CN100426062C - 半透射型tft阵列衬底以及半透射型液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

提供一种在同一层上设置了源极布线和反射像素电极的半透射型液晶显示装置，即使在保持源极布线和反射像素电极的间隔而形成的情况下，也不降低反射对比度，并且，没有透明像素电极和辅助电容布线发生短路的危险，可修补点缺陷。与透明像素电极(91)在同一层上，在反射区域形成对比度降低防止电极(95)。并且，在平面图上不与辅助电容布线(24)重叠的位置上，设置连接对比度降低防止电极(95)和透明像素电极(91)用的连接部(202)。在对比度降低防止电极(95)和对置电极(未图示)间产生面间短路的情况下，可在连接部(202)上从透明像素电极(91)切断对比度降低防止电极(95)。

Description

半透射型TFT阵列衬底以及半透射型液晶显示装置

技术领域

本发明涉及作为0A设备等的图像、字符信息的显示装置使用的有源矩阵型的液晶显示装置，特别涉及像素区域具有使光透射的透射区域和使周围光反射的反射像素电极的半透射型液晶显示装置。

背景技术

现有技术的一般的半透射型液晶显示装置中所使用的半透射型TFT(薄膜晶体管)阵列衬底(以下，有时只称为“TFT阵列衬底”)的各像素上设置透射区域和反射区域，该透射区域用于使设置在显示面背面的背光透射，该反射区域用于使入射到液晶层的周围光反射。

下述的结构和制造方法为人们所熟知：在这样的半透射型液晶显示用TFT阵列衬底上，在同一层上形成构成反射区域的反射像素电极、和具有源电极的源极布线以及漏电极，从而简化了制造步骤。

并且，在半透射型液晶显示装置中，在同一层上设置源极布线和反射像素电极的情况下，为了防止二者短路引起的损伤，必须保持源极布线和反射像素电极的间隔来形成。在该间隔的最下层形成有辅助电容电极以及辅助电容布线。因此，设置在与TFT阵列衬底对置的对置衬底上的对置电极和辅助电容电极以及辅助电容布线相对置。

并且，在专利文献1中公开了与本发明相关的发明。

专利文献1日本特开2001-343660号公报

但是，在现有的TFT阵列衬底的结构中，辅助电容电极以及辅助电容布线与对置电极是等电位，故不能对液晶层施加电场，该液晶层存在于该保持的间隔中。因此，存在如下问题：不能通过电场抑制从显示面入射后由源极布线和反射像素电极之间的辅助电容电极以及辅助电容布线反射的反射光，因此，导致反射对比度降低。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而进行的，其目的在于提供一种在同一层上设置了源极布线和反射像素电极的半透射型液晶显示装置，即使在保持源极布线和反射像素电极的间隔来形成的情况下，也不会降低反射对比度，并且，不存在透明像素电极和辅助电容布线发生短路的危险，可修补点缺陷。

方案1中记载的半透射型TFT阵列衬底具有：辅助电容布线，具有形成在绝缘衬底上的辅助电容电极；透明像素电极，在所述绝缘衬底的上方，形成在透射区域上；以及对比度降低防止电极，与所述透明像素电极在同一层上，并形成在反射区域上，其中，所述TFT阵列衬底的俯视上不与所述辅助电容布线重叠的位置上设置了连接部，该连接部用于连接所述对比度降低防止电极和所述透明像素电极。

按照方案1中记载的半透射型TFT阵列衬底，因为设置了对比度降低防止电极，所以，在对比度降低防止电极和对置电极之间的液晶层上施加电场，来自辅助电容电极的反射光不出射到显示面，即可得到反射对比度较高的良好的显示特性。

此外，按照方案1中记载的半透射型TFT阵列衬底，所述TFT阵列衬底的俯视图上不与所述辅助电容布线重叠的位置上设置了连接部，该连接部连接对比度降低防止电极和透明像素电极。

