CN111351820A - 显示装置 - Google Patents

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韩旼志
余準镐
吴知桓
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Abstract

根据本公开的一方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括：显示面板，该显示面板具有显示区域和非显示区域；裂缝线，裂缝线被设置在非显示区域中；以及第一裂缝焊盘和第二裂缝焊盘，该第一裂缝焊盘和该第二裂缝焊盘连接到裂缝线的两端。裂缝线包括彼此连接的多个裂缝线单元。多个裂缝线单元中的每一个包括并联连接的多条子裂缝线。以这种方式，能够提高检查裂缝的效率。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及显示装置，更具体地，涉及能够检测显示面板中的裂缝(crack)的显示装置。
背景技术
随着信息技术时代的真正开始，以视觉图像的形式呈现包含在电信号中的信息的显示装置的领域已经快速发展。据此，正在研究更薄、更轻且耗电更少的各种平面显示装置。平板显示装置的示例包括液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、场发射显示(FED)装置、电湿润显示(EWD)装置和有机发光显示(OLED)装置等。
为了降低制造平板显示装置的废品率，需要检查显示面板中的裂缝的处理，作为平板显示装置在它们出货之前的一种检查。
以前，裂缝检查处理包括根据设置在显示面板的外边缘处的裂缝检测线来确定是否存在裂缝的处理以及由检查员定位裂缝的位置的处理。
也就是说，现有的裂缝检查处理需要额外的检查人力和检查时间，这使得处理效率较低。
发明内容
本公开的发明人已经认识到由于现有的裂缝检查处理需要额外的检查人力和检查时间而导致处理效率低的问题。
具体地，以前，为了检查显示面板的裂缝，在显示面板的外边缘上设置用于检查裂缝的裂缝检测线，并且基于裂缝检测线是否开路来确定是否存在裂缝。
然而，在现有的裂缝检查处理中，可以检测显示面板中是否存在裂缝，但是不能够定位裂缝在显示面板中的位置。因此，为了准确地定位裂缝的位置，检查人员必须用显微镜观察显示面板的整个区域。
考虑到上述情况，本公开的发明人已经设计出了一种显示装置，该显示装置能够通过简单地测量裂缝检查线的电阻来确定裂缝的数量和位置。
本公开的一个目的是提供一种能够检测裂缝的位置或数量的显示装置。
另外，本公开的另一个目的是提供一种包括裂缝检测线并减小边框的尺寸的显示装置。
本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员能够从以下描述中清楚地理解以上未提及的其它目的。
根据本公开的一方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括：显示面板，该显示面板具有显示区域和非显示区域；裂缝线，所述裂缝线被设置在所述非显示区域中；以及第一裂缝焊盘和第二裂缝焊盘，该第一裂缝焊盘和该第二裂缝焊盘连接到所述裂缝线的两端。所述裂缝线包括串联连接的多个裂缝线单元，每个裂缝线单元具有不同的电阻。所述多个裂缝线单元中的每一个包括并联连接的多条子裂缝线。以这种方式，能够提高检查裂缝的效率。
根据本公开的另一方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括：基板，多个像素设置在该基板上；裂缝线，所述裂缝线围绕所述多个像素；以及裂缝检测单元，该裂缝检测单元被配置为测量所述裂缝线的电阻，其中，所述裂缝线的电阻根据裂缝的位置和数量而变化。以这种方式，能够在裂缝检查处理期间确定产生了裂缝的位置和裂缝的数量。
示例性实施方式的其它详细内容包括在具体实施方式和附图中。
根据本公开的示例性实施方式，能够基于裂缝线的电阻来确定裂缝的位置和数量，因此不需要额外的检查人力或检查时间，从而提高了显示装置的工艺良率。
另外，根据本公开的示例性实施方式，通过将子裂缝线设置在不同的层上，能够减小设置有裂缝线的边框的尺寸。
根据本公开的效果不限于以上例示的内容，并且在本说明书中包括更多种效果。
附图说明
根据以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开的上述和其它方面、特征和其它优点，其中：
图1是根据本公开的示例性实施方式的显示装置的示意性平面图。
图2是沿着图1中的线I-I'截取的截面图。
图3A是用于例示根据本公开的示例性实施方式的显示装置的裂缝线的宽度的图。
图3B是沿着图3A中所示的线IIa-IIa'、IIb-IIb'和IIc-IIc'截取的截面图。
图4是用于例示根据本公开的示例性实施方式的显示装置的裂缝线的数量的图。
图5是用于例示根据本公开的示例性实施方式的显示装置的裂缝线的电阻的电路图。
图6是根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置的截面图。
具体实施方式
本公开的优点和特征及其实现方法将通过参照下面与附图一起详细描述的实施方式而变得清楚。然而，本公开不限于本文公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。示例性实施方式仅通过示例的方式提供，使得本领域技术人员能够完全理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围限定。
用于描述本公开的示例性实施方式的附图中所示的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅是示例，并且本公开不限于此。相似的附图标记在整个说明书中一般表示相似的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略对已知相关技术的详细说明，以避免不必要地模糊本公开的主题。本文所用的诸如“包括”、“具有”和“由…组成”这样的术语通常旨在允许添加其它组件，除非所述术语与术语“仅”一起使用。任何对单数的引用可以包括复数，除非另有明确说明。
尽管没有明确描述，但是组件被解释为包括一般误差范围。
当使用诸如“在…上”、“在…上方”、“在…下”、“在…旁边”这样的术语来描述两个部件的位置关系时，除非所述术语与术语“紧接”或“直接”一起使用，否则一个或更多个部件可位于这两个部件之间。
当一元件或层被设置“在”另一元件或层“上”时，另一层或另一元件可以被直接插置在所述另一元件上或者位于该元件与所述另一元件之间。
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种组件，但是这些组件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件和其它组件区分开。因此，下面提到的第一组件可以是本公开的技术构思中的第二组件。
在整个说明书中，相似附图标记一般表示相似的元件。
为了方便描述，例示了附图中所示的每个组件的尺寸和厚度，并且本公开不限于所示组件的尺寸和厚度。
本公开的各个实施方式的特征可以部分地或全部地彼此结合或彼此组合，并且可以以各种方式进行技术上的互锁和操作，并且可以彼此独立或关联地执行实施方式。
在下文中，将参照附图详细地描述根据本公开的示例性实施方式的显示装置。
图1是根据本公开的示例性实施方式的显示装置的示意性平面图。图2是沿着图1中的线I-I'截取的截面图。
参照图1，根据本公开的示例性实施方式的显示装置100的显示面板包括显示区域AA和非显示区域NA，显示区域AA包括用于显示图像的多个像素PX。
设置在显示区域AA中的多个像素PX中的每一个可以包括有机发光元件140和薄膜晶体管T。像素PX的薄膜晶体管T由选通驱动器GD顺序驱动，使得有机发光元件140发光以显示图像。
在非显示区域NA中，设置了用于顺序驱动多个像素PX的选通驱动器GD、从外部系统被施加以驱动电压和数据信号的多个焊盘PD以及用于将施加到焊盘PD的驱动电压或数据信号传送到多个像素PX或选通驱动器GD的信号线。
尽管设置在非显示区域NA中的选通驱动器GD被示出为分别与显示区域AA的两侧相邻设置的面板内选通(GIP)，但是这仅仅是例示性的。可以根据需要变更选通驱动器的位置。
另外，用于检测显示面板的裂缝的裂缝线CL被设置在非显示区域NA的最外部。裂缝焊盘CPD1和CPD2被设置在裂缝线CL的两端，以便连接到裂缝检测单元CD。
具体地，裂缝线CL被设置成使得它们围绕布置在显示区域AA中的像素PX和设置在非显示区域NA中的选通驱动器GD。其电阻根据裂缝的数量和位置而变化。
具体地，裂缝线CL包括多个裂缝线单元CLL、CLC和CLR，这多个裂缝线单元CLL、CLC和CLR彼此串联连接并具有不同的电阻。在图1所示的示例中，裂缝线CL包括设置在非显示区域NA的左部的左裂缝线单元CLL、设置在非显示区域NA的中下部的中裂缝线单元CLC以及设置在非显示区域NA的右部的右裂缝线单元CLR。
具体地，左裂缝线单元CLL和中裂缝线单元CLC串联连接，并且中裂缝线单元CLC和右裂缝线单元CLR串联连接，以构成裂缝线CL。
左裂缝线单元CLL包括并联连接的第一左子裂缝线CLL1和第二左子裂缝线CLL2。第一左子裂缝线CLL1可以被设置成比第二左子裂缝线CLL2更邻近外侧(即，左侧)。右裂缝线单元CLR包括并联连接的第一右子裂缝线CLR1和第二右子裂缝线CLR2。第一右子裂缝线CLR1可以被设置成比第二右子裂缝线CLR2更邻近外侧(即，右侧)。中裂缝线单元CLC包括并联连接的第一中子裂缝线CLC1和第二中子裂缝线CLC2。第一中子裂缝线CLC1可以被设置成比第二中子裂缝线CLC2更邻近外侧(即，下侧)。然而，要注意的是，尽管在本公开的附图中示出的裂缝线单元CLL、CLC和CLR中的每一个中包括的子裂缝线的数量是2，但本公开不限于此。例如，裂缝线单元CLL、CLC和CLR中的每一个可以具有一条子裂缝线，或者三条或更多条子裂缝线。
裂缝焊盘CPD1和CPD2包括连接到左裂缝线单元CLL的第一裂缝焊盘CPD1以及连接到右裂缝线单元CLR的第二裂缝焊盘CPD2。第一裂缝焊盘CPD1和第二裂缝焊盘CPD2二者可以被一体地形成在与裂缝线CL相同的层上。然而，应当理解的是，本公开不限于此。第一裂缝焊盘CPD1和第二裂缝焊盘CPD2可以根据布线设计以各种方式改变。
裂缝检测单元CD可以测量裂缝线CL的电阻，以检测裂缝的位置和数量。
也就是说，裂缝检测单元CD可以经由第一裂缝焊盘CPD1连接到左裂缝线单元CLL，并且可以经由第二裂缝焊盘CPD2连接到右裂缝线单元CLR，从而测量裂缝线CL的总电阻。
如稍后将参照图3描述的那样，可以基于裂缝线CL的总电阻来确定裂缝的位置和数量。稍后将给出其详细描述。
如上所述，多个裂缝线单元CLL、CLC和CLR中的每一个包括并联连接的多条子裂缝线CLL1、CLL2、CLC1、CLC2、CLR1和CLR2，即使并联连接的子裂缝线CLL1、CLL2、CLC1、CLC2、CLR1和CLR2中的一些由于外力而断开，裂缝线CL也不开路，而是可以闭合以一直具有一电阻。
例如，即使左裂缝线单元CLL的第一左子裂缝线CLL1断开，设置在内侧的第二左子裂缝线CLL2仍然连接，因此裂缝线CL不开路，而是可以闭合以一直具有电阻。
这样，即使由于外力而在显示面板中产生裂缝，裂缝线CL也不会开路，而是可以闭合以一直具有电阻，因此裂缝检测单元CD可以测量裂缝线CL的电阻，从而确定裂缝线CL上的裂缝的位置和数量。
参照图2，在显示区域AA中，缓冲层120形成在基板110上，并且在缓冲层120上设置了薄膜晶体管T和有机发光元件140。
尽管有机发光显示装置(OLED)被描述为根据本公开的示例性实施方式的显示装置的示例，但是这仅仅是例示性的。应当理解，液晶显示(LCD)装置、场发射显示(FED)装置、量子点发光显示装置(QLED)或电湿润显示(EWD)装置可以被用作根据本公开的示例性实施方式的显示装置。
基板110可以是刚性的或柔性的。如本文中所使用的，术语“柔性”可包含可弯曲的、不易破碎的、可卷曲的、可折叠的等。
例如，基板110可以由玻璃或塑料制成，在这种情况下，基板110可以被称为塑料膜或塑料基板。例如，基板110可以由从包括以下材料的组中选择的材料制成：聚酯基聚合物、硅基聚合物、丙烯酸基聚合物、聚烯烃基聚合物及其共聚物。例如，基板110可以由聚酰亚胺(PI)制成。聚酰亚胺(PI)被广泛用作塑料基板，因为它能够承受高温处理并且能够被涂覆。
当基板110由聚酰亚胺(PI)制成时，可以用基板110下方的玻璃支承基板来制造显示装置，并且支承基板可以在制造了显示装置之后被移除。在移除支承基板之后，可以在基板110下方设置背板以支撑基板110。
缓冲层120被设置在基板110上，以保护薄膜晶体管T免受从基板110泄漏的诸如碱离子这样的杂质的影响。例如，缓冲层120可以由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或者硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)的多层构成。另外，缓冲层120可以增强在其上形成的层与基板110之间的粘附力，并且可以阻挡透过基板110的湿气或氧气。
薄膜晶体管T被形成在缓冲层120上并且包括栅极G、有源层AT、源极S和漏极D，以对有机发光元件进行开关操作。
具体地，有源层AT形成在缓冲层120上，并且在有源层AT上形成了用于使有源层AT与栅极G绝缘的栅极绝缘层131。栅极G形成在栅极绝缘层131上，使得它与有源层AT交叠。在栅极G和栅极绝缘层131上形成了层间介电层132。源极S和漏极D形成在层间介电层132上。源极S和漏极D分别通过在层间介电层132中形成的接触孔电连接到有源层AT。层间介电层132用于使薄膜晶体管T的栅极G与薄膜晶体管T的源极S和漏极D绝缘。
有源层AT可以由多晶硅制成，其预定区域可以被掺杂有杂质。另外，有源层AT可以由非晶硅、有机半导体材料或氧化物制成。
栅极绝缘层131和层间介电层132中的每一个可以由诸如硅氧化物(SiOx)和硅氮化物(SiNx)这样的绝缘无机材料制成，或者可以由绝缘有机材料制成。
栅极G、源极S和漏极D中的每一个可以由金属材料制成。例如，它可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和三层的钛-铝-钛(Ti-Al-Ti)或其合金中的一种制成，但是不限于此。源极S和漏极D可以包含能够被在蚀刻有机发光元件140的阳极141时所使用的蚀刻剂蚀刻的材料。栅极G、源极S和漏极D中的每一个可以是由上述材料形成的单层或多层。尽管在该示例性实施方式中薄膜晶体管T具有共面结构，但是这仅仅是例示性的。显示装置100可以采用具有各种结构的各种薄膜晶体管中的任一种。
平整层134被设置在薄膜晶体管T上方，并且用于在薄膜晶体管T上方提供平坦表面。平整层134包括用于将薄膜晶体管T电连接到有机发光元件140的阳极141的接触孔。具体地，平整层134包括用于使薄膜晶体管T的源极S或漏极D暴露的接触孔。平整层134可以由有机绝缘材料制成。尽管平整层134在图2中被示出为单层，但是平整层134可以由双层、三层或更多层构成。
平整层134可以与薄膜晶体管T的源极S和漏极D直接接触。可以在薄膜晶体管T的源极S和漏极D上不设置单独的钝化层，并且平整层134可以被直接设置在薄膜晶体管T的源极S和漏极D上。但本公开不限于此。例如，钝化层可以插置在平整层134和薄膜晶体管T之间。
有机发光元件140被设置在平整层134上。有机发光元件140包括平整层134上的阳极141、阳极141上的有机发光层142以及有机发光层142上的阴极143。
阳极141在每个像素PX中被设置在接触孔中以及平整层134的一部分上，并且与另一个阳极分开。阳极141可以向有机发光层142供应空穴，并且可以由具有高功函数的导电材料制成。例如，阳极141可以由诸如铟锡氧化物(ITO)这样的透明导电氧化物(TCO)制成。
当显示装置100是顶部发光显示装置时，阳极141可以被形成为例如包括在底部具有高反射率的反射层的透明导电层。换句话说，当显示装置100是顶部发光显示装置时，阳极141还可以包括朝向顶部反射光的反射层。尽管在该示例性实施方式中反射层被描述为包括在阳极141中，但是反射层可以被定义为与阳极141分离开的元件。
有机发光层142由用于发出特定颜色的光的有机材料制成，并且可以是红色有机发光层、绿色有机发光层、蓝色有机发光层和白色有机发光层中的一个。当有机发光层142被实现为白色有机发光层时，可以在有机发光元件140上方形成滤色器。
阴极143可以向有机发光层142供应电子，并且可以由具有低功函数的导电材料制成。当显示装置100是顶部发光显示装置时，阴极143可以被实现为透明导电层，并且可以由例如非常薄的金属材料形成。
堤层135被设置在平整层134上以覆盖阳极141的一部分，并且将显示区域AA中的像素区域彼此隔离。另外，堤层135可以由诸如BCB、丙烯酸树脂和酰亚胺树脂这样的有机绝缘材料制成。
间隔体136被设置在堤层135上。在使用精细金属掩模(FMM)作为沉积掩模来在基板110上形成有机发光层142的处理期间，间隔体136用于防止当堤层135与沉积掩模接触时可能产生的损坏，并且用于保持堤层135和沉积掩模之间的间隙。间隔体136也可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料制成。
封装层150被设置在显示区域AA的整个表面上。封装层150可以保护有机发光元件140免受外部湿气等的影响。封装层150可以由透明材料制成，使得从有机发光元件140发出的光能够穿过它。封装层150包括第一封装层151、颗粒覆盖层152和第二封装层153。
第一封装层151和第二封装层153可以由具有透明性的无机材料制成。例如，无机材料可以包括硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、铝氧化物(AlxOy)等。
颗粒覆盖层152被设置在第一封装层151和第二封装层153之间。颗粒覆盖层152可以覆盖由在形成第一封装层151或第二封装层153的处理期间可能产生的裂缝而造成的颗粒。颗粒覆盖层152可以由能够流动并且是透明的有机材料制成。例如，有机材料可以包括环氧树脂、丙烯酸树脂、硅氧碳化物(SiOC)等。
参照图2，基板110上的缓冲层120、层间介电层132和封装层150可以从显示区域AA延伸到非显示区域NA。
参照图2，第一中子裂缝线CLC1和第二中子裂缝线CLC2可以由与层间介电层132上的源极S和漏极D相同的材料制成，并且可以与源极S和漏极D一起形成。类似地，第一左子裂缝线CLL1、第二左子裂缝线CLL2、第一右子裂缝线CLR1和第二右子裂缝线CLR2可以由与层间介电层132上的源极S和漏极D相同的材料制成，并且可以与源极S和漏极D一起形成。
然而，本发明不限于此。多条子裂缝线CLL1、CLL2、CLC1、CLC2、CLR1和CLR2可以由与栅极绝缘层131上的栅极G相同的材料制成，并且可以与栅极G一起形成。
图3A是用于例示根据本公开的示例性实施方式的显示装置的裂缝线的宽度的示例图。图3B是沿着图3A中所示的线IIa-IIa'、IIb-IIb'和IIc-IIc'截取的截面图。
如上所述，左裂缝线单元CLL的电阻、右裂缝线单元CLR的电阻和中裂缝线单元CLC的电阻必须被设置为彼此不同。
为此，如图3A所示，第一中子裂缝线CLC1和第二中子裂缝线CLC2各自的宽度、第一左子裂缝线CLL1和第二左子裂缝线CLL2各自的宽度以及第一右子裂缝线CLR1和第二右子裂缝线CLR2各自的宽度可以是彼此不同的。
如图3B所示，第一右子裂缝线CLR1的宽度WR1可以等于第二右子裂缝线CLR2的宽度WR2。第一左子裂缝线CLL1的宽度WL1可以等于第二左子裂缝线CLL2的宽度WL2。第一中子裂缝线CLC1的宽度WC1可以等于第二中子裂缝线CLC2的宽度WC2。
第一左子裂缝线CLL1的宽度WL1和第二左子裂缝线CLL2的宽度WL2可以大于第一右子裂缝线CLR1的宽度WR1和第二右子裂缝线CLR2的宽度WR2。第一左子裂缝线CLL1的宽度WL1和第二左子裂缝线CLL2的宽度WL2可以小于第一中子裂缝线CLC1的宽度WC1和第二中子裂缝线CLC2的宽度WC2。
由于裂缝线CL的电阻随着裂缝线CL的宽度增加而减小。因此，第一右子裂缝线CLR1的电阻和第二右子裂缝线CLR2的电阻可以大于第一左子裂缝线CLL1的电阻和第二左子裂缝线CLL2的电阻。第一左子裂缝线CLL1的电阻和第二左子裂缝线CLL2的电阻可以大于第一中子裂缝线CLC1的电阻和第二中子裂缝线CLC2的电阻。
第一中子裂缝线CLC1和第二中子裂缝线CLC2的各自宽度WC1和WC2、第一左子裂缝线CLL1和第二左子裂缝线CLL2的各自宽度WL1和WL2以及第一右子裂缝线CLR1和第二右子裂缝线CLR2的各自宽度WR1和WR2没有特别限制，而是可以根据设计选择而变化，只要它们彼此不同即可。
图4是用于例示根据本公开的示例性实施方式的显示装置的裂缝线的数量的视图。
如上所述，左裂缝线单元CLL的电阻、右裂缝线单元CLR的电阻和中裂缝线单元CLC的电阻必须彼此不同。
为此，左裂缝线单元CLL、右裂缝线单元CLR和中裂缝线单元CLC的子裂缝线CLL1、CLL2、CLC1、CLC2、CLC3、CLR1和CLR2的数量可以彼此不同。
例如，如图4所示，左裂缝线单元CLL可以包括并联连接的第一左子裂缝线CLL1和第二左子裂缝线CLL2。右裂缝线单元CLR可以包括并联连接的第一右子裂缝线CLR1和第二右子裂缝线CLR2。中裂缝线单元CLC可以包括并联连接的第一中子裂缝线CLC1、第二中子裂缝线CLC2和第三中子裂缝线CLC3。
左裂缝线单元CLL和右裂缝线单元CLR各自可以包括并联连接的两条子裂缝线CLL1和CLL2以及CLR1和CLR2，而中裂缝线单元CLC可以包括并联连接的三条子裂缝线CLC1、CLC2和CLC3。
在这方面，如果裂缝线CL的长度和宽度全部相等，则并联连接的子裂缝线的数量越大，每个裂缝线单元的总电阻变得越小。
由于并联连接的中裂缝线单元CLC的子裂缝线的数量大于并联连接的左裂缝线单元CLL和右裂缝线单元CLR中的每一个的子裂缝线的数量，因此中裂缝线单元CLC的总电阻低于左裂缝线单元CLL和右裂缝线单元CLR中的每一个的总电阻。
应注意的是，左裂缝线单元CLL、右裂缝线单元CLR和中裂缝线单元CLC中所包括的子裂缝线的数量不限于上述数量，并且可以取决于设计选择而变化。
图5是用于例示根据本公开的示例性实施方式的显示装置的裂缝线的电阻的电路图。
如图5所示，由于第一左子裂缝线CLL1的电阻器RL1和第二左子裂缝线CLL2的电阻器RL2并联连接，因此左裂缝线单元CLL的电阻等于(RL1*RL2)/(RL1+RL2)。当第一左子裂缝线CLL1的电阻器RL1和第二左子裂缝线CLL2的电阻器RL2具有相同的电阻时，左裂缝线单元CLL的电阻等于RL1/2或RL2/2。
同样地，由于第一中子裂缝线CLC1的电阻器RC1和第二中子裂缝线CLC2的电阻器RC2并联连接，因此中裂缝线单元CLC的电阻等于(RC1*RC2)/(RC1+RC2)。另外，当第一中子裂缝线CLC1的电阻器RC1和第二中子裂缝线CLC2的电阻器RC2具有相同的电阻时，中裂缝线单元CLC的电阻等于RC1/2或RC2/2。
同样地，由于第一右子裂缝线CLR1的电阻器RR1和第二右子裂缝线CLR2的电阻器RR2并联连接，因此右裂缝线单元CLR的电阻等于(RR1*RR2)/(RR1+RR2)。当第一右子裂缝线CLR1的电阻器RR1和第二右子裂缝线CLR2的电阻器RR2具有相同的电阻时，右裂缝线单元CLR的电阻等于RR1/2或RR2/2。
在以下描述中，为了便于说明，第一左子裂缝线CLL1的电阻器RL1和第二左子裂缝线CLL2的电阻器RL2被设定为8kΩ。第一中子裂缝线CLC1的电阻器RC1和第二中子裂缝线CLC2的电阻器RC2被设定为4kΩ。第一右子裂缝线CLR1的电阻器RR1和第二右子裂缝线CLR2的电阻器RR2被设定为16kΩ。将描述裂缝线CL的总电阻根据裂缝数量的变化。
通过如上所述设置子裂缝线CLL1、CLL2、CLC1、CLC2、CLR1和CLR2的电阻器，左裂缝线单元CLL的电阻变为4kΩ，中裂缝线单元CLC的电阻变为2kΩ，右裂缝线单元CLR的电阻变为8kΩ，使得裂缝线CL的总电阻变为14kΩ。
如果在非显示区域NA的中部产生裂缝以使得第一中子裂缝线CLC1断开，则第二中子裂缝线CLC2的电阻器RC2成为中裂缝线单元CLC的电阻。结果，中裂缝线单元CLC的电阻从2kΩ增加到4kΩ。因此，当在非显示区域NA的中部产生裂缝时，裂缝线CL的总电阻从14kΩ增加到16kΩ。
如果在非显示区域NA的左部产生裂缝以使得第一左子裂缝线CLL1断开，则第二左子裂缝线CLL2的电阻器RL2成为左裂缝线单元CLL的电阻。结果，左裂缝线单元CLL的电阻从4kΩ增加到8kΩ。因此，当在非显示区域NA的左部产生裂缝时，裂缝线CL的总电阻从14kΩ增加到18kΩ。
如果在非显示区域NA的右部产生裂缝以使得第一右子裂缝线CLR1断开，则第二右子裂缝线CLR2的电阻器RR2成为右裂缝线单元CLR的电阻。结果，右裂缝线单元CLR的电阻从8kΩ增加到16kΩ。因此，当在非显示区域NA的右侧产生裂缝时，裂缝线CL的总电阻从14kΩ增加到22kΩ。
接下来，如果在非显示区域NA的左侧和中部产生裂缝以使得第一左子裂缝线CLL1和第一中子裂缝线CLC1断开，则第二左子裂缝线CLL2的电阻器RL2成为左裂缝线单元CLL的电阻，并且第二中子裂缝线CLC2的电阻器RC2成为中裂缝线单元CLC的电阻。因此，左裂缝线单元CLL的电阻从4kΩ增加到8kΩ，并且中裂缝线单元CLC的电阻从2kΩ增加到4kΩ。因此，当在非显示区域NA的左侧和中部产生裂缝时，裂缝线CL的总电阻从14kΩ增加到20kΩ。
如果在非显示区域NA的右侧和中部产生裂缝以使得第一右子裂缝线CLR1和第一中子裂缝线CLC1断开，则第二右子裂缝线CLR2的电阻器RR2成为右裂缝线单元CLR的电阻，并且第二中子裂缝线CLC2的电阻器RC2成为中裂缝线单元CLC的电阻。因此，右裂缝线单元CLR的电阻从8kΩ增加到16kΩ，并且中裂缝线单元CLC的电阻从2kΩ增加到4kΩ。因此，当在非显示区域NA的右侧和中部产生裂缝时，裂缝线CL的总电阻从14kΩ增加到24kΩ。
如果在非显示区域NA的左部和右部产生裂缝以使得第一左子裂缝线CLL1和第一右子裂缝线CLR1断开，则第二左子裂缝线CLL2的电阻器RL2成为左裂缝线单元CLL的电阻，并且第二右子裂缝线CLR2的电阻器RR2成为右裂缝线单元CLR的电阻。因此，左裂缝线单元CLL的电阻从4kΩ增加到8kΩ，并且右裂缝线单元CLR的电阻从8kΩ增加到16kΩ。因此，当在非显示区域NA的左部和右部产生裂缝时，裂缝线CL的总电阻从14kΩ增加到26kΩ。
如果在非显示区域NA的左侧、右侧和中部产生裂缝以使得第一左子裂缝线CLL1、第一右子裂缝线CLR1和第一中子裂缝线CLC1断开，则第二左子裂缝线CLL2的电阻器RL2成为左裂缝线单元CLL的电阻，第二右子裂缝线CLR2的电阻器RR2成为右裂缝线单元CLR的电阻，并且第二中子裂缝线CLC2的电阻器RC2成为中裂缝线单元CLC的电阻。因此，左裂缝线单元CLL的电阻从4kΩ增加到8kΩ，右裂缝线单元CLR的电阻从8kΩ增加到16kΩ，并且中裂缝线单元CLC的电阻从2kΩ增加到4kΩ。因此，当在非显示区域NA的左侧、右侧和中部产生裂缝时，裂缝线CL的总电阻从14kΩ增加到28kΩ。
如上所述，裂缝线CL的总电阻会取决于显示面板的产生裂缝的位置以及裂缝的数量而变化。
更具体地，如果在显示面板中产生裂缝，则多个裂缝线单元中的每一个的电阻增加，使得裂缝线CL的总电阻增加。因此，裂缝线CL的总电阻趋于随着显示面板中的裂缝的数量而增加。
裂缝检测单元CD测量裂缝线CL的总电阻的变化，以确定是否存在裂缝和裂缝的数量(如果有的话)。
将利用上述的裂缝线CL的总电阻来描述裂缝检测单元CD的操作。当裂缝线CL的总电阻被测量为16kΩ时，裂缝检测单元CD确定在非显示区域NA的中部发生了裂缝。当裂缝线CL的总电阻被测量为18kΩ时，裂缝检测单元CD确定在非显示区域NA的左部发生了裂缝。当裂缝线CL的总电阻被测量为22kΩ时，裂缝检测单元CD确定在非显示区域NA的右部发生了裂缝。当裂缝线CL的总电阻测量为20kΩ时，裂缝检测单元CD确定在非显示区域NA的左部和中部发生了裂缝。当裂缝线CL的总电阻测量为24kΩ时，裂缝检测单元CD确定在非显示区域NA的右部和中部发生了裂缝。当裂缝线CL的总电阻被测量为26kΩ时，裂缝检测单元CD确定在非显示区域NA的左部和右部发生了裂缝。当裂缝线CL的总电阻被测量为28kΩ时，裂缝检测单元CD确定在非显示区域NA的左部、中部和右部发生了裂缝。
在根据示例性实施方式的显示装置100中，裂缝线单元CLL、CLC和CLR中的一个被设置在显示面板的每一侧。然而，应当理解的是，本公开不限于此。可以在显示面板的一侧设置一个以上的裂缝线单元，以更精确地检测裂缝的位置。例如，两个或更多个裂缝线单元可以设置在显示面板的左侧上并且串联连接以更加精确地检测在显示面板的左侧发生的裂缝的位置。类似地，两个或更多个裂缝线单元可以设置在显示面板的右侧上并且串联连接以更加精确地检测在显示面板的右侧发生的裂缝的位置，或者两个或更多个裂缝线单元可以设置在显示面板的中下侧上并且串联连接以更加精确地检测在显示面板的中下侧发生的裂缝的位置。
如上所述，根据本公开的示例性实施方式的显示装置包括具有根据在显示面板的边缘处产生的裂缝的位置和数量而变化的电阻的裂缝线以及用于基于裂缝线的电阻来确定裂缝的位置和数量的裂缝检测单元。因此，裂缝检查处理能够通过简单地测量裂缝线的电阻来执行，并且因此能够变得更简单。
因此，根据本公开的示例性实施方式的显示装置不需要额外的检查人力或检查时间，从而提高了显示装置的工艺良率。
在下文中，将参照图6描述根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置。除了子裂缝线被设置在不同的层上之外，根据图6的示例性实施方式的显示装置与根据上述示例性实施方式的显示装置基本相同；因此，将省略冗余的描述。
图6是根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置的截面图。
在根据本公开的示例性实施方式的显示装置200中，多条子裂缝线CLL1、CLL2、CLC1、CLC2、CLR1和CLR2可以被形成在不同的层上。
具体地，参照图6，第一中子裂缝线CLC1可以由与缓冲层120上的栅极G相同的材料制成，并且可以与栅极G一起形成。第二中子裂缝线CLC2可以由与第一中子裂缝线CLC1上的源极S和漏极D相同的材料制成，并且可以与源极S和漏极D一起形成。
第一中子裂缝线CLC1可以通过形成在层间介电层132中的裂缝线接触孔CCT电连接到第二中子裂缝线CLC2，使得第一中子裂缝线CLC1可以并联连接到第二中子裂缝线CLC2。裂缝线接触孔CCT可以形成在第一中子裂缝线CLC1和第二中子裂缝线CLC2的两端以将它们彼此连接。
另选地，第二中子裂缝线CLC2可以由与缓冲层120上的栅极G相同的材料制成，并且可以与栅极G一起形成。第一中子裂缝线CLC1可以由与第一中子裂缝线CLC1上的源极S和漏极D相同的材料制成，并且可以与源极S和漏极D一起形成。
在根据本公开的此示例性实施方式的显示装置200中，多条子裂缝线CLL1、CLL2、CLC1、CLC2、CLR1和CLR2在不同的层上，使得在非显示区域NA中裂缝线所占据的面积能够减小。例如，子裂缝线CLL1、CLC1和CLR1可以与子裂缝线CLL2、CLC2和CLR2部分或全部交叠，以便减小裂缝线所占据的面积。
由于能够减小显示装置的非显示区域，因此能够减小显示装置的边框面积。
本公开的示例性实施方式也可以被描述如下：
根据本公开的一个方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括：显示面板，该显示面板具有显示区域和非显示区域；晶体管，晶体管被设置在显示区域中，并且每个晶体管包括栅极、源极和漏极；裂缝线，裂缝线被设置在非显示区域中；以及第一裂缝焊盘和第二裂缝焊盘，该第一裂缝焊盘和该第二裂缝焊盘连接到裂缝线的两端。裂缝线包括串联连接的多个裂缝线单元，每个裂缝线单元具有不同的电阻。多个裂缝线单元中的每一个包括并联连接的多条子裂缝线。以这种方式，能够提高检查裂缝的效率。
该显示装置还可以包括：裂缝检测单元，该裂缝检测单元连接到第一裂缝焊盘和第二裂缝焊盘，并且被配置为检测裂缝线的裂缝。
裂缝线可以被形成在与源极和漏极相同的层上。
裂缝线可以被形成在与栅极相同的层上。
多个裂缝线单元可以包括：左裂缝线单元，该左裂缝线单元被设置在非显示区域的左部中；右裂缝线单元，该右裂缝线单元被设置在非显示区域的右部中；以及中裂缝线单元，该中裂缝线单元被设置在非显示区域的中部中。
并联连接并构成左裂缝线单元的左子裂缝线的数量、并联连接并构成右裂缝线单元的的右子裂缝线的数量以及并联连接并构成中裂缝线单元的的中子裂缝线的数量可以彼此不同。
左裂缝线单元可以包括并联连接的第一左子裂缝线和第二左子裂缝线，右裂缝线单元可以包括并联连接的第一右子裂缝线和第二右子裂缝线，并且中裂缝线单元可以包括并联连接的第一中子裂缝线和第二中子裂缝线。
第一左子裂缝线的电阻可以等于第二左子裂缝线的电阻，第一右子裂缝线的电阻可以等于第二右子裂缝线的电阻，并且第一中子裂缝线的电阻可以等于第二中子裂缝线的电阻。
第一左子裂缝线和第二左子裂缝线各自的宽度、第一右子裂缝线和第二右子裂缝线各自的宽度以及第一中子裂缝线和第二中子裂缝线各自的宽度可以彼此不同。
第一左子裂缝线、第一中子裂缝线和第一右子裂缝线可以被形成在与栅极相同的层上，并且第二左子裂缝线、第二中子裂缝线和第二右子裂缝线可以被形成在与源极和漏极相同的层上。
第一左子裂缝线、第一中子裂缝线和第一右子裂缝线可以被形成在与源极和漏极相同的层上，并且第二左子裂缝线、第二中子裂缝线和第二右子裂缝线可以被形成在与栅极相同的层上。
根据本公开的另一方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括：基板，该基板上限定有多个像素；裂缝线，裂缝线围绕多个像素；以及裂缝检测单元，该裂缝检测单元被配置为测量裂缝线的电阻，其中，裂缝线的电阻根据裂缝的位置和数量而变化。以这种方式，能够在裂缝检查处理中确定产生了裂缝的位置和裂缝的数量。
裂缝检测单元可以检测裂缝线的电阻，以确定裂缝的位置和数量。
裂缝线的电阻可以随着裂缝的数量增加而增加。
裂缝线可以包括沿着基板的边缘串联连接的多个裂缝线单元，每个裂缝线单元具有不同的电阻，并且多个裂缝线单元中的每一个可以包括并联连接的多条子裂缝线。
多个裂缝线单元中的可能产生了裂缝的一个裂缝线单元的电阻增加。
尽管已经参照附图详细地描述了本公开的示例性实施方式，但是本公开不限于此，并且可以在不脱离本公开的技术构思的情况下以许多不同的形式实施。因此，本公开的示例性实施方式被提供仅用于例示性目的，而不是旨在限制本公开的技术构思。本公开的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解的是，上述示例性实施方式在所有方面都是例示性的，而不限制本公开。本公开的保护范围应当基于所附的权利要求来解释，并且其等同范围内的所有技术构思都应被解释为落入本公开的范围内。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年12月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.KR10-2018-0166589的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用方式被并入到本文中。

Claims (21)

1.一种显示装置，该显示装置包括：
显示面板，所述显示面板具有显示区域和非显示区域；
