JP5096006B2 - 接触部及びその製造方法、薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、接触部及びその製造方法、薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に関する。

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）表示板は、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等で各画素を独立的に駆動するための回路基板として用いられる。薄膜トランジスタ表示板は、マトリクス状に配列された複数の画素と、走査信号を伝達するゲート線とデータ信号を伝達するデータ線でなる画素を駆動するための複数の信号線とを含む。各画素は、画素電極、データ信号を制御するデータ線及びゲート線と接続される薄膜トランジスタ（TFT）とを含む。

ここで、ゲート線及びデータ線でなる信号線は、金属物質で形成され、画素電極は、通常、透明な導電物質であるＩＴＯ（indium thin oxide）、ＩＺＯ（indium zinc oxide）などで形成されている。液晶表示装置のＩＴＯ及びＩＺＯは、ゲート線及びデータ線が外部の駆動回路と接続される際に、接触信頼度を確保するための接触補助膜として用いられることもある。

信号の遅延及びゆがみなどを防止するために、信号線を低抵抗金属であるアルミニウム、アルミニウム合金などを使用して形成することが通常行われる。 しかしながら、接触部において他の導電物質と接触する際に、半導体デバイスの特性が劣化するのに従って、アルミニウムまたはアルミニウム合金が酸化および破壊され易く、アルミニウムまたはアルミニウム合金の物理的および化学的特性が良好ではない。さらに、ＩＴＯ及びＩＺＯは、アルミニウムの部分との接触を強化するために、液晶表示装置の透明電極として用いられる。しかしながら、アルミニウムまたはアルミニウム合金とＩＴＯまたはＩＺＯとの間の接触特性が良好でないことから、これらの間に、Ti、Cr、Moのような異なる物質を挿入することが行われる。したがって、製造方法が複雑となり、製造コストが増加する。 さらに、良好な接触特性を有する物質の層を露出するために、接触部におけるアルミニウムを除去する際に、接触部の側壁の下の金属を構成するアルミニウムを過度にエッチングすることによるアンダーカットがしばしば生じる。このアンダーカットは、接触部の接触抵抗を増加することで、アンダーカット近傍のその後に形成された層の接触不良または形状不良を生じさせる。

本発明の目的は、低抵抗の導電物質からなる信号線を用いることにより、良好な接触特性を備える接触構造およびその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、良好な接触特性を有する接触構造を備える薄膜トランジスタ表示板およびその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、液晶表示板のための薄膜トランジスタパネルの簡素な製造方法を提供することにある。

前記目的を達成するための本発明による接触部形成方法は、基板上に第１配線を形成する段階、第１配線を覆い、第１配線の一部分を露出させるコンタクトホール（接触孔）を有する絶縁膜を形成する段階、コンタクトホールによって露出する第１配線の表面に接触層を形成する段階、接触層を介して第１配線と接続される第２配線を形成する段階を含み、第１配線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成し、第２配線はＩＴＯまたはＩＺＯで形成する。

前記基板は、接触層を形成するために、導電物質を含む化学的転換溶液に浸漬することができる。
この時、化学的転換溶液は、タングステン、ジルコニウム、モリブデンまたはクロムの少なくとも１つを含むことが好ましい。
本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上にゲート線を形成する段階、ゲート絶縁膜を形成する段階、半導体層を形成する段階、オーミック接触層を形成する段階、データ線及びドレイン電極を形成する段階、ドレイン電極を露出させるコンタクトホールを有するパッシベーション層を形成する段階、コンタクトホールによって露出するドレイン電極の表面に接触層を形成する段階を含む。

前記基板、接触層を形成するために、導電物質を含む化学的転換溶液に浸漬することができる。
そして、化学的転換溶液は、タングステン、ジルコニウム、モリブデンまたはクロムの少なくとも１つを含むことが好ましい。
また、保護膜を形成する段階において、データ線またはゲート線の少なくとも一つの線の一端部を露出させるコンタクトホールを形成する段階を含むことが好ましい。

パッシベーション層を形成する段階において、データ線またはゲート線の一端部を露出させる第２コンタクトホールを形成することができ、第１接触層を形成する段階において、ゲート線またはデータ線の露出した部分上部に第２接触層を形成することもできる。
この方法では、ゲート線と同一層に維持電極線を形成する段階をさらに含むように構成できる。

この方法はさらに、パッシベーション層を形成する段階において、維持電極線の一端部を露出させる第２コンタクトホールを形成する段階を含むように構成でき、第１接触層を形成する段階において、第２コンタクトホールによって露出する維持電極線の一端部の表面に第２接触層を形成する段階を含むように構成できる。
本発明による接触部は、基板、基板上に形成されている第１配線、第１配線を覆い、第１配線の一部分を露出させるコンタクトホールを有する絶縁膜、コンタクトホールによって露出する第１配線の表面に形成されている接触層、絶縁膜上に形成され、接触層を介して第１配線と接続される第２配線とを備えている。ここで、第１配線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成され、第２配線は、ＩＴＯまたはＩＺＯで形成されている。

接触層は、タングステン、ジルコニウム、モリブデン、クロムまたはこれらを含む合金の１つを含むことが好ましい。
接触部は、第１配線下に形成されている下部金属配線をさらに含むことができ、下部層は、クロム、チタニウム、モリブデン、モリブデンタングステン合金の少なくとも１つを含む導電膜で形成することが好ましい。

本発明による薄膜トランジスタ表示板は、絶縁基板、絶縁基板上を覆うゲート線、ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層、半導体層と少なくとも一部分が重畳するソース電極を有しゲート線と交差するデータ線、半導体層と少なくとも一部分が重畳するドレイン電極、ドレイン電極及びデータ線を覆い、ドレイン電極を露出させる第１コンタクトホールを有するパッシベーション層、第１コンタクトホールを介して露出したドレイン電極上部にのみ形成されており、酸化導電膜からなる第１接触層、パッシベーション層上に形成され第１接触層を介してドレイン電極と電気的に接続されている画素電極を備える。

