CN110133925B - 显示面板亮点修补方法及其主动矩阵基板和显示面板 - Google Patents

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    • G02F2203/64—Normally black display, i.e. the off state being black

Abstract

一种显示面板亮点修补方法，其包括步骤：提供一基板，基板上定义有多个像素区域，多个像素区域内的至少一个包括基底，形成于基底上的第一金属层，覆盖第一金属层的第一绝缘层，形成于第一绝缘层上的半导体层和欧姆接触层，形成于半导体层及欧姆接触层上的第二金属层、覆盖第二金属层、欧姆接触层以及第一绝缘层的第二绝缘层以及形成于第二绝缘层上的第一导电层，第二金属层包括源极和漏极，半导体层及欧姆接触层导通源极和漏极，通过激光形成贯穿第二绝缘层并切断漏极的通孔；在第一导电层和第二绝缘层上形成第三绝缘层并覆盖通孔；在第三绝缘层上形成第二导电层，通过激光熔融方式使第一导电层和第二导电层连接。

Description

显示面板亮点修补方法及其主动矩阵基板和显示面板
技术领域
本发明涉及一种显示面板亮点修补方法以及使用该修补方法制作的主动矩阵基板和显示面板。
背景技术
在现有的IPS型液晶面板中，每一个子像素中作为开关元件的薄膜晶体管TFT的通道层通常由半导体层和欧姆接触层层叠构成。在此类液晶面板的制造过程中，形成欧姆接触层时，需要去除半导体层上方位于源极与漏极之间的欧姆接触层，该欧姆接触层为有高浓度的杂质掺入的半导体，例如，n+a-Si(n型高浓度掺杂非晶硅)。但由于制程上的偏差，有时欧姆接触层不能被完全清除，造成半导体层上有掺杂例子残留。原本栅极对该子像素完成充电而关闭后，子像素将会维持预设电压，但由于掺杂离子残留，源极上的电压漏电至漏极，使漏极无法维持预设电压，造成该子像素显示电压与预设电压不同，显示灰阶偏离预设灰阶，从而形成亮点。
现行的液晶面板修补技术是将彩色滤光片基板与阵列基板贴合并封入液晶形成液晶显示面板并利用框架组合液晶显示面板、光学膜片与背光模组形成可显示画面的液晶显示装置后，通过液晶单元点灯测试来检查液晶显示装置的画面中是否存在显示不良的亮点。当发现液晶面板中有一个子像素因为半导体层内残留有欧姆接触层而显示为亮点，可用激光修补砍断漏极，再利用激光将与漏极一同被砍断的像素电极与公共电极熔接，使二者压差为0V，对于常黑(Normal black)型的液晶显示面板(即，在面板不施加电压时，面板不透光，看起来是黑色)，例如IPS型液晶面板而言，液晶的夹压为像素电极与公共电极之间的压差，即0V，光透射率几乎为0，该子像素从亮点变为暗点。然而，通过这种修补方式对液晶面板进行修补时，由于激光修补砍断漏极后，漏极暴露在空气中，会被氧化从而影响显示效果。另外，在激光修补砍断漏极的同时，有可能破坏栅极上方的栅极绝缘层而导致栅极氧化，从而影响整条栅极的信号传输。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可以避免漏极和栅极氧化的液晶面板亮点修补技术以及使用该液晶面板亮点修补技术的液晶面板。
一种显示面板亮点修补方法，包括：
提供一基板，基板上定义有多个像素区域，多个像素区域内的至少一个包括基底，形成于基底上的第一金属层，覆盖第一金属层的第一绝缘层，形成于第一绝缘层上的半导体层和欧姆接触层，形成于半导体层及欧姆接触层上的第二金属层、覆盖第二金属层、欧姆接触层以及第一绝缘层的第二绝缘层以及形成于第二绝缘层上的第一导电层，第二金属层包括源极和漏极，半导体层及欧姆接触层导通源极和漏极；