裂缝线，所述裂缝线被设置在所述非显示区域中；以及
第一裂缝焊盘和第二裂缝焊盘，所述第一裂缝焊盘和所述第二裂缝焊盘分别连接到所述裂缝线的两端，
其中，所述裂缝线包括彼此连接的多个裂缝线单元，并且
其中，所述多个裂缝线单元中的每一个包括并联连接的多条子裂缝线。
2.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括：
裂缝检测单元，所述裂缝检测单元连接到所述第一裂缝焊盘和所述第二裂缝焊盘并且被配置为检测所述裂缝线中的裂缝。
3.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括：
晶体管，所述晶体管被设置在所述显示区域中，并且每个晶体管包括栅极、源极和漏极。
4.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述多个裂缝线单元串联连接并且每个裂缝线单元具有不同的电阻。
5.根据权利要求3所述的显示装置，
其中，所述裂缝线被形成在与所述源极和所述漏极相同的层上。
6.根据权利要求3所述的显示装置，
其中，所述裂缝线被形成在与所述栅极相同的层上。
7.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述多个裂缝线单元包括：
左裂缝线单元，所述左裂缝线单元被设置在所述非显示区域的左部中；
右裂缝线单元，所述右裂缝线单元被设置在所述非显示区域的右部中；以及
中裂缝线单元，所述中裂缝线单元被设置在所述非显示区域的中下部中。
8.根据权利要求7所述的显示装置，
其中，并联连接并构成所述左裂缝线单元的左子裂缝线的数量、并联连接并构成所述右裂缝线单元的的右子裂缝线的数量以及并联连接并构成所述中裂缝线单元的的中子裂缝线的数量彼此不同。
9.根据权利要求7所述的显示装置，
其中，所述左裂缝线单元包括并联连接的第一左子裂缝线和第二左子裂缝线，
其中，所述右裂缝线单元包括并联连接的第一右子裂缝线和第二右子裂缝线，并且
其中，所述中裂缝线单元包括并联连接的第一中子裂缝线和第二中子裂缝线。
10.根据权利要求9所述的显示装置，
其中，所述第一左子裂缝线的电阻等于所述第二左子裂缝线的电阻，
其中，所述第一右子裂缝线的电阻等于所述第二右子裂缝线的电阻，并且
其中，所述第一中子裂缝线的电阻等于所述第二中子裂缝线的电阻。
11.根据权利要求10所述的显示装置，
其中，所述第一左子裂缝线和所述第二左子裂缝线各自的宽度、所述第一右子裂缝线和所述第二右子裂缝线各自的宽度以及所述第一中子裂缝线和所述第二中子裂缝线各自的宽度彼此不同。
12.根据权利要求9所述的显示装置，
其中，所述第一左子裂缝线、所述第一中子裂缝线和所述第一右子裂缝线被形成在与栅极相同的层上，并且
其中，所述第二左子裂缝线、所述第二中子裂缝线和所述第二右子裂缝线被形成在与源极和漏极相同的层上。
13.根据权利要求9所述的显示装置，
其中，所述第一左子裂缝线、所述第一中子裂缝线和所述第一右子裂缝线被形成在与源极和漏极相同的层上，并且
其中，所述第二左子裂缝线、所述第二中子裂缝线和所述第二右子裂缝线被形成在与栅极相同的层上。
14.根据权利要求12或13所述的显示装置，
其中，所述第一左子裂缝线和所述第二左子裂缝线被设置为彼此交叠，
其中，所述第一右子裂缝线和所述第二右子裂缝线被设置为彼此交叠，并且
其中，所述第一中子裂缝线和所述第二中子裂缝线被设置为彼此交叠。
15.根据权利要求9所述的显示装置，
其中，所述第一左子裂缝线被设置为比所述第二左子裂缝线更邻近所述显示面板的左侧，
其中，所述第一右子裂缝线被设置为比所述第二右子裂缝线更邻近所述显示面板的右侧，并且
其中，所述第一中子裂缝线被设置为比所述第二中子裂缝线更邻近所述显示面板的中下侧。
16.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述多个裂缝线单元包括：
串联连接并设置在所述非显示区域的左部中的两个或更多个裂缝线单元；
串联连接并设置在所述非显示区域的右部中的两个或更多个裂缝线单元；以及
串联连接并设置在所述非显示区域的中下部中的两个或更多个裂缝线单元。
17.一种显示装置，该显示装置包括：
基板，多个像素被限定在所述基板上；
裂缝线，所述裂缝线围绕所述多个像素；以及
裂缝检测单元，所述裂缝检测单元被配置为测量所述裂缝线的电阻，
其中，所述裂缝线的电阻根据裂缝的位置和数量而变化。
18.根据权利要求17所述的显示装置，
其中，所述裂缝检测单元检测所述裂缝线的电阻来确定裂缝的位置和数量。
19.根据权利要求17所述的显示装置，
其中，所述裂缝线的电阻随着裂缝的数量增加而增加。
20.根据权利要求17所述的显示装置，
其中，所述裂缝线包括沿着所述基板的边缘串联连接的多个裂缝线单元，每个裂缝线单元具有不同的电阻，并且
其中，所述多个裂缝线单元中的每一个包括并联连接的多条子裂缝线。
21.根据权利要求20所述的显示装置，
其中，所述裂缝线中的产生了裂缝的一条裂缝线的电阻增加。
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