この表示板は、データ線及びドレイン電極上に形成されているカラーフィルターをさらに有するように構成できる。
この表示板は、ゲート線と同一層に形成される維持電極線をさらに有するように構成できる。
維持電極線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成されることが好ましい。

パッシベーション層及びゲート絶縁膜は、維持電極線の一部を露出させる第２コンタクトホールを有し、表示板は、コンタクトホールを介して露出した維持電極線の一部上に形成された第２接触層、第２接触層を介して維持電極線と電気的に接続される接触補助部材をさらに有するように構成できる。
パッシベーション層とゲート絶縁層は、維持電極線の一部を露出させる第２コンタクトホールを有し、コンタクトホールを介して露出した維持電極線の一部上に形成された第２接触層、第２接触層を介して維持電極線と電気的に接続される接触補助部材をさらに有するように構成できる。
この表示板は、半導体層とデータ線及びドレイン電極の間に形成されているオーミック接触層をさらに有するように構成でき、オーミック接触層は、データ線及びドレイン電極と同一の平面パターンを有し、半導体層は、ドレイン電極とソース電極の間のチャンネルを除くデータ線とドレイン電極と同一の平面パターンを有することが好ましい。

また、第１接触層は、タングステン、ジルコニウム、モリブデン、クロムまたはこれらを含む合金の１つを含むことが好ましい。
また、データ線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第１導電層を有する構成とすることでき、データ線は第１導電層の下に形成される第２導電層をさらに備える構成とすることができる。 第２導電層は、クロム、チタニウム、モリブデン、モリブデンタングステン合金の少なくとも１つを有する導電膜が形成されていることが好ましい。

本発明の実施携帯による薄膜トランジスタ表示板によれば、低抵抗であるアルミニウムまたはアルミニウム合金により構成される信号線の使用を容易にすることができ、高品質の薄膜トランジスタ表示板を提供することができる。

以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態を、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一な参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。

以下、本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法について図面を参照して詳細に説明する。
（第１実施例）
図１は、本発明の一実施形態に係るＬＣＤのための典型的な薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図２は、図１の薄膜トランジスタ表示板のII-II'線に沿って切断した断面図である。

ガラスまたは柔軟性を有する透明な絶縁物質などからなる透明な絶縁基板１１０上に、ゲート信号を伝達する複数のゲート線１２１と複数の維持電極線１３１が形成されている。
各ゲート線１２１はほぼ横方向に延びており、各ゲート線の複数の部分が薄膜トランジスタの複数のゲート電極１２４を形成している。各ゲート電極１２４は、様々な形状に変形されゲート線１２１からの突出部とすることもできる。

各維持電極線１３１はほぼ横方向に延びている。各維持電極線１３１は、維持電極を形成する複数の突出部を含むことができる。この維持電極線１３１は共通電圧のような所定電圧が供給され、ＬＣＤの共通電極パネル（図示せず）の共通電極とすることができる。 ゲート線１２１、維持電極線１３１は、好ましくは信号遅延または電圧降下を防ぐために、アルミニウムやアルミニウム合金などのようなアルミニウムを含む低抵抗の金属で構成することが好ましい。

そして、ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には、窒化ケイ素（SiNx）などからなるゲート絶縁膜１４０を形成することが好ましい。
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンはa-Siと略称する）などからなる複数の線状半導体層１５１が形成されている。各線状半導体層１５１は、主に縦方向に延びており、ここからゲート電極１２４まで拡大形成されている複数の突出部１５４を有する。各線状半導体層１５１の幅は、ゲート線１２１の多くの領域を覆うように、ゲート線１２１の近傍になるに従って大きく形成されている。 半導体層１５１上には、シリサイドまたはn型不純物が高濃度にドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどの物質からなる複数の線状及び島状オーミック接触層１６１、１６５が形成されている。線状オーミック接触層１６１は、複数の突出部１６３を有しており、この突出部１６３と島状接触層１６５は対をなして半導体層１５１の突出部１５４上に位置する。

半導体層１５１とオーミック接触層１６１、１６５の側面が傾斜しており、これらの傾斜角は３０〜８０°の範囲であることが好ましい。
複数のデータ線１７１および複数のドレイン電極は、それぞれ分離されてオーミック接触層１６１，１６５とゲート絶縁層１４０の上に形成される。
データ電圧を伝達するデータ線１７１はほぼ縦方向に延びており、ゲート線１２１および維持電極線１３１と交差している。

各ドレイン電極１７５はオーミック接触層１６５の上に配置され、データ線１７１と分離されている。ドレイン電極１７５は、ゲート電極１２４に関してデータ線１７１の部分と反対側に配置され、維持電極線１３１に重畳している。
データ線１７１はドレイン電極１７５の反対側に配置されるソース電極１７３を形成する突出部のような複数の突出部を備えている。線状半導体層１５１の突出部１５４に沿ったゲート電極１２４、ソース電極１７３、ドレイン電極１７５の各セットは、ソース電極１７３とドレイン電極１７５の間に配置される半導体突出部１５４中に形成されるチャネルを有するＴＦＴを構成する。オーミック接触層１６１、１６５は、その下部の半導体層１５１とその上部のデータ線１７１及びドレイン電極１７５の間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする役割を果たす。線状半導体層１５１は、データ線１７１およびドレイン電極１７５で覆われない複数の露出部分を含み、このような部分はソース電極１７３とドレイン電極１７５の間に配置される。線状半導体層１５１の大部分はデータ線より幅が狭いが、ゲート線の近傍において、表面形状を滑らかにし、データ線１７１の断線を防止するために、上述したように線状半導体層１５１の幅が大きくなっている。線状半導体層１５１の一部は維持電極線１３１上に延長することもできる。

