JP2005217088A - 基板上の配線および配線形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明は、配線遅延の低減を実現するための配線およびその配線の形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 配線10は絶縁基板12の上に形成されたものである。配線10は、絶縁基板12の上面に形成された窒素を含有する第1金属化合物膜14と、第1金属化合物膜14の上面に形成された銅層16と、を含む。さらに、銅層16の上面には窒素を含有する第2金属化合物膜18が形成されている。第1金属化合物膜14および第2金属化合物膜18が窒素を含有しているため、銅層16との境界面で合金層ができにくく、エッチングが制御しやすくなる。
【選択図】 図1
【解決手段】 配線10は絶縁基板12の上に形成されたものである。配線10は、絶縁基板12の上面に形成された窒素を含有する第1金属化合物膜14と、第1金属化合物膜14の上面に形成された銅層16と、を含む。さらに、銅層16の上面には窒素を含有する第2金属化合物膜18が形成されている。第1金属化合物膜14および第2金属化合物膜18が窒素を含有しているため、銅層16との境界面で合金層ができにくく、エッチングが制御しやすくなる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、液晶ディスプレイなどに使用するアレイ基板などの配線および配線形成方法に関するものである。
現在、液晶ディスプレイなどのアレイ基板のゲート線及びシグナル線はAl又はAl合金を主成分とする金属で形成することが一般的である。各配線を形成するために、純粋なAlまたはMo/Al−alloyを積層し、燐酸/硝酸/酢酸系のエッチング溶液を用いて配線の断面をテーパー形状に加工する方法が主流となっている。
近年の液晶ディスプレイの高精細化・大画面化に伴い、配線遅延の問題が顕在化している。配線遅延は、図5に示すように、アレイ基板50の配線30a,30bに入力されたパルスの角が丸まってしまう現象である。配線遅延は、配線30a,30bの抵抗や、配線30a,30bの相互間に発生する容量が原因となる。
配線遅延を低減するための1つの方法として、配線30a,30bの抵抗を低くすることが考えられる。配線30a,30bの抵抗を低くするためには、配線30a,30bの断面積を大きくすることが考えられる。液晶ディスプレイの開口率を低下させないためには、配線30a,30bを厚くして、配線抵抗を低くすることが必要である。
しかし、配線30a,30bの厚みを厚くしてしまうと、配線への絶縁膜のカバレ−ジが悪化してしまう。絶縁膜の薄い箇所で所望の絶縁性が確保されなくなってしまう。したがって、アレイ基板が所望の動作をせず、歩留まりが低下してしまう。
配線抵抗を小さくするためには、低抵抗材料を使用することも考えられる。低抵抗材料としてはCuが考えられる。しかし、Cuを使用した場合の大きな課題として、(a)Cu拡散に対する抑止方法の確立、(b)基板との密着性の改善、(c)順テーパーとなるパターニング方法の確立、などがあげられる。
上記(a)および(b)のために、配線の構造としてTa/Cu/Taのような三層構造が既に考案されている。上層のTaをコンタクトメタル兼Cuの拡散抑止膜として、下層のTaをガラス基板への密着層として使用している。しかし、Cuの上下の膜とCuのエッチング速度が異なる。エッチングを他段階で制御しなくてはならず、生産性や、上部金属材料及びCuの形状制御性に問題があった。
上記(c)のために、Cu単層であれば過流酸アンモニウムなどにより簡単にエッチングできる。しかし、図6のように配線の断面をテーパー形状とできず、配線の側面が基板に対して切り立ってしまうため、Cu上に形成する膜のカバレージの悪化が懸念される。
特許文献1に、エッチング溶液としてぺルオキソ−硫酸−水素カリウムとフッ酸の混合液、あるいはぺルオキソ硫酸塩(KHSO5,NaHSO5,K2S2O8,(NH4)2S2O8)とフッ化アンモニウムの混合液などが開示されている。また、配線構造としてもCu/TiもしくはTi合金(TiもしくはTi合金膜はCuの下層)の二重積層構造が開示されている。
しかし、特許文献1の配線構造であれば、TiもしくはTi合金膜はCuの下層となっているため、Cu拡散が発生する欠点がある。周知のようにCu拡散により所望の絶縁性が確保されないおそれがある。
Mo/Cu/MoまたはCu/Mo構造になるように燐酸/硝酸/酢酸系のエッチング溶液によるテーパーエッチングも考えられる。しかし、硝酸量の変化に対して上層Moのエッチングは進行速度が遅く、最後までエッチングをおこなったとき、Cuのサイドエッチングが進行してしまう。図7の配線30ように、上層Mo38が銅層36のひさしのようになってしまう。
