JP2006309028A - 表示装置および表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】接続配線10上の保護膜12を除去し、そこにデータラインDLと同じ材料で形成された接続配線10を露出し、その上にITOからなる透明導電体層110を形成する。そして、この透明電極層110とバンプ26aをAFC24を介し接続する。
【選択図】図1
Description
Claims (20)
- 周辺部に別の半導体集積回路を直接接続するCOG端子部を有するアクティブマトリクス型の表示装置であって、
前記COG端子部は、
周辺部に配置されたアルミニウムまたはアルミニウム合金の層を含む導電体で形成された接続配線と、
この接続配線を覆う配線保護膜と、
この配線保護膜の端子部に該当する箇所に形成された開口部と、
この開口部の前記接続配線の表面を覆う透明導電体層と、
を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1に記載の表示装置であって、
前記COG端子部は、前記別の半導体集積回路からの信号を受け入れる信号受け入れ用COG端子部と、前記別の半導体集積回路へ信号を供給する信号供給用COG端子部の2つを含み、
前記2つのCOG端子部は、それぞれが前記接続配線と、前記配線保護膜と、前記開口部と、前記透明導電体層と、を有し、
前記信号受け入れ用COG端子における前記接続配線は、その下方の配線を介し、表示装置内部における画素へ接続される内部配線と接続され、前記信号供給用COG端子における前記接続配線は、その下方の配線を介し、外部からの信号受け入れ用に別に設けられたOLB端子に接続されることを特徴とする表示装置。 - 請求項2に記載の表示装置において、
前記OLB端子も、
アルミニウムまたはアルミニウム合金の層を含む導電体で形成された接続配線と、
この接続配線を覆う配線保護膜と、
この配線保護膜の端子部に該当する箇所に形成された開口部と、
この開口部の前記接続配線の表面を覆う透明導電体層と、
を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項3に記載の表示装置において、
前記表示装置の表示部の各画素には、その表示を制御するための薄膜トランジスタが設けられ、
この薄膜トランジスタは、半導体層と、この半導体層を覆うゲート絶縁膜と、半導体層のチャネル領域の上方に当たるゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、ゲート電極およびゲート絶縁膜を覆う層間絶縁膜と、を有し、
前記信号受け入れ用COG端子部の接続配線と前記内部配線を接続する別の配線および前記信号供給用COG端子の接続配線と前記OLB端子を接続する別の配線は、前記ゲート電極と同一のプロセスで形成されたものであることを特徴とする表示装置。 - 請求項2または3に記載の表示装置において、
前記接続配線と内部配線を接続する接続配線の下方の配線および前記接続配線とOLB端子に接続される接続配線の下方の配線は、モリブデン配線であることを特徴とする表示装置。 - 請求項1〜5のいずれか1つに記載の表示装置において、
前記表示装置の表示部の各画素には、透明導電体を電極として利用する表示素子がそれぞれ設けられており、
前記信号受け入れ用COG端子部または信号供給用COG端子部またはOLB端子部における前記透明導電体層と、各画素の透明導電体の電極は、同一のプロセスで形成されたものであることを特徴とする表示装置。 - 請求項1〜6のいずれか1つに記載の表示装置において、
前記信号受け入れ用COG端子部または信号供給用COG端子部またはOLB端子部における前記透明導電体層は、前記開口周辺の配線保護膜も覆うように形成されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1〜7のいずれか1つに記載の表示装置において、
前記信号受け入れ用COG端子部または信号供給用COG端子部またはOLB端子部における透明導電体層は、ITOで形成されることを特徴とする表示装置。 - 請求項1〜8のいずれか1つに記載の表示装置において、
前記内部配線は、表示装置内部の各画素へデータ信号を供給するデータラインであり、
各画素は、
一端が前記データラインに接続された薄膜トランジスタと、
この薄膜トランジスタを覆うトランジスタ保護膜と、
を含み、
前記信号受け入れ用COG端子部または信号供給用COG端子部またはOLB端子部における配線保護膜と、前記トランジスタ保護膜は同一のプロセスで形成されたものであることを特徴とする表示装置。 - 請求項1〜9のいずれか1つに記載の表示装置において、
前記配線保護膜は、窒化シリコン膜であることを特徴とする表示装置。 - 周辺部に別の半導体集積回路を直接接続するCOG端子部を有するアクティブマトリクス型の表示装置の製造方法であって、
パネル周辺部に配置される接続配線を、アルミニウムまたはアルミニウム合金の層を含む導電体で形成するステップと、
この接続配線を覆う配線保護膜を形成するステップと、
この配線保護膜の端子部に該当する箇所に開口部を形成するステップと、
この開口部の前記接続配線の表面を覆う透明導電体層を形成するステップと、
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項11に記載の表示装置の製造方法において、
前記COG端子部は、前記別の半導体集積回路からの信号を受け入れる信号受け入れ用COG端子部と、前記別の半導体集積回路へ信号を供給する信号供給用COG端子部の2つを含み、
前記2つのCOG端子部は、それぞれが前記接続配線と、前記配線保護膜と、前記開口部と、前記透明導電体層と、を有し、同一のプロセスで形成されることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項11に記載の表示装置の製造方法において、
前記信号受け入れ用COG端子における前記接続配線は、接続配線の形成に先立って形成された下方の配線を介し、表示装置内部における画素へ接続される内部配線と接続され、前記信号供給用COG端子における前記接続配線は、接続配線の形成に先立って形成された下方の配線を介し下方の配線を介し、外部からの信号受け入れ用OLB端子に接続されることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項13に記載の表示装置の製造方法において、
前記OLB端子も、
アルミニウムまたはアルミニウム合金の層を含む導電体で形成された接続配線と、
この接続配線を覆う配線保護膜と、
この配線保護膜の端子部に該当する箇所に形成された開口部と、
この開口部の前記接続配線の表面を覆う透明導電体層と、
を有し、
このOLB端子も前記2つのCOG端子と同一プロセスで形成されることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項14に記載の表示装置の製造方法において、
前記表示装置の表示部の各画素には、その表示を制御するための薄膜トランジスタが設けられ、
この薄膜トランジスタは、半導体層と、この半導体層を覆うゲート絶縁膜と、半導体層のチャネル領域の上方に当たるゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、ゲート電極およびゲート絶縁膜を覆う層間絶縁膜と、を有し、
前記信号受け入れ用COG端子部の接続配線と前記内部配線を接続する別の配線および前記信号供給用COG端子の接続配線と前記OLB端子を接続する別の配線は、前記ゲート電極と同一のプロセスで形成されることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項11〜15のいずれか1つに記載の表示装置の製造方法において、
前記表示装置の表示部の各画素には、透明導電体を電極として利用する表示素子がそれぞれ設けられており、
前記透明導電体層と、各画素の透明導電体の電極は、同一のプロセスで形成されることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項11〜16のいずれか1つに記載の表示装置の製造方法において、
前記透明導電体層は、前記開口周辺の配線保護膜も覆うように形成されることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項11〜17のいずれか1つに記載の表示装置の製造方法において、
前記透明導電体層は、ITOで形成されることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項11〜18のいずれか1つに記載の表示装置の製造方法において、
前記内部配線は、表示装置内部の各画素へデータ信号を供給するデータラインであり、
各画素は、
一端が前記データラインに接続された薄膜トランジスタと、
この薄膜トランジスタを覆うトランジスタ保護膜と、
を含み、
前記配線保護膜と、前記トランジスタ保護膜とを同一のプロセスで形成することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項11〜19のいずれか1つに記載の表示装置の製造方法において、
前記配線保護膜は、窒化シリコン膜であることを特徴とする表示装置の製造方法。
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