このとき、データ線１７１は、他の層または外部デバイスと接続するための拡大領域を有する終端部を備えている。
データ線１７１とドレイン電極１７５はアルミニウムやアルミニウム合金などのような材質で形成されている。
データ線１７１、ドレイン電極１７５及び露出した線状半導体層１５４上には、パッシベーション層１８０が形成されており、このパッシベーション層はデータ線１７１およびドレイン電極１８５を覆っている。

パッシベーション層１８０は、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）で形成されるa-Si:C:O、a-Si:O:Fなどの低誘電率絶縁物質、平坦化特性が優れてかつ感光性を有する有機物質、、または窒化ケイ素や酸化ケイ素のような無機絶縁物で形成される。
パッシベーション層１８０は、線状半導体層１５１のチャネル部が有機物と直接接触しないように、下部無機フィルムと上部有機フィルムを含む２重層構造とすることができる。

パッシベーション層１８０は、それぞれデータ線１７１の終端部およびドレイン電極１７５を露出するための複数のコンタクトホール１８２，１８５を備えている。パッシベーション層１８０とゲート絶縁層１４０は、ゲート線１２１の終端部分を露出する複数のコンタクトホール１８１を備えている。コンタクトホール１８２，１８４，１８５は、多角形または円形のように種々の形状に形成することができる。コンタクトホール１８２，１８４，１８５の側壁は、約30-85°の角度で傾斜しているか、あるいは階段状に形成されている。

データ線１７１、ドレイン電極１８５、ゲート線１２１のそれぞれコンタクトホール１８１，１８２，１８５を介して露出している部分には、複数の接触層７００が形成されている。接触層７００は、データ線１７１、ドレイン電極１７５、ゲート線１２１のアルミニウム層がコンタクトホール１８１，１８２，１８５を介して空気中に露出することを防止するものであり、データ線１７１、ドレイン電極１７５、ゲート線１２１のこのような部分は腐食されることがなくなる。

接触層７００は他の物質との良好な接触特性を有する物質で構成され、例えばジルコニウム（Zr）、モリブデン（Mo）、タングステン（W）、クロム（Cr）などを含む酸化導電物質からなるＩＴＯ、ＩＺＯと接触特性が優れた導電物質であることがさらに好ましい。
前記接触層７００は、ゲート線１２１、データ線１７１、ドレイン電極１７５のうちコンタクトホールを介して露出した上部にのみ形成されており、コンタクトホール１８１，１８２，１８５と同一の境界線を有する。

パッシベーション層１８０上には、接触補助部材８１、８２と共にＩＴＯまたはＩＺＯからなる複数の画素電極１９０が形成されている。
好ましくは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電物質またはアルミニウムや銀などの光反射性導電物質で形成される複数の画素電極１９０および複数の接触補助部材８１，８２がパッシベーション層１８０上に形成される。

画素電極１９０は、コンタクトホール１８５を介してドレイン電極１７５と物理的・電気的に接続されてドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧が印加された画素電極１９０は、他の表示板の共通電極（図示せず）と共に電場を生成することによって、二つの電極の間の液晶分子を再配列する。
そして、画素電極１９０は、共通電圧のような一定の電圧が印加される維持電極線１３１の間にストレージキャパシタを形成する。このストレージキャパシタは維持電極線１３１と画素電極１９０の重畳により構成される。ストレージキャパシタのキャパシタンスは、ドレイン電極１７５と維持電極線１３１との重畳により増加する。

低誘電率有機物質を含むようにパッシベーション層１８０を形成する場合、画素電極１９０を隣接するゲート線１２１及びデータ線１７１と一部分重畳して、開口率を向上させることができる。
接触補助部材８１、８２は、各々コンタクトホール１８１、１８２を介して各々ゲート線１２１及びデータ線１７１の一端部と接触層７００を介して電気的に接続される。

接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１及びデータ線１７１と外部の駆動回路との接着性を補完するものであって、特に、チップの形態で基板１１０またはフレキシブル回路基板（図示せず）上に装着される際に必要なもので、駆動回路が基板１１０上に直接薄膜トランジスタなどによって作られる場合には、ゲート線１２１またはデータ線１７１の端部が直接駆動回路の出力端に接続される。
（第１実施例−方法）
以下、図１及び図２に示す液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施形態によって製造する方法について、図３〜図７及び図１及び図２を参照して詳細に説明する。

図３、図５、図７及び図９は、図１および図２に示された薄膜トランジスタ表示板を製造する方法の中間工程における配置図であり、図４、６、８、１０は、それぞれ、図３，５，７，９に示される薄膜トランジスタ表示板のIIIb-IIIb'線、IVb-IVb'線、Vb-Vb'線、VIb-VIb'線に沿って切断した断面図であり、図１１は、図１０に続く工程における断面図である。

導電膜は透明ガラスのような絶縁基板１１０上にスパッタリング法で蒸着される。導電膜はアルミニウムまたはアルミニウム合金のようなアルミニウム含有金属で構成することが好ましい。
図３および図４に示すように、導電膜は複数のゲート電極１２４を含むゲート線１２１および複数の維持電極線１３１を形成するためにパターニングされる。

次に、図５及び図６に示すように、ゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層、不純物非晶質シリコン層の蒸着工程の後、複数の線状不純物半導体１６４と複数の突出部１５４をゲート絶縁膜１４０上に形成するために、不純物非晶質シリコン層、真性非晶質シリコン層をフォトエッチングする。
下部導電膜と上部導電膜でなる２つの導電膜が、順にスパッタリング法で蒸着される。下部導電膜は、例えばクロム（Cr）、チタニウム（Ti）、タンタル（Ta）、モリブデン（Mo）及びこれらの合金（例：モリブデン-タングステン（MoW）合金）などで構成されることが好ましく、その厚さは約５００Åとすることが好ましい。上部導電膜は、約２５００Åの厚さにすることが好ましく、上部導電膜のスパッタリングターゲットとして純粋なアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む。 図７および図８に示すように、上部導電膜と下部導電膜は、それぞれウェットエッチングおよびドライエッチングを行うか、あるいは両方の導電膜をウェットエッチングすることにより、複数のソース電極１７３を含む複数のデータ線１７１および複数のドレイン電極１７５を形成する。下部導電膜をモリブデンまたはモリブデン合金で形成する場合、上部導電膜および下部導電膜は、同一のエッチング条件でエッチング処理を行うことができる。上部導電膜１７１ｂ、１７５ｂを含むデータ線１７１とドレイン電極１７５は、純アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成され、下部導電膜１７１ａ，１７５ａは、チタニウム、タンタル、モリブデン、モリブデン合金またはクロムなどで構成される。

