KR20220075071A - 표시 장치 및 이의 불량 검사 방법 - Google Patents

표시 장치 및 이의 불량 검사 방법 Download PDF

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KR20220075071A
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박승현
정윤모
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Abstract

표시 영역 및 표시 영역에 인접하는 테스트 영역을 포함하는 기판, 기판 상의 표시 영역에 배치되는 하부 전극, 하부 전극 상에 배치되는 공통층, 공통층 상에 배치되는 상부 전극, 및 기판 상의 테스트 영역에 배치되고, 하부 전극과 동일한 층 상에 위치하는 복수의 전극 패턴들, 전극 패턴들 상에 배치되고, 공통층과 동일한 층 상에 위치하며, 전극 패턴들 각각의 일부를 노출시키는 복수의 개구들을 갖는 테스트 공통층, 및 테스트 공통층 상에 배치되고, 상부 전극과 동일한 층 상에 위치하며, 개구들을 통해 전극 패턴들과 접촉하는 전극층을 포함하는 테스트 구조물을 포함할 수 있다.

Description

표시 장치 및 이의 불량 검사 방법{DISPLAY APPARATUS AND METHOD FOR INSPECTING DEFECT OF DISPLAY APPARATUS}
본 발명은 표시 장치 및 이의 불량 검사 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 테스트 구조물을 포함하는 표시 장치 및 이의 불량 검사 방법을 제공하는 것이다.
최근, 대면적이 용이하고 박형 및 경량화가 가능한 평판 디스플레이(flat panel display, FPD)가 표시 장치로서 널리 이용되고 있다. 이러한, 평판 디스플레이로는 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 플라스마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display, OLED) 등이 사용되고 있다.
상기 유기 발광 표시 장치는 전면 발광 구조 또는 배면 발광 구조로 제조될 수 있다. 상기 전면 발광 구조의 경우 유기 발광층에서 발광한 빛이 상부 전극인 캐소드 전극을 통과하므로, 상기 캐소드 전극이 투명해야 한다. 상기 캐소드 전극이 투명해지기 위해서는 투명한 물질을 얇게 증착해야 한다. 상기 캐소드 전극의 두께가 얇아지면 투과도가 높아지지만 저항도 함께 높아질 수 있다.
한편, 대형 표시 장치의 경우 소형 표시 장치의 비해 상기 캐소드 전극의 면적이 넒어지므로 저항도 커질 수 밖에 없다. 이때, 상기 캐소드 전극과 연결되는 보조 배선을 형성하면 상기 캐소드 전극의 두께를 얇게 하면서 저항을 낮출 수 있다. 이때, 상기 보조 배선과 상기 캐소드 전극을 연결시키기 위해 레이저 드릴링(laser drilling) 공정을 수행할 수 있다.
종래에는 상기 보조 배선과 상기 캐소드 전극을 연결시키는 개구가 제대로 형성되었는지 검사하기 위하여, 현미경으로 관찰하였다. 다만, 이러한 방법은 상기 표시 장치의 불량을 정확하게 검사하기 어려웠다.
본 발명의 일 목적은 테스트 구조물을 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 표시 장치의 불량 검사 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적이 이와 같은 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역에 인접하는 테스트 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 배치되는 공통층, 상기 공통층 상에 배치되는 상부 전극, 및 상기 기판 상의 상기 테스트 영역에 배치되고, 상기 하부 전극과 동일한 층 상에 위치하는 복수의 전극 패턴들, 상기 전극 패턴들 상에 배치되고, 상기 공통층과 동일한 층 상에 위치하며, 상기 전극 패턴들 각각의 일부를 노출시키는 복수의 개구들을 갖는 테스트 공통층, 및 상기 테스트 공통층 상에 배치되고, 상기 상부 전극과 동일한 층 상에 위치하며, 상기 개구들을 통해 상기 전극 패턴들과 접촉하는 전극층을 포함하는 테스트 구조물을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 테스트 구조물은 상기 기판 상의 상기 테스트 영역에 배치되는 도전 패턴들을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 기판 상의 상기 테스트 영역에서 상기 기판과 상기 전극 패턴들 사이에 배치되는 비아층을 더 포함하고, 상기 전극 패턴들은 상기 비아층에 형성된 콘택홀들을 통해 상기 도전 패턴들과 각기 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 도전 패턴들은 서로 이격되고, 상기 전극 패턴들은 서로 이격될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 테스트 영역은 상기 표시 영역의 적어도 일부를 둘러쌀 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 공통층이 상기 표시 영역으로부터 상기 테스트 영역으로 연장되어 상기 테스트 영역에 위치하는 상기 공통층의 일부가 상기 테스트 공통층으로 정의되고, 상기 상부 전극이 상기 표시 영역으로부터 상기 테스트 영역으로 연장되어 상기 테스트 영역에 위치하는 상기 상부 전극의 일부가 상기 전극층으로 정의될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 하부 전극 및 상기 전극 패턴들은 동일한 물질을 함유할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 하부 전극 및 상기 전극 패턴들 각각은 ITO/Ag/ITO를 포함하는 적층 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 상부 전극 및 상기 전극층은 동일한 물질을 함유할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 테스트 구조물은, 상기 기판 상의 상기 테스트 영역에 배치되는 도전 패턴들을 더 포함하고, 상기 표시 장치는 상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되고, 상기 도전 패턴들과 동일한 층 상에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 도전 