CN102409342A - 用于蚀刻导电多层膜的蚀刻剂组合物和使用其的蚀刻方法 - Google Patents

用于蚀刻导电多层膜的蚀刻剂组合物和使用其的蚀刻方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了用于蚀刻导电多层膜的蚀刻剂组合物和使用其的蚀刻方法。该蚀刻剂组合物包含基于所述组合物总重量的50-80重量％的磷酸、0.5-10重量％的硝酸、5-30重量％的乙酸、0.01-5重量％的咪唑，并且余量为水。该多层膜包含至少一个铜或铜合金层和至少一个钼或钼合金层。该多层膜可为Cu/Mo叠层膜、Cu/Mo合金叠层膜或者Cu合金/Mo合金叠层膜。该多层膜可使用该蚀刻剂组合物以高效且有利的方式蚀刻。此外，可以批量方式同时蚀刻该多层膜的构成层。咪唑是充当Cu/Mo原电池反应控制剂的添加剂。

Description

用于蚀刻导电多层膜的蚀刻剂组合物和使用其的蚀刻方法
技术领域
本发明涉及用于对平板显示器或触摸传感器面板的薄膜晶体管(TFT)中使用的导电层进行图案化的蚀刻剂组合物。更具体地，本发明涉及用于蚀刻包含至少一个铜(Cu)或铜合金(Cu合金)层和至少一个钼(Mo)或钼合金(Mo合金)层的导电多层膜，特别是用于以一次蚀刻Cu/Mo双层膜的蚀刻剂组合物。本发明还涉及使用该蚀刻剂组合物蚀刻导电多层膜的方法。
背景技术
目前使用由Cu层和在所述Cu层之下的作为扩散阻挡物的钼(Mo)或钛(Ti)层构成的双层膜代替铜(Cu)单层作为用于TFT的低电阻金属电极，例如栅电极或者源/漏电极。已知许多用于这样的双层膜的蚀刻剂。例如，可使用基于磷酸的混合酸。然而，在这种情况下，不可能形成适合用于TFT制造中的期望的图案。还可使用含有少量氟离子的基于过氧化氢(H2O2)的混合酸。然而，该蚀刻剂是不稳定的，产生大量的废弃物并需要大量的纯净水。以过大的量使用蚀刻剂导致玻璃基底的蚀刻。此外，可使用包含磷酸、硝酸、乙酸和水的组合物作为用于铝的基于混合酸的蚀刻剂。由于该组合物太高的蚀刻速率使得难以形成期望的TFT图案，因此需要能够控制(降低)Cu的蚀刻速率的控制剂。
WO 2009/038063公开了用于以批量(batchwise)方式同时蚀刻Cu/Mo叠层膜(或Cu合金/Mo合金叠层膜)的蚀刻溶液。该蚀刻溶液包含过氧化氢。然而，其具有蚀刻溶液的浓度易于随着时间而变化的缺点。该蚀刻溶液具有稳定性方面的特定问题。
近年来，在本发明所属的领域中，基于过氧化氢的混合溶液作为蚀刻剂已经受到了关注。通常，存在于过氧化氢中的金属诱发过氧化氢的分解，使得过氧化氢不稳定。更具体地，过氧化氢的快速分解导致浓度随着蚀刻的进行，即，随着时间的流逝而变化，导致蚀刻剂温度的突然升高，并且增加爆炸的危险。此外，对于额外设备的需求导致生产成本的提高。由于这些原因，基于过氧化氢的混合溶液不适合用作蚀刻剂。
如上所述，常规的基于过氧化氢的蚀刻剂由于其不稳定性而往往是易爆炸的。基于过氧化氢的蚀刻剂的其它问题与废水处理和短的寿命有关。具体地，应向基于过氧化氢的蚀刻剂中添加含氟化合物(氟化合物)以除去在使用该蚀刻剂蚀刻Cu/Mo双层膜之后留下的Mo残留物。氟化合物的使用导致对玻璃基底的损害。
为了解决以上问题，需要开发可以批量方式同时蚀刻Cu/Mo多层膜的新的非基于过氧化氢并且非基于氟化合物的蚀刻剂组合物。
已经在专利文献例如KR 10-2009-0095408A和KR 10-2006-0082270 A中提出了许多包含磷酸、硝酸、乙酸和一种或多种添加剂的用于铜的蚀刻剂组合物。然而，在所述专利公布中，无法找到蚀刻剂组合物用于Cu/Mo多层膜结构的详细结果。
在这样的情况下，需要可通过一次湿法蚀刻为Cu/Mo多层膜提供良好的蚀刻轮廓而不存在产生大量废弃物的环境有害物质(例如过氧化氢)、导致寿命缩短的不稳定组分、或者导致玻璃基底的腐蚀的氟化合物的新的蚀刻剂组合物。
原电池(Galvanic)反应指其中当使不同种类的金属在作为电解质的溶液或空气中互相接触时，由于电解质中两种金属之间的电化学原动力的差异，金属的蚀刻速率显著地改变的现象。两种金属的氧化和还原速率由电解质中金属的相对电势差决定。通常，在溶液中具有较高电化学电势的贵金属充当其中主要发生还原的阴极，并且以比其单层慢的速率被蚀刻。具有较低电势的活泼金属充当其中快速发生氧化的阳极，并且以比其单层高的速率被蚀刻。
