KR102513168B1

KR102513168B1 - 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판

Info

Publication number: KR102513168B1
Application number: KR1020160050013A
Authority: KR
Inventors: 이승수; 심경보; 장상훈
Original assignee: 동우 화인켐 주식회사
Priority date: 2016-04-25
Filing date: 2016-04-25
Publication date: 2023-03-23
Also published as: KR20170121509A

Abstract

본 발명은 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 조성물 총 중량에 대하여, 인산 40 내지 60 중량%, 질산 3 내지 8 중량%, 아세트산 5 내지 20 중량%, 고리형 인산염 0.1 내지 3 중량% 및 잔량의 물을 포함하는 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판에 관한 것이다.

Description

은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판 {ETCHING SOLUTION COMPOSITION FOR SILVER-CONTAINING LAYER AND AN DISPLAY SUBSTRATE USING THE SAME}

본격적인 정보화시대로 접어들게 됨에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이 분야가 급속도로 발전해 왔으며, 이에 부응하여 다양한 평판 디스플레이가 개발되어 각광받고 있다.

이러한 평판 디스플레이 장치의 예로는 액정디스플레이장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마 디스플레이장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출디스플레이장치(Field Emission Display device: FED), 유기발광소자(Organic Light Emitting Diodes: OLED) 등을 들 수 있다.

일례로서, OLED는 소자 자체적으로 빛을 발광하면서 저전압에서도 구동될 수 있기 때문에 휴대기기 등의 소형 디스플레이 시장에 빠르게 적용되고 있을 뿐만 아니라, 디스플레이의 대화면화에 대한 트랜드에 따라 대형 TV 등에의 상용화를 목전에 둔 상황이다. 디스플레이가 대화면화 되면서, 배선 등이 길어지게 되어 배선 저항이 증가하게 됨에 따라, 저항을 낮추어 표시장치의 대형화 및 고해상도 실현을 가능하게 하는 방법이 요구되고 있다.

저항 증가에 의한 신호 지연 등의 문제를 해결하기 위해서는, 상기 배선을 최대한 낮은 비저항을 가지는 재료로 형성할 필요가 있다. 그러한 노력의 일환으로 다른 금속들에 비해 낮은 비저항과 높은 휘도, 전도도를 가지고 있는 은(Ag: 비저항 약 1.59μΩ㎝)막, 은합금막 또는 은막이나 은합금막을 포함한 다층막을 컬러필터의 전극, 배선 및 반사막 등에 적용하여 평판 디스플레이장치의 대형화와 고해상도 및 저전력 소비 등을 실현하기 위한 노력이 경주되고 있으며, 이러한 재료에 적용하기 위한 식각액이 요구되고 있다.

은(Ag) 함유 박막이 기판에 증착된 경우, 이를 패터닝, 식각하기 위해 종래의 식각액을 사용하는 경우에는 식각이 불량하여 잔사, 재흡착이 발생하거나 식각 속도가 느려 공정 시간이 길어지는 등의 문제가 야기될 수 있다. 또한, 이와는 반대로 은(Ag)이 과도하게 식각되거나 불균일하게 식각되어 배선의 들뜸 또는 벗겨짐 현상이 발생하고, 배선의 측면 프로파일이 불량하게 될 수 있다. 따라서, 이러한 문제점을 해결할 수 있는 새로운 식각액의 개발이 요구되는 실정이다.

대한민국등록특허 제10-1323458호

본 발명은, 상기 종래 기술의 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서,

은을 포함하는 금속막의 식각시 편측식각(S/E)이 우수하고, 하부 데이터 배선의 손상, 식각 잔사 및 재흡착의 발생 없이 우수한 식각 특성을 나타내는 은 함유 박막의 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 상기 은 함유 박막의 식각액 조성물을 사용하여 제조된 표시 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위하여,

본 발명은 식각액 총 중량에 대하여, 인산 40 내지 60 중량%, 질산 3 내지 8 중량%, 아세트산 5 내지 20 중량%, 고리형 인산염 0.1 내지 3 중량% 및 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 은 함유 박막의 식각액 조성물을 제공한다.

