TWI344573B - Display apparatus and manufacturing method of display apparatus - Google Patents

Description

1J44573 •九、發明說明： •【發明所屬之技術領域】 / 本發明係關於具有將其他半導體積體電路直接連接於 、•周邊部之COG ( Chip on Glass，玻璃覆晶封裝）端子部之 \主動矩陣型顯示裝置及其製造方法。 口 【先前技術】 以往’在液晶面板等顯示裝置中，將顯示控制用薄膜 φ電晶體配置於各晝素之主動矩陣型顯示裳置已廣為普及。、 在〃此種顯示裝置中，係將來自外部的資料信號（影像 化唬）等接收至面板内，並將該信號供給至各畫素。因此， 忒置垂直方向的資料線、水平方向的選擇（閘極）線，將 f料信號供給至資料線，同時藉由所對應之閘極線來選擇 捋〇之晝素，而控制資料信號對於各畫素的供給。因此， 必須控制對於資料線的資料供給、閘極線的選擇，而需要 5又置垂直驅動器與水平驅動器。 有多數情況是將該等垂直、水平驅動器内建於顯 面板，然而水平驅動器必須控制在1水平期間内將資料 信號供給至各行資料線的動作，而要求要有較高速的處 理。因此，亦有大多數情泥是採用將水平驅動器設置於^ ;:半導體積體電路（水平驅動器IC) π，且從該水平驅動 :益1C直接將資料信號供給至各資料線的構成。此時，係以 考慮採用將各資料線先延伸到面板的周邊部，並經由:CF (AnisotroPic c〇nductive叩出’異向性導電膜）將 動器1C的端子連接於該周邊部之COG構造較為理想。· 318084 5 1M4573 一第18圖係表示採用該COG構造時之構成例。連接於 貝料線DL之連接配線〗〇係由屬於絕緣膜的保護膜12所 /覆蓋。然後，將該保護膜12的一部分予以去除，形成接觸 *.孔（contact hole)’並包括此接觸孔而形成透明導電膜14。 因此’ s玄透明導電膜14係在去除部與連接配線1〇連接。 再者，位於連接配線1 〇之保護膜丨2上的部分係利用作為 COG構造之端子部。另外，該c〇G構造之端子部係形成 •於形成有上述各晝素之薄膜電晶體（TFT) < TFT基板W 上0 在此’保護膜1 2係為用以覆蓋設於各晝素之薄膜電晶 體的平坦化膜。此外，在各晝素中係於該平坦化膜之上： 成透明導電體，例如由IZ〇 ( indium zinc⑽心，銦錫氧化 物）構成的畫素電極。在此，透g月導電膜Μ係與該畫素電 極為相同的膜。 鬌 如此’藉由利用在晝素區域中所形成之平坦化膜及透 明導電膜14’不必追加多餘的製程，即可形成c〇g構造 之端子。卩。此外，於日本專利特開平〇6_ 1 號公報等 中已揭示有將透明導電膜利用於端子部的技術内容。、 在此，在上述的端子部中，由於平坦化膜較為柔軟， 因此會有無法充分進行對於ACF施加壓力之連接的問題。 【發明内容】 依據本發明，係在端子部使用透明導電體層，該透明 導電體層係形成於包括叙或㈣合金（較佳為則d)層 之導電體之連接配線上。因此，在則⑽構造的連接 318084 6 1344573 中，端子部可具有充分的剛性。而且，由於藉由透明導電 -體層覆蓋鋁或鋁系合金的連接配線，因此可抑制氧化皮膜 •等的形成，而使端子部的接觸電阻降低，而進行有效 .接。 « \【實施方式】 以下根據圖式說明本發明之實施形態。 第1圖（A )、第1圖（B )係顯示本實施形態之c〇G 端子部之構造圖。 ， 資料線DL係形成於層間絕緣膜60上，且延伸至周邊 部分’而於COG端子部之正前方形成終端。在該資：線 DL之終端部的層間絕緣膜6〇係形成有接觸&，其係連接 於下方的錮配線8〇。再者，該翻配線8〇係延伸於c〇g端 子部，而在該處於翻配線8〇上形成有連接配線ι〇。另外， 钥配線80係為與後述之開極電極（閘極線）相同之製程 形成者。 < 在連接配線】0、資料線DL、以及位_