通过激光形成贯穿第二绝缘层并切断漏极的通孔；
在第一导电层和第二绝缘层上形成第三绝缘层并覆盖通孔；
在第三绝缘层上形成第二导电层，通过激光熔融方式使第一导电层和第二导电层连接。
优选的，在第三绝缘层上形成第二导电层之前，通过激光熔融在第三绝缘层上开设至少一个开口，再在第三绝缘层上形成第二导电层并覆盖至少一个开口，使第二导电层通过至少一个开口与第一导电层电连接。
优选的，在第三绝缘层上形成第二导电层，从第二导电层侧通过激光熔融直接使第一导电层和第二导电层连接。
优选的，至少一个开口贯穿第三绝缘层使第二导电层通过至少一个通孔与第一导电层电连接。
优选的，至少一个开口贯穿第一导电层从而第二导电层通过至少一个通孔与第一导电层电连接。
优选的，通孔将漏极分为与半导体层和欧姆接触层重叠的漏极第一部分以及不与半导体层和欧姆接触层重叠的漏极第二部分，在第三绝缘层上还开设第二通孔，第二通孔贯穿至漏极，以使第一导电层通过第二通孔与漏极第二部分电连接。
优选的，基板划分为显示区域以及围绕显示区域设置的周边区域，第一金属层包括位于周边区域的第一周边金属层，第一导电层遍布显示区域以及周边区域第二导电层包括位于周边区域的第二周边导电层，通过激光熔融方式使第一周边金属层分别与第一导电层和第二周边导电层电连接。
一种主动矩阵基板，主动矩阵基板上定义有多个像素区域，多个像素区域的至少一个包括基底、形成于基底上的栅极、覆盖栅极的第一绝缘层、形成于第一绝缘层上的半导体层和欧姆接触层、形成于半导体层及欧姆接触层两侧的源极、漏极、覆盖源极、漏极、欧姆接触层和第一绝缘层的第二绝缘层、形成于第二绝缘层上的公共电极，第二绝缘层开设有贯穿第二绝缘层并切断漏极的通孔，基板还包括覆盖第二绝缘层和公共电极的第三绝缘层以及形成于第三绝缘层上的像素电极，第三绝缘层覆盖通孔，第三绝缘层上开设有至少一开口，像素电极通过至少一开口与公共电极电连接。
优选的，至少一开口贯穿第三绝缘层使公共电极通过至少一通孔与像素电极电连接。
优选的，至少一开口贯穿像素电极从而公共电极通过至少一通孔与像素电极电连接。
优选的，开口将漏极分为与半导体层和欧姆接触层重叠的漏极第一部分以及不与半导体层和欧姆接触层重叠的漏极第二部分，在第三绝缘层上还开设第二通孔，第二通孔贯穿至漏极，以使像素电极通过第二通孔与漏极第二部分电连接。
优选的，基板划分为显示区域以及围绕显示区域设置的周边区域，在周边区域中，公共电极遍布显示区域以及周边区域，基板还包括与栅极同层的第一周边金属层以及像素电极同层的第二周边导电层，在周边区域第一周边金属层分别与公共电极和第二周边导电层电连接。
一种显示面板，包括上述主动矩阵基板。
一种显示面板亮点修补方法，包括以下步骤：提供一主动矩阵基板，主动矩阵基板上形成有薄膜晶体管和公共电极，通过激光熔断薄膜晶体管的漏极，以绝缘层覆盖被熔断的漏极，在绝缘层上形成开口，在绝缘层上形成像素电极并覆盖开口以使像素电极与公共电极电连接。
附图说明
图1为本发明第一实施方式的显示面板亮点修补方法中的基板修补前的平面示意图。
图2为本发明第一实施方式的显示面板亮点修补方法中的基板修补后的平面示意图。
图3A～图3D为本发明第一实施方式的显示面板亮点修补方法的剖面示意图。
图4A～图4B为本发明第二实施方式的显示面板亮点修补方法的剖面示意图。
图5是表示TFT的通道区域内的欧姆接触层被完全去除的情况。
图6是表示TFT的通道区域内残留有欧姆接触层的情况。
图7是表示本发明第四实施方式的显示面板的示意图。
附图说明
Figure BDA0001576509880000041