또한, 본 발명은 상기 은 함유 박막의 식각액 조성물로 식각된 금속막을 포함하는 표시 기판을 제공한다.

본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물은, 특정 함량의 인산, 질산, 아세트산, 고리형 인산염 및 물을 포함함으로써, 은(Ag) 함유 박막을 식각함에 있어서 편측식각(S/E)이 우수하고, 하부 배선의 손상 및 식각 잔사의 발생 없이 균일한 식각 특성을 가지며, 식각 속도 컨트롤이 용이한 식각액 조성물을 제공할 수 있다.

도 1은 식각액으로 식각함에 있어서, 편측식각(S/E: Photo resist 너비 - 배선 너비, 너비차)을 설명하기 위한 SEM 사진이다.
도 2는 식각액으로 식각한 후, 은(Ag)의 잔사 발생 유/무를 측정한 SEM 사진이다.
도 3은 식각액으로 식각한 후, 은(Ag)의 재흡착 발생 유/무를 측정한 SEM 사진이다.
도 4는 식각액의 식각 속도 평가에서, 종방향의 식각 속도를 설명하기 위해 나타낸 도면이다.

이하, 본 발명을 보다 자세히 설명한다.

본 발명은 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 인산 40 내지 60 중량%, 질산 3 내지 8 중량%, 아세트산 5 내지 20 중량%, 고리형 인산염 0.1 내지 3 중량% 및 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 은 함유 박막의 식각액 조성물에 관한 것이다.

본 발명자들은 상기와 같은 조성의 식각액 조성물을 사용하여 은(Ag) 함유 박막을 식각하는 경우, 식각 잔사 및 재흡착이 발생하지 않고, 식각 컨트롤이 우수하여 과식각 등 식각 불량이 발생하지 않음을 확인하고 본 발명을 완성하였다.

본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, 인산 40 내지 60 중량%, 질산 3 내지 8 중량%, 아세트산 5 내지 20 중량%, 고리형 인산염 0.1 내지 3 중량% 및 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 은 함유 박막의 식각액 조성물을 제공한다.

상기 은 함유 박막은 구성 성분 중에 은(Ag)이 포함되는 것으로서, 단일막 또는 이중막 이상의 다층막을 포함하는 개념이다. 상기 은(Ag) 함유 박막은 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 또는 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막 등을 들 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.

상기 은 합금은 은을 주성분으로 하며, Nd, Cu, Pd, Nb, Ni, Mo, Ni, Cr, Mg, W 및 Ti 등의 다른 금속을 포함하는 합금 형태와, 은의 질화물, 규화물, 탄화물 및 산화물 형태 등으로 다양할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

또한, 상기 산화인듐은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO) 및 산화갈륨아연인듐(IGZO)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이다.

또한, 상기 다층막은 산화인듐막/은, 산화인듐막/은 합금, 산화인듐막/은/산화인듐막 또는 산화인듐막/은 합금/산화인듐막으로 형성된 다층막일 수 있으며, 본 발명의 식각액 조성물은 상기 다층막을 동시에 식각할 수 있다.

이하 본 발명의 은 함유 박막의 식각액 조성물을 구성하는 성분을 설명한다. 그러나 본 발명이 이들 성분에 한정되는 것은 아니다.

인산

본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 인산(H₃PO₄)은 주식각제, 주산화제로서, 단일막 또는 다층막 식각시 은(Ag) 또는 은 합금과 산화환원 반응을 일으키고, 산화인듐막을 해리시켜 습식 식각하는 역할을 수행한다.

상기 인산은 식각액 조성물 총 중량에 대해 40 내지 60 중량%로 포함되며, 바람직하게는 45 내지 55 중량%로 포함된다.

