CN105093748A - 液晶面板及其阵列基板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种用于液晶面板的阵列基板，包括基板(10)以及位于基板(10)边缘的外部引线连接区(15)，其中，外部引线连接区(15)包括：在基板(10)上的若干栅极金属块(151)；在栅极金属块(151)上的钝化层(152)；在钝化层(152)中的若干通孔(153)；其中，通孔(153)露出对应的栅极金属块(151)的表面；在钝化层(152)上的导电膜层(154)；其中，导电膜层(154)通过通孔(153)接触栅极金属块(151)的表面。与现有技术相比，本发明中通过将外部引线连接区中的有机平坦层去除，以减小顶层的导电膜层和底层的栅极金属块之间的间距，从而减小二者之间的接触阻抗，以保证二者的接触良性，进而提高液晶面板的显示效果。

Description

液晶面板及其阵列基板
技术领域
本发明属于液晶显示技术领域，具体地讲，涉及一种液晶面板及其阵列基板，尤其涉及一种低温多晶硅(LowerTemperaturePolycrystalSilicon，LTPS)薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)阵列基板。
背景技术
随着光电与半导体技术的演进，也带动了平板显示器(FlatPanelDisplay)的蓬勃发展，而在诸多平板显示器中，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)因具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等诸多优越特性，已成为市场的主流。
目前，作为LCD的开关元件而广泛采用的是非晶硅薄膜三极管(a-SiTFT)，但a-SiTFTLCD在满足薄型、轻量、高精细度、高亮度、高可靠性、低功耗等要求仍受到限制。低温多晶硅(LowerTemperaturePolycrystalSilicon，LTPS)TFTLCD与a-SiTFTLCD相比，在满足上述要求方面，具有明显优势。
LTPSTFT的制程比较复杂，其一般需要十几道制程来制作。尤其针对采用FFS(FringeFieldSwitching，边缘场切换)显示模式的LTPSTFTLCD而言，要求液晶面板的阵列基板的表面需要具有非常高的平整度。目前通常的做法是形成一层有机平坦层来使阵列基板的表面的平整度达到要求。
然而，针对阵列基板的玻璃上芯片(ChipOnGlass，简称COG)和玻璃上挠性印刷线路板(FlexiblePrintedcircuit，简称FPC)邦定(Bonding)区而言，由于该有机平坦层较厚，所以顶层的导电膜层(其通常作为像素电极膜层)和底层的栅极金属块之间的间隔较大，二者的接触阻抗较大，从而无法保证二者的接触良性，进而影响液晶面板的显示效果。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种用于液晶面板的阵列基板，包括基板以及位于基板边缘的外部引线连接区，其中，所述外部引线连接区包括：在所述基板上的若干栅极金属块；在所述栅极金属块上的钝化层；在所述钝化层中的若干通孔；其中，所述通孔露出对应的所述栅极金属块的表面；在所述钝化层上的导电膜层；其中，所述导电膜层通过所述通孔接触所述栅极金属块的表面。
进一步地，所述若干栅极金属块等间隔排布在所述基板上。
进一步地，所述外部引线连接区中具有所述栅极金属块的区域为玻璃上芯片和玻璃上挠性印刷线路板邦定区。
进一步地，所述钝化层还延伸至所述玻璃上芯片和玻璃上挠性印刷线路板邦定区之外的区域。
进一步地，所述导电膜层还延伸至所述玻璃上芯片和玻璃上挠性印刷线路板邦定区之外的区域。
进一步地，所述基板为透明玻璃基板或者透明树脂基板。
进一步地，所述导电膜层采用氧化铟锡形成。
本发明的另一目的还在于提供一种液晶面板，包括对盒设置的阵列基板和彩色滤光片基板，其中，所述阵列基板为上述的阵列基板。
本发明的有益效果：与现有技术相比，本发明中通过将外部引线连接区中的有机平坦层去除，以减小顶层的导电膜层和底层的栅极金属块之间的间距，从而减小二者之间的接触阻抗，以保证二者的接触良性，进而提高液晶面板的显示效果。此外，在实际生产过程中，由于外部引线连接区中不包括有机平坦层，所以外部引线连接区中的玻璃上芯片和玻璃上挠性印刷线路板邦定区和除玻璃上芯片和玻璃上挠性印刷线路板邦定区之外的区域之间高度差大大减小，这样在一块大基板上形成若干阵列排布的阵列基板时，与某一阵列基板的外部引线连接区相邻的阵列基板的显示区二者在进行摩擦取向操作时摩擦强度的差异极小，从而大幅度降低相邻的阵列基板的摩擦不均匀性。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：
图1是根据本发明的实施例的阵列基板的示意图；
图2是根据本发明的实施例的阵列基板的OLB区以及OLB区中的CFB区的侧视示意图；
图3是根据本发明的实施例的若干阵列排布的图1所示的阵列基板的示意图；
图4是根据本发明的实施例的液晶面板的结构示意图。
具体实施方式
以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
在附图中，为了清楚器件，夸大了层和区域的厚度，相同的标号在整个说明书和附图中可用来表示相同的元件。
也将理解的是，在一层或元件被称为在或形成在另一层或基板“之上”时，它可以直接在或形成在该另一层或基板上，或者也可以存在中间层。
图1是根据本发明的实施例的阵列基板的示意图。
参照图1，根据本发明的实施例的阵列基板1包括：基板10以及位于基板10上的显示区11、阵列基板行驱动(GateOnArray，简称GOA)区12、扇形引线(Fanout)区13、阵列布线区(WireOnArray，简称WOA)14、外部引线连接(OuterLeadBonding，简称OLB)区15、玻璃上芯片(ChipOnGlass，简称COG)和玻璃上挠性印刷线路板(FlexiblePrintedcircuit，简称FPC)邦定(Bonding)区(以下简称CFB区)16。
在本实施例中，各个区是根据各个区的功能作用划分的。作为一种实施方式，在本实施例中，两个GOA区12分别位于显示区11的左右两侧；Fanout区13位于显示区11的下侧；两个WOA区14位于显示区11的下侧且分别位于Fanout区13的左右两侧；OLB区15位于Fanout区13和WOA区14的下侧；CFB区16属于OLB区15的一部分。
针对各个区的划分，本发明并不限制于以上描述，本发明也可根据实际制程中具有其他合适的划分方法。
一般而言，显示区11通常包括：交叉排布的若干数据线和若干栅极线，以及位于数据线和栅极线交叉处的低温多晶硅薄膜晶体管。GOA区12用于设置栅极驱动器，以向显示区11中的各栅极线提供栅极驱动信号。CFB区16用于设置数据驱动器、柔性印刷电路板等元器件。Fanout区13用于将CFB区16中的数据驱动器等的数据驱动信号提供给显示区11中的各数据线。WOA区14用于阵列基板周围走线的布置。在本实施例中，各个区包括的膜层也不同，由于本发明仅是针对OLB区15中包括的膜层进行改善，因此以下将仅对OLB区15的具体结构进行详细描述，其他各个区就不在这里进行赘述，本领域的技术人员可参照相关现有技术获知其他各个区的具体膜层结构。
图2是根据本发明的实施例的阵列基板的OLB区以及OLB区中的CFB区的侧视示意图。
参照图2，根据本发明的实施例的OLB区15包括：在基板10上的若干栅极金属块151；在栅极金属块151上的钝化层152；在钝化层152中的若干通孔153，其中，每个通孔153露出对应的一个栅极金属块151的表面；在钝化层152上的导电膜层154，其中，导电膜层154通过每个通孔153接触与每个通孔153对应的栅极金属块151的表面。
在本实施例中，与现有技术相比，OLB区15中不包括有机平坦层，这样可减小顶层的导电膜层154和底层的栅极金属块151之间的间距，减小二者之间的接触阻抗，以保证二者的接触良性，从而提高液晶面板的显示效果。
进一步地，若干栅极金属块151等间隔排布在基板10上，但本发明并不限制于此。
此外，在本实施例中，OLB区15中包括若干栅极金属块151的区域为CFB区16。进一步地，钝化层152延伸至OLB区15中除CFB区16之外的区域。更进一步地，导电膜层154也延伸至OLB区15中除CFB区16之外的区域。当然，本发明并不局限于此，作为本发明的另一实施方式，钝化层152和/或导电膜层154也可不延伸至OLB区15中除CFB区16之外的区域，这样，在OLB区15中除CFB区16之外的区域露出基板10。
在本实施例中，导电膜层154通常作为像素电极膜层，其由氧化铟锡ITO制成，但本发明并不限制于此。在本实施例中，基板10可为透明的玻璃基板，但本发明并不限制于此，例如基板10也可为透明的树脂基板。
图3是根据本发明的实施例的若干阵列排布的图1所示的阵列基板的示意图。参照图3，在实际生产过程中，例如一块大基板上通常形成四个图1所示的阵列基板1，其中，这四个阵列基板1阵列排布。与现有技术相比，由于OLB区15中不包括有机平坦层，即OLB区15包括的CFB区16和CFB区16之外的区域均不包括有机平坦层，所以OLB区15中的CFB区16和CFB区16之外的区域之间的高度差大大减小，这样在一块大基板上形成这四个阵列排布的阵列基板1时，与某一阵列基板1的OLB区15相邻的阵列基板1的显示区11二者在进行摩擦取向操作时摩擦强度的差异极小，从而大幅度降低相邻的阵列基板1的摩擦不均匀性。
图4是根据本发明的实施例的液晶面板的结构示意图。
参照图4，根据本发明的实施例的液晶面板包括：对盒设置的图1所示的阵列基板1和彩色滤光片基板2，以及夹设于二者之间的液晶层3。在本实施例中，为了避免赘述，不再详细对彩色滤光片基板2进行详细描述，本领域的技术人员可参照现有技术来获知彩色滤光片基板2的具体结构。
虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解：在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可在此进行形式和细节上的各种变化。

