CN113774382B - 一种CuNi-Al-Mo蚀刻液 - Google Patents
一种CuNi-Al-Mo蚀刻液 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113774382B CN113774382B CN202111000708.3A CN202111000708A CN113774382B CN 113774382 B CN113774382 B CN 113774382B CN 202111000708 A CN202111000708 A CN 202111000708A CN 113774382 B CN113774382 B CN 113774382B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- acid
- cuni
- nitrate
- content
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title abstract description 63
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 claims abstract description 5
- -1 nitrate compound Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 claims abstract description 3
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 claims description 5
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 claims description 5
- 229940120146 EDTMP Drugs 0.000 claims description 4
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZCCIPPOKBCJFDN-UHFFFAOYSA-N calcium nitrate Chemical compound [Ca+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ZCCIPPOKBCJFDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N edtmp Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N magnesium nitrate Chemical compound [Mg+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 claims description 3
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- LMHAGAHDHRQIMB-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichloro-1,2,3,3,4,4-hexafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(Cl)C1(F)Cl LMHAGAHDHRQIMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AEQDJSLRWYMAQI-UHFFFAOYSA-N 2,3,9,10-tetramethoxy-6,8,13,13a-tetrahydro-5H-isoquinolino[2,1-b]isoquinoline Chemical compound C1CN2CC(C(=C(OC)C=C3)OC)=C3CC2C2=C1C=C(OC)C(OC)=C2 AEQDJSLRWYMAQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BMOKHTQIBPRXSL-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole;sodium Chemical compound [Na].C1=CC=CC2=NNN=C21 BMOKHTQIBPRXSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N [Nitrilotris(methylene)]trisphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims description 2
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 claims description 2
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 claims description 2
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000176 sodium gluconate Substances 0.000 claims description 2
- 229940005574 sodium gluconate Drugs 0.000 claims description 2
- 235000012207 sodium gluconate Nutrition 0.000 claims description 2
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 42
- 229910003336 CuNi Inorganic materials 0.000 abstract description 26
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- UNQHSZOIUSRWHT-UHFFFAOYSA-N aluminum molybdenum Chemical compound [Al].[Mo] UNQHSZOIUSRWHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
本发明公开一种CuNi‑Al‑Mo蚀刻液,包含:硝酸、硫酸、有机酸、硝酸盐化合物和助剂;其中,按重量百分比计,硝酸的含量为2wt%,硫酸的含量为12wt%,有机酸的含量为25wt%‑40wt%,硝酸盐化合物的含量为1.8wt%‑3.2wt%,助剂的含量为0.05wt%‑0.3wt%,其余为水。本发明可有效降低CuNi金属层的蚀刻速率及侧向蚀刻造成的CD Loss,能同时满足最上层的CuNi金属层图案不被过蚀刻。
Description
技术领域
本发明属于蚀刻液的技术领域,尤其涉及一种CuNi-Al-Mo蚀刻液。
背景技术
金属蚀刻是利用化学溶液的腐蚀作用将不需要的金属快速溶解除掉的过程。金属蚀刻必须采用高效稳定的蚀刻液才能实现高效稳定的蚀刻功能。现有技术中,关于蚀刻液的专利技术有很多,比如:CN201710192748.X、CN202010053813.2、CN202011552376.5、CN201611197242.X、CN201710913895.1等等。市面上现有的铜蚀刻液一般都是过氧化氢(含氟)系列,对铜钼等金属材料制成的TFT-LCD,蚀刻速率良好,但是,也有自身的一定缺陷,例如过氧化氢蚀刻液寿命短,而且,添加含氟化合物对环境有一定的危害。而迄今为止,市面上尚未见专门适用于CuNi-Al-Mo膜层结构的蚀刻液。若将磷酸系、双氧水系蚀刻液运用于CuNi-Al-Mo膜层结构的蚀刻,会破坏膜层结构中的CuNi金属层,从而使得Al层裸露,影响到产品的品质。
发明内容
本发明的目的在于提供一种稳定高效的CuNi-Al-Mo蚀刻液,有效降低CuNi金属层的蚀刻速率及侧向蚀刻造成的CD Loss,能同时满足最上层的CuNi金属层图案不被过蚀刻。
为了实现上述的目的,本发明采用如下的技术方案:
一种CuNi-Al-Mo蚀刻液,包含:硝酸、硫酸、有机酸、硝酸盐化合物和助剂;其中,按重量百分比计,硝酸的含量为2wt%,硫酸的含量为12wt%,有机酸的含量为25wt%-40wt%,硝酸盐化合物的含量为1.8wt%-3.2wt%,助剂的含量为0.05wt%-0.3wt%,其余为水。
上述硝酸是氧化剂,其作用是把金属氧化成金属氧化物。
上述硫酸的作用是增强金属氧化物的溶解,一定程度上解决金属氧化物残留的问题。
上述有机酸为选自乙酸、柠檬酸、戊酸、丙二酸、乙醇酸、琥珀酸、丙酸、甲烷磺酸及它们的盐的一种或两种以上。添加有机酸的作用是,提供配位键,络合金属离子,形成络合物减少金属残留;稀释酸的浓度,调节蚀刻速率,抑制CuNi金属层的蚀刻速率,保护膜层结构中的CuNi金属层图案不被过蚀刻。
上述硝酸盐化合物为选自硝酸钾、硝酸钠、硝酸钙、硝酸铵、硝酸铝和硝酸镁的一种或两种以上。上述硝酸盐中,金属盐可以为本领域常用的各种可溶性金属盐类,优选情况下,所述金属盐选自钠盐、钾盐中的一种或多种;更优选为钠盐,例如可以采用硝酸钠。所述蚀刻液中,硝酸盐的含量为1.8-3.2wt%,更优选为1.5-2wt%。上述硝酸盐的主要作用是:能控制蚀刻速率和蚀刻角度。
上述助剂为选自氨基三亚甲基膦酸、2-羟基膦酰基乙酸、乙二胺四甲叉膦酸、苯并三氮唑钠、苯并三氮唑和葡萄糖酸钠的一种或两种以上。所述助剂的含量为0.05-0.3%,更优选为0.15-0.25%。助剂的作用:可以吸附在金属表面形成保护膜,保护CuNi金属层不被酸等有害介质腐蚀。
采用上述方案后,本发明通过特定的组分配合,以及加入一定比例硝酸盐和助剂,从而有效降低CuNi金属层的蚀刻速率及侧向蚀刻造成的CD Loss,能同时满足最上层的CuNi金属层图案不被过蚀刻。本发明的CuNi-Al-Mo蚀刻液稳定高效,CuNi-Al-Mo膜层结构中的CuNi金属层不被过蚀刻,有效控制蚀刻角度和CD Loss。
附图说明
图1是实施例8的蚀刻和剥离阻挡膜后,CuNi-Al-Mo的SEM结构示意图;
图2是实施例8蚀刻&剥离阻挡膜后,CuNi金属层和金属残留SEM结构示意图;
图3是实施例8蚀刻过后,CD Loss和蚀刻角度SEM结构示意图。
具体实施方式
为了对本发明的技术方案做进一步的描述,故做如下具体实施例,但本发明的内容不仅仅局限于实施例所述范围,凡是不背离本发明的构思及等同替代,均在本发明的保护范围之内。
以下通过实施例1-17及对比例1-6,对本发明公开的蚀刻液做进一步的说明。
实施例1-17、对比例1-6蚀刻液配方如表一所示。
表一 单位:wt%
表一中,实施例1-17是本发明的具体配方,对比例1缺少本发明的硝酸,对比例2缺少本发明的硫酸,对比例3缺少本发明的有机酸,对比例4缺少本发明的硝酸盐,对比例5缺少本发明的助剂,对比例6缺少本发明的硝酸盐和助剂。
待蚀刻产品包括抗蚀刻层、CuNi金属层、铝层、钼层,所述CuNi金属层的厚度为所述铝层的厚度/>钼层的厚度为/>本发明中,所述蚀刻温度为38-40℃。所述CuNi金属层的蚀刻时间为20-35s,铝钼层蚀刻时间为60-80s。
在玻璃基板上采用溅射法依次层叠由CuNi金属系材料形成的金属保护膜和由铝钼为主成分的材料形成的CuNi-Al-Mo系多层薄膜,经显影、曝光工序后形成有期望的抗蚀涂层图案。玻璃基板的蚀刻温度为35-40℃。蚀刻结束,用纯水进行漂洗后干燥。
通过以下标准对金属残留、蚀刻均匀性、CuNi金属层侧蚀量、蚀刻角度、CD Loss、CuNi金属层图案的完整度,进行评价。CuNi金属层侧蚀量标准值:<0.25μm;CDLoss标准值:<0.4μm;蚀刻角度<55°。测试评价结果如表二所示。
表二