本发明人已经通过研究发现：取决于是否向基于磷酸的蚀刻剂中添加硝酸，铜和钼的电势极大地变化；和在添加硝酸前，铜由于其比钼高的电势而充当阴极。然而，在添加氧化剂例如硝酸后，铜由于其具有比钼低的电势而充当阳极，并且结果，观察到铜的过蚀刻(overetching)。即，铜和钼在相同蚀刻剂中的不同蚀刻速率导致在钼蚀刻之前铜的过蚀刻。该过蚀刻不利地导致整个线路(布线)差的直线性或者提高整个线路(布线)的电阻。
为了解决这样的问题，已经进行了许多尝试。例如，使用具有不同组成的两种或更多种蚀刻剂蚀刻铜和在所述铜之下的Mo和Ti线路。但是，在这种情况下，整个蚀刻工艺复杂，并且生产成本和时间增加，使最终产品的生产率恶化。考虑到工艺简化和成本降低，需要可以一次蚀刻多层膜例如Cu/Mo双线路的蚀刻剂。
为了节约薄膜晶体管布线工艺的加工成本，当前以较简单的方式在大面积基底上图案化金属线路。因而，需要这样的蚀刻剂组合物：不管构成多层膜的材料的种类如何，在蚀刻时均能呈现出均匀的蚀刻特性。
此外，对于(投射)电容型或电阻型触摸传感器结构，也需要薄膜多层金属导电膜，如文献US2009/0160824 A1或US2009/0096759 A1中提出的。可例如在TFT-LCD显示器的滤色器基底的内部或外部之上或者在位于显示器前面的另外的基底上制造所述触摸传感器结构。
对于小尺寸的触摸传感器，除了透明导电层(例如，氧化铟锡；ITO)之外，还使用单层钼(Mo)、MoTa、或MoTa膜作为金属化层(metallization)，从而提供传感器结构。此外，对于导电层，也正使用多层膜例如Al/Mo、AlNd/Mo、AlNd/Mo合金。然而，对于较大尺寸的触摸传感器，对较低电阻率金属化层的需求上升，并且结果，必须使用Cu/Mo或Cu/Mo合金的多层膜。
金属线路的图案化优选通过湿法蚀刻实现，并且对用于触摸传感器的这些多层金属膜进行图案化的问题和用于薄膜晶体管的相同。
发明内容
发明目的
本发明是考虑现有技术的所述问题作出的，并且本发明的一个目的是提供蚀刻剂组合物，其能够以批量方式同时蚀刻包含至少一个铜或铜合金层和至少一个钼或钼合金层的导电多层膜例如Cu/Mo叠层膜、Cu/Mo合金叠层膜或Cu合金/Mo合金叠层膜，使得生产成本和时间可由于简化的工艺而降低，可获得良好的蚀刻轮廓和优异的蚀刻特性和可实现高的加工稳定性。本发明的另一个目的在于提供一种使用该蚀刻剂组合物蚀刻多层膜的方法。
发明的技术方案
为了实现本发明的目的，本发明提供基于磷酸的蚀刻剂组合物，其包含作为添加剂的咪唑，但不包含过氧化氢和氟化合物。由于咪唑的存在，实现了改善的蚀刻轮廓(减小的台阶长度(step length)/临界尺寸(CD)偏斜(skew))。本发明的基于磷酸的蚀刻剂组合物比基于过氧化氢的蚀刻剂稳定。本发明人已经发现，不同于基于过氧化氢的蚀刻剂，本发明的基于磷酸的蚀刻剂组合物在蚀刻后基本上不留下Mo残留物，从而避免了对在大多数蚀刻剂中为除去Mo残留物而必须包括的氟化合物的需要。本发明的蚀刻剂组合物非常简单，并且除了存在咪唑之外与包含磷酸、硝酸、乙酸和水的常规的稳定的基于磷酸的蚀刻剂类似。
具体地，本发明的蚀刻剂组合物包含磷酸(H3PO4)，硝酸(HNO3)，乙酸(CH3COOH)，咪唑(C3H4N2)和水(H2O)。
在优选实施方式中，本发明的蚀刻剂组合物包含基于所述组合物总重量的50-80重量％的磷酸(H3PO4)、0.5-10重量％的硝酸(HNO3)、5-30重量％的乙酸(CH3COOH)、0.01-5重量％的作为添加剂的咪唑(C3H4N2)，并且余量为水。
在更优选的实施方式中，本发明的蚀刻剂组合物包含基于所述组合物总重量的50-75重量％的磷酸、1-9重量％的硝酸、14-20重量％的乙酸、0.1-0.3重量％的作为添加剂的咪唑(C3H4N2)，并且余量为水。
本发明的蚀刻剂组合物用于湿法蚀刻包含至少一个铜或铜合金层和至少一个钼或钼合金层的导电多层膜。优选地，本发明的蚀刻剂组合物可用于以批量方式同时蚀刻所述多层膜的构成层。所述多层膜可选自例如Cu/Mo叠层金属膜、Cu/Mo合金叠层金属膜、Cu合金/Mo合金叠层金属膜等。特别地，本发明的蚀刻剂组合物可用于以批量方式蚀刻Cu/Mo双层膜。
本发明的蚀刻剂组合物特别地用于Cu/Mo双层膜并且是基于磷酸的蚀刻剂，其主要包含磷酸，硝酸和乙酸。添加剂咪唑用作Cu/Mo原电池反应控制剂以减少原电池效应。
本发明的蚀刻剂组合物优选为不含过氧化氢和氟化合物的溶液。
由于磷酸比过氧化氢稳定，因此本发明的蚀刻剂组合物可以高效且有利的方式同时蚀刻多层膜，特别是Cu(或Cu合金)/Mo(或Mo合金)多层膜。
水充当铜的氧化剂并优选地构成所述蚀刻剂组合物的剩余部分。过量水的存在提高铜的蚀刻速率并促进铜和钼之间的原电池反应，导致台阶长度的增加。此处使用的术语“台阶长度”指的是蚀刻后在铜和钼线路(布线)之间的宽度差。
磷酸(H3PO4)充当基础氧化剂并且优选地以相对于组合物总重量的50-80重量％的量存在。如果磷酸以少于50重量％的量存在，则由于相对高的水含量而发生过蚀刻。同时，如果磷酸以超过80重量％的量存在，则可观察到过蚀刻和不均匀的蚀刻特性。较大比例的纯磷酸是更合意的。
硝酸(HNO3)充当铜的氧化剂并且优选地以相对于组合物总重量的0.5-10重量％的量存在。如果硝酸以少于0.5重量％的量存在，则铜以太低的速率被蚀刻。同时，如果硝酸以超过10重量％的量存在，则促进了铜和钼之间的原电池反应，导致台阶长度的大大增加，并且铜以太高的速率被蚀刻。
乙酸(CH3COOH)充当用于控制铜和钼之间的原电池反应的助剂，并且优选地以相对于组合物总重量的5-30重量％的量存在。如果乙酸以少于5重量％的量存在，则在铜和钼之间发生过度的原电池反应，导致台阶长度的增加；并且铜以高的速率被蚀刻，导致过蚀刻。同时，如果乙酸以超过30重量％的量存在，则图案的直线性降低。
本发明人已经通过研究证实在铜表面上形成的氧化铜(CuO2)膜在含有乙酸的磷酸溶液中溶解，导致铜蚀刻速率的升高。本发明人还已经证实将乙酸添加至磷酸溶液中容许在膜的表面上生长氧化钼(MoO2)膜，导致钼蚀刻速率的降低。随着磷酸溶液中乙酸的含量增加，上述作用改变总的原电池反应并且引起台阶长度和偏斜的减少。
咪唑是起到减少这样的原电池效应作用的添加剂。虽然磷酸溶液中咪唑的确切机理尚不知晓，但是估计咪唑吸附在铜或钼的表面上或者与蚀刻的铜离子和钼离子反应以形成层覆(laminate)在铜或钼的表面的络合物，使得在后继的加工期间可控制铜/钼的蚀刻速率。如果咪唑含量高于预定的水平，则铜的蚀刻速率可被过度地抑制，导致不均匀的蚀刻。
咪唑是充当Cu/Mo原电池反应控制剂的添加剂，并且优选地以基于组合物总重量的0.01-5重量％、更优选地至少0.1重量％、特别优选地0.1-0.3重量％的量存在。如果咪唑以少于0.01重量％的量存在，则在铜和钼之间发生过度的原电池反应，导致台阶长度的增加。同时，如果咪唑以超过5重量％的量存在，则铜的蚀刻速率大大降低。
本发明的蚀刻剂组合物优选地处于30℃～60℃、特别优选约40℃的温度。如果本发明的蚀刻剂组合物处于低于30℃的温度，则导致不均匀的偏斜和台阶长度。同时，如果本发明的蚀刻剂组合物处于高于60℃的温度，则观察到过蚀刻。
优选地，铜层为钼层的至少三十倍厚。如果铜层的厚度小于钼层厚度的三十倍，则在这两层之间的原电池反应增加，导致台阶长度的增加。同时，如果铜层的厚度大于钼层厚度的三十倍，则在这两层之间的原电池反应减少，导致台阶长度的减小。Mo和Cu层分别具有
Figure BSA00000601540200061
和
Figure BSA00000601540200062
的最优厚度。
钼层或钼合金层的残余应力优选为张应力。在其中在高的氩气(Ar)压力下沉积钼层的情况下，在钼和铜之间的原电池反应减少，这有利于形成期望的锥角。
优选的是在沉积后将铜层或铜合金层在100℃～300℃的温度退火10分钟～1小时。
本发明的蚀刻剂组合物可有利地用在平板显示器的TFT、有源矩阵OLED或触摸传感器面板的制造中。
本发明的蚀刻剂组合物可进一步包含一种或多种本领域中普遍知晓的添加剂。这样的添加剂的例子包括表面活性剂和蚀刻控制剂。根据期望的蚀刻特性和预期的需要，可进一步添加其它添加剂。
由于钼层的特性，可形成小颗粒形式的残留物，并且所述残留物可残留在玻璃基底或下伏层上。该残留物是像素缺陷的原因。为了除去这样的残留物，在大多数蚀刻剂中必须包含氟化合物。氟化合物在除去残留物方面是有效的，但是不利地对玻璃基底造成损害。
相反，本发明的蚀刻剂组合物不含有用于除去钼残留物的氟化合物。其原因在于，不同于基于过氧化氢的蚀刻剂，本发明的基于磷酸的蚀刻剂组合物基本上不留下Mo残留物，从而消除对向其中添加氟化合物的需要。因此，本发明的蚀刻剂组合物可避免由氟化合物的添加引起的玻璃损害的问题。
本发明还提供了蚀刻导电多层膜的方法，该方法包括：在基底上沉积包含至少一个钼或钼合金层和至少一个铜或铜合金层的多层膜；在该多层膜上形成具有预定图案的光刻胶；使用蚀刻剂组合物通过作为掩模的光刻胶蚀刻该多层膜以形成金属线路，所述蚀刻剂组合物包含基于所述组合物总重量的50-80重量％的磷酸、0.5-10重量％的硝酸、5-30重量％的乙酸、0.01-5重量％的咪唑，并且余量为水；除去所述光刻胶；和用去离子水清洁所述金属线路，然后将其干燥。
优选地，该多层膜包含至少一个铜或铜合金层和至少一个钼或钼合金层。例如，该多层膜可为Cu/Mo叠层膜、Cu/Mo合金叠层膜、或者Cu合金/Mo合金叠层膜。
根据本发明的蚀刻方法，可在基底上沉积钼或钼合金层，可在钼或钼合金层上沉积铜或铜合金层，和可在铜或铜合金层上形成光刻胶。
钼合金可含有钼并且优选地含有选自W、Ti、Ta和Nb的至少一种元素。铜合金可含有铜并且优选地含有选自Mg、Mo和Mn的至少一种元素。
优选地，钼或钼合金层具有
Figure BSA00000601540200071
的厚度，和铜或铜合金层具有
Figure BSA00000601540200072
的厚度。在这些范围内，蚀刻可以高效的方式进行。
蚀刻可在30℃～60℃的温度进行。优选地，蚀刻温度为约40℃。可通过喷射方法在基底上喷射本发明的蚀刻剂组合物30～150秒，以形成金属线路。铜或铜合金层有利地用作源/漏电极。
所述基底有利地为用于TFT LCD的玻璃基底、用于柔性显示器的金属薄膜基底、或者塑料基底。所述基底可用于TFT LCD、有源矩阵OLED或者触摸传感器面板。
发明效果
本发明的蚀刻剂组合物可以批量方式同时蚀刻包含至少一个铜或铜合金层和至少一个钼或钼合金层的导电多层膜，例如Cu/Mo叠层膜、Cu/Mo合金叠层膜或者Cu合金/Mo合金叠层膜，使得生产成本和时间可由于简化的工艺而降低，可获得良好的蚀刻轮廓和优异的蚀刻特性，且可实现高的稳定性。此外，本发明的蚀刻剂组合物提供高的产率而没有对设备的损害。
附图说明
图1a显示在使用根据现有技术(KR 2006-0082270 A)实施方式的包含磷酸、硝酸、乙酸和至少一种添加剂的蚀刻剂蚀刻后Cu/Mo双层膜的台阶长度，和图1b是经蚀刻的Cu/Mo双层膜的横截面的扫描电子显微镜(SEM)图像；
图2a是使用根据本发明实施方式的包含磷酸、硝酸、乙酸、作为添加剂的咪唑、和水的蚀刻剂组合物蚀刻后Cu/Mo双层膜的表面图像，该图像显示偏斜和台阶长度得到显著改善，和图2b是经蚀刻的Cu/Mo双层膜的横截面的SEM图像；和
图3a显示取决于根据本发明实施方式的咪唑(C3H4N2)的添加，Cu/Mo层的蚀刻轮廓的变化，图3b显示取决于替代咪唑的氨基四唑(CH3N5)的添加，Cu/Mo层的蚀刻轮廓的变化，和图3c显示Cu/Mo层的台阶长度的变化，以比较咪唑(图3a)和氨基四唑(图3b)对相应的台阶长度的影响。
具体实施方式
下文中，将参考下面的实施例和比较例对本发明进行更详细的解释。但是，这些实施例仅出于说明目的而给出并且不意图限制本发明的范围。
首先，在比较例1和实施例1中制备蚀刻剂。
然后，通过下面的方法测试蚀刻剂的蚀刻特性。
实验实施例1
在基底上沉积Cu/Mo双层膜并且在其上形成光刻胶(PR)以制造样品。将实施例1和比较例1的蚀刻剂各自置于喷射型蚀刻系统(FNS Tech.)中并且加热至40℃。当温度达到40±0.1℃时，使用蚀刻剂蚀刻Cu/Mo双层膜。蚀刻时间为用终点检测(EPD)的超过50％蚀刻。在完成蚀刻后，将基底从蚀刻系统取出，用去离子水洗涤，并且使用热空气干燥器干燥。使用光刻胶剥离剂除去光刻胶。使用扫描电子显微镜(SEM，TESCAN)评价临界尺寸(CD)偏斜(蚀刻损失)、作为铜和钼层之间的宽度差的台阶长度、和经蚀刻的结构的蚀刻残留物。
比较例1
在如在背景技术部分所提到的KR 10-2009-0095408 A和KR10-2006-0082270 A中提出了一些包含磷酸、硝酸、乙酸和至少一种添加剂的用于铜的蚀刻剂。尚未报道所述蚀刻剂用于Cu/Mo双层结构的详细结果。
具体地，KR 2006-0082270 A公开了用于蚀刻金属电极以形成平板显示器的薄膜晶体管的蚀刻剂组合物。除了作为用于蚀刻铝的典型蚀刻剂的组分的磷酸、硝酸、乙酸和水之外，该蚀刻剂组合物还含有蚀刻速率控制剂以形成期望的图案。根据该现有技术的实施例1，蚀刻剂具有如下组成：
H3PO4(55重量％)+HNO3(8重量％)+CH3COOH(10重量％)+(NH4)2HPO4(2重量％)+CH3COONH4(2重量％)+H2O(余量)。
测试该蚀刻剂的蚀刻特性。结果示于图1a和1b中。
具体地，图1a显示当将比较例1的蚀刻剂应用于Cu/Mo双层膜时获得的详细结果，所述蚀刻剂如现有技术(KR 2006-0082270 A)实施方式中所提出的，其包含磷酸、硝酸、乙酸和至少一种添加剂。图1b是经蚀刻的Cu/Mo双层膜的横截面的SEM图像。
如图1a和1b中所示，当将该基于磷酸的蚀刻剂应用于Cu/Mo双层结构时，下伏钼层的大部分由于这两种金属之间的蚀刻速率的差异和原电池腐蚀现象而几乎不溶解，而上覆的铜层被严重地过蚀刻。为方便起见，将铜和钼线路之间的宽度差称作“台阶长度”(见图1a)。如图1a中所示，当使用比较例1的蚀刻剂蚀刻Cu/Mo双层膜时，台阶长度非常大，表明差的蚀刻轮廓。如图1b中所示，临界尺寸(CD)偏斜是大的，表明差的蚀刻特性。
实施例1
制备具有如下组成的蚀刻剂：
H3PO4(70重量％)+HNO3(2重量％)+CH3COOH(15重量％)+咪唑(C3H4N2，0.1重量％)+H2O(12.9重量％)。
图2a显示在使用实施例1的蚀刻剂蚀刻之后的Cu/Mo双层膜的图像，所述蚀刻剂包含磷酸、硝酸、乙酸、作为添加剂的咪唑、和水。该图像显示偏斜和台阶长度显著改善，和图2b是经蚀刻的Cu/Mo双层膜的横截面的SEM图像。
如可从图2a和2b看出的，在Cu/Mo双层膜中原电池现象减轻，并且结果，观察到在偏斜和台阶长度方面的显著改善，表明良好的图案轮廓和优异的蚀刻特性。当比较图1a和2a时，与当使用比较例1的蚀刻剂时相比，当使用实施例1的蚀刻剂时，观察到在台阶长度方面的进一步改善。当比较图1b和2b时，与当使用比较例1的蚀刻剂时相比，当使用实施例1的蚀刻剂时，观察到偏斜方面的进一步改善。
本发明人已经通过实验发现，具有在权利要求1中所限定范围内的组成的蚀刻剂显示出改善的蚀刻特性。作为参考，制备具有如下组成的一些蚀刻剂(实施例2-4)。发现实施例2-4的蚀刻剂具有和实施例1的蚀刻剂(图2)类似的蚀刻特性。
实施例2
H3PO4(70重量％)+HNO3(2重量％)+CH3COOH(15重量％)+咪唑(C3H4N2，0.1～0.3重量％)+蒸馏水(余量)。
实施例3
H3PO4(58重量％)+HNO3(2重量％)+CH3COOH(20重量％)+咪唑(C3H4N2，0.1～0.3重量％)+蒸馏水(余量)。
实施例4
H3PO4(52重量％)+HNO3(8重量％)+CH3COOH(20重量％)+咪唑(C3H4N2，0.1～0.3重量％)+蒸馏水(余量)。
图3a显示取决于实施例1的蚀刻剂中的咪唑(C3H4N2)的添加，Cu/Mo层的蚀刻轮廓的变化。
咪唑是充当Cu/Mo原电池反应控制剂的添加剂。
为了Cu/Mo的有效蚀刻，偏斜应不大于0.5μm，并且由Cu和Mo之间的蚀刻速率的差异导致的台阶长度应最小。如上所述，台阶长度指的是蚀刻后在铜和钼之间的宽度差。
如图3a中所示，通过将咪唑添加到包含磷酸、硝酸和乙酸的溶液中，存在其中台阶长度变为最小的浓度。当咪唑浓度为0.02M时，实现最佳效果。
为了找到除咪唑(C3H4N2)之外的能够减少原电池反应的添加剂，本发明人已经使用许多添加剂进行了试验，所述添加剂包括：作为属于与咪唑相同化学族的杂环胺化合物的氨基四唑(CH3N5)(见图3b)，抗坏血酸(C6H8O6)，磷酸二氢钠(NaH2PO4)，氨基二乙酸(C4H7NO4)和磷酸氢二钠(Na2HPO4)。然而，这些添加剂无一显示出可与咪唑相比的由原电池反应的减少而导致的在偏斜和台阶长度两方面的显著改善。
例如，图3b显示取决于作为属于与咪唑相同化学族的杂环胺化合物的氨基四唑(CH3N5)的添加，Cu/Mo层的蚀刻轮廓的变化。如图3b中所示，在与咪唑相比时，氨基四唑未使台阶长度显著地改善。
图3c显示Cu/Mo层的台阶长度变化，以比较咪唑(图3a)和氨基四唑(图3b)对相应的台阶长度的影响。
另一方面，本发明人还已经通过研究发现，在基于过氧化氢的蚀刻剂中，咪唑对蚀刻速率有很大影响，但是在基于磷酸的蚀刻剂中对蚀刻速率影响很小。

Claims (21)

1.用于导电多层膜的蚀刻剂组合物，其基于所述组合物的总重量包含：
50-80重量％的磷酸(H3PO4)，
0.5-10重量％的硝酸(HNO3)，
5-30重量％的乙酸(CH3COOH)，
0.01-5重量％的咪唑(C3H4N2)，
并且余量为水。
2.根据权利要求1的蚀刻剂组合物，其中咪唑以至少0.1重量％、优选0.1～3重量％的量存在。
3.根据权利要求1或2的蚀刻剂组合物，其中磷酸、硝酸、乙酸和咪唑分别以基于所述组合物总重量的50-75重量％、1-9重量％、14-20重量％和0.1-0.3重量％的量存在，并且余量为水。
4.根据权利要求1的蚀刻剂组合物，其中所述多层膜包含至少一个铜或铜合金层和至少一个钼或钼合金层，所述多层膜包括Cu/Mo叠层膜、Cu/Mo合金叠层膜、Cu合金/Mo合金叠层膜。
5.根据权利要求4的蚀刻剂组合物，其中所述多层膜是Cu/Mo双层膜。
6.根据权利要求1的蚀刻剂组合物，其中所述蚀刻剂组合物处于30℃～60℃、优选约40℃的温度。
7.根据权利要求4的蚀刻剂组合物，其中所述铜层为所述钼层的至少三十倍厚。
8.根据权利要求4的蚀刻剂组合物，其中所述Mo层或Mo合金层的残余应力为张应力。
9.根据权利要求4的蚀刻剂组合物，其中在沉积后将所述Cu层或Cu合金层在100℃～300℃的温度退火10分钟～1小时。
10.根据权利要求1的蚀刻剂组合物，其中所述蚀刻剂组合物不含有过氧化氢(H2O2)和/或氟化合物。
11.根据权利要求1的蚀刻剂组合物，其中将所述蚀刻剂组合物用在平板显示器的TFT、有源矩阵OLED或触摸传感器面板的制造中。
12.蚀刻导电多层膜的方法，该方法包括：
在基底上沉积包含至少一个钼或钼合金层和至少一个铜或铜合金层的多层膜；
在所述多层膜上形成具有预定图案的光刻胶；
使用蚀刻剂组合物通过作为掩模的光刻胶蚀刻所述多层膜，以形成金属线路，所述蚀刻剂组合物包含基于所述组合物总重量的50-80重量％的磷酸、0.5-10重量％的硝酸、5-30重量％的乙酸、0.01-5重量％的咪唑，并且余量为水；
除去所述光刻胶；
用去离子水清洁所述金属线路，然后将其干燥。
13.根据权利要求12的方法，其中所述多层膜包含至少一个铜或铜合金层和至少一个钼或钼合金层，所述多层膜包括Cu/Mo叠层膜、Cu/Mo合金叠层膜、Cu合金/Mo合金叠层膜。
14.根据权利要求12的方法，其中在所述基底上沉积所述钼或钼合金层，在所述钼或钼合金层上沉积所述铜或铜合金层，和在所述铜或铜合金层上形成所述光刻胶。
15.根据权利要求13的方法，其中所述钼合金含有Mo和选自W、Ti、Ta和Nb的至少一种元素。
16.根据权利要求13的方法，其中所述铜合金含有铜和选自Mg、Mo和Mn的至少一种元素。
17.根据权利要求13的方法，其中所述钼或钼合金层具有100～的厚度，和所述铜或铜合金层具有1000～
Figure FSA00000601540100022
的厚度。
18.根据权利要求12的方法，其中所述蚀刻在30℃～60℃、优选约40℃的温度进行。
19.根据权利要求12的方法，其中通过喷射方法在所述基底上喷射所述蚀刻组合物30～150秒。
20.根据权利要求13的方法，其中所述铜或铜合金层是源/漏电极。
21.根据权利要求12的方法，其中所述基底为用于TFT LCD的玻璃基底、用于柔性显示器的金属薄膜基底、或者塑料基底，并且用于TFT LCD、有源矩阵OLED或触摸传感器面板。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103572292A (zh) * 2012-07-24 2014-02-12 攀时欧洲公司 蚀刻剂组合物以及用于蚀刻多层金属膜的方法
CN106531286A (zh) * 2016-12-26 2017-03-22 浙江晶科能源有限公司 一种刻蚀浆料及刻蚀方法
CN106555187A (zh) * 2015-09-22 2017-04-05 东友精细化工有限公司 蚀刻剂组合物，铜基金属层的蚀刻方法，阵列基板制作方法及该方法制作的阵列基板
CN108950556A (zh) * 2017-05-19 2018-12-07 东友精细化工有限公司 蚀刻液组合物
CN109087852A (zh) * 2018-08-10 2018-12-25 深圳市华星光电技术有限公司 晶体管金属电极结构的制作方法
CN110571276A (zh) * 2019-08-05 2019-12-13 深圳市华星光电技术有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法
WO2020042234A1 (zh) * 2018-08-31 2020-03-05 深圳市华星光电技术有限公司 一种高效铜钼蚀刻液及蚀刻方法
WO2021134916A1 (zh) * 2020-01-03 2021-07-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 蚀刻液组合物及铜钼膜层的蚀刻方法
CN115261859A (zh) * 2022-08-11 2022-11-01 李祥庆 铜蚀刻液组合物及其制备方法
CN115799077A (zh) * 2023-02-08 2023-03-14 四川富乐华半导体科技有限公司 一种覆铜陶瓷基板台阶蚀刻方法
CN116023946A (zh) * 2022-12-28 2023-04-28 浙江奥首材料科技有限公司 一种氮化硅掩膜层蚀刻液、制备方法、用途和蚀刻方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101593110B1 (ko) * 2013-11-21 2016-02-11 주식회사 익스톨 분해방지용 안정화제가 포함된 터치스크린패널용 식각액 조성물
