JP4799926B2 - 半透過型tftアレイ基板、および半透過型液晶表示装置 - Google Patents
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Description
<A−0.背景技術>
本発明の背景技術となる半透過型液晶表示装置においては、TFTアレイ基板の反射領域の最上層にコントラスト低下防止電極が設けられている。そして、コントラスト低下防止電極は、ソース配線と反射画素電極との間に配置されている。
図1は、本実施の形態に係るTFTアレイ基板10の概略構成を示す平面図、図2は、図1に示すTFTアレイ基板10の矢視A−A線(ソース配線部および反射領域:S)、矢視B−B線(透過領域:T)、矢視C−C線(TFT部)から見た断面図である。図3は、TFTアレイ基板10を構成する透明画素電極に形成された接続部202の近傍の拡大上面図である。
また、平面視で前記補助容量配線24と重ならない位置に、コントラスト低下防止電極95と透明画素電極91を接続するための接続部202が設けられている。
次に、本実施の形態1における半透過型液晶表示装置の製造工程について、図4から図11を用いて説明する。
図12、図13を用いて本発明の動作を説明する。図12、図13において、TFTアレイ基板10と対向して配置される対抗基板110は、対向用透明絶縁性基板101上に遮光のためのブラックマトリクス120、カラーフィルタ121、オーバーコート層130、対向透明電極195が形成されて成る。
以上説明したように、本実施の形態に係るTFTアレイ基板10は、平面視で補助容量配線24と重ならない位置に、コントラスト低下防止電極95と透明画素電極91とを接続するための接続部202が設けられている。
<A.構成>
図14は、本実施の形態に係る半透過型液晶表示装置を構成するTFTアレイ基板10の拡大上面図である。
パネル製造工程において、レーザリペアを行う場合には、TFTアレイ基板10の裏面の画像を目視する。
パネル製造工程において、レーザリペアを行う場合、TFTアレイ基板10の裏面の画像を見てリペアを行う必要がある。
<A.構成>
図15は、本実施の形態に係る半透過型液晶表示装置を構成するTFTアレイ基板10の透明画素電極に形成された接続部の拡大上面図である。
本実施の形態に係るTFTアレイ基板10は、実施の形態2に係るTFTアレイ基板10に対して、最上層の透明画素電極91あるいはコントラスト低下防止電極95に一対のスリット203がさらに形成されている。
Claims (4)
- 絶縁性基板上に形成された補助容量電極を有する補助容量配線と、
前記絶縁性基板の上方において、透過領域に形成された透明画素電極と、
前記絶縁性基板および前記補助容量電極の上方において、反射領域に形成された反射画素電極と、
前記透明画素電極と同一層において前記反射領域に形成され、前記反射領域の平面視において前記補助容量電極のうちで前記反射画素電極からはみ出した部分に重なるように形成され、前記はみ出した部分上の液晶層に電界を印加することで、前記はみ出した部分での反射光によるコントラスト低下を防止するコントラスト低下防止電極と、
を備える半透過型TFTアレイ基板であって、
平面視で前記補助容量配線と重ならない位置に、前記コントラスト低下防止電極と前記透明画素電極とを接続するための接続部が設けられていることを特徴とする半透過型TFTアレイ基板。 - 前記接続部は、前記透明画素電極あるいは前記コントラスト低下防止電極に設けられた一対のスリットに挟まれていることを特徴とする請求項1に記載の半透過型TFTアレイ基板。
- 前記補助容量配線はスリットを備え、
前記接続部は、平面視において、前記補助容量配線の前記スリットに対応する位置に設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半透過型TFTアレイ基板。 - 請求項1から3の何れかに記載の半透過型TFTアレイ基板を備えることを特徴とする半透過型液晶表示装置。
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