次に、データ線１７１とドレイン電極１７５で覆われない不純物線状半導体層１６４の一部を除去して、複数の突出部１６３と複数のオーミック接触アイランド１６５を含む複数のオーミック接触線状半導体層１６１を完成し、真性線状半導体層１５１の一部を露出する。線状半導体層１５１の露出した表面を平滑化するために、この後酸素プラズマ処理を施すことが好ましい。

次に、a-Si:C:O、a-Si:O:Fなどの低誘電率絶縁物質のPECVDにより、あるいは平坦化特性が優れてかつ感光性を有する有機絶縁物をコーティングすることにより、窒化ケイ素を蒸着するしてパッシベーション層１８０を形成する。図９及び図１０に示すように、ゲート絶縁膜１４０と同様にして、パッシベーション層１８０をフォトエッチングすることによって、複数のコンタクトホール１８１，１８２，１８５を形成する。感光性を有する有機物質でパッシベーション層１８０を形成する場合には、感光膜パターンを形成しないで、パッシベーション層１８０を光マスクとして用いて露光した後、現像する。

次に、図１１に示すように、基板１１０を化学的転換溶液（chemical conversion solution）に浸漬してコンタクトホール１８１、１８２、１８５によって露出するゲート線１２１及びデータ線１７１の一端部とドレイン電極１７５の一部の上に接触層７００を形成する。化学的転換溶液は、ジルコニウム（Zr）、モリブデン（Mo）、クロム（Cr）、タングステン（W）などの金属物質を含むことが好ましい。

パッシベーション層１８０をパターニングしてコンタクトホール１８１、１８２、１８５を形成した後、ゲート線１２１、データ線１７１およびドレイン電極１７５の露出された部分には、空気中に露出した状態となることから、アルミニウム酸化膜が形成される。アルミニウム酸化膜は、他の連続する層との電気的接触特性を劣化させる。
次に、基板１１０を化学的転換溶液に浸漬すれば、アルミニウム酸化膜内のアルミニウムが化学的転換溶液内のタングステン（W）、ジルコニウム（Zr）、モリブデン（Mo）、クロム（Cr）のような金属物質と置換反応する。したがって、タングステン、ジルコニウム、モリブデン、クロムを含む接触層７００が、ゲート線１２１およびデータ線１７１の終端部、ドレイン電極１７５の一部に形成され、酸化アルミニウム層は除去される。

接触層７００は、酸化導電膜であり、例えば、酸化ジルコニウム、酸化タングステン、酸化クロムなどからなる。一例として、酸化ジルコニウム、酸化タングステンまたは酸化クロムのような化学的転換溶液に含まれた金属によって主成分が変わる。たとえば、酸化ジルコニウムからなる接触層７００を形成するためには、Na２ZrO４、NaWO３、F-を含む化学的転換溶液を用いる。

接触層７００は、コンタクトホール１８１、１８２、１８５を形成した後に形成するので、コンタクトホール１８１、１８２、１８５と同一の平面パターンを有する。
次に、図１及び図２に示すように、保護膜１８０上にＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質を500Å〜1500Åの厚さで蒸着形成し、フォトエッチングして、複数の画素電極１９０と、複数の接触補助部材８１，８２を形成する。このとき、画素電極１９０と接触補助部材８１、８２は、接触層７００と直接接触し、ドレイン電極１７５と、ゲート線１２１およびデータ線１７１の終端部と、それぞれ接触層７００を介して接続される。

本発明の１実施形態の薄膜トランジスタ表示板において、ゲート線１２１及びデータ線１７１のような信号線を低抵抗を有するアルミニウムを用いて形成する場合、他の導電膜を追加して多層構造に形成しなくて済むので、接触層７００を形成する際の製造工程を単純化することができる。これにより、薄膜トランジスタ表示板の大面積化及び高精細化に対応できる信号線を容易に形成することができる。

また、アルミニウムを用いるときに信号線を多層に形成しなくて済むので、基板が配線方向にストレスを受けて基板が曲がったりする問題点を最小に抑えることができる。
また、コンタクトホール１８１，１８２，１８５にアンダーカットがなく、接触部における接触不良を防止できる。これから、接触部の信頼性を改善でき、接触部の接触抵抗を最小にできる。

ここで、酸化ジルコニウムの厚さは０．２μｍ未満であり、接触層は３５，０００ohm/cm２程度の低い面抵抗を有する。
（第２実施例-構造）
本発明の他の実施形態によるＬＣＤのための薄膜トランジスタ表示板を、図１２および図１３に基づいて説明する。

図１２は、本発明の他の実施形態による典型的なＬＣＤのための薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図１３は、図１２のIX-IX'線に沿って切断した断面図である。
図１２及び図１３に示すように、この実施形態によるＬＣＤのための薄膜トランジスタ表示板の積層構造は、図１及び図２とほぼ同様である。即ち、基板１１０上に複数のゲート電極１２４を含む複数のゲート線１２１及び維持電極線１３１が形成され、ゲート絶縁膜１４０、複数の突出部１５４を含む複数の線状半導体層１５１、複数の突出部１６３と複数のオーミック接触アイランド１６５を含む複数のオーミック線状接触部１６１がその上に順に形成されている。複数のソース電極１７３および複数のドレイン電極１７５を含むデータ線１７１がオーミック接触部１６１，１６５上に形成されており、その上にパッシベーション層１８０が形成されている。複数のコンタクトホール１８１，１８２，１８５がパッシベーション層１８０および／またはゲート絶縁膜１４０に形成され、複数の画素電極１９０および複数の接触補助部材８１，８２がパッシベーション層１８０の上に形成されている。

