JP2007134691A5

JP2007134691A5 -

Info

Publication number: JP2007134691A5
Application number: JP2006276945A
Authority: JP
Filing date: 2006-10-10
Publication date: 2009-10-15

Claims

絶縁基板上に形成され第１方向に延びたゲート線及び前記ゲート線に接続されたゲート電極を含むゲート配線と、
前記絶縁基板上に前記ゲート配線と絶縁して形成され、前記ゲート線と交差するように第２方向に延びたデータ線、前記データ線に接続されたソース電極及び前記ソース電極と離隔して位置するドレイン電極を含むデータ配線と、
前記ゲート配線と前記データ配線上に各画素毎に形成され前記ドレイン電極と接続された画素電極と、を含むが、
前記ゲート配線及び／又は前記データ配線は、
下部構造物上に形成されたバリア膜と、
前記バリア膜上に形成された銅又は銅合金を含む銅導電膜と、
前記銅導電膜上に形成された銅窒化物を含む中間膜と、
前記中間膜上に形成されたキャッピング膜と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
前記バリア膜は、Ｍｏ、ＭｏＮ、又はＭｏ合金を含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ基板。
前記中間膜は、銅窒化物、銅酸化物、及び銅酸窒化物のうちのいずれか１つを含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ基板。
前記キャッピング膜は、Ｍｏ、ＭｏＮ、又はＭｏ合金を含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ基板。
前記Ｍｏ合金は、ＭｏＷ、ＭｏＴｉ、ＭｏＮｂ、ＭｏＺｒのうち、少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする請求項２乃至４のうちのいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ基板。
絶縁基板上に形成され第１方向に延びたゲート線及び前記ゲート線に接続されたゲート電極を含むゲート配線と、
前記絶縁基板上に前記ゲート配線と絶縁して形成され、前記ゲート線と交差するように第２方向に延びたデータ線、前記データ線に連結されたソース電極及び前記ソース電極と離隔して位置するドレイン電極を含むデータ配線と、
前記ゲート配線と前記データ配線上に各画素毎に形成され前記ドレイン電極と接続された画素電極と、を含むが、
前記ゲート配線及び／又は前記データ配線は、
下部構造物上に形成されたバリア膜と、
前記バリア膜上に形成された第１中間膜と、
前記第１中間膜上に形成された銅又は銅合金を含む銅導電膜と、
前記銅導電膜上に形成された第２中間膜と、
前記中間膜上に形成されたキャッピング膜と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
前記バリア膜は、Ｍｏ、ＭｏＮ、又はＭｏ合金を含むことを特徴とする請求項６記載の薄膜トランジスタ基板。
前記第１中間膜又は前記第２中間膜は、銅窒化物、銅酸化物、及び銅酸窒化物のうち、少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする請求項６記載の薄膜トランジスタ基板。
前記キャッピング膜は、Ｍｏ、ＭｏＮ、又はＭｏ合金を含むことを特徴とする請求項６記載の薄膜トランジスタ基板。
前記Ｍｏ合金は、ＭｏＷ、ＭｏＴｉ、ＭｏＮｂ、ＭｏＺｒのうち、少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする請求項７または９記載の薄膜トランジスタ基板。