KR102150507B1 (ko) * 2014-03-19 2020-09-01 동우 화인켐 주식회사 금속 배선 형성을 위한 다층막 식각액 조성물
JP2017139295A (ja) 2016-02-02 2017-08-10 東芝メモリ株式会社 基板処理装置、基板処理方法、および基板処理液
WO2022190448A1 (ja) * 2021-03-10 2022-09-15 花王株式会社 エッチング液組成物
CN113774382B (zh) * 2021-08-30 2024-01-16 漳州思美科新材料有限公司 一种CuNi-Al-Mo蚀刻液

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1510169A (zh) * 2002-12-12 2004-07-07 Lg.菲利浦Lcd株式会社 用于多层铜和钼的蚀刻溶液及使用该蚀刻溶液的蚀刻方法
CN1966772A (zh) * 2005-11-17 2007-05-23 Lg.菲利浦Lcd株式会社 蚀刻金属层的组合物以及使用其形成金属图案的方法
CN101684557A (zh) * 2008-09-26 2010-03-31 韩国泰科诺赛美材料株式会社 液晶显示器系统中的铜、铜/钼或铜/钼合金电极蚀刻液体
CN102648270A (zh) * 2009-10-29 2012-08-22 东友Fine-Chem股份有限公司 蚀刻液组合物

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766423A (ja) * 1993-08-31 1995-03-10 Toshiba Corp 液晶表示装置用アレイ基板
KR100883769B1 (ko) * 2002-11-08 2009-02-18 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
JP2005217088A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Chi Mei Electronics Corp 基板上の配線および配線形成方法
JP4418916B2 (ja) * 2004-06-09 2010-02-24 奥野製薬工業株式会社 エッチング処理用組成物
KR101230817B1 (ko) * 2004-12-13 2013-02-07 동우 화인켐 주식회사 알루미늄, 니켈, 첨가금속으로 구성된 단일금속 합금막식각액 조성물
KR100718529B1 (ko) * 2005-01-12 2007-05-16 테크노세미켐 주식회사 평판디스플레이의 박막트랜지스터 형성을 위한 금속전극용식각액 조성물
JP5559956B2 (ja) * 2007-03-15 2014-07-23 東進セミケム株式会社 薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング液組成物
JP2009004518A (ja) * 2007-06-20 2009-01-08 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタ基板、および表示デバイス
KR101393599B1 (ko) * 2007-09-18 2014-05-12 주식회사 동진쎄미켐 Ｔｆｔ-ｌｃｄ용 금속 배선 형성을 위한 식각액 조성물
KR101346917B1 (ko) * 2008-02-04 2014-01-03 동우 화인켐 주식회사 박막트랜지스터의 제조방법, 및 상기 방법에 이용되는식각액 조성물
JP5280715B2 (ja) * 2008-03-18 2013-09-04 株式会社ジャパンディスプレイセントラル 配線形成方法
JP5327651B2 (ja) * 2008-03-28 2013-10-30 日立金属株式会社 電子部品用薄膜配線および薄膜配線形成用スパッタリングターゲット材