図１および図２に示される薄膜トランジスタ表示板とは異なり、線状半導体層１５１はその下にあるオーミック接触層１６１，１６５と同様に、ＴＦＴが設けられる突出部１５４を除くデータ線１７１およびドレイン電極１７５とほぼ同一の平面形状を有している。すなわち、線状半導体層１５１は、データ線１７１およびドレイン電極１７５で覆われていないいくつかの露出した部分を含んでおり、このような部分はソース電極１７３およびドレイン電極１７５の間に位置している。
（第２実施例−方法）
図１２及び図１３に示される構造を有する薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施形態によって製造する方法について、図１４〜図２２、図１２及び図１３を参照して詳細に説明する。

図１４、図１８及び図２０は、本発明の他の実施形態による薄膜トランジスタ表示板を製造する方法の中間工程における配置図であり、図１５は、図１４のXb-Xb'線に沿って切断した断面図であり、図１６は、図１５に続く工程における断面図であり、図１７は、図１６に続く工程における断面図であり、図１９は、図１８のXIIIb-XIIIb'線に沿って切断した断面図であり、図２１は、図２０のXIVb-XIVb'線に沿って切断した断面図であり、図２２は、図２１に続く工程における断面図である。

まず、図１４及び図１５に示されるように、複数のゲート電極１２４を含む複数のゲート線１２１および複数の維持電極線１３１をフォトエッチングにより基板１１０上に形成する。
図１６に示すように、ゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層１５０、不純物非晶質シリコン層１６０が層１４０，１５０，１６０のような順になるように、ＣＶＤによる蒸着で形成する。アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成される下部導電膜１７０ａとクロム、チタニウム、タンタル、モリブデンおよびこれらの合金のような金属で構成される上部導電膜１７０ｂを含む導電層１７０がスパッタリング法により蒸着され、この導電層１７０の上にフォトレジスト膜が1-2μｍの厚さでコーティングされる。

フォトレジスト膜は露光マスク（図示せず）を介して露光され、現像されたフォトレジストが位置に応じた厚さとなるように現像される。
図１６に示すように、フォトレジストは１〜３の異なる厚さでなる複数の部分を含んでいる。配線領域Ａに位置する第１部分とチャネル領域Ｂに位置する第２部分を、それぞれ引用符号５２，５４により表示し、残りの領域Ｃに位置する第３部分は、導電層１７０の下にある部分を露出するためにこれらの厚みをほぼゼロとするもので、これらの部分には引用符号を付していない。第２部分５４と第１部分５２の厚さの比は、次の処理工程中の処理条件に基づいて調整される。

フォトレジストの位置に基づく厚さは、種々の技術により実現でき、たとえば、露光マスクに透光領域および遮光領域とともに半透明領域を設けることにより実現できる。半透明領域には、スリットパターン、格子パターン、または透過率が中間であるか厚さが中間である薄膜が備えられる。スリットパターンを用いる場合には、スリットの幅やスリット間の間隔がフォト工程に用いられる露光器の分解能（resolution）より小さいことが好ましい。他の例としては、リフローが可能な感光膜を用いることである。即ち、透明領域と遮光領域のみを有する通常のマスクにリフロー可能な感光膜パターンを形成した後、リフローさせて、感光膜が残留しない領域に流れるようにして薄い部分を形成する。

適切な工程条件を与えれば、感光膜パターン５２、５４の肉厚差のため、下部層を選択的にエッチングすることができる。このように、一連のエッチング工程により、図１８及び図１９に示すような複数のソース電極１７３を各々有する複数のデータ線１７１及び複数のドレイン電極１７５を形成し、複数の突出部１６３を各々有する複数の線状オーミック接触層１６１及び複数の線状オーミック接触層１６５、並びに複数の突出部１５４を有する複数の線状半導体層１５１を形成する。

説明上、配線が形成される部分の導電膜１７０、不純物非晶質シリコン層１６０、真性非晶質シリコン層１５０の部分を配線部分Ａとし、チャンネルが形成される部分に位置した不純物非晶質シリコン層１６０、真性非晶質シリコン層１５０の部分をチャンネル部分Ｂとし、チャンネル及び配線部分を除いた領域に位置する不純物非晶質シリコン層１６０、真性非晶質シリコン層１５０の部分をその他の部分Ｃとする。

このような構造を形成する工程順は、以下のとおりである。
（１）配線領域Ａ上の導電層１７０不純物非晶質シリコン層１６０及び真性非晶質シリコン層１５０の第３部分を除去、
（２）フォトレジストの第２部分５４を除去、
（３）チャンネル領域Ｂに位置した不純物非晶質シリコン層１６０と導電層１７０の第２部分を除去、
（４）フォトレジストの第１部分５２を除去する。

その他の方法として、
（１）導電層１７０の第３部分を除去、
（２）フォトレジストの第２部分５４を除去、
（３）不純物非晶質シリコン層１６０及び真性非晶質シリコン層１５０の第３部分を除去、
（４）導電層１７０の第２部分を除去、
（５）フォトレジストの第１部分５２を除去、
（６）不純物非晶質シリコン層１６０の第２部分を除去する。

ここでは、第１の例について説明する。
図１７に示すように、その他の領域Ｃに露出している導電膜１７０の第３部分を湿式エッチングまたは乾式エッチングで除去し、その下部の不純物非晶質シリコン層１６０の第３部分を露出させる。
データ線１７１とドレイン電極１７５を含む導電層１７０の引用符号１７４で示される部分は互いに接続されおり、下部導電膜および上部導電膜は引用符号１７４ａ，１７４ｂでそれぞれ示される。乾式エッチングを行う際に、フォトレジスト５２、５４の上部を取り除くようにエッチングする。