Figure BDA0001576509880000051
具体实施方式
本发明的显示面板亮点修补方法适用于NB(常黑)型液晶显示面板，例如，IPS型液晶显示面板中。
参照图1、图2及图3A～图3D，对本发明第一实施方式的显示面板亮点修补方法进行说明。
在液晶显示面板的制造过程中，本发明的显示面板亮点修补方法可以在形成公共电极层之后的主动矩阵基板上进行，所述主动矩阵基板即为形成有TFT阵列的基板，也称为TFT基板。也就是说，本发明的显示面板亮点修补方法首先提供一基板100。请参见图3A，基板100可以划分为用于显示的显示区域AA(Active Area)和围绕显示区域设置的周边区域NAA(Non Active Area)。再参见图1，在基板的显示区域(AA)包括有多条相互平行的栅极线(或称扫描线)GL和多条相互平行的源极线(或称数据线)SL，多条栅极线GL和多条源极线SL垂直相交在基板100上定义出多个呈矩阵状排列的像素区域。像素区域中，在源极线SL与栅极线GL相交的位置附近形成有薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)。该基板100包括一基底10，形成于基底10上的第一金属层11，形成于基底10具有第一金属层11的表面并覆盖第一金属层11的第一绝缘层12，形成于第一绝缘层12上的半导体层13和欧姆接触层14，形成于半导体层13及欧姆接触层14上的第二金属层15，覆盖第二金属层15、欧姆接触层14、半导体层13以及第一绝缘层12的第二绝缘层16以及形成于第二绝缘层16上的第一导电层17。
下面参照图3A对基板100的各层进行具体说明。
基底10可以由透明绝缘材料构成的用于承载其他元件的基底，可以使用例如玻璃或者透明树脂材料等制成。
第一金属层11可以利用溅射法等使钛、铝、钼、铜、铬等金属或者它们的合金以单层或者多层成膜，然后用光刻法等进行图案化来形成。在本实施方式中，使用AlNd合金和钼的金属层层叠体作为第一金属层11的材料。第一金属层11包括位于显示区域AA的栅极GE和位于周边区域NAA的周边金属电极122等。可以理解，第一金属层11还可以包括栅极线GL等。
作为第一绝缘层12(也称为栅极绝缘膜)以及第二绝缘层16的材料，适合使用氮化硅、氧化硅、感光性丙烯酸树脂等透明的材料中的一种或者几种。本实施例中，该第一绝缘层12例如可以是利用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，PECVD)法形成氮化硅g-SiNx膜，再在氮化硅膜上利用涂敷法形成感光性丙烯酸树脂膜而形成的。
半导体层13和欧姆接触层14由下至上形成于第一绝缘层12上对应栅极GE的位置。其中，欧姆接触层14是用来连接后述源极SE、漏极DE与半导体层13，因此，欧姆接触层14至少形成于半导体层13与后述源极、漏极重叠之处。半导体层13可以由非晶硅(a-si)、多晶硅(p-si)、单晶硅(c-si)等高电阻半导体材料构成。在本实施方式中，其由非晶硅构成。此外，作为半导体层13的材料，也可以使用氧化锌、IGZO(铟镓锌氧化物)等氧化物半导体，在利用PECVD法等成膜后，利用光刻法等进行图案化。欧姆接触层14一般为低电阻半导体层，在本实施方式中，其由n+a-Si(高浓度掺杂的N型硅)构成，例如向非晶硅掺入了磷等杂质的n+非晶硅。
第二金属层15可以通过与第一金属层11相同的方法图案化形成，在本实施方式中，其由以钼-铝-钼的金属层叠体构成。第二金属层15包括源极SE和漏极DE，源极SE和漏极DE分别隔开一定间隔形成于半导体层13及欧姆接触层14两侧，且与半导体层13及欧姆接触层14部分重叠。可以理解，本实施方式仅针对显示亮点的子像素进行具体说明，也就是源极SE和漏极DE之间的欧姆接触层14没有被清除干净的子像素进行具体说明，因此，示意性地描绘出残留的欧姆接触层14。而在其他显示正常的子像素中，源极SE和漏极DE之间并不存在欧姆接触层14。源极SE和漏极DE之间的半导体层13构成该薄膜晶体管的通道区域。可以理解，第二金属层15还可以包括源极线SL。
第一导电层17为透明导电层，其材料可以是例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO)等透明导电材料或者它们的合金。第一导电层17作为显示面板的公共电极CE，其为整片状的，遍布显示面板的显示区域AA和周边区域NAA。
请参照图5和图6，图5是表示TFT的通道区域内的欧姆接触层14被完全去除的情况，图6是表示TFT的通道区域内残留有欧姆接触层14的情况，可以将图6认为是图3A～图3D以及图4A和图4B的TFT的放大截面图。对上述基板100进行自动光学检测(AOI，AutomaticOptic Inspection)，当检测到某一像素区域中出现图6所示的薄膜晶体管的通道区域残留有欧姆接触层14，例如，通过AOI检测到通道区域中呈现欧姆接触层14的颜色，即源极SE和漏极DE之间的半导体层13上残留有欧姆接触层14的情况时，通过以下步骤对该像素区域进行亮点修复。
首先，如图3A所示，从基板100的第二绝缘层16一侧通过激光照射穿透第二绝缘层16并熔断漏极DE，形成漏极第一部分DE1和漏极第二部分DE2。漏极第一部分DE1是指漏极DE与半导体层13和欧姆接触层14重叠的部分，漏极第二部分DE2是指漏极DE没有与半导体层13和欧姆接触层14重叠的部分。此时，在基板100上形成贯穿第二绝缘层16并切断漏极DE的第一通孔TH1。
如图3B所示，为了防止栅极和被切断的漏极DE暴露在空气中被氧化，在所述激光熔断漏极DE后在基板100上形成第三绝缘层18，第三绝缘层18同时填充于第一通孔TH1中。该第三绝缘层18可以用与形成第一绝缘层12和第二绝缘层16相同的方法和材料制成，并发挥使公共电极CE与后述的像素电极PE绝缘的作用。
如图3C所示，在显示区域AA的第三绝缘层18上通过激光形成贯穿第三绝缘层18的第一开口OP1并暴露出第一导电层17。在本实施方式中，为了简化制程通过激光形成第一开口OP1，在发明其他实施方式中，当然也可以使用曝光、显影、蚀刻的光刻步骤在第三绝缘层18形成该第一开口OP1。
参照图2和图3D，在第三绝缘层18上形成第二导电层19，第二导电层19包括位于显示区域AA的像素电极PE和位于周边区域NAA的第二周边导电层192。在显示区域AA，第二导电层19(像素电极PE)通过第一开口OP1与第一导电层17(公共电极CE)电连接。该第二导电层19可以以与第一导电层17相同的材料和方法形成。
在显示区域AA，从基板100的第二导电层19一侧，通过激光熔融贯穿第三绝缘层18和第二绝缘层16使第二导电层19与漏极第二部分DE2电连接。从图上来看，就是第二导电层19与漏极第二部分DE2通过第二通孔TH2电连接。这样一来，基板100的漏极DE被切断，TFT无法对像素电极PE充电，且像素电极PE和公共电极CE电连接，二者压差为0V，对于常黑型的液晶显示面板而言，显示电压为0V，光透射率几乎为0，该子像素从亮点变为暗点。
在本实施方式中，为了不改变原有的掩膜设计而将漏极第二部分DE2和第二导电层19(像素电极PE)电连接，在其他实施方式中，也可以是在实施修补的子像素中，漏极DE与第二导电层19(像素电极PE)不连接。
