JP4646018B2 - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4646018B2 JP4646018B2 JP2004156435A JP2004156435A JP4646018B2 JP 4646018 B2 JP4646018 B2 JP 4646018B2 JP 2004156435 A JP2004156435 A JP 2004156435A JP 2004156435 A JP2004156435 A JP 2004156435A JP 4646018 B2 JP4646018 B2 JP 4646018B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- film
- liquid crystal
- display device
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Description
以下に、本発明の参考例1について述べる。図1は、本発明の参考例1における半透過型液晶表示装置を構成するTFTアレイ基板の1つの画素部分を示す平面図、図2は、本参考例1における半透過型液晶表示装置を構成するTFTアレイ基板の主要部分を示す断面図である。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付している。
まず、ガラス基板等の透明絶縁性基板1を洗浄して表面を浄化する。基板の厚さは任意でよいが、液晶表示装置の厚さを薄くすることや軽量化のために0.5mm厚から1.1mm厚以下のものが好ましく、本参考例1では0.7mm厚のものを用いた。また、透明絶縁性基板1がガラスなどの脆性破壊材料からなる場合、基板の端面は面取りや研磨を実施しておくことが、端面からのチッピングによる異物の混入を防止する上で好ましい。また、透明絶縁性基板1の一部に切り欠きを設けることにより、各プロセスでの基板処理の方向が特定でき、プロセス管理がしやすくなる。
次に、プラズマCVD法等により第1の絶縁膜3、半導体能動膜4、オーミックコンタクト膜5を連続して成膜する。ゲート絶縁膜となる第1の絶縁膜3としてはSiNx膜、SiOx膜、SiOxNy膜やこれらの積層膜が用いられる(なお、x、yはそれぞれ化学量論組成比を示す正数である)。第1の絶縁膜3の膜厚は、300nmから600nm程度とする。膜厚が薄い場合にはゲート配線2bとソース配線の交差部で短絡を生じやすく、第1の金属膜の厚さ程度以上とすることが好ましい。また、膜厚が厚い場合にはTFTのON電流が小さくなり表示特性が低下することから、なるべく薄くすることが好ましい。
次に、スパッタリング法等により第2の金属膜を成膜する。第2の金属膜としては、たとえばCr、Mo、Ta、Ti、Al、Cuやこれらに他の物質を微量に添加した合金等からなる膜厚100nmから500nm程度の薄膜が用いられる。第2の金属膜上には後述の工程でドライエッチングによりコンタクトホールが形成され、導電性薄膜が形成されるので、第2の金属膜材料としては、表面酸化が生じ難い金属膜や酸化されても導電性を有する金属膜を用いることが好ましく、少なくとも表面がCr、Ti、Ta、Moであることが好ましい。また、第2の金属膜はオーミックコンタクト膜5と良好なコンタクト特性が得られるように、少なくともオーミックコンタクト膜5との界面がCr、Ti、Ta、Moであることが好ましい。また、第2の金属膜として、異種の金属膜を積層したものや、膜厚方向に組成の異なるものを用いることもできる。
次に、プラズマCVD法等により第2の絶縁膜8を成膜する。第2の絶縁膜8としてはSiNx膜、SiOx膜、SiOxNy膜が用いられる。次に、第4の写真製版工程にて第2の絶縁膜8および第1の絶縁膜3をパターニングし、画素ドレイン接続部、ゲート端子接続部、ソース端子接続部にそれぞれコンタクトホール9a、9b、9cを形成する。第2の絶縁膜8および第1の絶縁膜3のエッチングは、例えばSF6とO2の混合ガスでドライエッチングにより行う。
次に、スパッタリング法等により、高い光反射性を有する第3の金属膜を成膜する。第3の金属膜としては、Al、Ag等の金属膜またはこれらを主成分とした合金膜を用いることが好ましい。ここでは、Al―Cu合金膜を300nmの膜厚で成膜した。続いて、第5の写真製版工程にて、反射画素電極10a、ゲート端子パッド10bおよびソース端子パッド10cを形成すると共に、反射画素電極10aに複数のスリット状の開口部(透過部)11を形成する。以上の工程により図3(E)および図4(E)に示すような半透過型液晶表示装置用のTFTアレイ基板20が完成する。
図20は、本発明の参考例2における半透過型液晶表示装置を構成するTFTアレイ基板の1つの画素部分を示す平面図、図21は、本参考例2における半透過型液晶表示装置を構成するTFTアレイ基板の主要部分を示す断面図である。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付している。
第1工程〜第3工程を経て、薄膜トランジスタT、ゲート配線2bおよびソース配線6b等が形成された透明絶縁性基板1上に、プラズマCVD法等により第2の絶縁膜8を成膜する。第2の絶縁膜8としてはSiNx膜、SiOx膜、SiOxNy膜が用いられる。さらに、連続して絶縁性樹脂膜12を形成した後、第4の写真製版工程により絶縁性樹脂膜12、第2の絶縁膜8および第1の絶縁膜3をパターニングして、画素ドレイン接続部、ゲート端子接続部、ソース端子接続部にそれぞれコンタクトホール9a、9b、9cを形成するとともに、絶縁性樹脂膜12表層部の反射画素電極部となる領域に凹部13を複数個形成して、反射光を任意の角度で散乱させる特性を有する凹凸形状を形成する。本参考例2では、絶縁性樹脂膜12として感光性を有し低誘電率(ε:4未満)でポジ型のアクリル系透明絶縁性樹脂(例えばJSR製PC335)を用い、約4μmの厚さで塗布形成した。
次に、画素電極として高い光反射性を有する第3の金属膜を成膜する。第3の金属膜としては、Al、Ag等の金属膜またはこれらを主成分とした合金膜を用いることが好ましい。ここでは、Al―Cu合金膜を300nmの膜厚で成膜した。続いて、第5の写真製版工程にて、反射画素電極10a、ゲート端子パッド10bおよびソース端子パッド10cを形成すると共に、反射画素電極10aに複数のスリット状の開口部(透過部)11eを形成する。以上の工程により図22(E)に示すような半透過型液晶表示装置用のTFTアレイ基板21が完成する。
図24は、本発明の実施の形態1における半透過型液晶表示装置を構成するTFTアレイ基板の主要部分を示す断面図である。なお、本実施の形態1におけるTFTアレイ基板の1つの画素部分を示す平面図は、上記参考例1とほぼ同様であるので図1を流用する。図中、同一、相当部分には同一符号を付している。
第1工程〜第4工程を経て、薄膜トランジスタT、ゲート配線2bおよびソース配線6b等が形成され、さらにこれらを覆うように形成された第2の絶縁膜8にコンタクトホール9a、9b、9cが形成された透明絶縁性基板1上に、スパッタリング法等により、光の半透過性を有する下層金属膜と、高い光反射性を有する上層金属膜とを順次成膜する。
2d ゲート端子部、3 第1の絶縁膜(ゲート絶縁膜)、4 半導体能動膜、
5 オーミックコンタクト膜、6a ソース電極、6b ソース配線、
6c ドレイン電極、6d ソース端子部、7 チャネル、8 第2の絶縁膜、
9a 画素ドレイン接続部コンタクトホール、
9b ゲート端子接続部コンタクトホール、9c ソース端子接続部コンタクトホール、10a 反射画素電極、10b ゲート端子パッド、
10c ソース端子パッド、11、11a、11b、11c、11d、11e 開口部(透過部)、12 絶縁性樹脂膜、13 凹部、14 下層金属膜(透過画素電極)、
15 レジスト、15a 第1のレジストパターン、15b 第2のレジストパターン、20、20a、20b、20c、20d、20e、21、21a、22 TFTアレイ基板。
Claims (8)
- 液晶層を挟んで互いに対向して配置されたTFTアレイ基板と対向電極基板を備え、前記TFTアレイ基板上の表示領域に金属膜からなる画素電極を設け、また前記対向電極基板上の表示領域に透明導電性膜からなる対向電極を設けた液晶表示装置であって、
前記画素電極は、半透過性を有するように薄い膜厚に形成された下層金属膜と、この下層金属膜上に形成された光反射性を有する上層金属膜からなる二層構造であり、また、前記上層金属膜には、その一画素あたりの開口率がほぼ一定となるように複数の開口部が設けられ、前記開口部からは前記下層金属膜が露出していることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1に記載の液晶表示装置であって、前記複数の開口部は規則的に配置されており、これら複数の開口部の形状および配列により前記表示領域の有効視野角を制御するようにしたことを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項1に記載の液晶表示装置であって、前記下層金属膜として、Ti、Cr、Ta、Wのいずれか1種類の金属またはそれらを主成分とする合金を用いたことを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項1に記載の液晶表示装置であって、前記下層金属膜は、膜厚2.5〜50nmであることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項1に記載の液晶表示装置であって、前記上層金属膜として、Al、Agまたはそれらを主成分とする合金を用いたことを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項1に記載の液晶表示装置であって、前記上層金属膜は、膜厚100〜300nmであることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項1に記載の液晶表示装置であって、画素総面積に対する前記開口部の面積比は10〜90%であることを特徴とする液晶表示装置。
- 液晶層を挟んで互いに対向して配置されたTFTアレイ基板と対向電極基板を備え、前記TFTアレイ基板上の表示領域に下層金属膜と上層金属膜の二層構造で前記上層金属膜に複数の開口部が形成れた画素電極を設け、また前記対向電極基板上の表示領域に透明導電性膜からなる対向電極を設けた液晶表示装置の製造方法であって、前記TFTアレイ基板上に前記画素電極を形成する画素電極形成工程を有し、この画素電極形成工程が、
前記下層金属膜を半透過特性を有するように膜厚2.5〜50nmに成膜する工程、
前記下層金属膜上に光反射性を有する上層金属膜を膜厚100〜300nmに成膜する工程、
前記上層金属膜上にフォトレジストを塗布し、写真製版工程により少なくとも2種類以上の露光量で露光を行った後に現像を行い、少なくとも2種類以上の異なる膜厚部分を有するように前記フォトレジストを形成し、このレジストパターンを用いて前記下層金属膜および前記上層金属膜をそれぞれ適当なエッチング液を用いてエッチングして前記画素電極全体のパターンを形成する工程、
前記2種類以上の異なる膜厚部分のうち膜厚の薄い部分のフォトレジストをレジストアッシング処理により除去し、膜厚の厚い部分のフォトレジストを残存させる工程、
前記残存した膜厚の厚い部分のレジストパターンを用いて前記上層金属膜をエッチングし
、前記上層金属膜に複数の開口部を形成する工程、
前記残存したレジストパターンを除去して、前記下層金属膜と前記上層金属膜の二層構造で前記上層金属膜に複数の開口部が設けられた上記画素電極を形成する工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004156435A JP4646018B2 (ja) | 2004-05-26 | 2004-05-26 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004156435A JP4646018B2 (ja) | 2004-05-26 | 2004-05-26 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005338388A JP2005338388A (ja) | 2005-12-08 |
JP4646018B2 true JP4646018B2 (ja) | 2011-03-09 |
Family
ID=35492049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004156435A Expired - Fee Related JP4646018B2 (ja) | 2004-05-26 | 2004-05-26 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4646018B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4976692B2 (ja) | 2005-12-28 | 2012-07-18 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置 |
JP4945128B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2012-06-06 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 |
JP5044119B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2012-10-10 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 |
US7667809B2 (en) | 2005-12-28 | 2010-02-23 | Lg. Display Co., Ltd. | FFS mode liquid crystal display device and method of fabricating the same |
JP5044120B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2012-10-10 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置 |
JP4976691B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2012-07-18 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置 |
JP5452834B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2014-03-26 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置 |
US8233124B2 (en) | 2005-12-28 | 2012-07-31 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
JP5242011B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2013-07-24 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 |
TW200809353A (en) | 2006-07-07 | 2008-02-16 | Hitachi Displays Ltd | Optically isotropic liquid crystal materials and display apparatus using the same |
KR101275729B1 (ko) * | 2006-11-27 | 2013-06-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 어레이 기판, 그 어레이 기판을 이용한 액정 표시 장치 및그의 제조 방법 |
WO2008102508A1 (ja) * | 2007-02-20 | 2008-08-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置 |
KR101969428B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2019-04-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 |
KR102363666B1 (ko) * | 2015-04-30 | 2022-02-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001108818A (ja) * | 1998-07-17 | 2001-04-20 | Seiko Epson Corp | カラーフィルタ基板、カラーフィルタ基板の製造方法、液晶装置及び液晶装置の製造方法並びに電子機器 |
JP2002365658A (ja) * | 1998-02-04 | 2002-12-18 | Seiko Epson Corp | 液晶装置 |
WO2003073157A1 (en) * | 2002-02-26 | 2003-09-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transreflective type liquid crystal display and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3231638B2 (ja) * | 1996-11-13 | 2001-11-26 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置及びその駆動方法 |
-
2004
- 2004-05-26 JP JP2004156435A patent/JP4646018B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002365658A (ja) * | 1998-02-04 | 2002-12-18 | Seiko Epson Corp | 液晶装置 |
JP2001108818A (ja) * | 1998-07-17 | 2001-04-20 | Seiko Epson Corp | カラーフィルタ基板、カラーフィルタ基板の製造方法、液晶装置及び液晶装置の製造方法並びに電子機器 |
WO2003073157A1 (en) * | 2002-02-26 | 2003-09-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transreflective type liquid crystal display and method of manufacturing the same |
JP2005518567A (ja) * | 2002-02-26 | 2005-06-23 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 半透過型液晶表示装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005338388A (ja) | 2005-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7525626B2 (en) | Liquid crystal display and method for manufacturing the same | |
US8294855B2 (en) | Method of fabricating a liquid crystal display device | |
US7440055B2 (en) | Transflective liquid crystal display device and fabricating method thereof | |
KR100531410B1 (ko) | 반사투과형 액정표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조 방법 | |
US6184960B1 (en) | Method of making a reflective type LCD including providing a protective metal film over a connecting electrode during at least one portion of the manufacturing process | |
US7403245B2 (en) | Liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
KR100741537B1 (ko) | 반투과형 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
US20060290830A1 (en) | Semi-transmissive liquid crystal display device and method of manufacture thereof | |
JP4317705B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP4646018B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
KR100660531B1 (ko) | 반사투과 복합형 박막트랜지스터 액정표시장치 | |
JP2007212969A (ja) | 反射板及び該反射板を備える液晶表示装置並びにその製造方法 | |
US20070188682A1 (en) | Method for manufacturing a display device | |
JP2000258802A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 | |
KR20080091324A (ko) | 반투과형 액정표시장치 | |
US20060092351A1 (en) | Liquid crystal display panel of horizontal electronic field applying type and fabricating method thereof | |
JP3513409B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
US20090079920A1 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
KR100802460B1 (ko) | 반투과형 액정표시장치 | |
JP4107047B2 (ja) | 半透過型液晶表示装置 | |
JP3372882B2 (ja) | 反射型液晶表示装置における基板の製造方法 | |
JP2009093145A (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
KR100692689B1 (ko) | 반투과형 액정표시장치 | |
JP2006098756A (ja) | 液晶表示装置 | |
KR20070002555A (ko) | 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060714 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090619 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090722 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100302 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100427 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101019 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101026 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101130 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131217 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4646018 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131217 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131217 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131217 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |