CN110571276A - 一种薄膜晶体管及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法，所述薄膜晶体管依次包括基板、栅极、栅极绝缘层、有源层、接触层以及源漏极，所述栅极包括金属阻挡层和导电层，所述金属阻挡层为钼合金层，所述钼合金层包括钼以及另外两种金属元素；本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法，所述栅极包括金属阻挡层和导电层栅极，所述金属阻挡层为钼合金层，所述钼合金层可以为MoNbTa三元合金、MoNbNi三元合金中的一种，所述钼合金层可以增加导电层与基板的附着性，避免栅极在加工的过程中发生底切现象，以确保薄膜晶体管的正常运行，以维持其元件特性，进而提升显示面板的良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。
背景技术
在半导体制程中，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)常用作开关元件。一般而言，薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、沟道层、以及源极与漏极。其中，栅极、源极与漏极分别例如是由铝、铬、铜、钨、钽、钛等组成的单一金属层或金属叠层。在上述导电材料中，铜因如电阻率低、蚀刻特性(etching characteristics)好等优点被广泛地使用在薄膜晶体管的电极结构中，其中薄膜晶体管的电极例如是栅极、源极或漏极，而栅极绝缘层则多采用二氧化硅、氧化硅等材料制成。
随着液晶面板朝着大尺寸化发展，铜制程已经被广泛应用在液晶面板工艺中。在制作栅极的过程中，为了增加铜与基板的附着性以及阻挡铜的扩散，通常在基板上先溅镀一层金属钼阻挡层，然后再溅镀导电层，尽管导电层/钼阻挡层的结构蚀刻速率较好，且形成较理想的taper角。但是在制程中，钼阻挡层容易被蚀刻液氧化腐蚀，造成栅极发生底切(undercut)现象，甚至导电层被掏空。
具体地，栅极底切现象会使得薄膜晶体管的无法正常运作；再者，若使用导电层/钼阻挡层的结构来制作与薄膜晶体管连接的扫描线或数据线等配线时，上述底切现象会使得配线的阻抗增加，甚至会使得扫描线或数据线产生断路的现象，从而影响与其连接的薄膜晶体管的元件特性，降低产品的良率。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种薄膜晶体管及其制备方法，以解决现有技术存在的栅极在加工过程中发生底切现象，影响薄膜晶体管的元件特性、降低产品良率的技术问题。
为了实现上述目的，本发明提供一种薄膜晶体管，包括基板、栅极、栅极绝缘层、有源层、接触层以及源漏极；所述栅极形成于所述基板上；所述栅极绝缘层形成于所述栅极上；所述有源层形成于所述栅极绝缘层上；所述接触层形成于所述有源层上；所述源漏极形成在所述接触层和所述栅极绝缘层上；其中，所述栅极包括金属阻挡层和导电层，所述金属阻挡层为钼合金层，所述钼合金层包括钼以及另外两种金属元素。
进一步地，所述另外两种金属元素为钨、钕、铌和钽中的任意两种。
进一步地，所述钼合金层为MoNbTa三元合金，其中Ta的重量百分比为0.05-20％。
进一步地，所述钼合金层为MoNbNi三元合金，其中Ni的重量百分比为0.05-50％。
进一步地，所述钼合金层中钼的重量百分比为30～95％，另外两种金属元素的重量百分比均为0.10～40％。
进一步地，所述有源层为a-Si或IGZO。
为了实现上述目的，本发明还提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤，基板提供步骤，提供一基板；栅极制备步骤，在所述基板上表面制备一栅极；栅极绝缘层制备步骤，在所述栅极上表面制备一栅极绝缘层；有源层制备步骤，在所述栅极绝缘层上表面制备一有源层；接触层制备步骤，在所述有源层上表面制备一接触层；以及源漏极制备步骤，在所述接触层和所述栅极绝缘层上表面制备一源漏极；其中，所述栅极制备步骤包括如下步骤，金属阻挡层制备步骤，在所述基板上表面制备一金属阻挡层；以及导电层制备步骤，在所述金属阻挡层上表面制备一导电层；所述金属阻挡层为钼合金层，所述钼合金层包括钼以及另外两种金属元素。
进一步地，所述另外两种金属元素为钨、钕、铌和钽中的任意两种。
进一步地，所述钼合金层中钼的重量百分比为30～95％，另外两种金属元素的重量百分比均为0.10～40％。
进一步地，采用过氧化氢体系的铜酸刻蚀液对所述导电层、所述金属阻挡层进行蚀刻处理，形成所述栅极。
本发明的技术效果在于，提供一种薄膜晶体管及其制备方法，所述栅极包括金属阻挡层和导电层栅极，所述金属阻挡层为钼合金层，所述钼合金层可以为MoNbTa三元合金、MoNbNi三元合金中的一种，所述钼合金层可以增加导电层与基板的附着性，避免栅极在加工的过程中发生底切现象，以确保薄膜晶体管的正常运行，以维持其元件特性，进而提升显示面板的良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为所述薄膜晶体管的结构示意图；
图2为所述薄膜晶体管制备方法的流程图；
图3为所述栅极制备步骤的流程图；
图4为所述源漏极制备步骤的流程图。
附图中部分标识如下：
1基板； 2栅极；
3栅极绝缘层； 4有源层；
5接触层； 6源漏极；
21金属阻挡层； 22导电层；
61第一金属层； 62第二金属层。
具体实施方式
以下参考说明书附图介绍本发明的优选实施例，用以举例证明本发明可以实施，这些实施例可以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，使得本发明的技术内容更加清楚和便于理解。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。
本发明的说明书和权利要求书以及上述附图中的术语“第一”、“第二”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应当理解，这样描述的对象在适当情况下可以互换。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
实施例1
如图1所示，本发明提供一种薄膜晶体管包括基板1、栅极2、栅极绝缘层3、有源层4、接触层5以及源漏极6。其中，栅极2形成于基板1上；栅极绝缘层3形成于栅极2上；有源层4形成于栅极绝缘层3上；接触层5形成于有源层4上；以及源漏极6形成在接触层5和所述栅极绝缘层上。
基板1可以是玻璃基板、石英基板或者其他种类的基板。
栅极2包括金属阻挡层21和导电层22，金属阻挡层21为钼合金层，所述钼合金层包括钼以及另外两种金属元素，所述另外两种金属元素为钨、钕、铌和钽中的任意两种。所述钼合金层中钼的重量百分比为30～95％，另外两种金属元素的重量百分比均为0.10～40％。本实施例中将以MoNbTa三元合金、MoNbNi三元合金展开说明，但不限于其他三元合金。
当所述钼合金层为MoNbTa三元合金时，Mo(钼)的重量百分比为60-95％；Nb(铌)的重量百分比为0.05-20％；Ta(钽)的重量百分比为0.05-20％。现有技术中，由于纯钼材质较硬而坚韧，但在湿刻蚀的制程中，纯钼材质的抗腐蚀性不佳。本实施例中，以钼为基体，通过加入杂铌、钽形成金属阻挡层21，金属阻挡层21与纯钼材质相比较，其更硬且更坚韧，具有较强的抗腐蚀性。本实施例中，在所述金属阻挡层21中，其各组分的重量百分比优选为钼占84％，铌占10％，钽占6％，与现有技术相比，金属阻挡层21的抗酸碱腐蚀性能比纯钼材质更大以及其湿蚀刻特性最佳，避免底切的现象产生，提升显示面板的良率。