패턴들, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 동일한 물질을 함유할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 전극 패턴들 중 상기 테스트 구조물의 제1 단부에 위치하는 전극 패턴의 일부가 상기 테스트 구조물의 제1 테스트 패드부로 정의되고, 상기 전극 패턴들 중 상기 테스트 구조물의 제2 단부에 위치하는 전극 패턴의 일부가 상기 테스트 구조물의 제2 테스트 패드부로 정의될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 평면도 상에서, 상기 테스트 구조물은 일측이 개방된 사각형의 형상을 가질 수 있다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 불량 검사 방법은 표시 영역 및 상기 표시 영역에 인접하는 테스트 영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계, 상기 기판 상의 상기 표시 영역에 하부 전극을 형성하는 단계, 상기 기판 상의 상기 테스트 영역에 복수의 전극 패턴들을 형성하는 단계, 상기 하부 전극 상에 공통층을 형성하는 단계; 상기 전극 패턴들 상에 테스트 공통층을 형성하는 단계, 상기 테스트 공통층의 일부를 제거하여 상기 전극 패턴들 각각의 일부를 노출시키는 복수의 개구들을 형성하는 단계, 상기 공통층 상에 상부 전극을 형성하는 단계, 상기 테스트 공통층 상에 전극층을 형성하는 단계 및 상기 개구들의 저항을 측정하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 기판 상의 상기 테스트 영역에 도전 패턴들을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 도전 패턴들, 상기 전극 패턴들, 상기 테스트 공통층 및 상기 전극층이 테스트 구조물로 정의될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 저항을 측정하는 단계는 상기 도전 패턴들 중 상기 테스트 구조물의 단부에 위치하는 도전 패턴의 일부에 저항 측정 장치를 연결하여 상기 개구들의 저항을 측정할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 개구들은 레이저 드릴링 공정을 통해 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 전극 패턴들은 상기 하부 전극과 동시에 형성되고, 상기 테스트 공통층은 상기 공통층과 동시에 형성되며, 상기 전극층은 상기 상부 전극과 동시에 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 전극층은 상기 개구들을 통해 상기 전극 패턴들과 접촉할 수 있다.
본 발명의 표시 장치는 레이저 드릴링으로 제거하여 형성된 개구들을 포함하고, 테스트 영역에 배치되는 테스트 구조물을 포함할 수 있다. 이에 따라, 테스트 구조물을 통해 표시 장치의 불량을 정확하게 검사할 수 있다.
본 발명의 표시 장치의 불량 검사 방법은 표시 장치의 테스트 영역에 배치되는 테스트 구조물을 통해 개구들의 저항을 측정할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치의 불량을 조기에 검사하여 공정 비용이 감소될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상기 효과들로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 'A' 영역을 확대 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 I-I' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 4는 도 2의 II-II' 및 III-III' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 테스트 구조물을 나타내는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 테스트 구조물을 나타내는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 테스트 구조물을 나타내는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 테스트 구조물을 나타내는 평면도이다.
도 9 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 불량 검사 방법을 나타내는 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면 상의 동일한 구성 요소에 대하여는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1의 'A' 영역을 확대 도시한 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치(100)는 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA)에 인접하는 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)에는 영상을 표시하는 복수의 화소들(PX)이 배치될 수 있다. 주변 영역(PA)은 영상이 표시되지 않는 영역을 의미할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 주변 영역(PA) 내부에 테스트 영역(TA)이 위치할 수 있다. 테스트 영역(TA)은 표시 영역(DA)의 적어도 일부를 둘러쌀 수 있다.
일 실시예에 따르면, 테스트 영역(TA)에는 테스트 구조물(test element group, TEG)이 배치될 수 있다. 평면도 상에서, 테스트 구조물(TEG)은 'ㄷ' 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 평면도 상에서, 테스트 구조물(TEG)은 일측이 개방된 사각형의 형상을 가질 수 있다. 다만, 본 발명의 구성은 이에 한정되는 것은 아니며, 평면도 상에서, 테스트 구조물(TEG)은 다른 형상을 가질 수도 있다.
일 실시예에 따르면, 테스트 구조물(TEG)에는 복수의 개구들(11)이 위치할 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같이, 테스트 구조물(TEG)의 일 부분은 저항 측정 장치(300)가 연결되는 테스트 패드부(TP)로 정의될 수 있다 (도 12 및 도 13 참조). 이를 통해, 개구들(11)의 저항을 측정하여 표시 장치(100)의 불량을 검사할 수 있다.