Claims (9)

1.一种用于液晶面板的阵列基板，包括基板(10)以及位于基板(10)边缘的外部引线连接区(15)，其特征在于，所述外部引线连接区(15)包括：
在所述基板(10)上的若干栅极金属块(151)；
在所述栅极金属块(151)上的钝化层(152)；
在所述钝化层(152)中的若干通孔(153)；其中，所述通孔(153)露出对应的所述栅极金属块(151)的表面；
在所述钝化层(152)上的导电膜层(154)；其中，所述导电膜层(154)通过所述通孔(153)接触所述栅极金属块(151)的表面。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述若干栅极金属块(151)等间隔排布在所述基板(10)上。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述外部引线连接区(15)中具有所述栅极金属块(151)的区域为玻璃上芯片和玻璃上挠性印刷线路板邦定区(16)。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层(152)还延伸至所述玻璃上芯片和玻璃上挠性印刷线路板邦定区(16)之外的区域。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述导电膜层(154)还延伸至所述玻璃上芯片和玻璃上挠性印刷线路板邦定区(16)之外的区域。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述导电膜层(154)还延伸至所述玻璃上芯片和玻璃上挠性印刷线路板邦定区(16)之外的区域。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基板(10)为透明玻璃基板或者透明树脂基板。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电膜层(154)采用氧化铟锡形成。
9.一种液晶面板，包括对盒设置的阵列基板(1)和彩色滤光片基板(2)，其特征在于，所述阵列基板(1)为权利要求1至8任一项所述的阵列基板。
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