附图说明

图1是表示构成实施方式1的半透射型液晶显示装置的半透射型TFT阵列衬底的像素的平面图。

图2是表示构成实施方式1的半透射型液晶显示装置的半透射型TFT阵列衬底的像素的剖面图。

图3是表示构成实施方式1的半透射型液晶显示装置的半透射型TFT阵列衬底的透明像素电极之连接部附近的放大俯视图。

图4是表示构成实施方式1的半透射型液晶显示装置的半透射型TFT阵列衬底的制造步骤的剖面图。

图5是表示构成实施方式1的半透射型液晶显示装置的半透射型TFT阵列衬底的制造步骤的剖面图。

图6是表示构成实施方式1的半透射型液晶显示装置的半透射型TFT阵列衬底的制造步骤的剖面图。

图7是表示构成实施方式1的半透射型液晶显示装置的半透射型TFT阵列衬底的制造步骤的剖面图。

图8是表示构成实施方式1的半透射型液晶显示装置的半透射型TFT阵列衬底的制造步骤的俯视图。

图9是表示构成实施方式1的半透射型液晶显示装置的半透射型TFT阵列衬底的制造步骤的俯视图。

图10是表示构成实施方式1的半透射型液晶显示装置的半透射型TFT阵列衬底的制造步骤的俯视图。

图11是表示构成实施方式1的半透射型液晶显示装置的半透射型TFT阵列衬底的制造步骤的剖面图。

图12是表示构成现有技术的半透射型液晶显示装置的半透射型TFT阵列衬底以及对置衬底的剖面图。

图13是表示构成实施方式1的半透射型液晶显示装置的半透射型TFT阵列衬底以及对置衬底的剖面图。

图14是表示构成实施方式2的半透射型液晶显示装置的半透射型TFT阵列衬底的透明像素电极之连接部附近的放大俯视图。

图15是表示构成实施方式3的半透射型液晶显示装置的半透射型TFT阵列衬底的透明像素电极之连接部附近的放大俯视图。

具体实施方式

(实施方式1)

(A-0.背景技术)

在作为本发明的背景技术的半透射型液晶显示装置中，在TFT阵列衬底的反射区域的最上层设置了对比度降低防止电极。并且，对比度降低防止电极配置在源极布线和反射像素电极之间。

通过形成对比度降低防止电极，从而可以向对比度降低防止电极和对置电极间的液晶层施加电场，来自辅助电容电极的反射光不出射到显示面上，即可得到反射对比度较高的良好的显示特性。

但是，因为对比度降低防止电极形成在反射区域的最上层，所以，对置电极和对比度降低防止电极之间存在导电性的夹杂物等的情况下存在面间短路的可能性。

反射区域的TFT阵列衬底和滤色片衬底间的距离是透射区域的距离的1/2，所以，即使夹杂物的高度是透射区域的TFT阵列衬底和滤色片衬底间的距离的1/2，也会与对置电极发生面间短路。并且，发生面间短路时，其像素为点缺陷。

此处，产生面间短路的像素在未向对置电极和形成在TFT阵列衬底上的像素电极(透明像素电极和反射像素电极)之间施加电压时，通过光的N/W(normally white)的情况下，成为亮斑缺陷，未施加电压时不通过光的N/B(normally black)的情况下，成为黑点缺陷。

并且，因为半透射型的液晶显示面板作为N/W来制作，所以，产生面间短路时，成为亮点缺陷。

这样，形成在反射区域的最上层的对比度降低防止电极和对置电极之间夹杂导电性的夹杂物导致产生面间短路的情况下，用户可切断对比度降低防止电极，由此，需要实施点缺陷的修复。