上層Moを省略すれば図8に示すような銅層46のテーパーエッチングも可能だが、下層Moをエッチングしているときに、銅層46のサイドエッチングが進行する。また、Cu拡散への対策がなされていない。さらには、サイドエッチング量が数ミクロンにも及ぶため、削り過ぎ等の細線の困難さや線幅の均一性の問題があり生産への適用は難しい。
そこで本発明は、配線遅延の低減を実現するための配線およびその配線の形成方法を提供することを目的とする。
本発明に係る配線の要旨は、絶縁基板の表面に形成された配線であって、前記絶縁基板上面に形成された窒素を含有する第1金属化合物膜と、前記第1金属化合物膜の上面に形成された銅または銅合金層と、前記銅または銅合金層の上面に形成された窒素を含有する第2金属化合物膜と、を含む。
前記第1金属化合物膜がTiNまたはMoNを含み、第2金属化合物膜がTiNを含む。
配線の断面はテーパー形状である。
前記絶縁基板の表面に透明絶縁層を有し、該透明絶縁層の上面に前記第1金属化合物膜が形成されている。
本発明に係る配線形成方法の要旨は、絶縁基板の表面に配線を形成するための方法であって、前記絶縁基板を準備するステップと、前記絶縁基板上面に窒素を含有する第1金属化合物膜を形成するステップと、前記第1金属化合物膜の上面に銅銅または銅合金層を形成するステップと、前記銅層の上面に窒素を含有する第2金属化合物膜を形成するステップと、エッチングによって、前記第1金属化合物膜、銅層、および、第2金属化合物膜の複数層を有する配線を形成するステップと、を含む。
前記第1金属化合物膜を形成するステップおよび第2金属化合物膜を形成するステップが、N2/(Ar+N2)の流量比を1.5/150〜30/150sccmで反応性スパッタリングをおこなうステップを含む。
前記第1金属化合物膜を形成するステップがTiNまたはMoNを形成するステップを含み、第2金属化合物膜を形成するステップがTiNを形成するステップを含む。
前記配線を形成するステップが、配線の断面をテーパー形状にエッチングするステップを含む。
前記第1金属化合物膜を形成するステップの前に、前記絶縁基板上面に透明絶縁膜を形成するステップを含む。
前記配線を形成するステップは、過硫酸アンモニウムおよびフッ酸を含有するエッチング溶液を使用してエッチングをおこなうことを含む。
本発明によると、銅層の上層または下層が窒化された金属化合物膜であるため、層同士の境界付近で合金層ができにくい構造になっている。したがって、エッチング速度が遅い層が非常に薄くなっている。銅層のサイドエッチングが進行しても、他の層もエッチングがスムーズに進行するため、配線の断面をテーパー形状にすることができる。
第1金属化合物膜及び第2金属化合物膜のスパッタリング方法を制御することによって、エッチングによる残渣の発生を抑制でき、かつ、第1金属化合物膜の挿入によって銅層を絶縁基板に密着させることができる。
本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。本発明の配線は、例えば液晶ディスプレイのアレイ基板に敷設されるものである。
図1に示すように、配線10は絶縁基板12の上に形成されたものである。配線10は、絶縁基板12の上面に形成された窒素を含有する第1金属化合物膜14と、第1金属化合物膜14の上面に形成された銅層16と、を含む。さらに、銅層16の上面には窒素を含有する第2金属化合物膜18が形成されている。
液晶ディスプレイなどに本発明を適用するのであれば、絶縁基板12はガラスなどの透明基板である。
第1金属化合物膜14はTiまたはMoを主体とする金属であって、TiNまたはMoNを含む。この第1金属化合物膜14は、銅層16を絶縁基板12の上に密着させる効果がある。また、第1金属化合物膜14は窒素を含有しているため、第1金属化合物膜14と銅層16との境界面で、第1金属化合物膜14と銅層16の材料による合金ができにくい。境界面付近に形成される合金層が薄くなるため、エッチング速度が遅い領域を少なくすることができる。したがって、境界付近に形成された合金層をエッチングしている間、所定以上に銅層16のサイドエッチングが進行することはない。合金層の厚みは約1000Å以下で、例えば約100Åである。
銅層16は、純粋な銅以外に銅を主体とした銅合金を含む。配線10に銅を使用することによって、配線抵抗を低くする。配線抵抗を低くしたことによって、配線遅延が低減される効果がある。例えば、銅層16の厚みが3000Åであるときに2.2×10−6Ω・cmの抵抗値を示した。なお、銅層16の代わりに従来のAlNdを使用した場合、4.8×10−6Ω・cmの抵抗値を示した。