KR101520921B1 (ko) * 2008-11-07 2015-05-18 삼성디스플레이 주식회사 식각액 조성물, 이를 사용한 금속 패턴의 형성 방법 및 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1510169A (zh) * 2002-12-12 2004-07-07 Lg.菲利浦Lcd株式会社 用于多层铜和钼的蚀刻溶液及使用该蚀刻溶液的蚀刻方法
CN1966772A (zh) * 2005-11-17 2007-05-23 Lg.菲利浦Lcd株式会社 蚀刻金属层的组合物以及使用其形成金属图案的方法
CN101684557A (zh) * 2008-09-26 2010-03-31 韩国泰科诺赛美材料株式会社 液晶显示器系统中的铜、铜/钼或铜/钼合金电极蚀刻液体
CN102648270A (zh) * 2009-10-29 2012-08-22 东友Fine-Chem股份有限公司 蚀刻液组合物

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103572292A (zh) * 2012-07-24 2014-02-12 攀时欧洲公司 蚀刻剂组合物以及用于蚀刻多层金属膜的方法
CN106555187A (zh) * 2015-09-22 2017-04-05 东友精细化工有限公司 蚀刻剂组合物，铜基金属层的蚀刻方法，阵列基板制作方法及该方法制作的阵列基板
CN106555187B (zh) * 2015-09-22 2019-12-17 东友精细化工有限公司 蚀刻剂组合物，铜基金属层的蚀刻方法，阵列基板制作方法及该方法制作的阵列基板
CN106531286A (zh) * 2016-12-26 2017-03-22 浙江晶科能源有限公司 一种刻蚀浆料及刻蚀方法
CN106531286B (zh) * 2016-12-26 2019-01-29 浙江晶科能源有限公司 一种刻蚀浆料及刻蚀方法
CN108950556A (zh) * 2017-05-19 2018-12-07 东友精细化工有限公司 蚀刻液组合物
CN108950556B (zh) * 2017-05-19 2020-10-02 东友精细化工有限公司 蚀刻液组合物
CN109087852B (zh) * 2018-08-10 2020-09-08 深圳市华星光电技术有限公司 晶体管金属电极结构的制作方法
CN109087852A (zh) * 2018-08-10 2018-12-25 深圳市华星光电技术有限公司 晶体管金属电极结构的制作方法
WO2020042234A1 (zh) * 2018-08-31 2020-03-05 深圳市华星光电技术有限公司 一种高效铜钼蚀刻液及蚀刻方法
CN110571276A (zh) * 2019-08-05 2019-12-13 深圳市华星光电技术有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法
WO2021022613A1 (zh) * 2019-08-05 2021-02-11 Tcl华星光电技术有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法
WO2021134916A1 (zh) * 2020-01-03 2021-07-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 蚀刻液组合物及铜钼膜层的蚀刻方法
CN115261859A (zh) * 2022-08-11 2022-11-01 李祥庆 铜蚀刻液组合物及其制备方法
CN115261859B (zh) * 2022-08-11 2023-06-20 李祥庆 铜蚀刻液组合物及其制备方法
CN116023946A (zh) * 2022-12-28 2023-04-28 浙江奥首材料科技有限公司 一种氮化硅掩膜层蚀刻液、制备方法、用途和蚀刻方法
CN115799077A (zh) * 2023-02-08 2023-03-14 四川富乐华半导体科技有限公司 一种覆铜陶瓷基板台阶蚀刻方法

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Publication number Publication date
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JP5841772B2 (ja) 2016-01-13

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