JP2008241821A

JP2008241821A - 半透過型液晶表示装置

Info

Publication number: JP2008241821A
Application number: JP2007078561A
Authority: JP
Inventors: Shingo Nagano; 慎吾永野; Yuichi Masutani; 雄一升谷
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2007-03-26
Filing date: 2007-03-26
Publication date: 2008-10-09
Also published as: US20080239219A1

Abstract

【課題】反射コントラスト低下防止電極を有した半透過型液晶表示装置において、レーザー修復により、反射コントラスト低下防止電極と画素電極とを容易に電気的に分離することができる半透過型表示装置を提供する。
【解決手段】反射コントラスト低下防止電極９５は、反射画素電極６５とコンタクトホール８２を介して接続され、反射画素電極６５はコンタクトホール８２の近傍に、反射コントラスト低下防止電極９５をレーザー修復により電気的に分離するための部分として、平面的に括れ部２００を備えたものである。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶表示装置に関するものである。特に透過表示と反射表示が可能な半透過型液晶表示装置に関するものである。

近年、液晶表示装置は、薄型、軽量、低消費電力であり、代表的な表示装置として使用されている。携帯機器では、屋内と屋外で両用の半透過型液晶表示装置が実用化されている。

ここで、特許文献１に開示されたノーマリホワイトモードの半透過型液晶表示装置では、反射領域の最上層に反射コントラスト低下防止電極のパターンが設けられている。これは、反射領域のソース配線と反射画素電極との隙間に、反射コントラスト低下防止電極を配置することで、反射コントラスト低下防止電極と対向基板上の対向電極との間に電圧が印加される状態となり、ソース配線と反射画素電極との隙間にある補助容量電極からの不要な反射光が表示面に出射することを防止して、反射コントラストの低下を防止するものである。この結果、反射コントラストが高い良好な表示品位を得ることができる。

一般的な半透過型液晶表示装置においては、液晶を通過する光学距離が反射領域と透過領域でほぼ同じにするために、反射領域の液晶層の厚みは透過領域の約半分になっている。このため、反射領域に配置される反射コントラスト低下防止電極と、対向基板上の対向電極とが、液晶層に混入した導電性の異物等によって短絡する画素欠陥が発生することがある。

このような画素欠陥をリペア(修復)する方法として、反射コントラスト低下防止電極の透明導電膜パターンと透過領域の透過画素電極との間を、透明導電膜パターンをレーザーで切断することによって、反射コントラスト低下防止電極を透過画素電極と電気的に分離することが特許文献２に開示されている。

特開２００４−２６０８７３号公報特開２００７−１０７３８号公報

しかし、特許文献２で開示された画素欠陥を修復する構成では、レーザーで切断する反射コントラスト低下防止電極は透明導電膜であり、レーザーを照射しても透明導電膜を殆ど透過するので、吸収熱による溶融が起きにくく、透明導電膜の切断が容易でなかった。また、レーザーのエネルギーを上げると、透明導電膜が周囲に飛散して、導電性の異物となり、新たな画素欠陥を誘発するという課題を有していた。

本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、反射コントラスト低下防止電極を有した半透過型液晶表示装置において、レーザー修復により、反射コントラスト低下防止電極と画素電極とを容易に電気的に分離することができる半透過型表示装置を提供することを目的とする。

本発明の半透過型液晶表示装置は、第一の基板と、第一の基板と対向して配設され、対向電極を有する第二の基板と、第一の基板と前記第二の基板との間に封入される液晶層とを備えており、第一の基板は、第一の基板上に形成される複数のゲート配線と、平面的にゲート配線と交差する複数のソース配線と、ゲート配線とソース配線とで区画されている単位画素領域の一部である反射領域において、ソース配線と同一層からなり、ソース配線と所定の領域だけ隔てられ形成される反射画素電極と、所定の領域中の反射画素電極の上層に形成されており、絶縁膜を介して平面的に反射画素電極と重複する領域を有する反射コントラスト低下防止電極とを備えており、反射コントラスト低下防止電極は、反射画素電極と絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して接続され、反射画素電極は、コンタクトホールの近傍に、平面的に括れ部を備えたことを特徴とするものである。