次に、領域Ｃに位置した不純物非晶質シリコン層１６０の第３部分及びその下部の真性非晶質シリコン層１５０を好ましくはドライエッチングにより除去すると共に、フォトレジストの第２部分５４を除去して下部の導電膜１７４を露出させる。
フォトレジストの第２部分５４の除去は、不純物非晶質シリコン層１６０及び真性非晶質シリコン層１５０の第３部分の除去と同時に行うことができ、また別々に行うこともできる。チャンネル領域Ｂに残っているフォトレジストの第２部分５４の残留物は、アッシング処理で除去する。

この段階で半導体層１５１が完成し、オーミック接触線状部およびアイランド１６１，１６５を含む不純物非晶質シリコン層１６０の引用符号１６４で表示される部分と互いに接続され、不純物線状半導体層と呼ばれる。
導電層１７０の下部導電膜１７０ａ、不純物非晶質シリコン層１６０および真性非晶質シリコン層１５０は、連続して乾式エッチングすることによって製造工程を単純化することができる。この場合、同一なエッチングチャンバーで三つの層１７０、１６０、１５０に対する乾式エッチングを連続して行うインシチュー方法で行うことができる。

次に、図１８及び図１９に示されるように、チャンネル部分Ｂに位置した導電膜１７４及び不純物非晶質シリコン層１６４の第２部分を、フォトレジストの第１部分５２とともにエッチングして除去する。
この場合、不純物線状半導体層１６４の露出された部分はデータ線１７１とドレイン電極１７５をエッチングマスクとして使用してフォトレジスト膜を除去した後に除去される。

この時、チャネル領域Ｂ上の真性線状半導体層１５１の突出部１５４の上部は、厚みを減少させるために除去することも可能である。
このようにして、導電膜１７４各々が１つのデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５に分離されて完成され、不純物非晶質シリコン層１６４も線状オーミック接触層１６１と複数の島状オーミック接触層１６５に分離されて完成される。

次に、図２０及び図２１に示されるように、窒化シリコン膜のＣＶＤによる形成、アクリル有機絶縁膜のコーチングによる形成、またはa-Si:C:O、a-Si:O:Fなどの低誘電率絶縁物質のＰＥＣＶＤによる形成により、パッシベーション層１８０が形成される。 次に、パッシベーション層１８０およびゲート絶縁層１４０は、コンタクトホール１８１，１８２、１８５を形成するためにエッチングされる。

図２２に示すように、コンタクトホール１８１，１８２、１８５によって露出されるゲート線１２１及びデータ線１７１の一端部とドレイン電極１７５上に複数の接触層７００を形成するために、前述した実施例と同様の方法で絶縁基板１１０を化学的転換溶液に浸漬する。
最後に、図１２及び図１３に示されるように、複数の画素電極１９０と複数の接触補助部材８１，８２が、ＩＴＯまたはＩＺＯ層をスパッタリングおよびエッチングすることによって、パッシベーション層１８０上に形成される。

なお、低誘電率の有機膜を有するパッシベーション層１８０を形成する場合には、画素電極１９０をデータ線１７１上部まで拡大して形成可能であるため、画素の開口率が向上される。
ここで、維持電極線１３１も外部から共通電圧など信号の伝達を受けるための接触部を有するように構成できる。このような接触部も維持電極線１３１の一部を露出させるコンタクトホールと、これを介して維持電極線と接続される接触補助部材、及びこれらの間に形成され酸化導電膜からなる接触層とを有する。

一方、ゲート線１２１に駆動信号を印加するためのゲート駆動回路は、複数個の薄膜トランジスタを有する。このようなゲート駆動回路は、画素領域の薄膜トランジスタを製造する工程によって共に基板１１０上部に形成することができ、画素領域の薄膜トランジスタとゲート駆動回路の薄膜トランジスタは、殆ど同一の積層構造を有する。
ゲート駆動回路を構成する複数の薄膜トランジスタは、複数個の信号線によって電気的に接続されており、このような信号線は、ゲート線１２１またはデータ線１７１と同一層からなる導電膜で構成される。この場合にも、信号線は、互いに異なる層に配される導電膜を電気的に接続するための接触部を有する。このような接触部も導電膜の一部を露出させるコンタクトホールと、これを介して導電膜と接続され、画素電極１９０と同一層からなる接触補助部材、及びこれらの間に形成され、酸化導電膜からなる接触層を有する。
（第３実施例−構造）
上述した実施形態と異なって、液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板に、カラーフィルターを形成することができる。

このような本発明の実施形態による薄膜トランジスタ表示板を、図２３及び図２４を参照して、詳細に説明する。
図２３は、本発明の第３実施形態に係る典型的な薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図２４は、図２３のXVII-XVII'線に沿って切断した断面図である。
図２３，２４に示すように、この実施形態によるＬＣＤの薄膜トランジスタ表示板の積層構造は、図１、２に示されたものとほぼ同様である。

前述した実施形態と異なる点は、データ線１７１およびドレイン電極１７５を覆うパッシベーション層１８０の上にカラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bが形成されている。カラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bは、２つの隣接するデータ線１７１の中間に位置し、縦方向に延長されている。カラーフィルター２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂは、ゲート線１２１およびデータ線１７１によって区画される各画素領域に沿って配列される複数のカラーフィルターに分割されている。隣接するカラーフィルター２３０Ｒ，２３０Ｇ，２３０Ｂの端部は正確に整合しており、画素領域間からの光の漏出を遮断するために互いに重畳している。３つのカラーフィルターは、データ線１７１の画素領域間で互いに重畳している。

赤、緑、青のカラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bは、外部回路と接合するゲート線１２１またはデータ線１７１の端部には形成されない。
なお、カラーフィルター２３０R、２３０G、２３０B上に層間絶縁膜８０１がさらに形成されている。層間絶縁膜８０１は、カラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bの顔料が画素電極１９０に流入するのを防ぎ、カラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bを保護するものであって、必要に応じて形成しない場合もある。