但是，在平面图上，用于连接对比度降低防止电极和透明像素电极的连接部与形成在其下层的辅助电容布线重叠。

因此，在连接部从透明像素电极将对比度降低防止电极切断后，在切断部存在透明像素电极与辅助电容布线发生短路的可能性。

此处，本发明提供一种不会发生透明像素电极和辅助电容布线短路的危险、可由切断对比度降低防止电极来修复点缺陷的TFT阵列衬底。

以下，基于附图对构成本发明的半透射型液晶显示装置的半透射型TFT阵列衬底10(以下，有时称为“TFT阵列衬底”)以及TFT阵列衬底10的制造方法的实施方式进行说明。各图中相同的符号作为相同或者实质上相同的结构，省略其说明。

(A-1.整体结构)

图1是表示本实施方式的TFT阵列衬底10的概要结构的平面图，图2是从图1所示的TFT阵列衬底10的箭头A-A线(源极布线部以及反射区域：S)、箭头B-B线(透射区域：T)、箭头C-C线(TFT部)观察时的剖面图。图3是形成在构成TFT阵列衬底10的透明像素电极上的连接部202附近的放大俯视图。

图4到图7是用于说明本实施方式的TFT阵列衬底10的制造方法的剖面图，图8到图11是用于说明本实施方式的TFT阵列衬底10的制造方法的平面图。

图1中，设置在TFT阵列衬底10上的各像素由使光透射的透射区域T和使入射到液晶层上的周围光反射的反射区域S构成。

图1、图2中，玻璃衬底等的透明绝缘衬底(绝缘衬底)1上形成：栅极布线22，具有由第1导电膜构成的栅电极21；以及辅助电容布线(Cs：图1中用粗线表示)24，为了防止来自背光的漏光并在一定期间内保持电压，而具有第1辅助电容电极23以及第2辅助电容电极25，在其上层设置第1绝缘膜3。

在栅电极21上经由第1绝缘膜(栅极绝缘膜)3形成作为半导体层的半导体有源膜4以及欧姆接触膜5。半导体有源膜4、第1绝缘膜3、栅电极21、欧姆接触膜5、源电极61以及漏电极62构成作为开关元件的TFT64。

此外，从源电极61延伸的源极布线63以经由第1绝缘膜3与栅极布线22交叉的方式进行设置。此外，为提高耐电压，在该交叉部以及源极布线63上残留半导体有源膜4以及欧姆接触膜5。

以从漏电极62延伸的反射像素电极65形成反射区域S。即，使用第2导电膜形成反射像素电极65，因此，作为第2导电膜，使用至少在其表面层具有反射率较高的金属膜的薄膜。

此外，为了防止反射像素电极65和源极布线63的短路引起的缺陷，距离源极布线63保持预定的间隔L(优选为5μm～10μm左右)来配置反射像素电极65。

以覆盖所述结构要素的方式设置第2绝缘膜7，除去反射像素电极65上的第2绝缘膜7的一部分，形成接触孔81。

在其上层形成由透射率较高的导电膜(以下称为透明导电膜)构成的透明像素电极91，并形成透射区域T。

即，在透明绝缘衬底1的上方，在透射区域T上形成透明像素电极91。

透明像素电极91通过接触孔81与反射像素电极65电连接，并且，通过反射像素电极65与漏电极62电连接。

此外，在反射像素电极65和源极布线63的间隔L上，经由第2绝缘膜7以透明导电膜来配置对比度降低防止电极95。对比度降低防止电极95与透明像素电极91在同一层上，并形成在反射区域S上。

并且，本实施方式中，沿源极布线63与源极布线63大致平行地形成对比度降低防止电极95。

(A-2.连接部的结构)

此外，在平面图上不与所述辅助电容布线24重叠的位置上，设置了连接对比度降低防止电极95和透明像素电极91用的连接部202。

并且，如后所述，由于对比度降低防止电极95和对置电极间夹持导电性的夹杂物，从而当对比度降低防止电极95和对置电极短路的情况下，在连接部202上，通过激光切割将对比度降低防止电极95从透明像素电极91上切断、分开。