本発明によれば、対向電極と反射コントラスト低下防止電極との短絡による画素欠陥を、容易にレーザー修復できる半透過型表示装置を得ることができる。

以下、本発明の半透過型液晶表示装置を構成するアレイ基板について、実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の実施の形態を説明するための各図において、同一符号は、同一または相当部分を示しており、重複する説明は省略する。
実施の形態１．

実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１における半透過型液晶表示装置を構成するアレイ基板の概略構成を示す平面図、図２は図１に示すアレイ基板の矢視Ａ−Ａ線（ソース配線部および反射領域Ｓ）、矢視Ｂ−Ｂ線（反射領域Ｓと透過領域Ｔの接続部）、矢視Ｃ−Ｃ線（ＴＦＴ部）から見た断面図である。図３は本発明の実施の形態１における半透過型液晶表示装置を構成するアレイ基板の製造方法について説明するための断面図、図４は本発明の実施の形態１における半透過型液晶表示装置を構成するアレイ基板の製造方法について説明するための平面図である。また、図５は、図１のＤ部を拡大した平面図、図６はＤ部の矢視Ｐ−Ｐ線の対向基板を含めた断面図である。

図１、図２において、アレイ基板１０上に設けられた各画素は、光を透過させる透過領域Ｔと、液晶層１００に入射した周囲光を反射させる反射領域Ｓで構成されている。

ガラス基板等の透明絶縁性基板１上には、第一の導電膜からなるゲート電極２１を備えたゲート配線２２、バックライトからの漏れ光を防止するため、および一定期間電圧を保持するために、第一の補助容量電極２３および第二の補助容量電極２５を備えた補助容量配線２４が形成され、この上層にゲート絶縁膜となる第一の絶縁膜３が設けられる。ゲート電極２１上には、第一の絶縁膜３を介して半導体層である半導体能動膜４およびオーミックコンタクト膜５が形成されている。このオーミックコンタクト膜５は中央部が除去されて２つの領域に分割され、一方には第二の導電膜からなるソース電極６１、他方には同様に第二の導電膜からなるドレイン電極６２が積層されている。これらの半導体能動膜４とソース電極６１およびドレイン電極６２によりスイッチング素子であるＴＦＴ６４が構成されている。

また、ソース電極６１から延びたソース配線６３が、第一の絶縁膜３を介してゲート配線２２と交差するように設けられる。また、この交差部およびソース配線６３には、耐電圧を向上させるために半導体能動膜４およびオーミックコンタクト膜５を残存させている。

反射領域Ｓはドレイン電極６２から延びた反射画素電極６５で形成されている。すなわち、反射画素電極６５は第二の導電膜を用いて形成されており、このため、第二の導電膜としては、少なくともその表面層に反射率の高い金属膜を有する薄膜が用いられる。また、反射画素電極６５とソース配線６３との短絡による欠陥を防止するために、反射画素電極６５はソース配線６３から所定の間隔Ｌ(好ましくは５μｍ〜１０μｍ程度)を保持して配置する。

上記構成要素を覆うように第二の絶縁膜７を設け、反射画素電極６５上の第二の絶縁膜７の一部を除去してコンタクトホール８１を形成する。その上層に透明導電膜からなる透過画素電極９１が形成され、透過領域Ｔを形成する。透過画素電極９１はコンタクトホール８１を介して反射画素電極６５と電気的に接続され、さらに反射画素電極６５を介してドレイン電極６２と電気的に接続されている。

また、反射画素電極６５とソース配線６３との間隔Ｌ上には、第二の絶縁膜７を介して透明導電膜からなる反射コントラスト低下防止電極９５を配置する。反射コントラスト低下防止電極９５はソース配線６３に沿うように、ソース配線６３とほぼ平行に形成する。また、反射コントラスト低下防止電極９５はコンタクトホール８２を介して反射画素電極６５と接続される。反射コントラスト低下防止電極９５は、ソース配線６３と反射画素電極６５との間隔の上層にある液晶層１００にも電界を印加することができるようにするための部材であり、反射コントラスト低下防止電極９５の形成により、ノーマリホワイトモードでの反射コントラストの低下を防止することができる。