通过表二测试结果即可以看出,本发明提供的蚀刻液对于CuNi-Al-Mo三层金属结构表现出优秀的性能,尤其是实施例2、8、9、12,CuNi金属层图案完整保存,同时蚀刻角度均值小于55°,CD Loss的均值小于0.4μm,蚀刻稳定性好。对比例1、2、3、4、5、6的测试结果可以看出:对比例1,当体系中不添加硝酸,会有金属残留,蚀刻角度偏大;对比例2,当体系中不添加硫酸时,蚀刻均匀性比较差且蚀刻角度偏大,CuNi金属层图案完整性不好;对比例3,体系中不添加柠檬酸,CuNi金属层的侧蚀量过大,蚀刻角度偏大,CD Loss也偏大;对比例4,体系中不添加硝酸盐,蚀刻角度偏大;对比例5,体系中不添加助剂乙二胺四甲叉膦酸,CuNi金属层侧蚀量过大,CuNi金属层图案的完整度差;对比例6体系中不加硝酸钠和助剂乙二胺四甲叉膦酸,CuNi金属层侧蚀量过大,CuNi金属层图案的完整度差,蚀刻角度过大。
下面以实施例8为例,图1是蚀刻和剥离阻挡膜后CuNi-Al-Mo的SEM结构示意图;由图2可知CuNi金属层的完整度优秀,CuNi金属层的侧蚀量小于0.25μm,蚀刻均匀性好,且无金属残留;由图3计算可得蚀刻角度为52°(<55°)蚀刻角度良好,CD Loss为0.286μm(<0.40μm),符合行业工艺参数标准。
以上详细描述了本发明的优选实施方式,但是,本发明并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种CuNi-Al-Mo蚀刻液,其特征在于包含:硝酸、硫酸、有机酸、硝酸盐化合物和助剂;其中,按重量百分比计,硝酸的含量为2wt%,硫酸的含量为12wt%,有机酸的含量为25wt%-40wt%,硝酸盐化合物的含量为1.8wt%-3.2wt%,助剂的含量为0.05wt%-0.3wt%,其余为水;
所述助剂为选自氨基三亚甲基膦酸、2-羟基膦酰基乙酸、乙二胺四甲叉膦酸、苯并三氮唑钠、苯并三氮唑和葡萄糖酸钠的一种或两种以上。
2.如权利要求1所述的一种CuNi-Al-Mo蚀刻液,其特征在于:所述有机酸为选自乙酸、柠檬酸、戊酸、丙二酸、乙醇酸、琥珀酸、丙酸、甲烷磺酸及它们的盐的一种或两种以上。
3.如权利要求1所述的一种CuNi-Al-Mo蚀刻液,其特征在于:所述硝酸盐化合物为选自硝酸钾、硝酸钠、硝酸钙、硝酸铵、硝酸铝和硝酸镁的一种或两种以上。
4.如权利要求1所述的一种CuNi-Al-Mo蚀刻液,其特征在于:所述硝酸盐选自钠盐和钾盐中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的一种CuNi-Al-Mo蚀刻液,其特征在于:所述硝酸盐采用硝酸钠。
6.如权利要求1所述的一种CuNi-Al-Mo蚀刻液,其特征在于:所述硝酸盐的含量为1.5-2wt%。
7.如权利要求1所述的一种CuNi-Al-Mo蚀刻液,其特征在于:所述助剂的含量为0.15-0.25wt%。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111000708.3A CN113774382B (zh) | 2021-08-30 | 2021-08-30 | 一种CuNi-Al-Mo蚀刻液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111000708.3A CN113774382B (zh) | 2021-08-30 | 2021-08-30 | 一种CuNi-Al-Mo蚀刻液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113774382A CN113774382A (zh) | 2021-12-10 |
CN113774382B true CN113774382B (zh) | 2024-01-16 |
Family
ID=78839785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111000708.3A Active CN113774382B (zh) | 2021-08-30 | 2021-08-30 | 一种CuNi-Al-Mo蚀刻液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113774382B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114540818B (zh) * | 2022-02-15 | 2023-11-10 | 江西省科学院应用物理研究所 | 一种铜镁硅合金金相腐蚀剂及其金相组织显示方法 |
CN116121754B (zh) * | 2022-12-30 | 2023-11-17 | 浙江奥首材料科技有限公司 | 一种有机体系Al/Mo蚀刻液、其制备方法及应用 |
Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8617766D0 (en) * | 1985-08-12 | 1986-08-28 | Psi Star Inc | Copper etching process & solution |
US6156221A (en) * | 1998-10-02 | 2000-12-05 | International Business Machines Corporation | Copper etching compositions, processes and products derived therefrom |
CN101180419A (zh) * | 2004-12-06 | 2008-05-14 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 蚀刻剂溶液及其添加剂 |
CN101235290A (zh) * | 2008-02-20 | 2008-08-06 | 汕头超声印制板(二厂)有限公司 | 一种酸性蚀刻液 |
CN102230178A (zh) * | 2011-04-29 | 2011-11-02 | 西安东旺精细化学有限公司 | 镍或镍/铜合金的蚀刻液组合物 |
KR20120019196A (ko) * | 2010-08-25 | 2012-03-06 | 플란제 에스이 | 다중막의 식각액 조성물 및 그 식각방법 |
CN102618872A (zh) * | 2011-01-25 | 2012-08-01 | 关东化学株式会社 | 以铜为主成分的金属薄膜的蚀刻液组合物 |