상기 인산이 40 중량% 미만으로 포함되면, 식각 능력이 부족하여 충분한 식각이 이루어지지 않을 수 있다. 또한, 식각 속도 저하와 은 잔사 발생에 따른 불량을 야기할 수 있다. 반면, 인산의 함량이 60 중량%를 초과하는 경우에는 산화인듐막의 식각 속도는 저하되고, 은의 식각 속도는 너무 빨라져 상하부 산화인듐막의 팁(Tip) 발생 및 과식각 현상으로 인한 후속공정에 문제가 발생할 수 있다.

질산

본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 질산(HNO₃)은 보조 식각제, 보조 산화제의 역할을 하는 성분으로, 단일막 또는 다층막 식각시 은(Ag) 또는 은 합금과 산화인듐막을 산화시켜 습식 식각하는 역할을 수행한다.

상기 질산은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 3 내지 8 중량%로 포함되며, 바람직하게는 5 내지 7 중량%로 포함된다.

상기 질산의 함량이 3 중량% 미만인 경우에는 은 함유 박막의 식각 속도 저하가 발생하며, 이로 인해 기판 내의 식각 균일성(uniformity)이 불량해지므로 얼룩 발생, 은 화합물의 재흡착 문제가 발생할 수 있다. 반면, 함량이 8 중량%를 초과하는 경우에는 상하부 산화인듐막의 식각 속도가 가속화되어, 산화인듐막의 과식각 발생으로 인해 후속 공정에 문제가 발생될 우려가 있다.

아세트산

본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 아세트산(CH₃COOH)은 보조 산화제로 사용되는 성분으로서, 은 함유 박막, 일례로서 산화인듐막/은/산화인듐막에서 은을 산화시켜 습식 식각하는 역할을 수행한다.

상기 아세트산은 식각액 조성물 총 중량에 5 내지 20 중량%로 포함되며, 8 내지 15 중량% 포함되는 것이 보다 바람직하다.

상기 아세트산의 함량이 5 중량% 미만인 경우 은 함유 박막, 예를 들어 산화인듐막/은/산화인듐막의 원활한 식각이 이루어지지 않고, 식각 속도 불균일로 인해 얼룩이 발생하는 문제점이 있다. 반면, 함량이 20 중량%를 초과하는 경우에는 거품이 발생될 우려가 있고, 이러한 거품이 기판 내에 존재하게 되면 식각 불량이 발생하여 후속 공정에 문제를 야기할 수 있다.

고리형 인산염

본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 고리형 인산염은 습식 식각 시 박막에 대한 편측식각(S/E)를 감소시키고, 식각이 균일하도록 식각 속도를 조절하는 역할을 한다.

상기 고리형 인산염의 구체적인 예로서, 삼메타인산나트륨(Sodium Trimetaphosphate), 사메타인산나트륨(Sodium Tetrametaphosphate) 및 헥사메타인산나트륨(Sodium hexametaphosphate) 등으로부터 선택되는 1종 이상을 들 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다. 편측식각특성 및 식각속도가 우수한 측면에서, 보다 바람직하게는 헥사메타인산나트륨을 사용할 수 있다.

상기 고리형 인산염은 조성물 총 중량에 대하여, 0.1 내지 3 중량%로 포함되며, 1 내지 2 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상기한 기준으로 함량이 0.1 중량% 미만인 경우 기판 내의 식각 균일성(uniformity)이 저하되고, 또한 기판 내에 부분적으로 은 잔사가 발생할 수 있다. 반면, 상기한 기준으로 함량이 3 중량%를 초과하는 경우에는 식각 속도가 저하되어 원하는 식각 속도를 구현할 수 없으므로, 공정 시간 내 식각이 되지 않거나 식각 프로파일 불량 문제가 발생할 수 있다.

물

본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 물은 특별히 한정하지 않으나 탈이온수를 이용하는 것이 바람직하며, 상기 탈이온수는 반도체 공정용으로서 비저항값이 18 ㏁/㎝ 이상인 것을 사용하는 것이 바람직하다.