图3是连接部202附近201的放大俯视图。如图3所示，连接部202被设置在透明像素电极91或者对比度降低防止电极95上的一对狭缝203所夹持。

并且，在产生面间短路的情况下，沿连接部202激光切割对比度降低防止电极95。

然后，对狭缝203的尺寸进行说明。图3中，在某种程度上宽度A1的大小被接触孔81的位置限定。并且，狭缝203的宽度A1增大时，在对比度降低防止电极95和对置电极之间未施加电场的区域变大，所以，漏光的区域变宽。

此外，尺寸B1也同样，为了避免激光切割时与辅助电容布线24发生短路，越大越好，但是，当增大时，在与对置电极之间未施加电场的区域变大，漏光的区域变大。

连接部202是在激光修复时激光切割的区域。并且，连接部202的尺寸C1由激光修复所使用的装置的加工精度决定。如果是可精密加工的修复装置，则可以减小C1的尺寸。

如以上说明，增大A1、B1以及C1的尺寸时，因为没有作为透射电极91的ITO的区域变大，所以，在与对置电极之间未施加电场的区域变宽。并且，漏光的区域变宽，故对比度变小。因此，优选A1、B1以及C1的尺寸为小于等于5μm。具体地说，优选以A1＝3μm、B1＝3μm、C1＝5μm的尺寸形成狭缝301。

(B.制造步骤)

然后，使用图4到图11对本实施方式1的半透射型液晶显示装置的制造步骤进行说明。

首先，如图4以及图8所示，清洗玻璃衬底等透明绝缘衬底1，使表面净化后，通过溅射法等在该透明绝缘衬底1上形成第1导电膜，进行构图。

作为第1导电膜，例如使用铬(Cr)、钼(Mo)、钽(Ta)、钛(Ti)或铝(Al)构成的膜或者将这些作为主要成分的合金等构成的薄膜。本实施方式中，作为第1导电膜，形成膜厚为400hm的铬膜。

并且，在第1导电膜上在后述的步骤中通过干法刻蚀形成接触孔81，为了在接触孔81中形成得到电连接用的导电薄膜(透明导电膜)，优选使用难以产生表面氧化的金属薄膜或即使被氧化也具有导电性的金属薄膜作为第1导电膜。

此外，使用Al系的材料作为第1导电膜的情况下，为了防止表面氧化引起的导电性的劣化，可以在表面形成氮化Al膜或Cr、Mo、Ta、Ti等膜。

然后，在第一照相制版步骤中对第1导电膜进行构图，形成栅电极21、栅极布线22、第1辅助电容电极23以及辅助电容布线24、第2辅助电容电极25。

在反射区域S的几乎整个面上形成第1辅助电容电极23，沿后述的源极布线63形成第2辅助电容电极25。在照相制版步骤中，洗净衬底后，涂敷光致抗蚀剂，干燥之后，通过形成了预定图形的掩模进行曝光、显影，由此，在衬底上形成转印了掩模图形的抗蚀剂，使光致抗蚀剂加热固化后，进行第1导电膜的刻蚀，并使其后的光致抗蚀剂剥离。

并且，可以使用公知的刻蚀剂以湿法刻蚀进行第1导电膜的刻蚀。例如，在由铬构成了第1导电膜的情况下，使用混合了硝酸铈铵(diammonium cerium nitrate)以及硝酸的水溶液。

此外，在第1导电膜的刻蚀中，为了提高图形边缘台阶部的绝缘膜的覆盖率以防止与其它的台阶部发生短路，优选进行锥形刻蚀以便形成为图形边缘剖面为梯形形状的圆锥形。

然后，如图5以及图9所示，通过等离子体CVD法等连续形成第1绝缘膜3、半导体有源膜4、欧姆接触膜5，并进行构图。作为成为栅极绝缘膜的第1绝缘膜3，可以使用SiNx膜、SiOy膜、SiOzNw膜中任意的单层膜或者对它们进行层叠的多层膜(其中，x、y、z、w是分别表示化学计量组成的正数)。

第1绝缘膜3的厚度较薄的情况下，在栅极布线22和源极布线63的交叉部容易产生短路，较厚的情况下，TFT的ON电流变小，显示特性降低，所以，比第1导电膜形成得厚，但是，优选尽量形成得较薄。