일반적으로, 대형 유기 발광 표시 장치가 전면 발광 구조를 갖는 경우, 캐소드 전극인 상부 전극의 저항이 높을 수 있다. 이를 해결하기 위해, 보조 배선인 금속 배선을 형성할 수 있다. 이때, 상기 보조 배선과 상기 캐소드 전극의 전기적 연결을 위해, 별도의 상기 레이저 드릴링(laser drilling) 공정을 이용한 개구 형성 공정 등이 추가적으로 필요하다.
종래의 표시 장치는 표시 영역에서 상기 레이저 드릴링 공정을 통해 형성된 상기 개구들을 현미경 사진으로 관찰하여 표시 장치의 불량을 검사하였다. 만약, 상기 레이저 드릴링의 출력이 부족할 경우, 상기 레이저 드릴링 공정이 반영되어야 하는 부분인 가공부들에 상기 개구가 형성된 부분과 상기 개구가 형성되지 않는 부분이 있을 수 있다. 이 경우, 상기 개구가 형성된 부분에 전류가 쏠리는 현상이 발생하고, 상기 개구가 형성되지 않는 부분에 암부가 발생하여 표시 장치의 불량이 발생하였다.
본 발명의 표시 장치(100)는 상기 레이저 드릴링 공정이 수행되는 테스트 구조물(TEG)을 테스트 영역(TA)에 배치함으로써, 테스트 구조물 (TEG)의 개구들(11)의 저항을 측정하여 표시 장치(100)의 불량을 검사할 수 있다.
도 3은 도 2의 I-I' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 장치(100)는 기판(110), 버퍼층(120), 게이트 절연층(130), 층간 절연층(140), 박막 트랜지스터(TFT), 공통층(CL), 유기 발광 소자(OLED), 화소 정의막(PDL), 박막 봉지층(180), 금속 배선(161), 등을 포함할 수 있다. 여기서, 박막 트랜지스터(TFT)는 액티브층(ACT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있고, 유기 발광 소자(OLED)는 하부 전극(160), 발광층(EL) 및 상부 전극(170)을 포함할 수 있다.
기판(110)은 표시 영역(DA), 표시 영역(DA)에 인접하는 주변 영역(PA) 및 주변 영역(PA) 내부에 위치하는 테스트 영역(TA)을 포함할 수 있다 (도 2, 도 3 및 도 4 참조). 기판(110)은 투명한 또는 불투명한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 기판, 소다라임 유리 기판, 무알칼리 유리 기판 등을 포함할 수 있다.
기판(110) 상에 버퍼층(120)이 배치될 수 있다. 버퍼층(120)은 표시 영역(DA), 주변 영역(PA) 및 테스트 영역(TA)에 전체적으로 배치될 수 있다 (도 2, 도 3 및 도 4 참조). 버퍼층(120)은 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 박막 트랜지스터(TFT)로 확산되는 현상을 방지할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(120)은 산화물 또는 질화물 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다.
버퍼층(120) 상의 표시 영역(DA)에 액티브층(ACT)이 배치될 수 있다. 액티브층(ACT)은 채널 영역과 상기 채널 영역의 양측에 위치하는 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역에 불순물이 도핑될 수 있다.
액티브층(ACT)은 실리콘 반도체층 또는 산화물 반도체층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 액티브층(ACT)은 폴리실리콘 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 액티브층(ACT)은 인듐(In), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
버퍼층(120) 상에 게이트 절연층(130)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(130)은 표시 영역(DA), 주변 영역(PA) 및 테스트 영역(TA)에 전체적으로 배치될 수 있다 (도 2, 도 3 및 도 4 참조). 게이트 절연층(130)은 액티브층(ACT)을 충분히 덮을 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연층(130)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 탄화물(SiCx) 등을 포함할 수 있다.
게이트 절연층(130) 상의 표시 영역(DA)에 게이트 전극(GE)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(GE)은 액티브층(ACT)의 상기 채널 영역과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(GE)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
게이트 절연층(130) 상에 층간 절연층(140)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(140)은 표시 영역(DA), 주변 영역(PA) 및 테스트 영역(TA)에 전체적으로 배치될 수 있다 (도 2, 도 3 및 도 4 참조). 층간 절연층(140)은 게이트 전극(GE)을 충분히 덮을 수 있다. 예를 들어, 층간 절연층(140)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 탄화물 등을 포함할 수 있다.
층간 절연층(140) 상의 표시 영역(DA)에 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 배치될 수 있다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 게이트 절연층(130) 및 층간 절연층(140)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 액티브층(ACT)의 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역에 각각 접속될 수 있다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예를 들어, 박막 트랜지스터(TFT)는 소스 전극(SE)을 통해 제1 전원 전압을 인가 받을 수 있다.
층간 절연층(140) 상에 비아층(150)이 배치될 수 있다. 비아층(150)은 표시 영역(DA), 주변 영역(PA) 및 테스트 영역(TA)에 전체적으로 배치될 수 있다 (도 2, 도 3 및 도 4 참조). 비아층(150)은 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 충분히 덮을 수 있다. 비아층(150)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 비아층(150)은 페놀 수지(phenolic resin), 아크릴 수지(polyacrylates resin), 폴리이미드 수지(polyimides rein), 폴리아미드 수지(polyamides resin), 실록산 수지(siloxane resin), 에폭시 수지(epoxy resin) 등을 포함할 수 있다.