WO2013025003A2 (ko) * | 2011-08-18 | 2013-02-21 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 식각액의 식각 용량이 증대된 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 방법 |
CN103526206A (zh) * | 2012-07-03 | 2014-01-22 | 株式会社东进世美肯 | 一种金属布线蚀刻液及利用其的金属布线形成方法 |
KR20140045121A (ko) * | 2012-10-08 | 2014-04-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 구리계 금속막의 식각액 조성물 |
JP2014101561A (ja) * | 2012-11-21 | 2014-06-05 | Sanyo Chem Ind Ltd | 銅または銅合金用エッチング液 |
JP2014101560A (ja) * | 2012-11-21 | 2014-06-05 | Sanyo Chem Ind Ltd | 銅または銅合金用エッチング液 |
KR20150039526A (ko) * | 2013-10-02 | 2015-04-10 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 구리 및 몰리브덴 함유 막의 식각액 조성물 |
KR20160099918A (ko) * | 2015-02-13 | 2016-08-23 | 한국항공대학교산학협력단 | 다중금속막 식각 방법 및 식각액 |
CN110938822A (zh) * | 2019-11-14 | 2020-03-31 | 浙江工业大学 | 一种钼/铜复合金属层的蚀刻液、蚀刻方法与应用 |
CN111876780A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-11-03 | 武汉迪赛新材料有限公司 | 一种蚀刻tft铜钼合层的过硫酸铵体系蚀刻液 |
CN112087878A (zh) * | 2020-09-14 | 2020-12-15 | 深圳市志凌伟业光电有限公司 | 复合铜膜结构蚀刻方法 |
KR20210017154A (ko) * | 2019-08-07 | 2021-02-17 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 식각액 조성물 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5559956B2 (ja) * | 2007-03-15 | 2014-07-23 | 東進セミケム株式会社 | 薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング液組成物 |
-
2021
- 2021-08-30 CN CN202111000708.3A patent/CN113774382B/zh active Active
Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8617766D0 (en) * | 1985-08-12 | 1986-08-28 | Psi Star Inc | Copper etching process & solution |
US6156221A (en) * | 1998-10-02 | 2000-12-05 | International Business Machines Corporation | Copper etching compositions, processes and products derived therefrom |
CN101180419A (zh) * | 2004-12-06 | 2008-05-14 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 蚀刻剂溶液及其添加剂 |
CN101235290A (zh) * | 2008-02-20 | 2008-08-06 | 汕头超声印制板(二厂)有限公司 | 一种酸性蚀刻液 |
KR20120019196A (ko) * | 2010-08-25 | 2012-03-06 | 플란제 에스이 | 다중막의 식각액 조성물 및 그 식각방법 |
CN102618872A (zh) * | 2011-01-25 | 2012-08-01 | 关东化学株式会社 | 以铜为主成分的金属薄膜的蚀刻液组合物 |
CN102230178A (zh) * | 2011-04-29 | 2011-11-02 | 西安东旺精细化学有限公司 | 镍或镍/铜合金的蚀刻液组合物 |
WO2013025003A2 (ko) * | 2011-08-18 | 2013-02-21 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 식각액의 식각 용량이 증대된 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 방법 |
CN103526206A (zh) * | 2012-07-03 | 2014-01-22 | 株式会社东进世美肯 | 一种金属布线蚀刻液及利用其的金属布线形成方法 |
KR20140045121A (ko) * | 2012-10-08 | 2014-04-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 구리계 금속막의 식각액 조성물 |
JP2014101561A (ja) * | 2012-11-21 | 2014-06-05 | Sanyo Chem Ind Ltd | 銅または銅合金用エッチング液 |