此外，为了防止产生小孔等引起的层间短路，优选分数次形成第1绝缘膜3。本实施方式中，形成膜厚为300nm的SiN膜后，进一步形成膜厚为100nm的SiN膜，由此，形成膜厚为400nm的SiN膜作为第1绝缘膜3。

作为半导体有源膜4，可使用非晶硅(a-Si)膜、多晶硅(p-Si)膜等。半导体有源膜4的膜厚较薄的情况下，在后述的欧姆接触膜5的干法刻蚀时，产生膜的消失，较厚的情况下，TFT的ON电流变小，所以，需要考虑对欧姆接触膜5进行干法刻蚀时的刻蚀量的控制性和所需要的TFT的ON电流值来进行选择。本实施方式1中，形成膜厚为150nm的a-Si膜作为半导体有源膜4。

作为欧姆接触膜5使用在a-Si中微量掺杂了磷(P)的n型a-Si膜或者n型p-Si膜。本实施方式中，形成30nm的n型a-Si膜作为欧姆接触膜5。

然后，在第二照相制版步骤中，进行构图，以便使半导体有源膜4以及欧姆接触膜5至少残留在形成TFT部的部分上。并且，半导体有源膜4以及欧姆接触膜5除残留在形成TFT膜的部分之外，还残留在栅极布线22和源极布线63交叉的部分以及形成源极布线63的部分上，由此，可增大耐电压。

并且，使用公知的气体组成(例如，SF₆和O₂的混合气体或者CF₄和O₂的混合气体)，以干法刻蚀来进行半导体有源膜4以及欧姆接触膜5的刻蚀。

然后，如图6以及图10所示，通过溅射法等形成第2导电膜，并进行构图。作为第2导电膜，例如使用以铬、钼、钽、钛或以它们作为主要成分的合金为第1层6a、以铝、银(Ag)或以它们作为主要成分的合金为第2层6b的薄膜来形成。

在欧姆接触层5以及第1绝缘膜3上以直接接触的方式形成第1层6a，在该第1层6a上以直接与其接触的方式重叠第2层6b。因为使用第2导电膜作为源极布线63以及反射像素电极65，所以，需要考虑布线电阻以及表面层的反射特性来构成。本实施方式中，形成膜厚为100nm的铬膜作为第2导电膜的第1层6a，形成膜厚为300nm的AlCu膜作为其第2层6b。

然后，在第三照相制版步骤中，对第2导电膜进行构图，形成具有源电极61的源极布线63和具有漏电极62的反射像素电极65。因为在同一层上连续形成漏电极62和反射像素电极65，所以，在同一层内电连接漏电极62和反射像素电极65。可以使用公知的刻蚀剂以湿法刻蚀进行第2导电膜的刻蚀。

然后，刻蚀除去TFT部的欧姆接触膜5的中央部，露出半导体有源膜4。可使用公知的气体组成(例如，SF₆和O₂的混合气体或者CF₄和O₂的混合气体)以干法刻蚀进行欧姆接触膜5的刻蚀。

此外，除去由形成接触孔81的部分的AlCu所形成的第2层6b，形成接触区域66。在第三照相制版步骤时，使用半色调(half tone)曝光等方法进行曝光，以使形成接触孔81的部分的光致抗蚀剂厚度变薄，对欧姆接触面5进行了干法刻蚀后，使用氧等离子体等进行抗蚀剂的减膜处理，由此，只除去形成接触孔81的部分的抗蚀剂，并进行AlCu的湿法刻蚀来形成。由此，与透明导电膜接触的第2导电膜的表面为第1层6a的铬，可得到具有良好导电率的接触。

此处，对半色调曝光过程进行说明。在半色调曝光中，通过半色调掩膜例如掩膜的Cr的图形上具有浓淡的掩膜进行曝光，由此，调整曝光强度，控制光致抗蚀剂的残留膜厚。然后，首先进行完全除去光致抗蚀剂的部分的第2层6b的刻蚀。