비아층(150) 상의 표시 영역(DA)에 하부 전극(160)이 배치될 수 있다. 하부 전극(160)은 비아층(150)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 드레인 전극(DE)에 접속될 수 있다. 예를 들어, 하부 전극(160)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 하부 전극(160)은 ITO/Ag/ITO를 포함하는 적층 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 비아층(150) 상의 표시 영역(DA)에 금속 배선(161)이 배치될 수 있다. 금속 배선(161)은 도 1에 도시된 복수의 화소들(PX) 사이에 배치될 수 있다. 금속 배선(161)은 복수 개로 배치될 수 있다. 예를 들어, 평면도 상에서, 금속 배선(161)은 표시 영역(DA)에서 전체적으로 그물망(mesh) 구조로 배치될 수 있다. 예를 들어, 평면도 상에서, 금속 배선(161)은 가로 방향으로 배치되는 복수의 제1 금속 배선들 및 세로 방향으로 배치되는 복수의 제2 금속 배선들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속 배선(161)은 제2 전원 전압을 전달하는 배선으로 기능할 수 있다. 즉, 금속 배선(161)을 통해 상부 전극(170)에 상기 제2 전원 전압을 인가할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 하부 전극(160) 및 금속 배선(161)은 동일한 물질을 함유할 수 있다. 즉, 하부 전극(160) 및 금속 배선(161)은 동일한 물질을 사용하여 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 다시 말하면, 하부 전극(160) 및 금속 배선(161)은 ITO/Ag/ITO를 포함하는 적층 구조를 가질 수 있다.
비아층(150) 상의 표시 영역(DA)에 화소 정의막(PDL)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 하부 전극(160)의 적어도 일부를 노출시키는 개구부를 가질 수 있다. 이러한 화소 정의막(PDL)의 상기 개구부에 의해 표시 장치(100)의 발광 영역과 비발광 영역이 정의될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)의 상기 개구부가 위치하는 부분이 상기 발광 영역에 해당될 수 있으며, 상기 비발광 영역은 화소 정의막(PDL)의 상기 개구부에 인접하는 부분에 해당될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
하부 전극(160) 상에 발광층(EL)이 배치될 수 있다. 발광층(EL)은 적색광, 녹색광 및 청색광 등을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 발광층(EL)은 상기 청색광을 방출시킬 수 있는 발광 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 발광층(EL)은 저분자 유기 화합물 또는 고분자 유기 화합물을 포함할 수 있다.
하부 전극(160) 및 금속 배선(161) 상의 표시 영역(DA)에 공통층(CL)이 배치될 수 있다. 공통층(CL)은 표시 영역(DA)에 전체적으로 배치될 수 있다. 공통층(CL)은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함할 수 있다. 도 3에는 자세히 도시되지 않았지만, 발광층(EL)은 상기 정공 수송층 및 상기 전자 수송층 사이에 배치될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 공통층(CL)은 금속 배선(161)의 적어도 일부를 노출시키는 개구(10)를 가질 수 있다. 즉, 금속 배선(161)과 중첩하는 공통층(CL)의 일부를 상기 레이저 드릴링으로 제거하여 개구(10)가 형성될 수 있다. 개구(10)는 도 1에 도시된 표시 영역(DA)에 복수 개로 형성될 수 있다. 즉, 개구(10)는 도 1에 도시된 복수의 화소들(PX) 사이에 복수 개로 형성될 수 있다.
공통층(CL) 상에 상부 전극(170)이 배치될 수 있다. 상부 전극(180)은 표시 영역(DA)에 전체적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상부 전극(170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상부 전극(170)은 Mg 및 Ag을 포함하는 적층 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 개구(10)를 통해 상부 전극(170)이 금속 배선(161)과 접촉할 수 있다. 즉, 개구(10)를 통해 상부 전극(170)이 금속 배선(161)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상부 전극(170) 상에 박막 봉지층(180)이 배치될 수 있다. 박막 봉지층(180)은 표시 영역(DA), 주변 영역(PA) 및 테스트 영역(TA)에 전체적으로 배치될 수 있다 (도 2, 도 3 및 도 4 참조). 박막 봉지층(180)은 무기층 및 유기층의 적층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 유기층은, 폴리아크릴레이트(polyacrylate, PAR) 등과 같은 고분자 경화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 무기층은, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 탄화물, 알루미늄 산화물(AlOx), 탄탈륨 산화물(TaOx), 하프늄 산화물(HfOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx) 등을 포함할 수 있다.
도 4는 도 2의 II-II' 및 III-III' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 표시 장치(100)는 기판(110), 버퍼층(120), 게이트 절연층(130), 층간 절연층(140), 박막 트랜지스터(TFT), 비아층(150), 화소 정의막(PDL), 유기 발광 소자(OLED), 공통층(CL), 금속 배선(161), 박막 봉지층(180), 테스트 구조물(TEG) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 테스트 구조물(TEG)는 도전 패턴들(141), 전극 패턴들(162), 테스트 공통층(171) 및 전극층(172)을 포함할 수 있다. 다만, 도 4에 도시된 표시 장치(100)는 테스트 구조물(TEG)을 제외하고는 도 3에서 설명한 표시 장치(100)와 실질적으로 동일할 수 있다. 이하에서는, 테스트 구조물(TEG)에 대해 주로 설명하기로 한다.