JP2014101560A (ja) * | 2012-11-21 | 2014-06-05 | Sanyo Chem Ind Ltd | 銅または銅合金用エッチング液 |
KR20150039526A (ko) * | 2013-10-02 | 2015-04-10 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 구리 및 몰리브덴 함유 막의 식각액 조성물 |
KR20160099918A (ko) * | 2015-02-13 | 2016-08-23 | 한국항공대학교산학협력단 | 다중금속막 식각 방법 및 식각액 |
KR20210017154A (ko) * | 2019-08-07 | 2021-02-17 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 식각액 조성물 |
CN110938822A (zh) * | 2019-11-14 | 2020-03-31 | 浙江工业大学 | 一种钼/铜复合金属层的蚀刻液、蚀刻方法与应用 |
CN111876780A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-11-03 | 武汉迪赛新材料有限公司 | 一种蚀刻tft铜钼合层的过硫酸铵体系蚀刻液 |
CN112087878A (zh) * | 2020-09-14 | 2020-12-15 | 深圳市志凌伟业光电有限公司 | 复合铜膜结构蚀刻方法 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
Effect of nitric acid on wet etching behavior of Cu/Mo for TFT application;Bo-Hyun Seo,等;Current Applied Physics;第262-265页 * |
Review of Etchants for Copper and Its Alloys in Wet Etching Processes;Orhan Çakır;Key Engineering Materials;第460-465页 * |
过氧化氢―硫酸刻蚀新工艺;M.L.伊莱亚斯, 朱流荣;电讯技术(01);全文 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113774382A (zh) | 2021-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN113774382B (zh) | 一种CuNi-Al-Mo蚀刻液 | |
JP5030403B2 (ja) | 酸化インジウム系透明導電膜用エッチング液組成物及びそれを用いたエッチング方法 | |
JP5692472B1 (ja) | 銅およびチタンを含む多層膜のエッチングに使用される液体組成物、および該組成物を用いたエッチング方法、多層膜配線の製造方法、基板 | |
KR101749634B1 (ko) | 구리층 및 몰리브덴층을 포함하는 다층 구조막용 에칭액 | |
CN105887089B (zh) | 蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法 | |
KR20110129880A (ko) | 금속 적층막용 에칭액 조성물 | |
WO2020062590A1 (zh) | 一种铜钼合金膜的化学蚀刻用组合物 | |
KR101695608B1 (ko) | 은 또는 마그네슘 박막제거용 세정 조성물 | |
KR20110116761A (ko) | 금속 배선용 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조방법 | |
KR101594465B1 (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시장치용 식각조성물 | |
JP2005097715A (ja) | チタン含有層用エッチング液及びチタン含有層のエッチング方法 | |
KR101829054B1 (ko) | 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물 | |
KR101693383B1 (ko) | 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물 | |
KR101146099B1 (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시장치용 식각조성물 | |
JP5700784B2 (ja) | エッチング液組成物 | |
KR102505196B1 (ko) | 구리계 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
JP4941335B2 (ja) | エッチング液及びエッチング方法 | |
KR20150018213A (ko) | 은 또는 마그네슘용 식각용액 조성물 | |
KR20170121505A (ko) | 표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
KR101804573B1 (ko) | 식각액 조성물 | |
CN112921321A (zh) | 一种环保低成本含钛金属蚀刻液组合物及其使用方法 | |
JP2017212358A (ja) | エッチング液及びエッチング方法 | |
KR102459685B1 (ko) | 구리계 금속막용 식각액 조성물, 이를 이용한 디스플레이용 어레이 기판의 제조방법, 및 디스플레이용 어레이 기판 | |
CN114540816A (zh) | 一种厚铜蚀刻组合物及其应用 | |
KR20160116943A (ko) | 구리계 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |