CN110233154B - 元件基板 - Google Patents
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Abstract
一种元件基板，包括第一基板、主动元件阵列、数据线接垫、栅极驱动电路测试线以及第一阻挡结构。主动元件阵列位于第一基板上。数据线接垫电性连接主动元件阵列。栅极驱动电路测试线位于第一基板上。第一阻挡结构位于第一基板上。第一阻挡结构位于栅极驱动电路测试线与数据线接垫之间。阻挡结构包括第一挡墙。
Description
技术领域
本发明涉及一种元件基板，且特别涉及一种栅极驱动电路测试线与数据线接垫之间有阻挡结构的元件基板。
背景技术
在制造显示面板的过程中，蚀刻、曝光、显影、切割等工艺可能会产生大小为数微米或数纳米的微小粒子，这些微小粒子可能附着在显示面板的表面而造成污染。因此，往往会使用清洗剂(detergent)来清洗显示面板，藉此避免这些微小粒子影响显示面板的显示品质。
然而，在使用清洁剂来清洗显示面板时，清洁剂容易渗入显示面板周边区中芯片接合的部位，这容易导致清洁剂腐蚀芯片接合处的电路，使显示装置损坏。
发明内容
本发明的目的在于提供一种元件基板，能改善接合区中电路被清洁剂腐蚀的问题。
本发明的一实施例提供一种元件基板。元件基板包括第一基板、主动元件阵列、数据线接垫、栅极驱动电路测试线以及第一阻挡结构。主动元件阵列位于第一基板上。数据线接垫电性连接主动元件阵列。栅极驱动电路测试线位于第一基板上。第一阻挡结构位于第一基板上。第一阻挡结构位于栅极驱动电路测试线与数据线接垫之间。阻挡结构包括第一挡墙。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A是依照本发明的一实施例的一种元件基板的俯视示意图；
图1B是图1A剖线z-z’的剖面示意图；
图2A是依照本发明的一实施例的一种元件基板的俯视示意图；
图2B是图2A剖线a-a’的剖面示意图；
图3A是依照本发明的一实施例的一种元件基板的俯视示意图；
图3B是图3A剖线b-b’的剖面示意图；
图4A是依照本发明的一实施例的一种元件基板的俯视示意图；
图4B是图4A剖线c-c’的剖面示意图；
图5是依照本发明的一实施例的一种元件基板的剖面示意图；
图6是依照本发明的一实施例的一种元件基板的剖面示意图；
图7是依照本发明的一实施例的一种元件基板的剖面示意图；图8是依照本发明的一实施例的一种元件基板的剖面示意图。
其中，附图标记
10a、10b、10c、10d、10e、10f、10g、10h：元件基板110：数据线接垫
120：栅极驱动电路测试线
122：栅极驱动电路接垫
124：测试接垫
126：信号线
130：第一阻挡结构
132：第一挡墙
132A、134A、136A：第一层
132B：134B、136B：第二层
132C、136C、138C：第三层
134：第二挡墙
135A、135B：连接结构
136：第三挡墙
138：第四挡墙
140：短路杆
142：测试接垫
144：信号线
150：第二阻挡结构
150A、150B：突起结构
160：第三阻挡结构
A、L：垂直距离
AA：主动区
AR：主动元件阵列
B1、B2、B3、B4、B5：长度
BA：周边区
BP：凸起结构
BZ：外壳
CF：软性电路板
CR：切割路径
CRh：开口标记
CRm：金属标记
DL：数据线
DR：驱动电路
FC：软性电路板
H、O：开口
I1：第一绝缘层
I2：第二绝缘层
I3：第三绝缘层
IC：芯片
PE：电极
PX：像素单元
SB1：第一基板
SB2：第二基板
SL：扫描线
SW1：第一边缘
SW2：第二边缘
T：主动元件
TF：保护层
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：
图1A是依照本发明的一实施例的一种元件基板的俯视示意图。图1B是图1A剖线z-z’的剖面示意图。为了方便说明，图1A与图1B省略绘示了元件基板的部分构件。
请参考图1A与图1B，元件基板10a包括第一基板SB1、主动元件阵列AR、数据线接垫110、栅极驱动电路测试线120以及第一阻挡结构130。在本实施例中，元件基板10a还包括第二基板SB2、栅极驱动电路接垫122、测试接垫124、信号线126、短路杆140、测试接垫142、信号线144、软性电路板FC、保护层TF、驱动电路DR、第二阻挡结构150(图1A省略绘示)、外壳BZ(图1A省略绘示)、第三阻挡结构160(图1A省略绘示)以及芯片IC。第二基板SB2位于第一基板SB1上。在一些实施例中，第二基板SB2上设置有彩色滤光元件(Color filter)，且第二基板SB2与第一基板SB1之间还具有框胶(Sealant)，但本发明不以此为限。第二基板SB2与第一基板SB1设置于外壳BZ中。
主动元件阵列AR位于第一基板SB1上，且主动元件阵列AR位于主动区AA上。主动元件阵列AR包括多个像素单元PX、多条扫描线SL以及多条数据线DL。各像素单元PX电性连接于至少一扫描线SL与至少一数据线DL。在本实施例中，像素单元PX包含有至少一主动元件T以及至少一电极PE，主动元件T的栅极与源极分别电性连接至扫描线SL与数据线DL，主动元件T的漏极电性连接至电极PE。在一些实施例中，电极PE上可以有液晶、有机发光二极管、无机发光二极管或其他构件。
第一基板SB1的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如：导电材料(例如:金属、合金或其它合适材料)、晶圆、陶瓷、或其他可适用的材料)、或是其他可适用的材料。若使用导电材料时，则在第一基板SB1上覆盖一层绝缘层(未绘示)，以避免短路问题。
数据线接垫110与栅极驱动电路接垫122位于第一基板上。数据线接垫110电性连接主动元件阵列AR的数据线DL。栅极驱动电路接垫122通过信号线126而电性连接驱动电路DR。驱动电路DR例如是阵列上栅极驱动电路(Gate Driver on Array，GOA)。驱动电路DR电性连接主动元件阵列AR的扫描线SL。
栅极驱动电路测试线120与测试接垫124位于第一基板SB1上，且栅极驱动电路测试线120与测试接垫124位于周边区BA上。测试接垫124与对应的栅极驱动电路测试线120电性连接。
短路杆140、测试接垫142、信号线144位于第一基板SB1上，且短路杆140、测试接垫142、信号线144位于周边区BA上。短路杆140电性连接至对应的测试接垫142以及信号线144。短路杆140、测试接垫142以及信号线144位于数据线接垫110的外侧。短路杆140除了能用于检测主动元件阵列AR的功能以外，还可以用来阻挡清洗剂，避免清洗剂腐蚀数据线接垫110。
在以测试接垫124以及测试接垫142检测主动元件阵列AR的功能之前，测试接垫124通过栅极驱动电路测试线120而电性连接至栅极驱动电路接垫122，且测试接垫142通过短路杆140以及信号线144而电性连接至数据线接垫110。
第一基板SB1的周边区BA上具有切割路径CR，切割路径CR位于数据线接垫110与短路杆140之间。在以测试接垫124以及测试接垫142测试主动元件阵列AR的功能之后，以激光沿着切割路径CR切断栅极驱动电路测试线120以及信号线144。
在一些实施例中，沿着切割路径CR进行激光切割工艺之后，会以软性电路板FC覆盖数据线接垫110。软性电路板FC与数据线接垫110电性连接。在本实施例中，部分软性电路板FC(例如较靠近栅极驱动电路测试线120的软性电路板FC)还覆盖栅极驱动电路接垫122，且部分软性电路板FC与栅极驱动电路接垫122电性连接。在本实施例中，芯片IC设置于软性电路板FC上。
保护层TF位于软性电路板FC上。保护层TF与数据线接垫110重叠。在一些实施例中，保护层TF例如为塔菲胶(Tuffy)或其他可用于保护软性电路板FC的材料。保护层TF可以防止清洗剂从软性电路板FC与第二基板SB2之间的间隙渗入数据线接垫110以及第一基板SB1与第二基板SB2之间。
第一阻挡结构130位于第一基板SB1上。第一阻挡结构130位于栅极驱动电路测试线120与数据线接垫110之间。
在本实施例中，栅极驱动电路测试线120与短路杆140之间的垂直距离为A，第一基板SB1的第一边缘SW1与第二基板SB2的第二边缘SW2之间的垂直距离为L。在本实施例中，A/L大于或等于0.25％。第一阻挡结构130位于栅极驱动电路测试线120与短路杆140之间，且第一阻挡结构130位于第一基板SB1的第一边缘SW1与第二基板SB2的第二边缘SW2之间。因此，在清洗显示面板10a时，清洗剂比较不容易从栅极驱动电路测试线120与短路杆140之间的间隙渗入显示面板10a的切割路径CR，甚至是渗入软性电路板FC下方。因此，能避免软性电路板FC下方的数据线接垫110以及栅极驱动电路接垫122被清洗剂腐蚀。
在本实施例中，阻挡结构130包括第一挡墙132。在本实施例中，第一挡墙132与数据线接垫110分别属于不同金属层。举例来说，第一挡墙132属于第一金属层，第一金属层的厚度例如约为0.3～2微米。数据线接垫110属于第二金属层，第二金属层的厚度例如约为0.3～2微米。第一金属层与第二金属层之间隔有第一绝缘层I1，第一绝缘层I1的厚度例如约为0.1～1微米。举例来说，第一金属层形成于第一基板SB1上，第一绝缘层I1形成于第一金属层以及第一基板SB1上，第二金属层形成于第一绝缘层I1以及第一金属层上。第二绝缘层I2形成于第二金属层以及第一绝缘层I1上，第二绝缘层I2的厚度例如约为0.1～3微米。在本实施例中，数据线接垫110位于第一绝缘层I1上，且第二绝缘层I2具有暴露出数据线接垫110的开口O。
在本实施例中，第一挡墙132与栅极驱动电路测试线120属于同一金属层(第一金属层)。
在本实施例中，第一挡墙132的延伸方向平行第一基板SB1的第一边缘SW1，但不以此为限。
第二阻挡结构150位于软性电路板FC与第一基板SB1之间。第二阻挡结构150可以与软性电路板FC一体成形，也可以是两个不同的构件。在本实施例中，第二阻挡结构150形成于软性电路板FC上，第二阻挡结构150的宽度小于或等于软性电路板FC的宽度。在使软性电路板FC连接数据线接垫110时，软性电路板FC上的第二阻挡结构150会对应切割路径CR的位置。换句话说，第二阻挡结构150设置于切割路径CR中。在一些实施例中，第二阻挡结构150的中线会对应切割路径CR的中线设置。第二阻挡结构150包括具有压缩率的材料，例如压缩率例如像胶、泡棉或其他类似的材料。第二阻挡结构150的压缩率例如小于80％，较佳小于60％。在本实施例中，第二阻挡结构150可以阻绝清洗剂与数据线接垫110(及数据线DL)接触，并能防止数据线DL穿刺软性电路板FC。
外壳BZ位于软性电路板FC上。第三阻挡结构160位于软性电路板FC与外壳BZ之间。第三阻挡结构160可以与外壳BZ一体成形，也可以是两个不同的构件。第三阻挡结构160可以形成于外壳BZ上或软性电路板CF上。第三阻挡结构160重叠于第二阻挡结构150。第三阻挡结构160包括具有压缩率的材料，例如压缩率例如像胶、泡棉或其他类似的材料。第三阻挡结构160的压缩率例如小于80％，较佳小于60％。在本实施例中，第三阻挡结构160有助于使第二阻挡结构150与切割路径CR更贴合。在一些实施例中，第三阻挡结构160包括散热材料。在第三阻挡结构160包括散热材料的实施例中，第三阻挡结构160可以帮助软性电路板FC将热能传递给外壳BZ。
基于上述，元件基板10a的第一阻挡结构130、第二阻挡结构150、第三阻挡结构160可以改善软性电路板FC接合区中的电路被清洁剂腐蚀的问题。
图2A是依照本发明的一实施例的一种元件基板的俯视示意图。图2B是图2A剖线a-a’的剖面示意图。在此必须说明的是，图2A和图2B的实施例沿用图1A和图1B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。为了方便说明，图2A与图2B省略绘示了元件基板的部分构件。
图2A的元件基板10b与图1A的元件基板10a的主要差异在于：元件基板10b的第一阻挡结构130更包括第二挡墙134、第三挡墙136以及第四挡墙138。第一挡墙132、第二挡墙134、第三挡墙136以及第四挡墙138中相邻两者之间的间距约为2～20微米。
请参考图2A与图2B，第一挡墙132、第二挡墙134、第三挡墙136以及第四挡墙138位于第一基板SB1上，且位于栅极驱动电路测试线120与数据线接垫110之间。在本实施例中，第一挡墙132、第二挡墙134、第三挡墙136以及第四挡墙138位于栅极驱动电路测试线120与短路杆140之间。在本实施例中，第一挡墙132、第二挡墙134、第三挡墙136以及第四挡墙138的延伸方向平行第一基板SB1的第一边缘，但不以此为限。第一挡墙132、第二挡墙134、第三挡墙136以及第四挡墙138的长度分别是长度B1、长度B2、长度B3以及长度B4。
在本实施例中，栅极驱动电路测试线120与短路杆140之间的垂直距离为A，第一基板SB1的第一边缘与第二基板SB2的第二边缘之间的垂直距离为L。
第一阻挡结构130的总长度B为各挡墙长度的总和。举例来说，第一阻挡结构130的总长度B为长度B1、长度B2、长度B3以及长度B4的合，即B＝B1+B2+B3+B4，2A<B<10A。
在本实施例中，第二挡墙134、第三挡墙136、连接结构135A以及连接结构135B共同组成封闭结构。在本实施例中，第二挡墙134、第三挡墙136、连接结构135A以及连接结构135B一体成形，但本发明不以此为限。
在本实施例中，第一挡墙132、第二挡墙134、第三挡墙136、第四挡墙138、栅极驱动电路测试线120以及短路杆140皆属于第一金属层。第一挡墙132连接栅极驱动电路测试线120，于连接处第一挡墙132和栅极驱动电路测试线120形成一L型结构，可使阻挡效果更佳。第四挡墙138连接短路杆140，于连接处第四挡墙138和短路杆140形成一L型结构，可使阻挡效果更佳，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第一阻挡结构130也可以与短路杆140及栅极驱动电路测试线120分离。
虽然在本实施例中，第一挡墙132、第二挡墙134、第三挡墙136以及第四挡墙138包括单层结构，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第一挡墙132、第二挡墙134、第三挡墙136以及第四挡墙138中的至少一者也可以是多层结构，且由第一金属层的一部分、第二金属层的一部分、滤光材料及间隙物材料中的至少两者互相堆叠而成。
在本实施例中，切割路径CR的周围选择性的包括开口标记CRh以及金属标记CRm。开口标记CRh以及金属标记CRm可以用来协助确认激光工艺是否有顺利沿着切割路径CR执行。
基于上述，元件基板10b的第一阻挡结构130可以改善软性电路板FC接合区中的电路被清洁剂腐蚀的问题。
图3A是依照本发明的一实施例的一种元件基板的俯视示意图。图3B是图3A剖线b-b’的剖面示意图。在此必须说明的是，图3A和图3B的实施例沿用图2A和图2B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。为了方便说明，图3A与图3B省略绘示了元件基板的部分构件。
图3A的元件基板10c与图2A的元件基板10b的主要差异在于：元件基板10c的第一阻挡结构130的第一挡墙132与第三挡墙136为多层结构。
在本实施例中，第一挡墙132包括互相堆叠的第一层132A与第二层132B，第三挡墙136包括互相堆叠的第一层136A与第二层136B。第一层132A以及第一层136A位于第一绝缘层I1与第一基板SB1之间。第一绝缘层I1位于第一层132A与第二层132B之间以及第一层136A与第二层136B之间。
在本实施例中，第一层132A、第一层136A、栅极驱动电路测试线120以及短路杆140属于第一金属层，且第二挡墙134、第四挡墙138、第二层132B、第二层136B与数据线接垫110属于第二金属层。
基于上述，元件基板10c的第一阻挡结构130可以改善软性电路板FC接合区中的电路被清洁剂腐蚀的问题。
图4A是依照本发明的一实施例的一种元件基板的俯视示意图。图4B是图4A剖线c-c’的剖面示意图。在此必须说明的是，图4A和图4B的实施例沿用图2A和图2B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。为了方便说明，图4A与图4B省略绘示了元件基板的部分构件。
图4A的元件基板10d与图2A的元件基板10b的主要差异在于：元件基板10b的第一阻挡结构130包括第一挡墙132、第二挡墙134、第三挡墙136以及开口H，其中第一挡墙132、第二挡墙134以及第三挡墙136为多层结构。
在本实施例中，第一挡墙132包括互相堆叠的第一层132A、第二层132B与第三层132C，第二挡墙134包括互相堆叠的第一层134A、第二层134B与第三层134C，第三挡墙136包括互相堆叠的第一层136A、第二层136B与第三层136C。
在本实施例中，第一层132A、第一层134A以及第一层132A位于第一绝缘层I1与第一基板SB1之间。第二绝缘层I2位于第一绝缘层I1与第二层132B之间、第一绝缘层I1与第二层134B之间以及第一层136A与第二层136B之间。第三绝缘层I3位于第二层132B与第三层132C之间、第二层134B与第三层134C之间以及第二层136B与第三层136C之间，第三绝缘层I3的厚度例如约为0.1～3微米。
在本实施例中，第一层132A、第一层134A、栅极驱动电路测试线120与短路杆140属于第一金属层。第一层136A与数据线接垫110属于第二金属层。第二层132B、第二层134B以及第二层134B的材料包括滤光材料。在一些实施例中，第二层132B、第二层134B以及第二层134B的厚度例如为1～5微米。第三层132C、第三层134C以及第三层134C的材料例如包括高分子材料。在一些实施例中，第三层132C、第三层134C以及第三层134C例如与第一基板和第二基板之间用来维持液晶层间隙的间隙物一起制作。
第一阻挡结构130包括贯穿第一绝缘层I1、第二绝缘层I2以及第三绝缘层I3的开口H。开口H位于栅极驱动电路测试线120与数据线接垫110之间。在本实施例中，开口H位于栅极驱动电路测试线120与短路杆140之间。
在本实施例中，第一阻挡结构130的总长度B为第一挡墙132的长度B1、第二挡墙134的长度B2、第三挡墙136的长度B3以及开口H的长度B5的合，即B＝B1+B2+B3+B5，2A<B<10A。
基于上述，元件基板10d的第一阻挡结构130可以改善软性电路板FC接合区中的电路被清洁剂腐蚀的问题。
图5是依照本发明的一实施例的一种元件基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图5的实施例沿用图1B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。为了方便说明，图5省略绘示了元件基板的部分构件。
图5的元件基板10e与图1B的元件基板10a的主要差异在于：元件基板10e的第二阻挡结构150朝向切割路径CR的表面具有突起结构150A、150B。
由于元件基板10e的第二阻挡结构150是藉由面积较小的突起结构150A、150B接触切割路径CR。施加于第二阻挡结构150上的压力可以集中于第二阻挡结构150的突起结构150A、150B，使第二阻挡结构150更紧密的贴合于切割路径CR。
图6是依照本发明的一实施例的一种元件基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图6的实施例沿用图5的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。为了方便说明，图6省略绘示了元件基板的部分构件。
图6的元件基板10f与图5的元件基板10e的主要差异在于：元件基板10f的第二阻挡结构150朝向切割路径CR的表面具有宽度不一致的突起结构150A、150B。举例来说，突起结构150A的宽度小于突起结构150B的宽度。
由于元件基板10f的第二阻挡结构150是藉由面积较小的突起结构150A、150B接触切割路径CR。施加于第二阻挡结构150上的压力可以集中于第二阻挡结构150的突起结构150A、150B，使第二阻挡结构150更紧密的贴合于切割路径CR。
图7是依照本发明的一实施例的一种元件基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图7的实施例沿用图6的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。为了方便说明，图7省略绘示了元件基板的部分构件。
图7的元件基板10g与图6的元件基板10f的主要差异在于：元件基板10g的第二阻挡结构150朝向切割路径CR的表面具有宽度不一致的突起结构150A、150B，其中突起结构150A的表面为阶梯状。
由于元件基板10g的第二阻挡结构150是藉由面积较小的突起结构150A、150B接触切割路径CR。施加于第二阻挡结构150上的压力可以集中于第二阻挡结构150的突起结构150A、150B，使第二阻挡结构150更紧密的贴合于切割路径CR。
图8是依照本发明的一实施例的一种元件基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图8的实施例沿用图1B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。为了方便说明，图8省略绘示了元件基板的部分构件。