일 실시예에 따르면, 층간 절연층(140) 상의 테스트 영역(TA)에 복수의 도전 패턴들(141)이 배치될 수 있다. 도전 패턴들(141)은 서로 이격될 수 있다. 도전 패턴들(141)은 도 3에 도시된 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 동일한 물질을 함유할 수 있다. 즉, 도전 패턴들(141)은 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 동일한 물질을 사용하여 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도전 패턴(141), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
층간 절연층(140) 상에 비아층(150)이 배치될 수 있다. 비아층(150)은 도전 패턴들(141)을 충분히 덮을 수 있다. 비아층(150) 상의 테스트 영역(TA)에 복수의 전극 패턴들(162)이 배치될 수 있다. 전극 패턴들(162)은 서로 이격될 수 있다. 전극 패턴들(162)은 도 3에 도시된 하부 전극(160)과 동일한 물질을 함유할 수 있다. 즉, 전극 패턴들(162)은 하부 전극(160)과 동일한 물질을 사용하여 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 전극 패턴들(162)은 비아층(150)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀들을 통해 도전 패턴들(141)에 각기 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전극 패턴들(162) 중 테스트 구조물(TEG)의 단부에 위치하는 전극 패턴(162)의 일부 및 도전 패턴들(141) 중 테스트 구조물(TEG)의 상기 단부에 위치하는 도전 패턴(141)의 일부가 테스트 구조물(TEG)의 테스트 패드부(TP)로 정의될 수 있다. 예를 들어, 전극 패턴들(162) 중 테스트 구조물(TEG)의 제1 단부에 위치하는 전극 패턴(162)의 일부 및 도전 패턴들(141) 중 테스트 구조물(TEG)의 상기 제1 단부에 위치하는 도전 패턴(141)의 일부가 테스트 구조물(TEG)의 제1 테스트 패드부로 정의될 수 있고, 전극 패턴들(162) 중 테스트 구조물(TEG)의 제2 단부에 위치하는 전극 패턴(162)의 일부 및 도전 패턴들(141) 중 테스트 구조물(TEG)의 상기 제2 단부에 위치하는 도전 패턴(141)의 일부가 테스트 구조물(TEG)의 제2 테스트 패드부로 정의될 수 있다 (도 2 및 도 4 참조).
비아층(150) 상의 테스트 영역(TA)에 화소 정의막(PDL)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL) 및 전극 패턴들(162) 상에 테스트 공통층(171)이 배치될 수 있다. 테스트 공통층(171)은 테스트 패드부(TP)를 제외한 테스트 영역(TA)에 전체적으로 배치될 수 있다. 테스트 공통층(171)은 도 3에 도시된 공통층(CL)과 동일한 물질을 함유할 수 있다. 즉, 테스트 공통층(171)은 공통층(CL)과 동일한 물질을 사용하여 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 선택적으로, 공통층(CL)이 표시 영역(DA)으로부터 테스트 영역(TA)으로 연장되어 테스트 영역(TA)에 위치하는 공통층(CL)의 일부가 테스트 공통층(171)으로 정의될 수도 있다.
일 실시예에 따르면, 테스트 공통층(171)은 전극 패턴들(162) 각각의 일부를 노출시키는 복수의 개구들(11)을 가질 수 있다. 즉, 개구들(11)은 테스트 공통층(171)의 일부를 상기 레이저 드릴링으로 제거하여 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 표시 영역(DA)의 개구들(10) 및 테스트 영역(TA)의 개구들(11)은 동시에 형성될 수 있다. 즉, 표시 영역(DA) 및 테스트 영역(TA)에 상기 레이저 드릴링 공정이 동시에 수행될 수 있다 (도 3 및 도 4 참조).
테스트 공통층(171) 및 화소 정의막(PDL) 상에 전극층(172)이 배치될 수 있다. 전극층(172)은 테스트 패드부(TP)를 제외한 테스트 영역(TA)에 전체적으로 배치될 수 있다. 전극층(172)은 도 3에 도시된 상부 전극(170)과 동일한 물질을 함유할 수 있다. 즉, 전극층(172)은 상부 전극(170)과 동일한 물질을 사용하여 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 선택적으로, 상부 전극(170)이 표시 영역(DA)으로부터 테스트 영역(TA)으로 연장되어 테스트 영역(TA)에 위치하는 상부 전극(170)의 일부가 전극층(172)으로 정의될 수도 있다.
일 실시예에 따르면, 전극층(172)은 개구들(11)을 통해 전극 패턴들(162)과 접촉할 수 있다. 즉, 전극층(172)은 개구들(11)을 통해 전극 패턴(162)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 테스트 구조물을 나타내는 평면도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 테스트 구조물을 나타내는 평면도이다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 테스트 구조물을 나타내는 평면도이다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 테스트 구조물을 나타내는 평면도이다.