상기 물은 식각액 조성물 총 100 중량%에 대하여 잔량으로 포함될 수 있다.

본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물은 상기에 언급한 성분들 외에 식각 조절제, 계면활성제, 금속 이온 봉쇄제, 부식 방지제, pH 조절제 및 이에 국한되지 않는 다른 첨가제로부터 선택되는 1종 이상을 추가로 포함할 수 있다. 상기 첨가제는, 본 발명의 범위 내에서 본 발명의 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여, 당해 분야에서 통상적으로 사용하는 첨가제들로부터 선택하여 사용할 수 있다.

또한, 본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물을 구성하는 성분들은 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하다.

본 발명의 은 함유 박막의 식각액 조성물은 디스플레이(OLED, LCD 등) TFT 어레이 기판, TSP Trace 배선 및 Flexible용 나노와이어 배선 형성용으로 많이 사용되는 산화인듐막, 은, 은합금 이용한 단일막 또는 2개 이상을 사용한 다층막의 식각액으로 사용될 수 있다. 뿐만 아니라 상기 명시된 디스플레이, TSP 외에도 반도체 등 상기 금속 막질을 이용한 전자 부품 소재에 이용될 수 있다.

또한, 본 발명은 본 발명의 식각액 조성물로 식각된 금속막을 포함하는 표시 기판을 제공할 수 있다.

보다 자세하게는 상기 표시 기판은 액정표시장치(LCD) 또는 유기발광소자(OLED)의 박막트랜지스터(TFT) 기판일 수 있다.

또한, 상기 OLED는 금속막을 상부 및 하부에 적층할 수 있으며, 본 발명의 식각액 조성물로 금속막을 식각할 수 있다. 상부 및 하부에 금속막의 두께를 조절하여 적층함으로써, OLED에서 상기 금속막은 반사막 및 반투과막의 역할을 수행할 수 있다.

상기 반사막은 빛의 투과가 거의 되지 않는 두께이어야 하며, 상기 반투과막은 빛이 거의 투과되는 두께여야 한다. 따라서, 상기 금속막의 두께는 50 내지 5,000Å인 것이 바람직하다.

상기 금속막은 은 함유 박막으로서, 은(Ag) 또는 은 합금으로 이루어진 단일막, 또는 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막이다.

또한, 상기 다층막은 산화인듐막/은, 산화인듐막/은 합금, 산화인듐막/은/산화인듐막 또는 산화인듐막/은 합금/산화인듐막으로 형성된 다층막일 수 있다.

또한, 본 발명은 본 발명의 식각액 조성물로 식각된 배선을 제공할 수 있다. 보다 자세하게, 상기 배선은 터치스크린패널(Touch screen panel, TSP)에서 주로 X, Y좌표에 센싱된 신호를 읽어 들이는 트레이스(Trace)배선 또는 플렉서블용 은 나노와이어 배선일 수 있다.

또한, 상기 배선은 은(Ag) 또는 은 합금으로 이루어진 단일막, 또는 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막이다.

이때 상기 은 합금, 산화인듐 및 다층막에 대한 설명은, 상술한 표시 기판에서 설명된 내용을 동일하게 적용할 수 있다.

이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기 실시예에 의해 한정되지 않으며, 다양하게 수정 및 변경될 수 있다. 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해질 것이다.

< 실시예 및 비교예 > 식각액 조성물의 제조

하기 표 1에 나타낸 조성 및 함량으로 실시예 1~7 및 비교예 1~9의 식각액 조성물 각각 8kg을 제조하였다.

