JP2006309028A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 周辺部に別の半導体集積回路を直接接続するＣＯＧ端子部を有するアクティブマトリクス型の表示装置であって、
   前記ＣＯＧ端子部は、
   周辺部に配置されたアルミニウムまたはアルミニウム合金の層を含む導電体で形成された接続配線と、
   前記接続配線を覆う配線保護膜と、
   前記配線保護膜の端子部に該当する箇所に形成された開口部と、
   前記開口部の前記接続配線の表面を覆う透明導電体層と、
   前記接続配線の下方に形成され前記接続配線と接続される別の配線と、
   を有することを特徴とする表示装置。
2. 請求項１に記載の表示装置であって、
   前記ＣＯＧ端子部は、前記別の半導体集積回路からの信号を受け入れる信号受け入れ用ＣＯＧ端子部と、前記別の半導体集積回路へ信号を供給する信号供給用ＣＯＧ端子部の２つを含み、
   前記２つのＣＯＧ端子部は、それぞれが前記接続配線と、前記配線保護膜と、前記開口部と、前記透明導電体層と、前記別の配線を有し、
   前記信号受け入れ用ＣＯＧ端子部における前記接続配線は、前記別の配線を介し、表示装置内部における画素へ接続される内部配線と接続され、前記信号供給用ＣＯＧ端子部における前記接続配線は、前記別の配線を介し、外部からの信号受け入れ用に別に設けられたＯＬＢ端子部に接続されることを特徴とする表示装置。
3. 請求項２に記載の表示装置において、
   前記ＯＬＢ端子部も、
   アルミニウムまたはアルミニウム合金の層を含む導電体で形成された接続配線と、
   前記接続配線を覆う配線保護膜と、
   前記配線保護膜の端子部に該当する箇所に形成された開口部と、
   前記開口部の前記接続配線の表面を覆う透明導電体層と、
   前記接続配線の下方に形成され前記接続配線と接続される別の配線と、
   を有することを特徴とする表示装置。
4. 請求項３に記載の表示装置において、
   前記表示装置の表示部の各画素には、その表示を制御するための薄膜トランジスタが設けられ、
   前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層を覆うゲート絶縁膜と、半導体層のチャネル領域の上方に当たるゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、ゲート電極およびゲート絶縁膜を覆う層間絶縁膜と、を有し、
   前記信号受け入れ用ＣＯＧ端子部の接続配線と前記内部配線を接続する前記別の配線および前記信号供給用ＣＯＧ端子部の接続配線と前記ＯＬＢ端子部を接続する前記別の配線は、前記ゲート電極と同一のプロセスで形成されたものであることを特徴とする表示装置。
5. 請求項２または３に記載の表示装置において、
   前記接続配線と前記内部配線を接続する前記別の配線および前記接続配線と前記ＯＬＢ端子部に接続される前記別の配線は、モリブデン配線であることを特徴とする表示装置。
6. 請求項３〜５のいずれか１つに記載の表示装置において、
   前記表示装置の表示部の各画素には、透明導電体を電極として利用する表示素子がそれぞれ設けられており、
   前記信号受け入れ用ＣＯＧ端子部または信号供給用ＣＯＧ端子部またはＯＬＢ端子部における前記透明導電体層と、各画素の透明導電体の電極は、同一のプロセスで形成されたものであることを特徴とする表示装置。
7. 請求項３〜６のいずれか１つに記載の表示装置において、
   前記信号受け入れ用ＣＯＧ端子部または信号供給用ＣＯＧ端子部またはＯＬＢ端子部における前記透明導電体層は、前記開口周辺の配線保護膜も覆うように形成されていることを特徴とする表示装置。
8. 請求項３〜７のいずれか１つに記載の表示装置において、
   前記信号受け入れ用ＣＯＧ端子部または信号供給用ＣＯＧ端子部またはＯＬＢ端子部における透明導電体層は、ＩＴＯで形成されることを特徴とする表示装置。
9. 請求項３〜８のいずれか１つに記載の表示装置において、
   前記内部配線は、表示装置内部の各画素へデータ信号を供給するデータラインであり、
   各画素は、
   一端が前記データラインに接続された薄膜トランジスタと、
   前記薄膜トランジスタを覆うトランジスタ保護膜と、
   を含み、
   前記信号受け入れ用ＣＯＧ端子部または信号供給用ＣＯＧ端子部またはＯＬＢ端子部における配線保護膜と、前記トランジスタ保護膜は同一のプロセスで形成されたものであることを特徴とする表示装置。
10. 請求項１〜９のいずれか１つに記載の表示装置において、
    前記配線保護膜は、窒化シリコン膜であることを特徴とする表示装置。
11. 周辺部に別の半導体集積回路を直接接続するＣＯＧ端子部を有するアクティブマトリクス型の表示装置の製造方法であって、