このように、カラーフィルターが薄膜トランジスタ表示板に形成されることによって、上部表示板にブラックマトリックスを薄膜トランジスタと対応する部分にのみ形成し、画素の開口率を向上させることができる。
（第３実施例−方法）
図２３及び図２４に示される構造を有する液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施形態によって製造する方法について、図２５〜図２９を参照して詳細に説明する。
図２５及び図２７は、第３実施形態による薄膜トランジスタ表示板を製造する方法の中間工程における配置図であり、図２６は、図２５のXVIIIb-XVIIIb'線に沿って切断した断面図であり、図２８は、図２７のXIXb-XIXb'線に沿って切断した断面図であり、図２９は、図２８に続く工程における断面図である。

まず、第１実施形態の図３〜図８に示されるように、透明な絶縁基板１１０上に複数のゲート線１２１、複数の維持電極線１３１、ゲート絶縁膜１４０、複数の半導体層１５１、オーミック接触層１６１、１６５、複数のソース電極１７３を含む複数のデータ線１７１、複数のドレイン電極１７５を形成する。
その後、図２５及び図２６に示されるように、窒化ケイ素または酸化ケイ素などの無機物質で構成されるパッシベーション層１８０を蒸着した後、絶縁基板１１０の上面に、３つの感光膜を順に塗布する。３つのネガティブ感光膜は、光重合開始剤、モノマー、バインダー、その他、および赤、緑、青色顔料を含む光重合感光性組成物で構成される水溶性分散溶液である。これから、感光膜は、カラーフィルター用のマスクを介してそれぞれ現像されて、カラーフィルター２３０Ｒ，２３０Ｇ，２３０Ｂが形成される。各カラーフィルター２３０Ｒ，２３０Ｇ，２３０Ｂはドレイン電極１７５を露出する複数のコンタクトホール２３５を備えている。

次に、図２７及び図２８に示されるように、カラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bの上部に４．０以下の低誘電率を有する有機物質を塗布したり、a-Si:C:O、a-Si:O:Fなどの低誘電率絶縁物質をPECVDにより蒸着して、層間絶縁膜８０１を形成する。
その後、コンタクトホール２３５内部のドレイン電極１７５およびデータ線１７１の終端部をそれぞれ露出するための複数のコンタクトホール１８２，１８５を形成するために、層間絶縁膜８０１エッチングする。

次に、図２９に示されるように、絶縁基板１１０を化学的転換溶液に浸漬して、データ線１７１の終端部分とドレイン電極１７５の一部の上に複数の接触層７００を、前述の実施例と同様にして形成する。
最後に、図２３及び図２４に示されるように、複数の画素電極１９０および複数の接触補助部材８２を形成するために、ＩＴＯまたはＩＺＯ層をスパッタリングおよびフォトエッチングする。

以上のように、本発明のような接触層を形成することにより、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む配線の使用を容易にすることができる。その結果、高品質の薄膜トランジスタ表示板を提供する。
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属する。

本発明の第１実施形態による薄膜トランジスタ表示板の配置図である。 図１のII-II'線に沿って切断した断面図である。 第１実施形態による薄膜トランジスタ表示板を製造する方法の中間工程における配置図である。 IIIb-IIIb'線に沿って切断した断面図である。 第１実施形態による薄膜トランジスタ表示板を製造する方法の中間工程における配置図である。 図５のIVb-IVb'線に沿って切断した断面図である。 第１実施形態による薄膜トランジスタ表示板を製造する方法の中間工程における配置図である。 図７のVb-Vb'線に沿って切断した断面図である。 第１実施形態による薄膜トランジスタ表示板を製造する方法の中間工程における配置図である。 図９のVIb-VIb'線に沿って切断した断面図である。 図１０に続く工程における断面図である。 本発明の他の実施形態による薄膜トランジスタ表示板の配置図である。 図１２のIX-IX'線に沿って切断した断面図である。 第２実施形態による薄膜トランジスタ表示板を製造する方法の中間工程における配置図である。 図１４のXb-Xb'線に沿って切断した断面図である。 図１５に続く工程における断面図である。 図１６に続く工程における断面図である。 第２実施形態による薄膜トランジスタ表示板を製造する方法の中間工程における配置図である。 図１８のXIIIb-XIIIb'線に沿って切断した断面図である。 第２実施形態による薄膜トランジスタ表示板を製造する方法の中間工程における配置図である。 図２０のXIVb-XIVb'線に沿って切断した断面図である。 図２１に続く工程における断面図である。 本発明の第３実施形態による薄膜トランジスタ表示板の配置図である。 図２３のXVII-XVII'線に沿って切断した断面図である。 第３実施形態による薄膜トランジスタ表示板を製造する方法の中間工程における配置図である。 図２５のXVIIIb-XVIIIb'線に沿って切断した断面図である。 第３実施形態による薄膜トランジスタ表示板を製造する方法の中間工程における配置図である。 図２７のXIXb-XIXb'線に沿って切断した断面図である。 図２８に続く工程における断面図である。

符号の説明

１１０ 絶縁基板
１２１ ゲート線
１２４ ゲート電極
１３１ 維持電極線
１４０ ゲート絶縁膜
１５１、１５４ 半導体層
１６１、１６５ オーミック接触層
７００ 接触層
１７１ データ線
１７３ ソース電極
１７５ ドレイン電極
１９０ 画素電極

Claims (24)