第2金属化合物膜18はTiNを含む。また、銅層16との境界がTiNであるならば、第2金属化合物膜18の他の部分はTiであってもよい。第2金属化合物膜18は、Cu拡散を防止する効果を有する。また、窒素を含有するため、第1金属化合物膜14と同様に、境界付近に合金ができにくくなる。したがって、エッチング速度が遅い領域が少なくなり、合金層をエッチングしている間、所定以上に銅層16のサイドエッチングが進行することはない。合金層の厚みは約1000Å以下で、例えば約100Åである。
以上の構成にすることによって、絶縁基板12に直接銅層16を形成するよりも銅層16の密着性がよくなる。また、第2金属化合物膜18によってCu拡散を防止できる。銅層16によってシート抵抗が従来と比べて半減できるため、配線遅延を低減できる。さらに、第1金属化合物膜14および第2金属化合物膜18と銅層16との境界の合金層が薄くなり、エッチングがしやすく、配線10の断面をテーパー形状にすることができる。
また、絶縁基板12の上面に透明絶縁層20を有し、透明絶縁層20の上面に第1金属化合物膜14が形成されていてもよい。透明絶縁層20としては、SiNx、TiOx、有機ポリマーなどである。透明絶縁層20はエッチング溶液によって絶縁基板12の表面がエッチングされてしまうのを防止する。すなわち、透明絶縁層20はエッチングストッパーの働きをする。
配線10を形成は材料を順次積層した後、周知のパターニング方法により形成する。本発明は、パターニングにおけるエッチングに用いるエッチング溶液は、過硫酸アンモニウム及びフッ酸の混合液を使用する。エッチング溶液のpHは、約2〜3以下である。過硫酸アンモニウムの濃度は10g/l以上であり、好ましくは7.5g/500ml以上である。エッチング溶液におけるフッ酸の濃度は0.2%以上である。なお、HClの濃度は0%である。
エッチング溶液を上記のよな構成とする理由を説明する。アレイ基板の生産性の観点から銅層16のエッチングに対して第1金属化合物膜14および第2金属化合物膜18のエッチング速度は約120秒以下、例えば30〜120秒程度が要求される。従って5.0mg/500ml以上の過硫酸アンモニウム濃度が要求される。図2に過硫酸アンモニウムとエッチング速度の関係を示す。図2より、30〜40Å/sec程度でエッチングをおこなうためには、過硫酸アンモニウムの濃度は10g/l以上であり、好ましくは7.5g/500ml前後が最適である。
図3には、過硫酸アンモニウム濃度を5.0g及び7.5g/500mlに固定してフッ酸濃度(HF濃度)を変化させ、Cu及びTiのエッチングレートを示す。CuエッチングレートはHF濃度によらず一定であり、一方でTiのエッチングレートはHF濃度が高くなるほど速くなる。TiのエッチングレートがCuのエッチングレートを超える50ml/500ml以上の領域において、TiN/Cu/TiNのテーパーエッチングが実現する。なお、Cuのエッチングレートが速い領域では上層Tiが庇になる。
図4(a),(b)はTi/Cu/TiおよびTiN/Cu/TiN積層を過硫酸アンモニウム/フッ酸混合液によりエッチングしたときの、エッチング時間とエッチング量の関係である。なお、縦軸は配線の各層の相対的な厚みを表し、ドット部分が銅層とその上下の層との境界にできる合金の層を表す。図4(a),(b)の比較より、本発明の配線構造である図4(b)の方が、合金層が薄くなっている。
図4(a)のTi/Cu/Ti構造は従来の配線の構造である。Ti/Cu/Tiの場合、上層の拡散防止層としてのTiとCuの界面に合金層を形成している。その界面の合金層のエッチングレートが非常に遅いため、テーパー形状の制御が困難になる。したがって、図7のようなひさしを持った配線となる。下層の密着層とCuの界面にも同様の合金層を形成しているため、その界面でのエッチングレートが遅くなってしまう。
一方で、本発明の配線構造であるTiN/Cu/TiNにおいては、図4(b)のように界面の合金層がほとんどできない。エッチング制御が容易となり、図7のようなひさしはできない。
また、従来の構成であれば最下層の密着層がTiとなる。この場合、TiとCuが合金層を形成してしまい、ジャストエッチング+20%オーバーエッチング程度ではエッチング残渣が発生する。
これに対して密着層として、第1金属化合物膜が反応性スッパタリングにより窒化したものであれば、合金層の形成を抑制できる。以下、上述したエッチングを含めて、本発明の配線の製造方法について説明する。
(1)ガラスなどの透明の絶縁基板12を洗浄などし、所望の材料が積層できるように準備する。
(2)絶縁基板12の上に窒素を含有する第1金属化合物膜14を形成する。形成される材料は、TiNやMoNであり、形成方法はスパッタリングである。膜厚は約150Åである。
(3)第1金属化合物膜14の上面に銅層16を形成する。この銅層16には銅合金層を含む。銅層16の厚みは約3000Åである。