    パネル周辺部に配置される接続配線を、アルミニウムまたはアルミニウム合金の層を含む導電体で形成するステップと、
    前記接続配線を覆う配線保護膜を形成するステップと、
    前記配線保護膜の端子部に該当する箇所に開口部を形成するステップと、
    前記開口部の前記接続配線の表面を覆う透明導電体層を形成するステップと、
    前記接続配線の形成に先立って別の配線を形成するステップと、
    を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
12. 請求項１１に記載の表示装置の製造方法において、
    前記ＣＯＧ端子部は、前記別の半導体集積回路からの信号を受け入れる信号受け入れ用ＣＯＧ端子部と、前記別の半導体集積回路へ信号を供給する信号供給用ＣＯＧ端子部の２つを含み、
    前記２つのＣＯＧ端子部は、それぞれが前記接続配線と、前記配線保護膜と、前記開口部と、前記透明導電体層と、前記別の配線を有し、同一のプロセスで形成されることを特徴とする表示装置の製造方法。
13. 請求項１１に記載の表示装置の製造方法において、
    前記信号受け入れ用ＣＯＧ端子部における前記接続配線は、接続配線の形成に先立って形成された前記別の配線を介し、表示装置内部における画素へ接続される内部配線と接続され、
    前記信号供給用ＣＯＧ端子部における前記接続配線は、接続配線の形成に先立って形成された別の配線を介し、外部からの信号受け入れ用ＯＬＢ端子部に接続されることを特徴とする表示装置の製造方法。
14. 請求項１３に記載の表示装置の製造方法において、
    前記ＯＬＢ端子部も、
    アルミニウムまたはアルミニウム合金の層を含む導電体で形成された接続配線と、
    前記接続配線を覆う配線保護膜と、
    前記配線保護膜の端子部に該当する箇所に形成された開口部と、
    前記開口部の前記接続配線の表面を覆う透明導電体層と、
    前記接続配線の下方に形成された前記接続配線と接続させる別の配線と、
    を有し、
    前記ＯＬＢ端子部も前記２つのＣＯＧ端子部と同一プロセスで形成されることを特徴とする表示装置の製造方法。
15. 請求項１４に記載の表示装置の製造方法において、
    前記表示装置の表示部の各画素には、その表示を制御するための薄膜トランジスタが設けられ、
    前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層を覆うゲート絶縁膜と、半導体層のチャネル領域の上方に当たるゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、ゲート電極およびゲート絶縁膜を覆う層間絶縁膜と、を有し、
    前記信号受け入れ用ＣＯＧ端子部の接続配線と前記内部配線を接続する別の配線および前記信号供給用ＣＯＧ端子部の接続配線と前記ＯＬＢ端子部を接続する別の配線は、前記ゲート電極と同一のプロセスで形成されることを特徴とする表示装置の製造方法。
16. 請求項１１〜１５のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法において、
    前記表示装置の表示部の各画素には、透明導電体を電極として利用する表示素子がそれぞれ設けられており、
    前記透明導電体層と、各画素の透明導電体の電極は、同一のプロセスで形成されることを特徴とする表示装置の製造方法。
17. 請求項１１〜１６のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法において、
    前記透明導電体層は、前記開口周辺の配線保護膜も覆うように形成されることを特徴とする表示装置の製造方法。
18. 請求項１１〜１７のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法において、
    前記透明導電体層は、ＩＴＯで形成されることを特徴とする表示装置の製造方法。
19. 請求項１１〜１８のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法において、
    前記内部配線は、表示装置内部の各画素へデータ信号を供給するデータラインであり、
    各画素は、
    一端が前記データラインに接続された薄膜トランジスタと、
    前記薄膜トランジスタを覆うトランジスタ保護膜と、
    を含み、
    前記配線保護膜と、前記トランジスタ保護膜とを同一のプロセスで形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
20. 請求項１１〜１９のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法において、
    前記配線保護膜は、窒化シリコン膜であることを特徴とする表示装置の製造方法。