KR100718529B1 - 평판디스플레이의 박막트랜지스터 형성을 위한 금속전극용식각액 조성물 - Google Patents
평판디스플레이의 박막트랜지스터 형성을 위한 금속전극용식각액 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100718529B1 KR100718529B1 KR1020050002778A KR20050002778A KR100718529B1 KR 100718529 B1 KR100718529 B1 KR 100718529B1 KR 1020050002778 A KR1020050002778 A KR 1020050002778A KR 20050002778 A KR20050002778 A KR 20050002778A KR 100718529 B1 KR100718529 B1 KR 100718529B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- etching
- weight
- thin film
- composition
- film transistor
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Description
Claims (6)
- 삭제
- 삭제
- 박막트랜지스터 액정표시장치를 포함한 평판디스플레이의 박막트랜지스터(TFT)를 구성하는 게이트전극, 소스전극 및 드레인 전극으로 사용되는 저저항 금속전극인 구리·몰리브덴(Cu·Mo), 구리·텅스텐(Cu·W) 또는 구리·티타늄(Cu·Ti)의 동합금 단일막을 습식 식각하는 식각액 조성물에 있어서,인산 45 ~ 70 중량%, 질산 3 ~ 15 중량%, 초산 2 ~ 15 중량%, M이 NH4, Na, K 로서, MH2PO4, M2HPO4, M3PO4, CH3COOM, MHCO3, M2CO3, MNO3 또는 M2C2O4에서 선택되는 1가 양이온염 또는 그 혼합물인 식각속도 조정제 1 ~ 15 중량%와 물로 이루어지는 평판디스플레이의 박막트랜지스터 형성을 위한 금속전극용 식각액 조성물.
- 제 3항에 있어서,상기 식각속도 조정제를 2 ~ 10중량% 사용하는 것을 특징으로 하는 평판디스플레이의 박막트랜지스터 형성을 위한 금속전극용 식각액 조성물.
- 제 3항에 있어서,상기 동합금은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 티타늄(Ti)에서 선택되는 어느 하나의 금속이 1 ~ 10 중량% 사용되는 것을 특징으로 하는 평판디스플레이의 박막트랜지스터 형성을 위한 금속전극용 식각액 조성물.
- 제 4항에 있어서,상기 동합금은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 티타늄(Ti)에서 선택되는 어느 하나의 금속이 2 ~ 5 중량% 사용되는 것을 특징으로 하는 평판디스플레이의 박막트랜 지스터 형성을 위한 금속전극용 식각액 조성물.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050002778A KR100718529B1 (ko) | 2005-01-12 | 2005-01-12 | 평판디스플레이의 박막트랜지스터 형성을 위한 금속전극용식각액 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050002778A KR100718529B1 (ko) | 2005-01-12 | 2005-01-12 | 평판디스플레이의 박막트랜지스터 형성을 위한 금속전극용식각액 조성물 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060082270A KR20060082270A (ko) | 2006-07-18 |
KR100718529B1 true KR100718529B1 (ko) | 2007-05-16 |
Family
ID=37173013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050002778A KR100718529B1 (ko) | 2005-01-12 | 2005-01-12 | 평판디스플레이의 박막트랜지스터 형성을 위한 금속전극용식각액 조성물 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100718529B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8921230B2 (en) | 2013-03-27 | 2014-12-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Etchant composition, and method of manufacturing a display substrate using the same |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101403145B1 (ko) * | 2007-11-23 | 2014-06-09 | 동우 화인켐 주식회사 | 액정 표시장치용 tft 어레이 기판 제조방법 |
KR101347455B1 (ko) * | 2008-01-24 | 2014-01-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 인듐계 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속패턴의 형성방법 |
KR101825493B1 (ko) | 2010-04-20 | 2018-02-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 금속 배선용 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조방법 |
KR101256276B1 (ko) * | 2010-08-25 | 2013-04-18 | 플란제 에스이 | 다중막의 식각액 조성물 및 그 식각방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040088108A (ko) * | 2003-04-08 | 2004-10-16 | 일동화학 주식회사 | 금속박막 식각액 조성물 |
KR20040097584A (ko) * | 2003-05-12 | 2004-11-18 | 테크노세미켐 주식회사 | 평판디스플레이용 투명도전막의 에칭액 조성물 |
-
2005
- 2005-01-12 KR KR1020050002778A patent/KR100718529B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040088108A (ko) * | 2003-04-08 | 2004-10-16 | 일동화학 주식회사 | 금속박막 식각액 조성물 |
KR20040097584A (ko) * | 2003-05-12 | 2004-11-18 | 테크노세미켐 주식회사 | 평판디스플레이용 투명도전막의 에칭액 조성물 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8921230B2 (en) | 2013-03-27 | 2014-12-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Etchant composition, and method of manufacturing a display substrate using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060082270A (ko) | 2006-07-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI433909B (zh) | 用於薄膜電晶體液晶顯示裝置之蝕刻液組成物 | |
JP5041870B2 (ja) | 薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物及び薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法。 | |
CN103526206B (zh) | 一种金属布线蚀刻液及利用其的金属布线形成方法 | |
TWI524428B (zh) | 液晶顯示器用之陣列基板及其製造方法以及蝕刻銅系金屬層之方法及其蝕刻劑組成物 | |
JP2006339635A (ja) | エッチング組成物 | |
KR100718529B1 (ko) | 평판디스플레이의 박막트랜지스터 형성을 위한 금속전극용식각액 조성물 | |
KR102137013B1 (ko) | 표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
TW201534694A (zh) | 包含亞磷酸的金屬膜用蝕刻液組合物 | |
TWI675093B (zh) | 蝕刻劑組合物和製造用於液晶顯示器的陣列基板的方法 | |
TWI614550B (zh) | 液晶顯示裝置用陣列基板的製備方法及其多層膜用蝕刻液組合物 | |
KR20160112470A (ko) | 식각액 조성물 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
KR20180103535A (ko) | 식각액 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
KR100456657B1 (ko) | 평판디스플레이의 박막트랜지스터 형성을 위한 금속전극용식각액 조성물 | |
KR20180077610A (ko) | 금속막 식각액 조성물 및 표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
KR20080024818A (ko) | 구리와 몰리브덴으로 이루어진 다층막용 식각용액 조성물 | |
KR20140028446A (ko) | 금속 배선 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법 | |
KR20120065019A (ko) | 액정 표시장치용 어레이 기판 제조방법 | |
KR100595910B1 (ko) | 평판디스플레이용 투명도전막의 에칭액 조성물 | |
KR100415319B1 (ko) | 투명도전막의 에칭액 조성물 | |
KR20180093806A (ko) | 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 배선의 형성 방법 | |
KR101461180B1 (ko) | 비과산화수소형 구리 에칭제 | |
KR100595913B1 (ko) | 평판디스플레이용 투명도전막의 에칭액 조성물 | |
KR102368974B1 (ko) | 식각액 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
KR102368356B1 (ko) | 식각액 조성물 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
KR101845084B1 (ko) | 액정 표시장치용 어레이 기판 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
AMND | Amendment | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130508 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140225 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160308 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170308 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180319 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190311 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200309 Year of fee payment: 14 |