なお、反射コントラスト低下防止電極９５は透過画素電極９１と同一層で形成しているので製造工程の増加はないが、別途、他の導電膜で形成することもできる。

ここで、図１、図５のＤ部において、コンタクトホール８２の近傍の反射画素電極６５に括れ部２００を設け、かつ、その括れ部２００の下層には補助容量電極２３を配置しない構成としている。さらに、括れ部２００の上層には反射コントラスト低下防止電極９５を配置しない構成としている。

そして、液晶層１００に存在する導電性の異物等によって反射コントラスト低下防止電極９５が対向電極３０３と短絡した場合、反射画素電極６５および透過画素電極９１が対向電極３０３の電位となり、液晶層１００に電圧がかからないため、画素欠陥になる。これを修復するために、括れ部２００をレーザーで切断して、反射コントラスト低下防止電極９５がドレイン電極６２側の反射画素電極６５と電気的に分離される構成となっている。

すなわち、対向基板１０１の対向電極３０３と短絡を起こしている反射コントラスト低下防止電極９５は、ドレイン電極６２側の反射画素電極６５と電気的に分離され、反射画素電極６５および透過画素電極９１に電気的な影響を与えなくなるので、画素欠陥を修復することができる。

次に、実施の形態１における半透過型液晶表示装置を構成するアレイ基板の製造工程について、図３および図４を用いて説明する。

まず、図３（ａ）および図４（ａ）に示すように、ガラス基板等の透明絶縁性基板１を洗浄して表面を浄化した後、この透明絶縁性基板１上にスパッタリング法等により第一の導電膜を成膜して、パターニングを行う。第一の導電膜としては、例えばクロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）またはアルミニウム（Ａｌ）これらを主成分とする合金等からなる薄膜が用いられる。本実施の形態では、第一の導電膜として膜厚４００ｎｍのクロム膜を成膜する。

なお、第一の導電膜上には、後述の工程でドライエッチングによりコンタクトホール８１が形成され、コンタクトホール８１内には電気的接続を得るための導電性薄膜（透明導電膜）が形成されるため、表面酸化が生じにくい金属薄膜や酸化されても導電性を有する金属薄膜を第一の導電膜として用いることが好ましい。また、第一の導電膜としてＡｌ系の材料を用いる場合は、表面酸化による導電性の劣化を防止するために、表面に窒化Ａｌ膜を形成するか、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉなどの膜を形成すればよい。

次に、第一の写真製版工程にて第一の導電膜をパターニングし、ゲート電極２１、ゲート配線２２、第一の補助容量電極２３および補助容量配線２４、第二の補助容量電極２５を形成する。第一の補助容量電極２３は反射領域Ｓのほぼ全面に形成し、第二の補助容量電極２５は後述するソース配線６３に沿うように形成する。写真製版工程では、基板を洗浄後、感光性レジストを塗布、乾燥したのちに、所定のパターンが形成されたマスクを通して露光し、現像することにより基板上にマスクパターンを転写したレジストを形成し、感光性レジストを加熱硬化させたのちに第一の導電膜のエッチングを行い、その後感光性レジストを剥離する。

なお、第一の導電膜のエッチングは、公知のエッチャントを用いてウエットエッチング法で行うことができる。例えば、第一の導電膜がクロムで構成されている場合には、第二硝酸セリウムアンモニウムおよび硝酸が混合された水溶液が用いられる。また、第一の導電膜のエッチングにおいては、パターンエッジの段差部における絶縁膜のカバレッジを向上させて他の配線との段差部での短絡を防止するために、パターンエッジ断面が台形状のテーパー形状となるようにテーパーエッチングすることが好ましい。

次に、図３（ｂ）および図４（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法等により第一の絶縁膜３、半導体能動膜４、オーミックコンタクト膜５を連続して成膜し、パターニングを行う。ゲート絶縁膜となる第一の絶縁膜３としては、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｙ膜、ＳｉＯｚＮｗ膜のいずれかの単層膜もしくはこれらを積層した多層膜が用いられる（なお、ｘ、ｙ、ｚ、ｗはそれぞれ化学量論組成を表す正数である）。第一の絶縁膜３の膜厚は、薄い場合にはゲート配線２２とソース配線６３の交差部で短絡を生じやすく、厚い場合にはＴＦＴのＯＮ電流が小さくなり表示特性が低下することから、第一の導電膜より厚く形成するが、なるべく薄くすることが好ましい。また、第一の絶縁膜３はピンホール等の発生による層間ショートを防止するために、複数回に分けて成膜することが好ましい。本実施の形態では、膜厚３００ｎｍのＳｉＮｘ膜を成膜した後、さらに膜厚１００ｎｍのＳｉＮｘ膜を成膜することにより、膜厚４００ｎｍのＳｉＮｘ膜を第一の絶縁膜３として形成する。

半導体能動膜４としては、アモルファスシリコン（ａ―Ｓｉ）膜、ポリシリコン（ｐ―Ｓｉ）膜等が用いられる。半導体能動膜４の膜厚は、薄い場合には後述するオーミックコンタクト膜５のドライエッチング時に膜の消失が発生し、厚い場合にはＴＦＴのＯＮ電流が小さくなることから、オーミックコンタクト膜５のドライエッチング時におけるエッチング量の制御性と、必要とするＴＦＴのＯＮ電流値を考慮して選択する。本実施の形態１では、半導体能動膜４として膜厚１５０ｎｍのａ―Ｓｉ膜を成膜する。

オーミックコンタクト膜５としては、ａ―Ｓｉにリン（Ｐ）を微量にドーピングしたｎ型ａ―Ｓｉ膜、あるいはｎ型ｐ―Ｓｉ膜が用いられる。本実施の形態では、オーミックコンタクト膜５として膜厚３０ｎｍのｎ型ａ―Ｓｉ膜を成膜する。

次に、第二の写真製版工程にて、半導体能動膜４およびオーミックコンタクト膜５を少なくともＴＦＴ部が形成される部分に残存するようにパターニングする。なお、半導体能動膜４およびオーミックコンタクト膜５はＴＦＴ部が形成される部分の他に、ゲート配線２２とソース配線６３が交差する部分およびソース配線６３が形成される部分にも残存させることにより、耐電圧を大きくすることができる。なお、半導体能動膜４およびオーミックコンタクト膜５のエッチングは、公知のガス組成（例えば、ＳＦ_６とＯ_２の混合ガスまたはＣＦ_４とＯ_２の混合ガス）を用いてドライエッチング法で行うことができる。

次に、図３（ｃ）および図４（ｃ）に示すように、スパッタリング法等により第二の導電膜を成膜してパターニングを行う。第二の導電膜としては、例えばＣｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉまたはこれらを主成分とする合金を第１層６ａ、Ａｌ、銀（Ａｇ）またはこれらを主成分とする合金を第２層６ｂとした薄膜を用いて形成する。第１層６ａは、オーミックコンタクト層５および第一の絶縁層３の上に、これらに直接接触するよう成膜され、第２層６ｂをこの第１層６ａ上にそれに直接接触するように重ねて成膜する。第二の導電膜はソース配線６３および反射画素電極６５として用いられるため、配線抵抗および表面層の反射特性を考慮して構成することが必要である。本実施の形態では、第二の導電膜の第１層６ａとして膜厚１００ｎｍのＣｒ膜、その第２層６ｂとして膜厚３００ｎｍのＡｌＣｕ膜を成膜する。

次に、第三の写真製版工程にて第二の導電膜をパターニングし、ソース電極６１を備えたソース配線６３、ドレイン電極６２を備えた反射画素電極６５を形成する。ドレイン電極６２と反射画素電極６５は同一層で連続して形成されているため、ドレイン電極６２と反射画素電極６５は同一層内で電気的に接続されている。また、反射画素電極６５には括れ部２００が設けられる。第二の導電膜のエッチングは、公知のエッチャントを用いてウエットエッチング法で行うことができる。