(중량%)

구분	인산	질산	아세트산	헥사메타인산나트륨	삼메타인산나트륨	제1인산나트륨	탈이온수
실시예 1	50	6	10	0.1			잔량
실시예 2	52	6.5	12	2	-
실시예 3	50	7	14	3	-
실시예 4	51	6	15	1		-
실시예 5	50	6	10	-	0.1	-
실시예 6	52	6.5	12	-	2	-
실시예 7	50	7	14	-	3	-
비교예 1	52	6.5	12			2
비교예 2	65	8.5	10			2
비교예 3	50	2	10			1
비교예 4	50	7	3			1.5
비교예 5	50	5	22			2
비교예 6	55	7	10			0.5
비교예 7	53	7.5	13			4
비교예 8	45	7	13	0.05
비교예 9	48	6.5	8	5

< 실험예 > 식각액 조성물의 성능 테스트

베이스 기판상에 산화인듐막/은/산화인듐막을 차례로 도포하여 삼중막을 형성하고 포토리소그래피 공정을 통하여 기판 상에 소정의 패턴을 가진 포토레지스트가 형성되도록 하여 시편 준비 후, 상기 실시예 1~7 및 비교예 1~9의 조성물을 각각 사용하여 인듐산화막/은/인듐산화막 기판에 대하여 식각공정을 실시하였다.

분사식 식각 방식의 실험장비(모델명: ETCHER(TFT), K.C.Tech사) 내에 상기 실시예 1~7 및 비교예 1~9의 식각액 조성물을 각각 넣고, 온도를 40℃로 설정하여 가온한 후, 온도가 40±0.1℃에 도달하였을 때 상기 시편의 식각 공정을 수행하였다. 총 식각 시간은 실제 라인에서 실시하는 공정 시간에 맞추어 진행하였으며, 약 100초로 실시하였다.

실험예 1. 편측식각 (S/E) 측정

이후, 기판을 넣고 분사를 시작하여 100초의 식각 시간이 다 되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍건조장치를 이용하여 건조하였다. 세정 및 건조 후 기판을 절단하고 단면을 전자주사현미경(SEM; 모델명:SU-8010, HITACHI사 제조)을 이용하여 측정하였다. 편측식각(S/E)측정 기준으로는 포토레지스트 끝 부분의 너비에서 배선의 너비의 차를 측정하였고(도 1), 하기의 기준으로 평가하였으며, 결과를 하기 표 2에 나타내었다.

<평가기준>

0.5 ㎛ 미만: 우수

0.5 내지 1.0 ㎛: 양호

1.0 ㎛ 초과: 불량

실험예 2. 잔사 측정

이후, 기판을 넣고 분사를 시작하여 100초의 식각 시간이 다 되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍건조장치를 이용하여 건조하고, 포토레지스트 박리기(PR stripper)를 이용하여 포토레지스트를 제거하였다. 세정 및 건조 후 전자주사현미경(SEM; 모델명: SU-8010, HITACHI사 제조)을 이용하여 포토레지스트가 덮여 있지 않은 부분에 은(Ag)이 식각 되지 않고 남아 있는 현상인 잔사를 측정하였으며, 하기의 기준으로 평가하여, 결과를 하기 표 2에 나타내었다.

<잔사 평가 기준>

무: 잔사 미발생 (우수)

유: 잔사 발생 (불량)

실험예 3. 은 재흡착 측정

이후, 기판을 넣고 분사를 시작하여 100초의 식각 시간이 다 되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍건조장치를 이용하여 건조하고, 포토레지스트 박리기(PR stripper)를 이용하여 포토레지스트를 제거하였다. 세정 및 건조 후 전자주사현미경(SEM; 모델명: SU-8010, HITACHI사 제조)을 이용하여 식각이 된 후, 주로 데이터 배선 등 이종 금속이 노출 된 부분이나 굴곡 현상에 의해 마찰이 발생할 수 있는 특정 부위에 식각된 은(Ag)이 흡착되어 있는 현상을 전면 관찰을 통해 분석을 진행하였고, 하기의 기준으로 평가하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.

<재흡착 평가 기준>

무: 재흡착 미발생 (우수)

유: 재흡착 발생 (불량)

실험예 4. 식각속도 측정

이후, 육안으로 엔드포인트 검출(End Point Detection, EPD)을 측정하여 시간에 따른 식각 속도(E/R, Etch Rate)를 얻었으며, 식각 속도는 종방향의 식각 속도만으로 평가하였다 (도 4). 식각을 진행한 금속막의 두께를 EPD로 나누면 초(시간)당 Å(두께) (Å/sec)의 식각 속도를 구할 수 있으며, 하기의 기준으로 평가하여, 결과를 하기 표 2에 나타내었다.