图8的元件基板10h与图7的元件基板10g的主要差异在于：元件基板10h的外壳BZ具有朝向软性电路板CF的凸起结构BP。
凸起结构BP重叠于第二阻挡结构150。在本实施例中，凸起结构BP有助于使第二阻挡结构150与切割路径CR更贴合。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (18)
1.一种元件基板，其特征在于，包括：
一第一基板；
一主动元件阵列，位于该第一基板上；
一数据线接垫，电性连接该主动元件阵列；
一栅极驱动电路测试线，位于该第一基板上；
一第一阻挡结构，位于该第一基板上，且位于该栅极驱动电路测试线与该数据线接垫之间，其中该第一阻挡结构包括一第一挡墙；以及
一短路杆，位于该第一基板上，且位于该数据线接垫的外侧，其中该第一阻挡结构位于该栅极驱动电路测试线与该短路杆之间，一切割路径位于该数据线接垫与该短路杆之间。
2.根据权利要求1所述的元件基板，其特征在于，该第一挡墙与该栅极驱动电路测试线属于同一金属层。
3.根据权利要求1所述的元件基板，其特征在于，该第一挡墙与该栅极驱动电路测试线相连。
4.根据权利要求1所述的元件基板，其特征在于，更包括：
一第一绝缘层，位于该第一基板上；
一第二绝缘层，位于该第一绝缘层上；
一第三绝缘层，位于该第二绝缘层上，其中该第一阻档结构更包括贯穿该第一绝缘层、该第二绝缘层以及该第三绝缘层的一开口，且该开口位于该栅极驱动电路测试线与该数据线接垫之间。
5.根据权利要求4所述的元件基板，其特征在于，该数据线接垫位于该第一绝缘层上。
6.根据权利要求1所述的元件基板，其特征在于，该第一挡墙为多层结构，且包括一第一层与一第二层，该元件基板更包括一第一绝缘层，该元件基板更包括一第一绝缘层，该第一绝缘层位于该第一层与该第二层之间。
7.根据权利要求6所述的元件基板，其特征在于，该第一层与该栅极驱动电路测试线属于一第一金属层，且该第二层与该数据线接垫属于一第二金属层。
8.根据权利要求1所述的元件基板，其特征在于，该第一挡墙包括堆叠在一起的一第一层、一第二层与一第三层，该元件基板更包括一第一绝缘层、一第二绝缘层以及一第三绝缘层，其中该第一层位于该第一绝缘层与该第一基板之间，该第二绝缘层位于该第一绝缘层与该第二层之间，且该第三绝缘层位于该第二层与该第三层之间。
9.根据权利要求8所述的元件基板，其特征在于，该第二层包括滤光材料。
10.根据权利要求7所述的元件基板，其特征在于，该第一阻挡结构更包括一第二挡墙，位于该第一基板上，且该第二挡墙位于该栅极驱动电路测试线与该数据线接垫之间，其中该第二挡墙属于该第二金属层。
11.根据权利要求1所述的元件基板，其特征在于，更包括：
一软性电路板，位于该数据线接垫上，且与该数据线接垫电性连接；以及
一第二阻挡结构，位于该软性电路板与该第一基板之间。
12.根据权利要求11所述的元件基板，其特征在于，更包括：
一外壳，位于该软性电路板上；以及
一第三阻挡结构，位于该软性电路板与该外壳之间，其中该第三阻挡结构重叠于该第二阻挡结构。
13.根据权利要求11所述的元件基板，其特征在于，更包括：
一外壳，位于该软性电路板上，其中该外壳具有朝向该软性电路板的一凸起结构，该凸起结构重叠于该第二阻挡结构。
14.根据权利要求11所述的元件基板，其特征在于，更包括：
该第二阻挡结构位于该切割路径上。
15.根据权利要求1所述的元件基板，其特征在于，更包括：
一软性电路板，位于该数据线接垫上，且与该数据线接垫电性连接；以及
一保护层，位于该软性电路板上，且与该数据线接垫重叠。
16.根据权利要求1所述的元件基板，其特征在于，该栅极驱动电路测试线与该短路杆之间的垂直距离为A，该第一阻挡结构的总长度为B，2A<B<10A。
17.根据权利要求1所述的元件基板，其特征在于，更包括一第二基板，位于该第一基板上，其中该第一阻挡结构位于该第一基板的一第一边缘与该第二基板的一第二边缘之间，其中该第一边缘与该第二边缘之间的垂直距离为L，该栅极驱动电路测试线与该短路杆之间的垂直距离为A，且A/L大于或等于0.25％。
18.根据权利要求1所述的元件基板，其特征在于，该第一挡墙与该短路杆相连。
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