続いて、ＴＦＴ部のオーミックコンタクト膜５の中央部をエッチング除去し、半導体能動膜４を露出させる。オーミックコンタクト膜５のエッチングは、公知のガス組成（例えば、ＳＦ_６とＯ_２の混合ガスまたはＣＦ_４とＯ_２の混合ガス）を用いてドライエッチング法で行うことができる。

また、コンタクトホール８１を形成する部分のＡｌＣｕにて形成した第２層６ｂを除去し、コンタクトエリア６６を形成する。第三の写真製版工程の際に、除去部分のフォトレジスト厚が薄く仕上がるようにハーフトーン露光などの方法を用いて露光し、オーミックコンタクト膜５のドライエッチング後に酸素プラズマ等を用いてレジストの減膜処理することにより除去部のレジストのみを除去し、ＡｌＣｕのウエットエッチングを行うことで形成できる。これにより、透明導電膜とコンタクトする第二の導電膜の表面は、第１層６ａのＣｒとなり、良好な導電率を持つコンタクトが得られる。

ここで、ハーフトーン露光のプロセスについて説明する。ハーフトーン露光では、ハーフトーンのマスク、例えば、マスクのＣｒパターンに濃淡を持たせたマスクを介して露光することにより、露光強度を調整してフォトレジストの残存膜厚を制御する。その後、まず、フォトレジストが完全に除去されている部分の膜のエッチングを行う。次に、フォトレジストを酸素プラズマ等を用いて減膜処理することにより、残存膜厚が少ない部分のフォトレジストが除去される。次に、フォトレジストの残存膜厚が少なかった部分（フォトレジストが除去されている）で膜のエッチングを行う。これにより、１回の写真製版工程により２工程分のパターニングが可能となる。

第二の導電膜の表面に、窒化アルミ合金(ＡｌＣｕＮ)等を形成した場合は、反射率は若干低下するが、後述する透明導電膜９１との良好なコンタクトが得られるため、前記コンタクトエリア６６を形成する工程は省略することが出来る。

次に、プラズマＣＶＤ法等により第二の絶縁膜７を成膜する。第二の絶縁膜７としては、第一の絶縁膜３と同様の材質により形成することができ、膜厚は下層パターンのカバレッジを考慮して決めることが好ましい。本実施の形態では、第二の絶縁膜７として膜厚５００ｎｍのＳｉＮｘ膜を成膜する。

次に、第四の写真製版工程にて第二の絶縁膜７をパターニングし、反射画素電極６５上にコンタクトホール８１、８２を形成する。第二の絶縁膜７のエッチングは、公知のエッチャントを用いてウエットエッチング法、もしくは公知のガス組成を用いてドライエッチング法で行うことができる。

次に、図３（ｄ）および図４（ｄ）に示すように、スパッタリング法等により透明導電膜を成膜して、パターニングを行う。透明導電膜としてはＩＴＯ、ＳｎＯ_２等を用いることができ、特に化学的安定性の観点からＩＴＯを用いることが好ましい。なお、ＩＴＯは、結晶化ＩＴＯまたはアモルファスＩＴＯ（ａ−ＩＴＯ）のいずれでもよいが、ａ−ＩＴＯを用いた場合は、パターニング後、結晶化温度１８０℃以上に加熱して結晶化させる必要がある。本実施の形態では、透明導電膜として膜厚８０ｎｍのａ−ＩＴＯを成膜する。

次に、第五の写真製版工程にて透明導電膜をパターニングし、透過領域Ｔに透過画素電極９１を形成する。パターニング時のずれ等を考慮し、反射領域Ｓと透過領域Ｔとの境界部において、透過画素電極９１は、第二の絶縁膜７を介して反射画素電極６５と一部重なるように形成する。透過画素電極９１は、コンタクトホール８１を介して反射画素電極６５と電気的に接続される。