•資料線DL之間的層間絕緣膜6〇上係形成有保護膜I 在此’層間絕緣膜60係為Si〇

马Sl〇2/SlN之疊層膜，資料 線DL係為銷（Mo)、鋁/敍（A 1 AI/Nd)、鉬（Mo)之三 層構k的‘電體，而連接 ; 要配線1〇亦相同。另外，資料線 DL及連接配線10係以鈦（Ti)、 : .λα )铭（ΑΙ )、鈦（Tj )之三 層構造的導电體等構成為佳， 冉者作成單層、雙層、四 層以上’或疋利用其他金眉的拔、Α女— 蜀的構以亦無妨。此外，保嗜胆 係以表示為SiNx的氮化矽臈形成。 、、 3J8084 7 1344573 •‘ 將該保護膜1 2之一部分予以丰昤而r1 丨77卞以去除而形成有使連接配 -線1 0露出的去除部I 8。再者，將兮去…却】。 、一 丹百肘4去除部18之連接配線 .10予以覆蓋而形成有透明導電體層11〇。在此例中，咳透 '明導電體層110係由1T〇所形成，其亦形成於去除部18 、周邊之保㈣！2上。亦即，透明導電體層η〇係形成比連 接配線10稍大。 在此，將去除部18設成相對較大。亦即，由該去除部 _ 18内之透明導電體層110所形成之C0G端子部22之底 部’係具有若干程度的面積。因此，在與該去除部之底 部對應的CGG端子部22之透明導電體層UG的底部上設 置ACF (異向性^電膜）24，並以設於水平驅動器π % 之下面的凸塊（bump) 2Q按壓該ACF 24。ACF 24係例 如將導電粒子（經金屬塗佈的塑膠球等）仏混合於熱硬 化樹脂t者’而在該ACF 24被按壓的部分中，由導電粒 子24a與凸塊心及透明導電體層11〇直接接觸，或使導 _電粒子24a彼此接觸，藉此將凸塊加與透明導電體層⑽ .予以連接。由於ACF 24之未被按壓的部分不具導電3性， 因此只要將要進行連接的部分（與水平驅動器^之複數個 端子（凸塊）對應之複數個c〇G端子部）全部覆蓋來進 ;行配置即可，而使僅被凸塊26a按壓的部分導通。另外， ;於凸塊26a亦利用金等。此外’在圖中，雖僅利用厚度方 向一段的ACF 24，然而亦可將該ACF 24重疊2段::。 此時，導電粒子24a彼此連接，而達成凸塊％與去除部 18之透明導電體層n 〇的電性連接。 。 318084 8 丄：

再者在此例中，雖係將連接配線1 〇連接於資料線 Γ他只要是從晝素部延伸’而為以C0G方式連接; 2+物龍電路之崎，則亦可與㈣料其他配線 :此外，有關資料線DL，亦可在途中設置將資料信 ¥通（〇n)或切斷（Of〇的開關（switch)。 挺化二，在不包_部之保護膜】2之上方係形成有平 一 ，於覆盍資料線DL·的保護膜]2上方存在有平 第2圖係顯示畫素電路之構成圖。資料線dl係朝向 行（C0I_:垂直）*向延伸，且於1行設置 條貝枓線。閘極、線G L係朝向液晶面板之列（卿：水平） 三k伸且於1列设置丨條閘極線。再者，於列（謂） 方向係以1列設置1條SC線。 在資料，線DL係、連接有屬於n通道啊的選擇電晶體 Q的〉及極。選擇電晶體Q1的源極，錢接於書素電極3 〇 及保持電容C之—方的雷朽“… ~ 万的冤極。此外，保持電容C之另一方 的電極係連接於SC線SC。I * 琢L再者’與畫素電極30相對向 而設有跨越所有畫素的共通電極 电找W，而畫素電極30與共 通電極32之間係供配置液晶j^c。 、 獲數條閘極線GL係各以]水平期間依序選擇，且設 準。因此，於該開極線GL連接有間極之所屬列 〇广，^心Q"P導通。另—方面，有關於選擇電晶體 Qh通之列的晝素之資_係供給至資料、線dl。因 此，該畫素之資料電壓即分別充電於所選擇之列的各畫素 3)8084 9 丄·544：)/：3 ’之保持電容C。藉此，充電於保持電容〇之資料電墨即施 加於4晝素的液晶LC而進行顯示。閘極線GL雖係依序 .:更選擇，然而就！個畫素而言’係在下一個圖框 :直到進行資料寫入之前’都持續已寫入之資料 样員不。 * i 圖1 4圖係顯示晝素部分之剖面及俯視構成。 f玻璃基板50上，係配置有由_2/训之2層疊層膜所 構成的緩衝層52，而於該缓衝展、 、右主道“【亥緩衝層52上方的預定位置係形 ，導體層72。在此例中’半導體層72係由多晶石夕所 ，成。在半導體層72及緩衝層52的上方係形成有由⑽ / 2之2層疊層膜所構成之閘極絕緣膜54。此外，於兮 2絕緣膜54上方，且為於半導體層72之中央部分的： 4成有閘極電極56。此例雖係採用單閘極型了 f f擇電晶體Q卜而形成有！個閉極電極％，然而亦可形 2個閘極电極56而作為雙閘極型亦極為理想。另外 ^列閘極電極56係將閘極線GL之狀部分朝向水平 么向犬出形成者。半導體層72之閘極電極％的下方部分 =形成通道區域72e，而其兩側則為汲極區域m、源極區 或72s ’藉此以形成選擇電晶體卩卜 閘極電極56及閘極絕緣膜54上係形成有由 ⑽之叠層膜構成的層間絕緣膜6〇。在該層間絕緣膜6〇 且為汲極區域（或源極區域）”d之上方對應的位置， f也成有/及極電極（或源極電極）74。此沒極電極Μ 貫穿層間絕緣膜6〇、閘極絕緣膜54之接點（contact)3 318084 1344573 再者，於濾色片、 y -有對向電極94。此對 上係於所有畫素共通形成 所構成。再者，* 了要配A光料I? 0 為一半，盥反射膜長，使液晶LC的厚度成 相對向的部分係將厚度調整層981 置於濾色片92與對向電極 曰刈"又 片—ή / 4之間。此外，厚度調整芦98 係在VA (垂直配向）形 98 ,(i ^ . + . 孓/夜日日的情況下，雖可作為配向控 制用大起來使用，然而為了 口孜 *辛之對Θ雪炻w 為了要進仃此配向控制，亦可在各 起。 的預疋位置，另外形成配向控制用突 另外’於玻璃基板 差板，於晝素 有配向膜 y\j ^ 極 外惻係設有偏光板 及對向電極94與液晶LC之間則言; 在此種構成中，當包括半導體層72之抓（選 體Q1)導通時，來自資料線DL之資料電壓即施加於主: 電極64。因此，該電壓施加於晝素電極M、存在於雪 •極94間之空間的液晶LC’而進行與資料電壓對應的顯示。 ^ 另外’如第4圖所示’係覆蓋選擇電晶體φ、保持電 容C之上方而形成反射膜68,且該部分係發揮反射型咖 之功能。因此，可將晝素區域整體利用作為液晶顯示部。 ; 接著，根據第5圖至第15圖（B)說明製程。首先， 實施TFT形成步驟。 在此TFT形成步射μ系在破璃基板5〇 ±將緩衝層 52形成於基板整面（Sn)，且於其上方使非晶矽（a_si)0 膜成膜（S12)。在此，缓衝層52係為Si〇2/SiN的疊層膜， 318084 1344573 其厚度設為100至200nm，a-Si膜則設為厚度3〇至5〇nm 左右。此外，該等膜均以電襞CVD形成。藉此，於玻璃 基板50上疊層所謂a-Si/Si〇2/SiN/glass (玻璃基板） 的膜。

接著，進行雷射照射（雷射退火），針對非晶矽膜進行 低溫下的結晶化（S13)。藉此，#晶石夕即結晶化而形成多 晶石夕層。接著’將所獲得的多晶石夕層進行圖案化，將多晶 矽的島部（island)(半導體層72)形成於需要的部分 (S 14)。之後，藉由光微影形成阻劑圖案，再將雜質（例 如磷）換雜於η通道TFT之源極/汲極區域等（SB)。 接者:包括該半導體層72而於基板整面形成* / Sl〇2之疊層膜所構成的閘極絕緣臈54 ( s 16 )。 藉此如第7圖（A)所不，在晝素部中係形成問極 絕緣膜54,該閘極絕緣膜54係覆蓋半導體層U，而气 石 係由在形成抓及電容之區域等所形成^晶 干，於緩J方面’在C〇G端子部係如第7圖⑻所 於緩衝層52上形成閘極絕緣膜54。 