然后，使用氧等离子体等对光致抗蚀剂进行减膜处理，由此，除去残留膜厚较少的部分的光致抗蚀剂。然后，在光致抗蚀剂的残留膜厚较少的部分(除去光致抗蚀剂)进行第2层6b的刻蚀。由此，可通过1次照相制版步骤进行2个步骤的构图。

在第2导电膜的表面形成氮化铝合金(AlCuN)等的情况下，反射率降低若干，但是，可得到与后述的透明导电膜91良好的接触，故可省略形成所述接触区域66的步骤。

然后，通过等离子体CVD法等形成第2绝缘膜7。作为第2绝缘膜7，可以由与第1绝缘膜3相同的材质形成，优选考虑下层图形的覆盖率来决定膜厚。本实施方式中，形成膜厚为500nm的SiN膜作为第2绝缘膜7。

然后，在第四照相制版步骤中对第2绝缘膜7进行构图，在反射像素电极65上形成接触孔81。使用公知的刻蚀剂以湿法刻蚀法或者使用公知的气体组成以干法刻蚀法进行第2绝缘膜7的刻蚀。

然后，如图7和图11所示，通过溅射法等形成透明导电膜，进行构图。作为透明导电膜，可使用ITO、SnO₂等，特别地，从化学稳定性的观点出发优选使用ITO。并且，结晶ITO或非晶ITO(a-ITO)的任何一种都可以，但是，在使用了a-ITO的情况下，在构图后需要加热到结晶温度180℃或者180℃以上，使其结晶。本实施方式中，形成膜厚为80nm的a-ITO作为透明导电膜。

然后，在第五照相制版步骤中对透明导电膜进行构图，在透射区域T上形成透明像素电极91。考虑构图时的偏移等，在反射区域S和透射区域T的边界部，以经由第2绝缘膜7与反射像素电极65一部分重叠的方式形成透明像素电极91。在边界部以外的反射区域S上不形成透明导电膜，防止反射率降低。

此外，为了防止透明导电膜和第1绝缘膜3以及第2导电膜7之间的电压减小，可以使透明像素电极91和反射像素电极65的电压大致为等电位。此外，由透明导电膜覆盖位于反射像素电极65和透明像素电极91的连接部的接触孔81的侧壁部分。

本实施方式中，在反射像素电极65和源极布线63的间隔L上经由第2绝缘膜7以透明导电膜形成防止反射对比度降低用的对比度降低防止电极95。沿源极布线63在与第1辅助电容电极23重叠的位置上大致与源极布线63平行地形成对比度降低防止电极95。

此外，如图1所示，从至少与所述源极布线对置形成的所述反射像素电极的端部到与配置对置衬底(后述)的黑矩阵的边界R对应的位置形成对比度降低防止电极95，该对置衬底(后述)与TFT阵列衬底10对置配置。也可以经由第1绝缘膜3以及第2绝缘膜7在与反射像素电极65的一部分重叠的位置上形成对比度降低防止电极95。并且，对比度降低防止电极95从透明像素电极91延长而形成，从而可简化制造步骤。

这样形成的TFT阵列衬底10在其后的单元化步骤中涂敷取向膜，在一定的方向实施研磨处理。同样地，与TFT阵列衬底10对置的对置衬底(未图示)在其它的透明绝缘衬底上具有包围像素区域的黑矩阵，在该被包围的区域上形成滤色片。在滤色片的上层沉积对置透明电极等，实施涂敷取向膜的研磨处理。

经由隔离物以相互的取向膜相对的方式使这些TFT阵列衬底10和对置衬底重合，用密封材料粘接衬底周缘部，在两衬底间封入液晶。在这样形成的液晶单元的两面粘上偏光板后，在背面安装背光单元，由此，完成半透射型液晶显示装置。