また、反射画素電極６５とソース配線６３との間隔Ｌ上に、第二の絶縁膜７を介して、反射コントラストの低下を防止するための反射コントラスト低下防止電極９５を透明導電膜で形成する。反射コントラスト低下防止電極９５は、ソース配線６３に沿って、第一の補助容量電極２３上に重なる位置に、ソース配線６３とほぼ平行に形成する。反射コントラスト低下防止電極９５は、コンタクトホール８２を介して括れ部２００の近傍の反射画素電極６５と電気的に接続される。

ここで、反射コントラスト低下防止電極９５は、透過画素電極９１と同一層から形成されるが、平面的には分離されている。また、反射コントラスト低下防止電極９５は、反射画素電極６５の括れ部２００の上層を避けて配置される。

また、反射コントラスト低下防止電極９５は、少なくとも反射画素電極６５のソース配線６３側の端部に重なり、対向基板１０１のブラックマトリクス(遮光膜)３０１が配設される境界Ｒに重なる位置まで形成する。

このようにして形成されたアレイ基板１０は、その後のセル化工程において配向膜が塗布され、一定の方向にラビング処理が施される。同様に、アレイ基板１０と対向する対向基板１０１は、透明絶縁性基板３００上に画素領域を包囲するブラックマトリクス３０１を備え、この包囲された領域にカラーフィルタ３０２を形成する。カラーフィルタ３０２の上層には対向電極３０３を堆積し、配向膜が塗布されラビング処理が施される。これらのアレイ基板１０と対向基板１０１とを互いの配向膜が向き合うようにスペーサを介して重ね合わせ、基板周縁部をシール材にて接着し、両基板間に液晶を封止する。このようにして形成された液晶セルの両面に偏光板を貼り付けた後、背面にバックライトユニットに取り付けることにより、半透過型液晶表示装置が完成する。

なお、アレイ基板１０の反射領域Ｓと対向する対向基板１０１の領域には、カラーフィルタ３０２上に透明樹脂膜３０５が形成され、反射領域Ｓの液晶層１００の厚さは透過領域Ｔの約半分になっている。

次に、レーザー修復の詳細について説明を行う。図５に示すように、コンタクトホール８２の近傍の反射画素電極６５に括れ部２００が設けられている。本実施の形態では、斜線部で示すように、括れ部２００の下層は、補助容量電極２３を配置しない構成とし、また、括れ部２００の上層は、反射コントラスト低下防止電極９５を配置しない構成とする。

反射コントラスト低下防止電極９５と対向電極３０３が液晶層１００に混入した導電性の異物により短絡した場合、反射画素電極６５の括れ部２００（図５の斜線部の領域）をレーザーで切断することにより、反射コントラスト低下防止電極９５とドレイン電極６２側の反射画素電極６５とを電気的に分離することができる。その結果、短絡の影響が、反射画素電極６５および透過画素電極９１に及ばなくなり、正常に液晶層１００に電圧を印加することができるので、画素欠陥は修復される。

括れ部２００は反射画素電極６５の金属膜で形成されるので、レーザーで切断することは技術的に容易であり、括れ部２００は切断する幅も５μｍから１０μｍ程度と狭いので、量産性にも優れたものである。

括れ部２００の下層は、補助容量電極２３を配置しない構成となっているので、透明絶縁性基板１の裏面からレーザー照射が可能である。また、レーザーが補助容量電極２３を切断することがないので、レーザー修復による補助容量電極２３と反射画素電極６５との新たな短絡の発生を防止できる。

また、括れ部２００の上層は、反射コントラスト低下防止電極９５を配置しない構成としているので、レーザーが反射コントラスト低下防止電極９５を切断することがなく、レーザー修復による反射コントラスト低下防止電極９５と反射画素電極６５との新たな短絡の発生を防止できる。

また、図６に示すように、括れ部２００と対向する対向基板１０１の領域にはブラックマトリクス３０１が配置されている。ブラックマトリクス３０１は、括れ部２００の近傍の隙間からの光漏れを遮光するだけでなく、レーザー修復後の括れ部２００の切断部からの光漏れを遮光することができる。