<식각 속도 평가 기준>

은 또는 은 합금을 포함하는 단일막 또는 다중막의 두께에 대한 식각 속도가,

20 Å/sec 미만: 불량

20 Å/sec 내지 50 Å/sec 미만: 양호

50 Å/sec 이상: 우수

구분	Side Etch	은(Ag) 잔사	은 재흡착	식각 속도
실시예 1	양호	무	무	우수
실시예 2	우수	무	무	우수
실시예 3	우수	무	무	양호
실시예 4	우수	무	무	양호
실시예 5	양호	무	무	양호
실시예 6	양호	무	무	양호
실시예 7	양호	무	무	양호
비교예 1	불량	무	무	양호
비교예 2	불량	무	무	우수
비교예 3	우수	유	유	불량
비교예 4	양호	유	무	불량
비교예 5	불량	유	유	양호
비교예 6	불량	무	무	우수
비교예 7	우수	무	무	불량
비교예 8	불량	무	무	우수
비교예 9	양호	유	유	불량

상기 표 2의 결과를 통해 알 수 있듯이, 본 발명의 은(Ag) 함유 박막의 식각액 조성물인 실시예 1~7은, 편측식각(S/E), 식각 속도 평가 결과에서 우수하거나 양호한 결과를 나타내었으며, 은 잔사 및 재흡착 현상이 발생하지 않는 것을 확인하였다.

반면, 비교예 1~9의 식각액 조성물은 편측식각(S/E), 식각 속도, 은 잔사 발생, 재흡착 발생 평가 결과 중 하나 이상의 평가에서 불량하거나 적합하지 못한 평가 결과를 나타내는 것을 확인하였다.

Claims

조성물 총 중량에 대하여, 인산 40 내지 60 중량%, 질산 3 내지 8 중량%, 아세트산 5 내지 20 중량%, 고리형 인산염 0.1 내지 3 중량% 및 잔량의 물을 포함하며,
상기 고리형 인산염은 삼메타인산나트륨(Sodium Trimetaphosphate), 사메타인산나트륨(Sodium Tetrametaphosphate) 및 헥사메타인산나트륨(Sodium hexametaphosphate)으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 은 함유 박막의 식각액 조성물.
삭제
청구항 1에 있어서,
상기 은 함유 박막은 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 또는 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막을 포함하는 것을 특징으로 하는 은 함유 박막의 식각액 조성물.
청구항 3에 있어서,
상기 산화인듐은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO) 및 산화갈륨아연인듐(IGZO)으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 은 함유 박막의 식각액 조성물.
청구항 3에 있어서,
상기 은합금은 은(Ag) 및, 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 망간(Mn), 크롬(Cr), 주석(Sn), 팔라듐(Pd), 네오디늄(Nd), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg), 텅스텐(W), 프로트악티늄(Pa), 알루미늄(Al) 및 티타늄(Ti)으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 은 함유 박막의 식각액 조성물.
청구항 3에 있어서,
상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막은 산화인듐막/은, 산화인듐막/은 합금, 산화인듐막/은/산화인듐막 또는 산화인듐막/은 합금/산화인듐막인 것을 특징으로 하는 은 함유 박막의 식각액 조성물.
청구항 1 및 3 내지 6 중의 어느 한 항의 식각액 조성물로 식각된 금속막을 포함하는 표시 기판.
청구항 7에 있어서,
상기 표시 기판은 액정표시장치(LCD) 또는 유기발광소자(OLED)의 박막트랜지스터(TFT) 기판인 것을 특징으로 하는 표시 기판.
청구항 7에 있어서,
상기 금속막은 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막, 또는 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막인 것을 특징으로 하는 표시 기판.