露出する前記第1配線の表面に形成されており、タングステン、ジルコニウム、モリブデン、またはクロムのうちの少なくとも1つを含む酸化導電物質からなる接触層と、
前記絶縁膜上に形成され前記接触層を介して前記第1配線と接続される第2配線と、
を備え、前記第1配線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成されており、前記第2配線は、ITOまたはIZOで形成されている接触部。 - 前記第1配線下に形成されている下部層をさらに含む請求項10に記載の接触部。
- 前記下部層は、クロム、チタニウム、モリブデン、モリブデンタングステン合金の少なくとも1つを含む導電膜で形成されている請求項11に記載の接触部。
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されているゲート線と、
前記ゲート線上を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層と、
前記半導体層と少なくとも一部分が重畳するソース電極を有し、前記ゲート線と交差するデータ線と、
前記半導体層と少なくとも一部分が重畳するドレイン電極と、
前記ドレイン電極及び前記データ線を覆い、前記ドレイン電極を露出させる第1コンタクトホールを有するパッシベーション層と、
前記第1コンタクトホールを介して露出した前記ドレイン電極上部にのみ形成され、タングステン、ジルコニウム、モリブデン、またはクロムのうちの少なくとも1つを含む酸化導電物質からなる第1接触層と、
前記パッシベーション層上に形成され、前記第1接触層を介して前記ドレイン電極と電気的に接続されている画素電極と、
を備える薄膜トランジスタ表示板。 - 前記データ線及び前記ドレイン電極上に形成されているカラーフィルターをさらに有する請求項13に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ゲート線と同一層に形成される維持電極線をさらに有する請求項13に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記維持電極線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成されている請求項15に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記パッシベーション層及び前記ゲート絶縁膜は、維持電極線の一部を露出させる第2コンタクトホールを有し、
前記第2コンタクトホールを介して露出した前記維持電極線の一部の上に形成され、タングステン、ジルコニウム、モリブデン、またはクロムのうちの少なくとも1つを含む酸化導電物質からなる第2接触層と、
前記第2接触層を介して前記維持電極線と電気的に接続される接触補助部材と、
をさらに備える請求項15に記載の薄膜トランジスタ表示板。 - 前記パッシベーション層またはゲート絶縁膜は、ゲート線またはデータ線の一部を露出させる第3コンタクトホールを備え、前記第3コンタクトホールを介して露出されるゲート線またはデータ線の一部の上に形成されてタングステン、ジルコニウム、モリブデン、またはクロムのうちの少なくとも1つを含む酸化導電物質からなる第3接触層と、前記第3接触層を介して露出されるゲート線またはデータ線の一部に接続される接触補助部材とをさらに備える請求項13に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記半導体層と前記データ線及びドレイン電極との間に形成されているオーミック接触層をさらに有する請求項13に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記オーミック接触層は、前記データ線及びドレイン電極と同一の平面パターンを有し、
前記半導体層は、前記ドレイン電極と前記ソース電極との間のチャンネル部を除くデータ線とドレイン電極と同一の平面パターンを有する請求項19に記載の薄膜トランジスタ表示板。 - 前記ゲート線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる導電層を有する請求項13に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記データ線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む第1導電層を有する請求項13に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記データ線は、第1導電層下に形成されている第2導電層をさらに有する請求項22に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記第2導電層は、クロム、チタニウム、モリブデン、モリブデンタングステン合金の少なくとも1つを含む導電膜で形成されている請求項23に記載の薄膜トランジスタ表示板。
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KR102265753B1 (ko) * | 2014-06-13 | 2021-06-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN107209429B (zh) * | 2015-02-12 | 2022-10-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
CN106338866B (zh) * | 2016-10-18 | 2019-08-02 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种液晶面板的焊盘区域结构 |
US10553614B2 (en) | 2018-02-05 | 2020-02-04 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Thin-film transistor array substrate and manufacturing method for the same |
CN108231674A (zh) * | 2018-02-05 | 2018-06-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
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US6656828B1 (en) * | 1999-01-22 | 2003-12-02 | Hitachi, Ltd. | Method of forming bump electrodes |
US6861670B1 (en) | 1999-04-01 | 2005-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having multi-layer wiring |
US6524876B1 (en) * | 1999-04-08 | 2003-02-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
JP3538073B2 (ja) * | 1999-07-29 | 2004-06-14 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | Tftを搭載する基板側に色層を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2001164375A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-19 | Sony Corp | 無電解メッキ浴および導電膜の形成方法 |
TW451447B (en) | 1999-12-31 | 2001-08-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Contact structures of wirings and methods for manufacturing the same, and thin film transistor array panels including the same and methods for manufacturing the same |
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