接者’如第8圖（A )所示 d導體層72之通道區域72c之上方的位置，藉由 上成開極電極56⑶7)。在此’閉極電極％係 二=目M。，其係以2〇〇至遍m的厚度成膜 極56係形成作為開極線见之一部分。此外，， 係由形成:=!说相同之製程形成’而保持電容 為保持電谷用之半導體層72隔著閘極絕緣膜‘ 318084 13 1344573 而與sc線sc對向配置之方式形成。再者，在晝素部形成 閘極電極56時，如第8圖（B )所示，在C0G端子部係 以相同製程形成有鉬配線80。 隹彤成閘極線GL等之後，丨、，挪只、，ή_ 砂滩々,'、 '周邊電路之P通道TFT的源極/汲極區域（S18)。此係藉 由光微影將需要摻雜之區域以外所形成之阻劑等作為遮罩 之硼的離子摻雜方式來進行。此時，在COG部並不作任 何處理（亦不作雜質摻雜）。 接著，藉由電漿CVD而於基板整面使由Si〇2/SiNx 構成的層間絕緣膜6〇 (S19)成膜。厚度係設為例如彻 至7〇〇nm左右。在形成該層間絕緣膜6〇日夺，係藉由熱處 理的活性化退火將摻雜有雜質的區域予以活性化（S20)， 而使忒等區域中的載子（carrier)具有充分的移動度。 在此處理中’如第9圖⑷、⑻所示，係於 形成層間絕緣膜6〇， —素邛 鲁60。另外，在⑺Γ絲C〇G螭子部形成層間絕緣膜 體声72U目對表層間絕緣膜6〇及間極絕緣膜54之半導 粗層72的源極區域、# <干％ :成接觸孔⑽）。此U 猎由光微影及濕式敍刻形 .上方的層間絕緣_ ^ 〇G端子部之㈣線80之 •於端子部分形成去::於;妾:端形成接觸孔’同時 電極）、汲極電極者，形成資料線Μ (源極 74係覆蓋接觸孔 。在此’資料線DL、汲極電極 肜成。再者，各行的資料線DJL係延長 318084 14

J-/ J 部’而其端部到達接觸孔上方。因此，經由該接觸 貝料線DL·連接於鉬配線8〇。再者，覆蓋c〇G端 σ的去除部18而與資料線DL等一起形成連接配線1〇。 :即’在此處理中’如第1〇圖（a)、(b)所示，係 部形成源極（資料線DL) /汲極電極，而於c〇g :邛中’係將資料線DL經由貫穿層間絕緣膜60的接點 、#於鋇配線8〇 ’且於去除部i 8之銦配線8〇上形成連 ，、表10。該等配線均係於藉由濺鍍之 =疊層膜（厚度為400 1 _nm)成膜之後，藉由光微影 及濕式钱刻而形成。 ^另外，貢料線DL雖廣佈於顯示部分的整體寬度（水 平）方向’然而由於連接配線1〇係經由透明導電體層ιι〇 而與：平驅動器IC相連接，因此其間隔較資料線π窄 :卜兹將其—部分的狀態模式性顯示於第6圖中。此外， 第1圖之TFT基板1〇〇係由玻璃基板5G、緩衝層52、間 ，極絕緣臈54所構成。 接著，將SiNx所構成的保護膜12形成於基板整面 (S23 )因此’如第丨丨圖（a )、（ B )所示，表面係由保 護膜12所覆蓋。 接著，將丙烯酸樹脂的平坦化膜62形成基板整面 (S24 )且藉由光微景々方式去除必要部分。在各晝素中， 係將没極電極74之上方的平坦化膜62予以去除。此外， 在COG端子部中，係將距離資料線dl之終端部較為外側 之平坦化膜62予以去除，使保護膜12露出。亦即，如第 318084 1344573 12圖（A X B )所示’在晝素部中，係於平坦化膜^形 成接觸孔犄，將連接配線10上的平坦化膜62予以去除。 此外’形成接觸孔時，針對形成平坦化膜62之反射膜68 之區域，係利用不均勻的曝光來形成凹凸。 一接著圖（A)戶斤示，在畫素部巾，係於平坦 化膜62上濺鍍成膜由A1_Nd*構成之反射膜“之後’藉 由光微影及濕式蝕刻方式形成（S25)。此時，如第13 ^ (B )所不，於c〇G端子部並未形成有任何膜。 接著，藉由光微影及濕式蝕刻，將汲極電極74上的保 濩膜12及COG端子部之去除部18上的保護膜12予以去 除，以形成接觸孔（S26)。藉此，如第14圖（a)、（b) 所示，使汲極電極74之上面及去除部18的連接配線ι〇 露出。 再者’如第15圖（a )所示，在畫素部分形成由ιτ〇 構成的晝素電極64 ( S27 )。此時在COG端子部如第〗5圖 (B)所示，係覆蓋去除部18及其周邊的保護膜12而形 成由ιτο構成的透明導電體層11〇。實際上，在將ιτ〇濺 鍍成膜之後’係藉由光微影及濕式蝕刻對畫素電極64及透 明導電體層11 0進行圖案化。此時，在c〇G端子部，於表 面配置與反射膜68同樣地由A】_Nd構成之c〇G端子部22 時，以ITO膜的濕式蝕刻而言，雖係以採用不會使該Ai_Nd 膜受到侵害的蝕刻，例如草酸（（c〇〇H2 ) . 2H2〇 )作為蝕 刻劑為佳，然而在本實施形態令由於COG端子部22係以 由ITO構成之透明導電體層11〇所覆蓋，因此可利用各種 16 318084 姓刻劑。 另外如為穿透型的面板，則不必形成反射膜68，亦 …須於平坦化臈62形成凹凸的表面。 y田!!此方式’第1 ®所示之cqg端子部的構成係直接 旦素。卩的製程而形成。然後，於凹狀的c〇G端子部 之透明導電體们1G上配置適當數量的凸塊施，以連接 水平驅動器1C。 夕，上述之構成係為水平驅動器1C之輸出側的端子 而在水平驅動器IC的輸入端子側亦將同樣的CQG端 子設於基板側，且同樣進行COG構造的連接。 〇再者，在此C0G端子的周邊，形成將來自外部之信 :、土（ FPC等）予以連接的0LB端子部。此OLB端子部 基本j係與C〇G端子部為相同的構成。 第1N系顯示端子部之整體構成圖。酉己置有與爪 ^反1⑽相對向而形成共通電極的對向基板細/且藉由 在封件122，將該對向基板雇之 ”相對向之m基板刚之平坦化膜62的周邊部= 以密封，且於其内部封入液晶。 —再者，在距離該密封件122更外側處形成有第ι圖所 不之COG端子部22。由於C0G端子部22係用以與水平 驅動器1C 26連接者’具有輸出來自水平驅動器冗之 用的^子部22b。該等⑶G端子部22a、22b基本上具有 相同的構造’而兩者均具有在由層間絕緣膜6〇所分離的翻 318084 1344573 配線80上，疊層有連接配線〗〇、透明導電體層n〇的構 成。此外，COG端子部22b之鉬配線8〇係直接延長至外 .，側，而到達OLB端子部130。此〇LB端子部13〇係為將 .·，軟性纜線等加以連接的端子部分，該軟性纜線係用以將來 ·.自外部的各種信號輸入至TFT基板1〇〇，而該〇LB端子部 IjO亦與COG端子部22相同’具有在鉬配線8〇上疊層有 連接配線1 0、透明導電體層u 〇之構成。

φ 如此，在本貫施形態中，係藉由鉬配線80而將〇LB 端子部130、C0G端子部22b予以連接。此鉬配線8〇係 以與畫素部之閘極電極相同的製程而形成者。因此，形成 COG端子部22a之鉬配線8〇、以及c〇g端子部2几之鉬 配線80 ’可藉由層間絕緣膜6()而分開形成，不必追加特 別的衣耘，即可與c〇G端子部22同時形成〇lb端子 130 〇 再者，來自外部所輸入之顯示用影像信號，係經由 .B螭子。P 130、COG端子部22b而輸入至水平驅動器Ic 26’且來自該水平驅動器ΐ(：26之信號係經由端子部 22a而供給至内部的各晝素。 此外，在本實施形態中，於不具有密封件122之外側 ’，=向基板2GG之區域之配線的繞線本身，係使用紹配線 :來進行而包括鋁或鋁合金層的導體係僅用於連接配線 山亦即在饴封件122之外側的區域中，雖係於c〇G 而子。P、OLB端子部分使用包括紹或紹合金層的導體作為 連接配線1G ’然而在其他的繞線配線則係使用铜配線。 318084 1344573 距離密封件122更外側的區域，係為暴露於大氣的區 '域，由於未使用不耐腐餘等的紹或鋁合金，因而可使耐久 性提昇。 第1 7圖係顯示穿透性液晶顯示裝置之晝素部的構 造。相較於第3圖的半穿透型情況，不具有反射膜68，而 畫素電極64較為平坦，同時對向電極94亦形成平坦狀。

如此，依據本實施形態，在連接水平驅動器冗之COG 端子’係利用透明導電體層110,該透明導電體詹11〇係 由用於資料線DL之金屬（！呂（A1)或形成於紹合金（包 括AINd之層的導電體）上的ΙΤ〇所構成。因此，可防止 COG端子部之氧化膜的形成’而降低接觸電阻。此外，由 於COG端子部係將平坦化膜予以去除而形成，因此具有 充分剛性，而能進行確實的連接。而且，由於去除部Μ 以外的資料線D L及連接配線！ 〇係覆蓋有平坦化膜，因此 可進行充分的保護。再者，由於c〇G端子部22並未隔著 平坦化膜62而設於連接配線1〇上，因此在隔著凸塊加 推壓水平驅動UK：而進行固定時，可對凸塊26a施加充分 的壓力而進行連接。 另外，本實施形態之構成可適用於穿透型、半穿透型、 全反射型之任一型的面板。 【圖式簡單說明】 第 1 圖（A)、第 1 圖_ (B )係顯不實施形態之端子部 分的構成圖。 第2圖係顯示畫素電路之示意圖。 318084 1 1344573 ' 第3圖係顯示晝素部之構成剖面圖。 - 第4圖係顯示畫素部之構成俯視圖。 . 第5圖係顯示製程步驟之示意圖。 . 第6圖係顯示資料線與速接配線之關係圖。 • 第7圖（A )、第7圖（B )係顯示製程步驟之畫素部 及COG端子部之剖面圖。 第8圖（A )、第8圖（B )係顯示製程步驟之畫素部 及COG端子部之剖面圖。 籲 第9圖（A )、第9圖（B)係顯示製程步驟之畫素部 及COG端子部之剖面圖。 第10圖（A )、第1 〇圖（B )係顯示製程步驟之畫素 部及COG端子部之剖面圖。 第11圖（A )、第11圖（B )係顯示製程步驟之畫素 部及COG端子部之剖面圖。 第12圖（A)、第12圖（B)係顯示製程步驟之畫素 釋部及COG端子部之剖面圖。 第13圖（A)、第13圜（B)係顯示製裎步驟之畫素 部及COG端子部之剖面圖。 责素 第14圖（a )、第14 ( B )係顯示製程少赞 、 ，部及COG端子部之剖面圖。 *之書素 第1 5圖（A )、第15圖（B )係顯示製程少骑 部及C 0 G端子部之剖面圖。 第16圖係顯示端子部分之整體構成圖° ,ΐ8〇84 第Π圖係顯示穿透型畫素部分之構造_ 20 1344573 第1 8圖（A )、第1 8圖（B )係顯示習知之端子部分 的構成圖。 【主要元件符號說明】 10 連接配線 14 透明導電膜 18 去除部 24 ACF (異向性導電膜 24a 導電粒子 26a 凸塊 32 共通電極 52 緩衝層 56 閘極電極 62 平坦化膜 72 半導體層 72d 汲極區域 74 汲極電極 92 彩色濾、光片 98 厚度調整層 110 透明導電體層 130 OLB端子部 C 保持電容 GL 閘極線 Qi 選擇電晶體

12 保護膜 16 TFT基板 22、22a、22b COG 端子部 ) 26 水平驅動器IC 30、 64 畫素電極 50、 90 玻璃基板 54 閘極絕緣膜 60 層間絕緣膜 68 反射膜 72c 通道區域 72s 源極區域 80 鉬配線 94 對向電極 100 TFT基板 122 密封件 200 對向基板 DL 資料線 LC 液晶 SC SC線 21 318084

Claims (1)

1344573 « 第〇95114以5號專利申請案 * 100年3月3曰修正替換頁 ， 十、申請專利範圍： * 1 ‘ 一種顯示裝置，係具有將其他半導體積體電路直接連接 於周邊部之COG端子部之主動矩陣型顯示裝置，前述 . c〇G端子部係具有： . 連接配線，由包括配置於周邊部之鋁或鋁合金之層 ’ 的導電體所形成； 配線保護膜，用以覆蓋該連接配線； 開口部’形成於相當於該配線保護膜之端子部的位 置；以及 透明導電體層，用以覆蓋該開口部之前述連接配線 的表面； 前述透明導電體層係形成比前述連接配線還大；並 且， 僅於與前述開口部對應的前述透明導電體層形成 有異向性導電膜。 2‘如申明專利範圍第1項之顯示裝置，其中，前述C〇G 端子部係包括2個COG端子部，該2個COG端子部為： . 信號接收用C0G端子部，用以接收來自前述其他半導 體積體電路之信號；以及信號供給用c〇G端子部，將 彳§號供給至前述其他半導體積體電路； 刚述2個COG端子部係分別具有：前述連接配線、 前述配線保護膜、前述開口部、以及前述透明導電體層； 前述信號接收用COG端子之前述連接配線係經由 其下方的配線而與用以連接至顯示裝置内部之畫素的 (修正本)318084 22 第〇951146<15號專利申請案 ^ „ . , . I 100年3月3日修正替換頁 内配線相連接，而前述信號供給用COG端子之前述 連接配線係經由其下方之配線而與用以接收來自外部 之信號用而另外設置的〇LB端子相連接。 3. 如申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中，前述⑽ 端子亦具有： 連接配線，由包括鋁或鋁合金之層的導電體所形 成； 配線保護膜，用以覆蓋該連接配線； 開口部，形成於相當於該配線保護膜之端子部的位 置；以及 透明導電體層，用以覆蓋該開口部之前述連接配線 的表面。 4. 如申請專利㈣第3項之顯示裝置，其中，前述顯示裝 置之顯不部的各畫素係設有用以控制該顯示部之顯示 的薄膜電晶體； 該薄膜電晶體係具有：半導體層；閘極絕緣膜，覆 蓋該半導體層；閘極電極，設於相當於半導體層之通道 區域上方之閘極絕緣獏上；以及層間絕緣膜，覆蓋閘極 電極及閘極絕緣膜； 用以連接前述信號接收用C0G端子部之連接配線 與則述内部配線之其他配線、以及用以連接前述信號供 給用COG端子之連接配線與前述〇lb端子之其他配線 係以與前述閘極電極相同之製程所形成。 5. 如申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中，用以連接前 23 (修正本)318084 1344573 第095114645號專利申請案 I 100年3月3曰修正替換頁 述連接配線與内部配線之連接配線下方^^了以及-連 接於前述連#配線肖OLB端子之連接配線下方的配線 係為鉬配線。 6.如申請專利範圍第i項之顯示裝置，其中，前述顯示裝 置之顯示部之各晝素係分別設有利用透明導電體作為 電極的顯示元件； 别述fs號接收用COG端子部或信號供給用c〇G端 子部或OLB端子部之前述透明導電體層、以及各畫素 之透明導電體的電極係由相同之製程所形成。 7·如申明專利範圍苐1項之顯示裝置’其中，前述信號接 收用COG端子部或信號供給用c〇G端子部或OLB端 子部之前述透明導電體層係以亦覆蓋前述開口周邊之 配線保護膜之方式所形成。 8.如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中，前述信號接 收用COG端子部或信號供給用c〇G端子部或qlb端 子部之透明導電體層係由ITO所形成。 9·如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中，前述内部配 線係將資料信號供給至顯示裝置内部之各畫素的資料 線； 各畫素係包括： 薄膜電晶體，其一端連接於前述資料線；以及 電晶體保護膜，用以覆蓋該薄膜電晶體； 前述信號接收用COG端子部或信號供給用c〇G端 子部或OLB端子部之配線保護膜、以及前述電晶體保 24 (修正本 >318084 1344573 第〇95l；U645號專利申請案 100年3月3日修正替換頁 . 護膜係以相同之製裎所形成。 月1J述配線保 10·如申請專利範圍第1項之顯示裳置，其中 護膜係為氮化碎膜。 11. 一種顯示裝_置之製；it 士、土，# _并 , ^ k方法忒颂不裝置係具有將其他半 導體積體電路直接連接於周邊部之C0G端子部之主動 矩陣型顯不裝置，該製造方法包括下列步驟： 以包括呂合金之層的導電體形成配置於面板 周邊部之連接配線的步驟； 形成用以覆蓋該連接配線之配線保護膜的步驟； 於相當於該配線保護臈之端子部的位置形成開口 部的步驟； ^以形成為比前述連接配線還大之方式形成用以覆 蓋該開口部之前述連接配線表面之透明導電體層的步 驟；以及 僅於與前述開口部對應的前述透明導電體層形成 有異向性導電膜的步驟。 12.如申請專利範圍第n項之顯示裝置之製造方法，其 中，刖述COG端子部係包括2個cog端子部，該2個 COG端子部為：信號接收用c〇G端子部，用以接收來 自前述其他半導體積體電路之信號；以及信號供給用 COG %子。卩，將k號供給至前述其他半導體積體電路； 月J述2個COG端子部係分別具有前述連接配線、 則述配線保護膜、前述開口部、以及前述透明導電體 層’且以相同製程所形成。 S (修正本)3丨8084 25 1344573 第095114645號專利_請案 100年3月3曰修正替換頁 13.如申1專糊第11項之顯示裝置之 中月J述仏號接收用COG端子之前述連接配線係經由 在形成連接配線之前絲成之下方配線，而與用以連接 至顯示裝置内部之畫素的内部配線相連接，前述信號供 給:COG端子之前述連接配線係經由在形成連接配線 之前先形成之下方配線，而連接於用以接收來自外部之 信號用的OLB端子。 H·如申請專利範圍第13項之顯示裝置之製造方法，其 中’前述OLB端子亦具有： 連接配線由包括！g或叙合金之層的導電體所形 成； 配線保護膜，用以覆蓋該連接配線； 開口部，形成於相當於該酉己線保護膜之端子部的位 置；以及 透明導電體層’用以覆蓋該開口部之前述連接配線 的表面； 而該OLB端子亦以與前述2個c〇G端子相同之製 程所形成。 15.如申請專利範圍第14項之顯示裝置之製造方法，其 中，前述顯示裝置之顯示部的各畫素係設有用以控制該 顯不部顯不之薄膜電晶體； 該薄膜電晶體係具有：半導體層；閘極絕緣膜，覆 蓋該半導體層；閘極電極，設於相當於半導體層之通道 區域上方之閘極絕緣骐上；以及層間絕緣膜，覆蓋閘極 (修正本)318084 26 1344573 第095114645號專利申請索 ^ 100年3月3日修正替換頁 電極及閘極絕緣膜； ^用以連接前述信號接收用COG端子部之連接配線 與刖述内部配線之其他配線、以及用以連接前述信號供 :用COG 子之連接配線與前述〇LB端子之其他配線 係以與前述閘極電極相同之製程所形成。 16. 如申請專利範圍第n項之顯示裝置之製造方法其 中，前述顯示裝置之顯示部之各畫素係分別設有利用透 明導電體作為電極的顯示元件； 前述透明導電體層、以及各畫素之透明導電體的電 極係以相同之製程所形成。 17. 如申請專利範圍第11項之顯示裝置之製造方法，其 中，前述透明導電體層係亦以覆蓋前述開口周邊之配線 保護膜之方式所形成。 18. 如申請專利範圍第n項之顯示裝置之製造方法，其 中’前述透明導電體層係由ITO所形成。 19. 如申請專利範圍第n項之顯示裝置之製造方法，其 中，前述内部配線係將資料信號供給至顯示裝置内部^ 各畫素的資料線； 各晝素係包括： 薄膜電晶體，其一端連接於前述資料線；以及 電晶體保護膜，用以覆蓋該薄膜電晶體； 前述配線保護膜、以及前述電晶體保護膜係以相同 之製程所形成。 20. 如申請專利範圍第11項之顯示裝置之製造方法，其 中’前述配線保護膜係為氮化矽膜。 ' (修正本)318084 27