另外，在周边区域NAA，通过激光熔融使第二周边导电层192与第一导电层17电连接，并使第二周边导电层192与第一周边电极122电连接。第二周边导电层192连接第一导电层17与第一周边电极122，此时第一周边电极122作为周边区域NAA的公共电极，供给公共电压信号给第一导电层17。
本发明第一实施方式的显示面板亮点修补方法，通过在像素电极PE形成之后切断漏极DE，接着以绝缘层18覆盖漏极的第一通孔TH1从而避免了在对液晶显示面板进行亮点修补后，漏极DE和栅极GE暴露在空气中被氧化，提高了显示品质。
第二实施方式
参见图4A～图4B对本发明第二实施方式进行说明。对于与第一实施方式中说明过的元件标注相同附图标记并省略其具体说明。
本发明第二实施方式与第一实施方式的不同之处在于，在显示区域AA中，从第三绝缘层18侧通过激光形成贯穿第三绝缘层18和第一导电层17(公共电极CE)的第一开口OP1a并暴露出第二绝缘层16。
然后，在第三绝缘层18上形成包括像素电极PE的第二导电层19，显示区域AA中的第二导电层19(像素电极PE)通过第一开口OP1a与第一导电层17(公共电极CE)电连接。
本发明第二实施方式也可以达到如第一实施方式所述相同的技术效果。
在本发明第一实施方式和第二实施方式中，为了保证开口率，仅在显示区域AA中，第三绝缘层18上形成一个开口以连接第一导电层17与第二导电层19。然而，在本发明其他实施方式中，也可以是在显示区域AA中形成多个开口以连接二导电层，或者在周边区域NAA中也形成多个开口以连接该二导电层。
另外，本发明第一实施方式和第二实施方式中均揭示了在第二导电层19形成之前在第三绝缘层18上形成开口以便第二导电层19形成时直接与第一导电层17相连，也可以不在第三绝缘层18上形成开孔，直接形成第二导电层19，然后通过激光熔融方式从第二导电层19贯穿至第一导电层17从而直接使二者电连接。
第三实施方式
参照图3D说明本发明第三实施方式的主动矩阵基板(基板)100a，该主动矩阵基板100a是通过本发明的液晶显示面板修补方法修补后得到的主动矩阵基板。与第一实施方式和第二实施方式同样地，仅对亮点修补后的子像素进行详细说明，且对于与第一实施方式和第二实施方式中说明过的元件标注相同附图标记并省略其具体说明。
本发明第三实施方式的主动矩阵基板100a包括基底10、形成于基底10上的栅极GE和第一周边电极122，形成于基底10具有栅极GE和第一周边电极122的表面且覆盖栅极GE和第一周边电极122的第一绝缘层12，形成于第一绝缘层12上对应栅极GE位置上的半导体层13和欧姆接触层14，形成于半导体层13及欧姆接触层14两侧且部分覆盖半导体层13及欧姆接触层14的源极SE、漏极DE，覆盖源极SE、漏极DE、半导体层13、欧姆接触层14以及第一绝缘层12的第二绝缘层16、形成于第二绝缘层16上的公共电极17(CE)，第二绝缘层16开设有贯穿第二绝缘层16并切断漏极DE的第一通孔TH1，该第一通孔TH1将漏极DE分成漏极第一部分DE1和漏极第二部分DE2，主动矩阵基板100a还包括覆盖第二绝缘层16、公共电极17(CE)的第三绝缘层18以及形成于第三绝缘层18上的像素电极PE和第二周边导电层192，第三绝缘层18覆盖第一通孔TH1，在像素电极PE与公共电极CE重叠的位置，贯穿第三绝缘层18开设有位于显示区域AA的第一开口OP1和位于非显示区域NAA的第二开口OP2，像素电极PE通过第一开口OP1和第二开口OP2与公共电极CE电连接。在本发明的其他实施方式中，也可以是如图4B所示，第一开口OP1和/或第二开口OP2也可以贯穿像素电极层19从而使公共电极CE与像素电极PE电连接。
此外，第三绝缘层18上还开设第二通孔TH2，所述第二通孔TH2贯穿至所述漏极DE，以使所述像素电极PE通过所述第二通孔TH2与所述漏极第二部分DE2电连接。漏极第一部分DE1是指漏极DE中与半导体层13和欧姆接触层14重叠的漏极部分，漏极第二部分DE2是指漏极DE中没有与半导体层13和欧姆接触层14重叠的漏极部分。
另外，在周边区域NAA中，第二周边导电层192通过第三通孔TH3与第一周边电极122电连接。
在显示区域AA，主动矩阵基板100a的漏极DE被切断，TFT无法对像素电极PE充电，因此，在显示过程中无法改变显示亮度。且像素电极PE和公共电极CE电连接，二者压差为0V，对于常黑型的液晶显示面板而言，显示电压为0V，光透射率几乎为0，该子像素从亮点变为暗点。
在本实施方式中，漏极第二部分DE2和像素电极PE电连接，在其他实施方式中，也可以漏极DE与像素电极PE不连接。
另外，在周边区域NAA，第二周边导电层192连接像素电极17(CE)与第一周边电极122，此时第一周边电极122作为周边区域NAA的公共电极，供给公共电压信号给像素电极17(CE)。
实施方式四
请参考图7，本发明第四实施方式的显示面板1包括本发明第三实施方式的主动矩阵基板100a，与主动矩阵基板100a相对设置的彩色滤光片基板200和，封装于主动矩阵基板100a以及彩色滤光片基板200之间的液晶层300，分别贴附于主动矩阵基板100a以及彩色滤光片基板200的偏光片400，分别设置于主动矩阵基板100a以及彩色滤光片基板200靠近液晶层300的配向膜500等。此外，显示面板1还包括背光装置(未图示)、光学膜片(未图示)等。彩色滤光片基板200还包括对应主动矩阵基板100a的像素区域设置的彩色滤光片(未图示)，以及设置于各彩色滤光片之间的黑矩阵(未图示)。
本发明第三实施方式的主动矩阵基板100a和第四实施方式的显示面板1可以避免在对液晶显示面板进行亮点修补后，漏极和栅极暴露在空气中被氧化，提高了显示品质。
本发明不限于上述的各实施方式，能在权利要求所示的范围进行各种变更，对于将在不同的实施方式中分别公开的技术方案适当组合而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围。而且，通过将在各实施方式中分别公开的技术方案组合，能形成新的技术特征。

Claims (14)

1.一种显示面板亮点修补方法，其特征在于，包括：
提供一基板，所述基板上定义有多个像素区域，所述多个像素区域内的至少一个包括基底，形成于所述基底上的第一金属层，覆盖所述第一金属层的第一绝缘层，形成于所述第一绝缘层上的半导体层和欧姆接触层，形成于所述半导体层及所述欧姆接触层上的第二金属层、覆盖所述第二金属层、所述欧姆接触层以及所述第一绝缘层的第二绝缘层以及形成于所述第二绝缘层上的第一导电层，所述第二金属层包括源极和漏极，所述半导体层及所述欧姆接触层导通所述源极和漏极；
通过激光形成贯穿所述第二绝缘层并切断所述漏极的通孔；
在所述第一导电层和所述第二绝缘层上形成第三绝缘层并覆盖所述通孔；
在所述第三绝缘层上形成第二导电层，通过激光熔融方式使所述第一导电层和所述第二导电层连接。
2.如权利要求1所述的显示面板亮点修补方法，其特征在于，
在所述第三绝缘层上形成第二导电层之前，通过激光熔融在所述第三绝缘层上开设至少一个开口，
再在所述第三绝缘层上形成第二导电层并覆盖所述至少一个开口，使所述第二导电层通过所述至少一个开口与所述第一导电层电连接。
3.如权利要求1所述的显示面板亮点修补方法，其特征在于，
在所述第三绝缘层上形成第二导电层，从所述第二导电层侧通过激光熔融直接使所述第一导电层和所述第二导电层连接。