さらに、本実施の形態では、括れ部２００と対向する対向基板１０１の領域に絶縁樹脂からなる厚膜の突起物３０４を設けており、対向電極３０３を覆っている。この突起物３０４は必須なものではないが、膜厚は１μｍ以上が好ましく、レーザー修復で少なからず発生する反射画素電極６５の金属膜の変形や飛散物の周囲への拡がりを抑制し、対向電極３０３との新たな短絡を防止できる。そして、レーザー修復の成功率とレーザー修復後の画素の信頼性向上を図ることができる。

また、突起物３０４は、図６では対向するアレイ基板１０に接触してはいないが、アレイ基板１０と接触させて液晶層１００の厚さを規定する柱スペーサとすることができる。

以上のように、本発明における半透過型液晶表示装置は、反射コントラスト低下防止電極９５と反射画素電極６５とを接続するコンタクトホール８２の近傍に括れ部２００を設けたので、反射コントラスト低下防止電極９５と対向電極１９５とが短絡して画素欠陥が生じた場合でも、レーザー修復によって括れ部２００の反射画素電極６５を切断することが容易であり、反射コントラスト低下防止電極９５と反射画素電極６５とを電気的に分離できるので、画素欠陥を修復できる半透過型液晶表示装置を得ることができる。

本発明の実施の形態１における半透過型液晶表示装置を構成するアレイ基板の画素を示す平面図である。本発明の実施の形態１における半透過型液晶表示装置を構成するアレイ基板の断面図である。本発明の実施の形態１における半透過型液晶表示装置を構成するアレイ基板の製造方法について説明するための断面図である。本発明の実施の形態１における半透過型液晶表示装置を構成するアレイ基板の製造方法について説明するための平面図である。図１のＤ部を拡大した平面図である。図５の矢視Ｐ−Ｐ線の対向基板を含めた断面図である。

符号の説明

１透明絶縁性基板、２１ゲート電極、２２ゲート配線、２３第一の補助容量電極、２４第二の補助容量電極、２５補助容量配線、３第一の絶縁膜（ゲート絶縁膜）、４半導体能動膜、５オーミックコンタクト膜、６１ソース電極、６２ドレイン電極、６３ソース配線、６４ＴＦＴ、６５反射画素電極、６６コンタクトエリア、７第二の絶縁膜、８１、８２コンタクトホール、９１透過画素電極、９５反射コントラスト低下防止電極
１０ＴＦＴアレイ基板、１００液晶層、１０１対向基板
３００透明絶縁性基板、３０１ブラックマトリックス、３０２カラーフィルタ、３０３対向電極、３０４突起物、３０５透明樹脂膜
Ｔ透過領域、Ｓ反射領域
Ｒブラックマトリクスが配設される境界

Claims

第一の基板と、
前記第一の基板と対向して配設され、対向電極を有する第二の基板と、
前記第一の基板と前記第二の基板との間に封入される液晶層とを備えており、
前記第一の基板は、
前記第一の基板上に形成される複数のゲート配線と、
前記第一の基板上に形成され、平面的に前記ゲート配線と交差する複数のソース配線と、
前記ゲート配線と前記ソース配線とで区画されている単位画素領域の一部である反射領域において、前記ソース配線と同一層からなり、前記ソース配線と所定の領域だけ隔てられ形成される反射画素電極と、
前記所定の領域の前記反射画素電極の上層に形成されており、絶縁膜を介して平面的に前記反射画素電極と重複する領域を有する反射コントラスト低下防止電極とを備えており、
前記反射コントラスト低下防止電極は、前記反射画素電極と前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して接続され、
前記反射画素電極は、前記コンタクトホールの近傍に、平面的に括れ部を備えたことを特徴とする半透過型液晶表示装置。
括れ部の上層に、反射コントラスト低下防止電極を配置しないことを特徴とする請求項１記載の半透過型液晶表示装置。
括れ部の下層に、補助容量を形成する共通電極を配置しないことを特徴とする請求項１または請求項２記載の半透過型液晶表示装置。
括れ部と対向する対向基板の領域に、遮光膜を配置することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半透過型液晶表示装置。
括れ部と対向する対向基板の領域に、絶縁樹脂からなる突起物を配置することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の半透過型液晶表示装置。