并且，在对置衬底上的、与TFT阵列衬底10上的反射区域S对置的部分上形成透明有机膜，反射区域S的液晶层的厚度比透射区域T薄，从而可容易地使反射和透射的电光学特性平衡。

图12是现有技术的TFT阵列衬底10的剖面图和与该TFT阵列衬底10对置的对置衬底的剖面图，图13是从图1所示的TFT阵列衬底10的箭头A-A线观察的剖面图和与该TFT阵列衬底10对置的对置衬底的剖面图。

(C.动作)

使用图12、图13对本发明的动作进行说明。图12、图13中，与TFT阵列衬底10对置配置的对置衬底110在对置用透明绝缘膜衬底101上形成用于遮光的黑矩阵120、滤色片121、外涂层(overcoat)130、对置透明电极195。

并且，图13在对比度降低防止电极95和对置电极195之间存在导电性的夹杂物204，表示产生面间短路的状态。

如图12所示，现有技术的半透射型液晶显示装置中采用一般的常白模式(normally white)(未施加电场时，为白显示的模式)时若施加电场，则设置在源极布线63和反射像素电极65之间的间隔L上形成的辅助电容电极23、和对置的对置衬底110上的对置电极195大致为等电位，无需在该部分的液晶层100上施加电场而保持为常白显示状态。

因此，如图中D所示，从显示面111(周围光入射面)进入的光由辅助电容电极23反射，再次向显示面111出射，成为反射对比度降低的原因。

本发明中，如图13所示，从所述反射像素电极的端部到与边界R对应的位置经由第1绝缘膜3以及第2绝缘膜7设置对比度降低防止电极95，从而在对比度降低防止电极95和对置电极195之间的液晶层100上施加电场，所以，来自间隔L的辅助电容电极23的反射光不出射到显示面111上，即可得到反射对比度较高的良好的显示特性，所述反射像素电极至少与所述源极布线对置并形成在源极布线63和反射像素电极65的间隔L上，边界R配设有对置衬底的黑矩阵。

此处，如图13所示，在因导电性的夹杂物204而产生面间短路的情况下，可在连接部202(参照图1、图3)上将对比度降低防止电极95从透明像素电极91上断开，从而可消除面间短路。

并且，因为连接部202在从辅助电容布线24离开的位置，所以，在切断对比度降低防止电极95时，透明像素电极91和辅助电容布线24不会发生短路。

并且，设置在所述透明像素电极91或所述对比度降低防止电极95上的一对狭缝203夹持连接部202，所以，宽度变窄。因此，在连接部202上可容易地切断对比度降低防止电极95。

(D.效果)

如以上所说明的那样，本实施方式的TFT阵列衬底10，在平面图上不与辅助电容布线24重叠的位置上，设置了连接对比度降低防止电极95和透明像素电极91用的连接部202。

其结果是，在连接部202上切断对比度降低防止电极95时，没有透明像素电极91和辅助电容布线24发生短路的危险。

此外，设置在透明像素电极91或对比度降低防止电极95上的一对狭缝203夹持连接部202。

因此，通过一对狭缝203，连接部202宽度变窄，所以，可容易地切断对比度降低防止电极95。

本实施方式的半透射型液晶显示装置具有以上说明的TFT阵列衬底10，因而，在修复因面间短而产生点缺欠的像素时，可防止该像素的透明像素电极91和辅助电容布线24发生短路。

(实施方式2)

(A.结构)

图14是构成本实施方式的半透射型液晶显示装置的TFT阵列衬底10的放大俯视图。

本实施方式的TFT阵列衬底10中，代替实施方式1中所示的一对狭缝203(参照图1、图3)，在辅助电容电极24上形成了狭缝205。

并且，在平面图中，在与辅助电容布线24的狭缝205对应的位置设置了连接对比度降低防止电极95和透明像素电极91用的连接部202。

以上，以不重叠的方式构成辅助电容布线24和连接部202。

其它的结构与实施方式1相同，省略重复说明。

(B.动作)