도 5 내지 도 8에서, 표시 장치(101, 102, 103, 104)는 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA)에 인접하는 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다. 주변 영역(DA)은 제1 주변 영역(PA1), 제2 주변 영역(PA2), 제3 주변 영역(PA3) 및 제4 주변 영역(PA4)으로 구분될 수 있다. 제1 주변 영역(PA1)은 표시 영역(DA)을 중심으로 좌측에 위치할 수 있고, 제2 주변 영역(PA2)은 제1 주변 영역(PA1)과 반대 방향에 위치할 수 있으며, 제3 주변 영역(PA3)은 표시 영역(DA)을 중심으로 상측에 위치할 수 있고, 제4 주변 영역(PA4)은 제3 주변 영역(PA3)과 반대 방향에 위치할 수 있다.
도 5를 참조하면, 표시 장치(101)에서 2개의 테스트 구조물들(TEG1) 각각은 제1 주변 영역(PA1) 및 제2 주변 영역(PA2)에 배치될 수 있다. 즉, 2개의 테스트 구조물들(TEG1)은 서로 반대 방향에 배치될 수 있다.
도 6을 참조하면, 표시 장치(102)에서 2개의 테스트 구조물들(TEG2) 각각은 제3 주변 영역(PA3) 및 제4 주변 영역(PA4)에 배치될 수 있다. 즉, 2개의 테스트 구조물들(TEG2)은 서로 반대 방향에 배치될 수 있다.
도 7을 참조하면, 3개의 테스트 구조물들(TEG3) 각각은 제1 주변 영역(PA1), 제3 주변 영역(PA3) 및 제4 주변 영역(PA4)에 배치될 수 있다. 선택적으로, 3개의 테스트 구조물들(TEG3) 각각은 제2 주변 영역(PA2), 제3 주변 영역(PA3) 및 제4 주변 영역(PA4)에 배치될 수도 있다. 즉, 평면도 상에서, 3개의 테스트 구조물들(TEG3)은 'ㄷ' 형상으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 평면도 상에서, 3개의 테스트 구조물들(TEG3)은 일측이 개방된 사각형의 형상으로 배치될 수 있다.
도 8을 참조하면, 2개의 테스트 구조물들(TEG4) 각각은 제1 주변 영역(PA1) 및 제3 주변 영역(PA3)에 배치될 수 있다. 선택적으로, 2개의 테스트 구조물들(TEG4) 각각은 제2 주변 영역(PA2) 및 제3 주변 영역(PA3)에 배치될 수도 있다. 즉, 평면도 상에서, 2개의 테스트 구조물들(TEG4)은 'ㄱ' 형상으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 2개의 테스트 구조물들(TEG4)은 2개의 직선 바(bar)가 수직 방향으로 연결된 형상으로 배치될 수 있다.
도 5 내지 도 8에는 자세히 도시되지 않았지만, 테스트 구조물들(TEG1, TEG2, TEG3, TEG4) 각각은 직사각형의 형상을 갖는 복수개의 바(bar)로 이루어질 수도 있다.
도 9 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 불량 검사 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 2, 도 3 및 도 9를 참조하면, 표시 영역(DA), 표시 영역(DA)에 인접하는 주변 영역(PA) 및 주변 영역(PA) 내부에 위치하는 테스트 영역(TA)을 포함하는 기판(110)이 제공될 수 있다. 기판(110)은 투명한 물질 또는 불투명한 물질을 포함할 수 있다.
기판(110) 상에 버퍼층(120)이 형성될 수 있다. 버퍼층(120)은 표시 영역(DA), 주변 영역(PA) 및 테스트 영역(TA)에 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(120)은 산화물 또는 질화물 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다.
버퍼층(120) 상에 게이트 절연층(130)이 형성될 수 있다. 게이트 절연층(130) 상에 층간 절연층(140)이 형성될 수 있다. 게이트 절연층(130) 및 층간 절연층(140)은 표시 영역(DA), 주변 영역(PA) 및 테스트 영역(TA)에 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연층(130) 및 층간 절연층(140)은 각각 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있다.
층간 절연층(140) 상의 테스트 영역(TA)에 복수의 도전 패턴들(141)이 형성될 수 있다. 도전 패턴들(141)은 도 3에 도시된 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 동일한 물질을 함유할 수 있다. 즉, 도전 패턴들(141)은 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
층간 절연층(140) 상에 비아층(150)이 형성될 수 있다. 비아층(150)은 표시 영역(DA), 주변 영역(PA) 및 테스트 영역(TA)에 전체적으로 형성될 수 있다. 비아층(150)은 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE) 및 도전 패턴들(141)을 충분히 덮을 수 있다. 예를 들어, 비아층(150)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
비아층(150) 상의 테스트 영역(TA)에 복수의 전극 패턴들(162)이 형성될 수 있다. 전극 패턴들(162)은 도 3에 도시된 하부 전극(160)과 동일한 물질을 함유할 수 있다. 즉, 전극 패턴들(162)은 하부 전극(160)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 전극 패턴들(162)은 비아층(150)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀들을 통해 도전 패턴들(141)에 각기 전기적으로 연결될 수 있다.
비아층(150), 하부 전극(160) 및 전극 패턴들(162) 상에 화소 정의막(PDL)이 형성될 수 있다. 즉, 화소 정의막(PDL)은 표시 영역(DA) 및 테스트 영역(TA)에 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
전극 패턴들(162) 및 화소 정의막(PDL) 상에 테스트 공통층(171)이 형성될 수 있다. 테스트 공통층(171)은 테스트 패드부(TP)를 제외한 테스트 영역(TA)에 전체적으로 형성될 수 있다. 즉, 테스트 패드부(TP)에는 테스트 공통층(171)이 형성되지 않을 수 있다. 테스트 공통층(171)은 도 3에 도시된 공통층(CL)과 동일한 물질을 함유할 수 있다. 즉, 테스트 공통층(171)은 공통층(CL)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 선택적으로, 테스트 공통층(171)은 공통층(CL)의 일부가 연장되어 형성된 것으로 정의할 수도 있다.
도 3 및 도 10을 참조하면, 테스트 공통층(171)은 전극 패턴들(162) 각각의 일부를 노출시키는 복수의 개구들(11)을 가질 수 있다. 즉, 개구들(11)은 테스트 공통층(171)의 일부를 상기 레이저 드릴링으로 제거하여 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 표시 영역(DA)의 개구(10)과 테스트 영역(TA)의 개구(11)은 동시에 형성될 수 있다. 즉, 표시 영역(DA)의 공통층(CL)의 일부를 상기 레이저 드릴링으로 제거하여 금속 배선(161)의 일부를 노출시키는 개구(10)가 형성될 수 있고, 이와 동시에, 테스트 영역(TA)의 테스트 공통층(171)의 일부를 상기 레이저 드릴링으로 제거하여 전극 패턴(162)의 일부를 노출시키는 개구(11)가 형성될 수 있다.
도 3 및 도 11을 참조하면, 테스트 공통층(171) 상의 테스트 영역(TA)에 전극층(172)이 형성될 수 있다. 전극층(172)은 테스트 패드부(TP)를 제외하고 테스트 영역(TA)에 전체적으로 형성될 수 있다. 즉, 테스트 패드부(TP)에는 전극층(172)이 형성되지 않을 수 잇다. 전극층(172)은 상부 전극(170)과 동일한 물질을 함유할 수 있다. 즉, 전극층(172)은 상부 전극(170)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 선택적으로, 전극층(172)은 상부 전극(170)의 일부가 연장되어 형성될 수도 있다.
일 실시예에 따르면, 전극층(172)은 개구들(11)을 통해 전극 패턴들(162)과 접촉할 수 있다. 즉, 전극층(172)은 개구들(11)을 통해 전극 패턴들(162)과 각기 전기적으로 연결될 수 있다.
도 2, 도 4 및 도 12를 참조하면, 일 실시예에 따르면, 테스트 패드부들(TP)에 저항 측정 장치(300)가 연결될 수 있다. 즉, 도전 패턴들(141) 중 테스트 구조물(TEG)의 상기 단부에 위치하는 도전 패턴(141)의 일부에 저항 측정 장치(300)가 연결될 수 있다. 저항 측정 장치(300)를 통해 개구들(11)의 저항을 측정할 수 있다. 예를 들어, 저항 측정 장치(300)를 통해 테스트 패드들(TP)의 도전 패턴(141)에 전류를 흘려 보내면, 상기 전류는 도전 패턴들(141), 전극 패턴들(162) 및 전극층(172)을 따라 흐르면서 개구들(11)의 저항을 측정할 수 있다.
도 2, 도 3, 도 4 및 도 13을 참조하면, 전극층(172) 상에 박막 봉지층(180)이 형성될 수 있다. 박막 봉지층(180)은 표시 영역(DA), 주변 영역(PA) 및 테스트 영역(TA)에 전체적으로 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전극층(172) 상에 박막 봉지층(180)이 형성된 후, 테스트 패드부들(TP)에 저항 측정 장치(300)를 연결하여 개구들(11)의 저항을 측정할 수 있다.
한편, 테스트 영역(TA)에서 상기 레이저 드릴링 공정이 수행되어야 하는 부분을 가공부라고 정의할 수 있다. 만약, 상기 레이저 드릴링의 출력이 부족하여 상기 가공부 중 개구(11)가 형성되지 않는 부분이 존재하는 경우, 이 부분의 저항은 개구(11)가 형성되는 부분에 비해 저항이 높을 수 있다. 예를 들어, 전극 패턴들(162)의 하부막의 두께가 변경될 경우, 상기 레이저 드릴링의 출력이 부족할 수 있다. 이 경우, 표시 장치(100)를 불량이라고 판단하고, 표시 장치(100)를 다시 제조할 수 있다. 선택적으로, 상기 가공부 중 개구(11)가 형성되지 않는 부분에 상기 레이저 드릴링 공정을 다시 수행할 수도 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 표시 장치를 구비할 수 있는 다양한 디스플레이 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 차량용, 선박용 및 항공기용 디스플레이 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들, 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 수많은 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.