1. 基板上に第１配線を形成する段階と、
   前記第１配線を覆い、前記第１配線の一部分を露出させるコンタクトホールを有する絶縁膜を形成する段階と、
   前記基板を導電物質を含む化学的転換溶液に浸漬して、前記コンタクトホールによって露出する前記第１配線の表面にタングステン、ジルコニウム、モリブデンまたはクロムの少なくとも１つを含む酸化導電物質からなる接触層を形成する段階と、
   前記接触層を介して前記第１配線と接続される第２配線を形成する段階と、
   を含み、前記第１配線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成され、前記第２配線は、ＩＴＯまたはＩＺＯで形成される接触部形成方法。
2. 前記化学的転換溶液は、タングステン、ジルコニウム、モリブデンまたはクロムの少なくとも１つを含む請求項１に記載の接触部形成方法。
3. 基板上にゲート線を形成する段階と、
   ゲート絶縁膜を形成する段階と、
   半導体層を形成する段階と、
   オーミック接触層を形成する段階と、
   データ線及びドレイン電極を形成する段階と、
   前記ドレイン電極を露出させる第１コンタクトホールを有するパッシベーション層を形成する段階と、
   前記基板を導電物質を含む化学的転換溶液に浸漬して、前記第１コンタクトホールによって露出する前記ドレイン電極の表面にタングステン、ジルコニウム、モリブデンまたはクロムの少なくとも１つを含む酸化導電物質からなる第１接触層を形成する段階と、
   を含む薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
4. 前記化学的転換溶液は、タングステン、ジルコニウム、モリブデンまたはクロムの少なくとも１つを含む請求項３に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
5. 前記パッシベーション層を形成する段階において、前記データ線またはゲート線の一端部を露出させる第２コンタクトホールを形成する段階を含む請求項３に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
6. 前記第１接触層を形成する段階において、前記ゲート線または前記データ線の露出した部分上部に第２接触層を形成する請求項５に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
7. 前記ゲート線と同一層に維持電極線を形成する段階をさらに含む請求項３に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
8. 前記パッシベーション層を形成する段階において、前記維持電極線の一端部を露出させる第２コンタクトホールを形成する段階を含む請求項６に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
9. 前記第１接触層を形成する段階において、前記第２コンタクトホールによって露出する前記維持電極線の一端部の表面に第２接触層を形成する段階を含む請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
10. 絶縁基板と、
    前記絶縁基板上に形成されている第１配線と、
    前記第１配線を覆い、前記第１配線の一部分を露出させるコンタクトホールを有する絶縁膜と、
    前記コンタクトホールによって露出する前記第１配線の表面に形成されており、タングステン、ジルコニウム、モリブデン、またはクロムのうちの少なくとも１つを含む酸化導電物質からなる接触層と、
    前記絶縁膜上に形成され前記接触層を介して前記第１配線と接続される第２配線と、
    を備え、前記第１配線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成されており、前記第２配線は、ＩＴＯまたはＩＺＯで形成されている接触部。
11. 前記第１配線下に形成されている下部層をさらに含む請求項１０に記載の接触部。
12. 前記下部層は、クロム、チタニウム、モリブデン、モリブデンタングステン合金の少なくとも１つを含む導電膜で形成されている請求項１１に記載の接触部。
13. 絶縁基板と、
    前記絶縁基板上に形成されているゲート線と、
    前記ゲート線上を覆うゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上に形成されている半導体層と、
    前記半導体層と少なくとも一部分が重畳するソース電極を有し、前記ゲート線と交差するデータ線と、
    前記半導体層と少なくとも一部分が重畳するドレイン電極と、
    前記ドレイン電極及び前記データ線を覆い、前記ドレイン電極を露出させる第１コンタクトホールを有するパッシベーション層と、
    前記第１コンタクトホールを介して露出した前記ドレイン電極上部にのみ形成され、タングステン、ジルコニウム、モリブデン、またはクロムのうちの少なくとも１つを含む酸化導電物質からなる第１接触層と、
    前記パッシベーション層上に形成され、前記第１接触層を介して前記ドレイン電極と電気的に接続されている画素電極と、
    を備える薄膜トランジスタ表示板。
14. 前記データ線及び前記ドレイン電極上に形成されているカラーフィルターをさらに有する請求項１３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
15. 前記ゲート線と同一層に形成される維持電極線をさらに有する請求項１３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
16. 前記維持電極線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成されている請求項１５に記載の薄膜トランジスタ表示板。
17. 前記パッシベーション層及び前記ゲート絶縁膜は、維持電極線の一部を露出させる第２コンタクトホールを有し、
    前記第２コンタクトホールを介して露出した前記維持電極線の一部の上に形成され、タングステン、ジルコニウム、モリブデン、またはクロムのうちの少なくとも１つを含む酸化導電物質からなる第２接触層と、
    前記第２接触層を介して前記維持電極線と電気的に接続される接触補助部材と、
    をさらに備える請求項１５に記載の薄膜トランジスタ表示板。
18. 前記パッシベーション層またはゲート絶縁膜は、ゲート線またはデータ線の一部を露出させる第３コンタクトホールを備え、前記第３コンタクトホールを介して露出されるゲート線またはデータ線の一部の上に形成されてタングステン、ジルコニウム、モリブデン、またはクロムのうちの少なくとも１つを含む酸化導電物質からなる第３接触層と、前記第３接触層を介して露出されるゲート線またはデータ線の一部に接続される接触補助部材とをさらに備える請求項１３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
19. 前記半導体層と前記データ線及びドレイン電極との間に形成されているオーミック接触層をさらに有する請求項１３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
20. 前記オーミック接触層は、前記データ線及びドレイン電極と同一の平面パターンを有し、
    前記半導体層は、前記ドレイン電極と前記ソース電極との間のチャンネル部を除くデータ線とドレイン電極と同一の平面パターンを有する請求項１９に記載の薄膜トランジスタ表示板。
21. 前記ゲート線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる導電層を有する請求項１３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
22. 前記データ線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む第１導電層を有する請求項１３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
23. 前記データ線は、第１導電層下に形成されている第２導電層をさらに有する請求項２２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
24. 前記第２導電層は、クロム、チタニウム、モリブデン、モリブデンタングステン合金の少なくとも１つを含む導電膜で形成されている請求項２３に記載の薄膜トランジスタ表示板。

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