4.如权利要求1所述的显示面板亮点修补方法，其特征在于，所述至少一个开口贯穿所述第三绝缘层使所述第二导电层通过至少一个所述 通孔与所述第一导电层电连接。
5.如权利要求1所述的显示面板亮点修补方法，其特征在于，所述至少一个开口贯穿所述第一导电层从而所述第二导电层通过所述至少一个通孔与所述第一导电层电连接。
6.如权利要求1所述的显示面板亮点修补方法，其特征在于，所述通孔将所述漏极分为与所述半导体层和所述欧姆接触层重叠的漏极第一部分以及不与所述半导体层和所述欧姆接触层重叠的漏极第二部分，在所述第三绝缘层上还开设第二通孔，所述第二通孔贯穿至所述漏极，以使所述第一导电层通过所述第二通孔与所述漏极第二部分电连接。
7.如权利要求1所述的显示面板亮点修补方法，其特征在于，所述基板划分为显示区域以及围绕所述显示区域设置的周边区域，所述第一金属层包括位于所述周边区域的第一周边金属层，所述第一导电层遍布所述显示区域以及所述周边区域， 所述第二导电层包括位于所述周边区域的第二周边导电层，通过激光熔融方式使所述第一周边金属层分别与所述第一导电层和所述第二周边导电层电连接。
8.一种主动矩阵基板，所述主动矩阵基板上定义有多个像素区域，所述多个像素区域的至少一个包括基底、形成于所述基底上的栅极、覆盖所述栅极的第一绝缘层、形成于所述第一绝缘层上的半导体层和欧姆接触层、形成于所述半导体层及所述欧姆接触层两侧的源极、漏极、覆盖所述源极、漏极、欧姆接触层和第一绝缘层的第二绝缘层、形成于所述第二绝缘层上的公共电极，其特征在于，
所述第二绝缘层开设有贯穿所述第二绝缘层并切断所述漏极的通孔，
所述基板还包括覆盖所述第二绝缘层和所述公共电极的第三绝缘层以及形成于所述第三绝缘层上的像素电极，所述第三绝缘层覆盖所述通孔，
所述第三绝缘层上开设有至少一开口，所述像素电极通过所述至少一开口与所述公共电极电连接。
9.如权利要求8所述的主动矩阵基板，其特征在于，所述至少一开口贯穿所述第三绝缘层使所述公共电极通过所述至少一通孔与所述像素电极电连接。
10.如权利要求8所述的主动矩阵基板，其特征在于，所述至少一开口贯穿所述像素电极从而所述公共电极通过所述至少一通孔与所述像素电极电连接。
11.如权利要求8所述的主动矩阵基板，其特征在于，所述开口将所述漏极分为与所述半导体层和所述欧姆接触层重叠的漏极第一部分以及不与所述半导体层和所述欧姆接触层重叠的漏极第二部分，在所述第三绝缘层上还开设第二通孔，所述第二通孔贯穿至所述漏极，以使所述像素电极通过所述第二通孔与所述漏极第二部分电连接。
12.如权利要求8所述的主动矩阵基板，其特征在于，所述基板划分为显示区域以及围绕所述显示区域设置的周边区域，在所述周边区域中，所述公共电极遍布所述显示区域以及所述周边区域，所述基板还包括与所述栅极同层的第一周边金属层以及所述像素电极同层的第二周边导电层，在所述周边区域所述第一周边金属层分别与所述公共电极和所述第二周边导电层电连接。
13.一种显示面板，其特征在于，包括所述权利要求8～12任意一项 中所述的主动矩阵基板。
14.一种显示面板亮点修补方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一主动矩阵基板，所述主动矩阵基板上形成有薄膜晶体管和公共电极，
通过激光熔断所述薄膜晶体管的漏极，
以绝缘层覆盖被熔断的所述漏极，
在所述绝缘层上形成开口，
在所述绝缘层上形成像素电极并覆盖所述开口以使所述像素电极与所述公共电极电连接。
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