在面板制造步骤中，进行激光修复的情况下，观察TFT阵列衬底10的背面的图像。

并且，一边观察图像，一边沿着图14所示的连接部202从背面通过激光切断透明像素电极91。并且，从透明像素电极91断开对比度降低防止电极95。

(C.效果)

在面板制造步骤中，进行激光修复的情况下，需要观察TFT阵列衬底10的背面的图像进行修复。

但是，形成在最上层的透明像素电极91是透明的，所以，目视并确认透明像素电极91的连接部202是很困难的。

本实施方式的半透射型液晶显示装置在辅助电容布线24上形成了狭缝205，所以，可观察进行激光切割的位置。

其结果是，可容易地切断对比度降低防止电极95。此时，通过形成在辅助电容布线24上的狭缝205，在平面图上，对比度降低防止电极95和透明像素电极91之间的连接部202与辅助电容布线24不重叠，所以，进行激光切割后，透明像素电极91和辅助电容布线24不会发生短路。

本实施方式的半透射型液晶显示装置具有以上说明的TFT阵列衬底10，所以，在修复因面间短路而产生点缺陷的像素时，可防止该像素的透明像素电极91和辅助电容布线24发生短路。并且，可容易地指定进行激光切割的位置。

(实施方式3)

(A.结构)

图15是形成在构成本实施方式的半透射型液晶显示装置的TFT阵列衬底10的透明像素电极上的连接部之放大俯视图。

本实施方式的TFT阵列衬底10是实施方式1的TFT阵列衬底10和实施方式2的TFT阵列衬底10的组合，与实施方式1或者2相同的结构付以相同的符号，省略重复说明。

如图15所示，在透明像素电极91或者对比度降低防止电极95上形成一对狭缝203，同时，在辅助电容布线24上形成狭缝205。

(B.效果)

相对于实施方式2的TFT阵列衬底10，本实施方式的TFT阵列衬底10在最上层的透明像素电极91或者对比度降低防止电极95上还形成了一对狭缝203。

因此，在本实施方式的TFT阵列衬底10中，配置在与狭缝205对应的位置上的连接部202因狭缝203而变得比实施方式2的TFT阵列衬底10窄。

其结果是，与实施方式2的TFT阵列衬底10相比，可容易地从透明像素电极91切断对比度降低防止电极95。

本实施方式的半透射型液晶显示装置具有以上说明的TFT阵列衬底10，所以，修复因面间短路而产生了点缺陷的像素时，可以防止该像素的透明像素电极95和辅助电容布线24发生短路。并且，较容易地指定、切断进行激光切割的位置。

Claims (5)

1.一种半透射型TFT阵列衬底，包括：辅助电容布线，具有形成在绝缘衬底上的辅助电容电极；透明像素电极，在所述绝缘衬底上方，形成在透射区域上；以及对比度降低防止电极，与所述透明像素电极在同一层上，并形成在反射区域上，其特征在于，

所述TFT阵列衬底的俯视图上不与所述辅助电容布线重叠的位置上设置了连接部，该连接部用于连接所述对比度降低防止电极和所述透明像素电极。

2.如权利要求1记载的半透射型TFT阵列衬底，其特征在于，

所述连接部夹持在设置于所述透明像素电极或者所述对比度降低防止电极上的一对狭缝中。

3.如权利要求2记载的半透射型TFT阵列衬底，其特征在于，

所述辅助电容布线具有狭缝，

在所述TFT阵列衬底的俯视图上，在与所述辅助电容布线的所述狭缝对应的位置上设置了所述连接部。

4.如权利要求1记载的半透射型TFT阵列衬底，其特征在于，

所述辅助电容布线具有狭缝，

在所述TFT阵列衬底的俯视图上，在与所述辅助电容布线的所述狭缝对应的位置上设置了所述连接部。

5.一种半透射型液晶显示装置，其特征在于，

具有权利要求1至4中任意一项记载的半透射型TFT阵列衬底。

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