(4)銅層16の上面に窒素を含有する第2金属化合物膜18を形成する。形成される材料はTiNである。膜厚は約500Åである。
(5)第2金属化合物膜18の上面にレジストを塗布し、所望の形状のマスクパターンになるように露光・現像をおこなう。
(6)上述のエッチング溶液を使用してエッチングし、第1金属化合物膜14、銅層16、および、第2金属化合物膜18の複数層を有する配線10を形成する。
(7)第2金属化合物膜18の上面のレジストを剥離する。
上述のエッチング溶液を使用することによって、エッチング速度を所望の速度にすることができ、図1に示すような断面がテーパー形状の配線10を形成することができる。
上記(2)および(4)において、第1金属化合物膜14の形成または第2金属化合物膜18の形成は、N2/(Ar+N2)の流量比を1.5/150〜30/150sccmにして反応性スパッタリングをおこなう。
上記(2)において、N2の流量をAr+N2の総流量に対して1.5/150sccm以上にして第1金属化合物膜14を形成すると、エッチング時に残渣の発生を抑制できる。更に窒化をし、N2/(Ar+N2)の流量比で30/150sccm以上にすると、基板への密着性が低下し、テープによるピール試験で膜剥がれを発生するようになる。従って、密着層としての第1金属化合物膜14の窒化の割合には最適値があり、N2/(Ar+N2)の流量比で1.5/150〜30/150sccmにて残渣がないエッチングと高い密着性を実現する。上記内容を表1にまとめる。
また、上記(2)の工程の前に、絶縁基板12の上面に透明絶縁膜20を形成する工程を含めてもよい。透明絶縁膜20としてはSiNx、TiOx、有機ポリマーなどである。上記(6)の工程において、絶縁基板12までエッチングされるのを防止する。
本発明の製造方法は、従来と同じ装置を使っており、新たな装置導入の必要性がない。
以上、本発明について実施形態を説明したが本発明は上記の実施形態に限定されることはない。その他、本発明は、その主旨を逸脱しない範囲で当業者の知識に基づき種々の改良、修正、変更を加えた態様で実施できるものである。
液晶テレビやパソコンディスプレイ、その他の液晶ディスプレイや有機ELディスプレイに利用可能である。
10:配線
12:絶縁基板
14:第1金属化合物膜
16:銅層
18:第2金属化合物膜
20:透明絶縁層
12:絶縁基板
14:第1金属化合物膜
16:銅層
18:第2金属化合物膜
20:透明絶縁層
Claims (10)
- 絶縁基板上に形成された配線であって、
前記絶縁基板上面に形成された窒素を含有する第1金属化合物膜と、
前記第1金属化合物膜の上面に形成された銅または銅合金層と、
前記銅または銅合金層の上面に形成された窒素を含有する第2金属化合物膜と、
を含む配線。 - 前記第1金属化合物膜がTiNまたはMoNを含み、第2金属化合物膜がTiNを含む請求項1に記載の配線。
- 配線の断面がテーパー形状である請求項1または2に記載の配線。
- 前記絶縁基板の表面に透明絶縁層を有し、該透明絶縁層の上面に前記第1金属化合物膜が形成された請求項1乃至3に記載の配線。
- 絶縁基板上に配線を形成するための方法であって、
前記絶縁基板を準備するステップと、
前記絶縁基板上面に窒素を含有する第1金属化合物膜を形成するステップと、
前記第1金属化合物膜の上面に銅または銅合金層を形成するステップと、
前記銅または銅合金層の上面に窒素を含有する第2金属化合物膜を形成するステップと、
エッチングによって、前記第1金属化合物膜、銅層、および、第2金属化合物膜の複数層を有する配線を形成するステップと、
を含む配線形成方法。 - 前記第1金属化合物膜を形成するステップおよび第2金属化合物膜を形成するステップが、N2/(Ar+N2)の流量比を1.5/150〜30/150sccmで反応性スパッタリングをおこなうステップを含む請求項5に記載の配線形成方法。
- 前記第1金属化合物膜を形成するステップがTiNまたはMoNを形成するステップを含み、第2金属化合物膜を形成するステップがTiNを形成するステップを含む請求項5または6に記載の配線形成方法。
- 前記配線を形成するステップが、配線の断面をテーパー形状にエッチングするステップを含む請求項5乃至7に記載の配線形成方法。
- 前記第1金属化合物膜を形成するステップの前に、前記絶縁基板上面に透明絶縁膜を形成するステップを含む請求項5乃至8に記載の配線形成方法。
- 前記配線を形成するステップが、過硫酸アンモニウムおよびフッ酸を含有するエッチング溶液を使用してエッチングをおこなうことを含む請求項5乃至9に記載の配線形成方法。
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