当所述钼合金层为MoNbNi三元合金时，Mo的重量百分比为30-95％；Nb的重量百分比为0.05-20％；Ni的重量百分比为0.05-20％。现有技术中，由于纯钼材质较硬而坚韧，但在湿刻蚀的制程中，纯钼材质的抗腐蚀性不佳。本实施例中，以钼为基体，通过加入杂铌、镍形成金属阻挡层21，金属阻挡层21与纯钼材质相比较，其更硬且更坚韧，具有较强的抗腐蚀性。本实施例中，所述金属阻挡层21中，其各组分的重量百分比优选为钼占80％，铌占10％，镍占10％，与现有技术相比，金属阻挡层21的抗酸碱腐蚀性能比纯钼材质更大以及其湿蚀刻特性最佳，避免底切的现象产生，提升显示面板的良率。
本实施例中，金属阻挡层21为多种金属组成的钼合金层，所述钼合金层可以为MoNbTa三元合金、MoNbNi三元合金中的一种。与现有技术中的钼金属层相比较，金属阻挡层21的抗腐蚀性能远优于纯钼材质，因此金属阻挡层21可以有效避免在湿刻蚀制程中纯钼材质容易被氧化腐蚀的现象。另外，栅极为金属阻挡层21/导电层22的结构，将金属阻挡层21设置在基板1上表面，可以避免栅极2在制作过程中产生底切现象的缺陷，可以增加导电层22与基板1的附着性，以确保薄膜晶体管的正常运行，以维持其元件特性，提升显示面板的良率。
栅极绝缘层3设于基板1与栅极2上表面，栅极绝缘层3的材料可以是氧化硅、氮化硅或者其他介质电材料。
有源层4设于栅极绝缘层3的上表面，其材质为a-Si或IGZO。
接触层5设于有源层4上表面，图案化后分别设于有源层4的两端。接触层5的材质为掺杂非晶硅，可以为n型掺杂非晶硅或者P型掺杂非晶硅。
源漏极6设于接触层5及栅极绝缘层3的上表面，并从接触层5延伸至栅极绝缘层3。
源漏极6包括第一金属层61及第二金属层62。
具体地，第一金属层61设于接触层5及基板1的上表面，并从接触层5延伸至基板1，第二金属层62设于第一金属层61的上表面。
第一金属层61的材质可以为钼或钼合金，第二金属层62的材质为铜。第一金属层61的材质优选为钼合金，可以在制作的过程中防止源漏极6在湿蚀刻的制程中产生底切现象的问题。因此，避免源漏极6在制作过程中遭受破坏，进而维持薄膜晶体管的元件特性。
本实施例提供一种薄膜晶体管，所述金属阻挡层为多种金属组成的钼合金层，所述钼合金层可以为MoNbTa三元合金、MoNbNi三元合金中的一种。与现有技术相比，金属阻挡层的抗腐蚀性能远优于纯钼材质，因此，所述金属阻挡层可以有效避免纯钼材质在湿刻蚀制程中容易被氧化腐蚀的现象。另外，所述栅极为金属阻挡层/导电层的结构，将所述金属阻挡层设置在基板上表面，可以避免栅极在制作过程中产生底切的缺陷，可以增加所述导电层与所述基板的附着性，以确保薄膜晶体管的正常运行，以维持其元件特性，提升显示面板的良率。
如图2所示，本实施例还提供一种薄膜晶体管的制备方法包括如下步骤S1～S6。
S1基板提供步骤，提供一基板。基板可以是玻璃基板、石英基板或者其他种类的基板。
S2栅极制备步骤，在所述基板上表面制备一栅极。
S3栅极绝缘层制备步骤，在所述栅极上表面制备一栅极绝缘层。所述栅极绝缘层的材料可以是氧化硅、氮化硅或者其他介质电材料。
S4有源层制备步骤，在所述栅极绝缘层上表面沉积一有源层，其材质为a-Si或IGZO。
S5接触层制备步骤，在所述有源层上表面沉积一接触层，其材质为掺杂非晶硅，可以为n型掺杂非晶硅或者P型掺杂非晶硅。
S6源漏极制备步骤，在所述接触层和所述栅极绝缘层上表面制备一源漏极。
如图3所示，在所述栅极制备步骤中包括如下步骤S21～S22。S21金属阻挡层制备步骤，在所述基板上表面制备一金属阻挡层，所述金属阻挡层为多种金属组成的钼合金层。具体地，采用磁控溅射在所述基板上表面溅射形成一金属阻挡层，所述金属阻挡层的材质可以为钼合金层，所述钼合金层为MoNbTa三元合金、MoNbNi三元合金中的一种。所述钼为银白色金属，硬而坚韧；所述铌的延展性较高，随着杂质含量增加而变硬；所述钽具有极高的抗腐蚀性；所述镍具有较强的抗腐蚀性。S22导电层制备步骤，采用连续磁控溅射的方法在所述钼合金层上表面溅射形成导电层。本实施例中，采用过氧化氢体系的铜酸刻蚀液对所述钼合金层和所述导电层进行蚀刻处理，形成图案化的栅极。
本实施例中，当所述钼合金层为MoNbTa三元合金时，Mo(钼)的重量百分比为60-95％；Nb(铌)的重量百分比为0.05-20％；Ta(钽)的重量百分比为0.05-20％。现有技术中，由于纯钼材质较硬而坚韧，但在湿刻蚀的制程中，纯钼材质的抗腐蚀性不佳。本实施例中，以钼为基体，通过加入杂铌、钽形成金属阻挡层，所述金属阻挡层与纯钼材质相比较，其更硬且更坚韧，具有较强的抗腐蚀性。本实施例中，所述金属阻挡层中，其各组分的重量百分比优选为钼占84％，铌占10％，钽占6％，与现有技术相比，金属阻挡层21的抗酸碱腐蚀性能比纯钼材质更强，以及其湿蚀刻特性最佳，避免底切的现象产生，提升显示面板的良率。
当所述钼合金层为MoNbNi三元合金时，Mo的重量百分比为30-95％；Nb的重量百分比为0.05-20％；Ni的重量百分比为0.05-20％。现有技术中，由于纯钼材质较硬而坚韧，但在湿刻蚀的制程中，纯钼材质的抗腐蚀性不佳。本实施例中，以钼为基体，通过加入杂铌、镍形成金属阻挡层，所述金属阻挡层与纯钼材质相比较，其更硬且更坚韧，具有较强的抗腐蚀性。本实施例中，所述金属阻挡层中，其各组分的重量百分比优选为钼占80％，铌占10％，镍占10％，与现有技术相比，所述金属阻挡层的抗酸碱腐蚀性能比纯钼材质更强，以及其湿蚀刻特性最佳，避免底切的现象产生，提升显示面板的良率。
如图4所示，在所述源漏极制备步骤中包括如下步骤S61～S62。S61第一金属层制备步骤，在所述基板及所述接触层上表面沉积一第一金属层。所述第一金属层的材质可以为钼、钼合金，优选为钼合金，可以在制作的过程中防止所述源漏极在湿蚀刻的制程中发生底切。因此，可以避免源漏极在制作过程中遭受破坏，进而维持薄膜晶体管的元件特性。S62第二金属层制备步骤，在所述第一金属层上表面沉积一第二金属层，所述第二金属层的材质为铜。
本实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法，所述栅极包括金属阻挡层和导电层栅极，所述金属阻挡层为多种金属组成的钼合金层，所述钼合金层可以为MoNbTa三元合金、MoNbNi三元合金中的一种，所述钼合金层可以增加导电层与基板的附着性，避免栅极在加工的过程中发生底切的现象，以确保薄膜晶体管的正常运行，以维持其元件特性，进而提升显示面板的良率。
实施例2
本实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法，包括实施例1所述的薄膜晶体管及其制备方法的大部分技术特征，其区别特征在于，在实施例2中，所述金属阻挡层中各组分的重量百分比优选为钼占65％，铌占15％，钽或镍占20％。与现有技术纯钼材质相比，金属阻挡层的硬度比纯钼材质更大，金属阻挡层的抗酸碱腐蚀性能比纯钼材质更好，可以避免栅极在加工的过程中发生底切的现象，提升显示面板的良率。
实施例3
本实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法，包括实施例1所述的薄膜晶体管及其制备方法的大部分技术特征，其区别特征在于，在实施例3中，所述金属阻挡层中各组分的重量百分比优选为钼占71％，铌占11％，钽或镍占18％。与现有技术相比，金属阻挡层的硬度比纯钼材质更大，金属阻挡层的抗酸碱腐蚀性能比纯钼材质更好，可以避免栅极在加工的过程中发生底切的现象，提升显示面板的良率。
实施例4
本实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法，包括实施例1所述的薄膜晶体管及其制备方法的大部分技术特征，其区别特征在于，在实施例4中，所述金属阻挡层中各组分的重量百分比优选为钼占76％，铌占5％，钽或镍占19％。与现有技术相比，金属阻挡层的硬度比纯钼材质更大，金属阻挡层的抗酸碱腐蚀性能比纯钼材质更好，可以避免栅极在加工的过程中发生底切的现象，提升显示面板的良率。
实施例5
本实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法，包括实施例1所述的薄膜晶体管及其制备方法的大部分技术特征，其区别特征在于，在实施例5中，所述钼合金总各组分的重量百分比优选为钼占80％，铌占2％，钽或镍占18％。与现有技术相比，钼合金层的硬度比纯钼材质更大，钼合金层的抗酸碱腐蚀性能比纯钼材质更好，可以避免栅极在加工的过程中发生底切的现象，提升显示面板的良率。
实施例6
本实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法，包括实施例1所述的薄膜晶体管及其制备方法的大部分技术特征，其区别特征在于，在实施例6中，所述金属阻挡层中各组分的重量百分比优选为钼占85％，铌占1％，钽或镍占14％。与现有技术相比，金属阻挡层的硬度比纯钼材质更大，金属阻挡层的抗酸碱腐蚀性能比纯钼材质更好，可以避免栅极在加工的过程中发生底切的现象，提升显示面板的良率。
实施例7
本实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法，包括实施例1所述的薄膜晶体管及其制备方法的大部分技术特征，其区别特征在于，在实施例7中，所述金属阻挡层中各组分的重量百分比优选为钼占92％，铌占3％，钽或镍占5％。与现有技术相比，金属阻挡层的硬度比纯钼材质更大，金属阻挡层的抗酸碱腐蚀性能比纯钼材质更好，可以避免栅极在加工的过程中发生底切的现象，提升显示面板的良率。
实施例8
本实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法，包括实施例1所述的薄膜晶体管及其制备方法的大部分技术特征，其区别特征在于，在实施例8中，所述金属阻挡层中各组分的重量百分比优选为钼占90％，铌占1％，所述钽或镍占9％。与现有技术相比，金属阻挡层的硬度比纯钼材质更大，金属阻挡层的抗酸碱腐蚀性能比纯钼材质更好，可以避免栅极在加工的过程中发生底切的现象，提升显示面板的良率。
实施例9
本实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法，包括实施例1所述的薄膜晶体管及其制备方法的大部分技术特征，其区别特征在于，在实施例8中，所述金属阻挡层中各组分的重量百分比优选为钼占80％，铌占12％，钽占8％。与现有技术相比，金属阻挡层的硬度比纯钼材质更大，金属阻挡层的抗酸碱腐蚀性能比纯钼材质更好，可以避免栅极在加工的过程中发生底切的现象，提升显示面板的良率。
实施例10
本实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法，包括实施例1所述的薄膜晶体管及其制备方法的大部分技术特征，其区别特征在于，在实施例8中，所述金属阻挡层中各组分的重量百分比优选为钼占85％，铌占8％，钽占7％。与现有技术相比，金属阻挡层的硬度比纯钼材质更大，金属阻挡层的抗酸碱腐蚀性能比纯钼材质更好，可以避免栅极在加工的过程中发生底切的现象，提升显示面板的良率。
实施例11
本实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法，包括实施例1所述的薄膜晶体管及其制备方法的大部分技术特征，其区别特征在于，在实施例8中，所述金属阻挡层中各组分的重量百分比优选为钼占38％，铌占19％，镍占43％。与现有技术相比，金属阻挡层的硬度比纯钼材质更大，金属阻挡层的抗酸碱腐蚀性能比纯钼材质更好，可以避免栅极在加工的过程中发生底切的现象，提升显示面板的良率。
实施例12
本实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法，包括实施例1所述的薄膜晶体管及其制备方法的大部分技术特征，其区别特征在于，在实施例8中，所述金属阻挡层中各组分的重量百分比优选为钼占46％，铌占14％，镍占40％。与现有技术相比，金属阻挡层的硬度比纯钼材质更大，金属阻挡层的抗酸碱腐蚀性能比纯钼材质更好，可以避免栅极在加工的过程中发生底切的现象，提升显示面板的良率。
实施例13
本实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法，包括实施例1所述的薄膜晶体管及其制备方法的大部分技术特征，其区别特征在于，在实施例8中，所述金属阻挡层中各组分的重量百分比优选为钼占57％，铌占8％，镍占35％。与现有技术相比，金属阻挡层的硬度比纯钼材质更大，金属阻挡层的抗酸碱腐蚀性能比纯钼材质更好，可以避免栅极在加工的过程中发生底切的现象，提升显示面板的良率。
以上实施例中，当钼占钼合金重量百分比30～95％，其余两者占重量百分比0.10～40％时，金属阻挡层的硬度大于纯钼材质的硬度，抗酸碱腐蚀性最佳。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
基板；
栅极，形成于所述基板上；
栅极绝缘层，形成于所述栅极上；
有源层，形成于所述栅极绝缘层上；
接触层，形成于所述有源层上；以及
源漏极，形成在所述接触层和所述栅极绝缘层上；
其中，所述栅极包括金属阻挡层和导电层，所述金属阻挡层为钼合金层，所述钼合金层包括钼以及另外两种金属元素。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述另外两种金属元素为钨、钕、铌和钽中的任意两种。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述钼合金层为MoNbTa三元合金，其中Ta的重量百分比为0.05-20％。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述钼合金层为MoNbNi三元合金，其中Ni的重量百分比为0.05-50％。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述钼合金层中钼的重量百分比为30～95％，另外两种金属元素的重量百分比均为0.10～40％。
6.如权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层为a-Si或IGZO。
7.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
基板提供步骤，提供一基板；
栅极制备步骤，在所述基板上表面制备一栅极；
栅极绝缘层制备步骤，在所述栅极上表面制备一栅极绝缘层；
有源层制备步骤，在所述栅极绝缘层上表面制备一有源层；
接触层制备步骤，在所述有源层上表面制备一接触层；以及
源漏极制备步骤，在所述接触层和所述栅极绝缘层上表面制备一源漏极；
其中，所述栅极制备步骤包括如下步骤：
金属阻挡层制备步骤，在所述基板上表面制备一金属阻挡层；以及
导电层制备步骤，在所述金属阻挡层上表面制备一导电层；
所述金属阻挡层为钼合金层，所述钼合金层包括钼以及另外两种金属元素。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，
所述另外两种金属元素为钨、钕、铌和钽中的任意两种。
9.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，
所述钼合金层中钼的重量百分比为30～95％，另外两种金属元素的重量百分比均为0.10～40％。
10.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，
采用过氧化氢体系的铜酸刻蚀液对所述导电层、所述金属阻挡层进行蚀刻处理，形成图案化的栅极。
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