100, 101, 102, 103, 104: 표시 장치
TEG, TEG1, TEG2, TEG3, TEG4: 테스트 구조물
DA: 표시 영역 PA: 주변 영역
TA: 테스트 영역 10, 11: 개구
TP: 테스트 패드부 110: 기판
120: 버퍼층 130: 게이트 절연층
140: 층간 절연층 141: 도전 패턴
150: 비아층 160: 하부 전극
161: 금속 배선 162: 전극 패턴
PDL: 화소 정의막 EL: 발광층
172: 전극층 CL: 공통층
170: 상부 전극 171: 테스트 공통층
180: 박막 봉지층 300: 저항 측정 장치

Claims (20)

  1. 표시 영역 및 상기 표시 영역에 인접하는 테스트 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되는 하부 전극;
    상기 하부 전극 상에 배치되는 공통층;
    상기 공통층 상에 배치되는 상부 전극; 및
    상기 기판 상의 상기 테스트 영역에 배치되고, 상기 하부 전극과 동일한 층 상에 위치하는 복수의 전극 패턴들;
    상기 전극 패턴들 상에 배치되고, 상기 공통층과 동일한 층 상에 위치하며, 상기 전극 패턴들 각각의 일부를 노출시키는 복수의 개구들을 갖는 테스트 공통층; 및
    상기 테스트 공통층 상에 배치되고, 상기 상부 전극과 동일한 층 상에 위치하며, 상기 개구들을 통해 상기 전극 패턴들과 접촉하는 전극층을 포함하는 테스트 구조물을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 테스트 구조물은,
    상기 기판 상의 상기 테스트 영역에 배치되는 도전 패턴들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 기판 상의 상기 테스트 영역에서 상기 기판과 상기 전극 패턴들 사이에 배치되는 비아층을 더 포함하고,
    상기 전극 패턴들은 상기 비아층에 형성된 콘택홀들을 통해 상기 도전 패턴들과 각기 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제2 항에 있어서, 상기 도전 패턴들은 서로 이격되고, 상기 전극 패턴들은 서로 이격되는 것을 특징으로 하는 표시 장치
  5. 제1 항에 있어서, 상기 테스트 영역은 상기 표시 영역의 적어도 일부를 둘러싸는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 공통층이 상기 표시 영역으로부터 상기 테스트 영역으로 연장되어 상기 테스트 영역에 위치하는 상기 공통층의 일부가 상기 테스트 공통층으로 정의되고,
    상기 상부 전극이 상기 표시 영역으로부터 상기 테스트 영역으로 연장되어 상기 테스트 영역에 위치하는 상기 상부 전극의 일부가 상기 전극층으로 정의되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 하부 전극 및 상기 전극 패턴들은 동일한 물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서, 상기 하부 전극 및 상기 전극 패턴들 각각은 ITO/Ag/ITO를 포함하는 적층 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서, 상기 상부 전극 및 상기 전극층은 동일한 물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서, 상기 테스트 구조물은,
    상기 기판 상의 상기 테스트 영역에 배치되는 도전 패턴들을 더 포함하고,
    상기 표시 장치는 상기 기판 상의 상기 표시 영역에 배치되고, 상기 도전 패턴들과 동일한 층 상에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서, 상기 도전 패턴들, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 동일한 물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제1 항에 있어서, 상기 전극 패턴들 중 상기 테스트 구조물의 제1 단부에 위치하는 전극 패턴의 일부가 상기 테스트 구조물의 제1 테스트 패드부로 정의되고,
    상기 전극 패턴들 중 상기 테스트 구조물의 제2 단부에 위치하는 전극 패턴의 일부가 상기 테스트 구조물의 제2 테스트 패드부로 정의되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제1 항에 있어서, 평면도 상에서, 상기 테스트 구조물은 일측이 개방된 사각형의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 표시 영역 및 상기 표시 영역에 인접하는 테스트 영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상의 상기 표시 영역에 하부 전극을 형성하는 단계;
    상기 기판 상의 상기 테스트 영역에 복수의 전극 패턴들을 형성하는 단계;
    상기 하부 전극 상에 공통층을 형성하는 단계;
    상기 전극 패턴들 상에 테스트 공통층을 형성하는 단계;
    상기 테스트 공통층의 일부를 제거하여 상기 전극 패턴들 각각의 일부를 노출시키는 복수의 개구들을 형성하는 단계;
    상기 공통층 상에 상부 전극을 형성하는 단계;
    상기 테스트 공통층 상에 전극층을 형성하는 단계; 및
    상기 개구들의 저항을 측정하는 단계를 포함하는 표시 장치의 불량 검사 방법.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 기판 상의 상기 테스트 영역에 도전 패턴들을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 불량 검사 방법.
  16. 제15 항에 있어서, 상기 도전 패턴들, 상기 전극 패턴들, 상기 테스트 공통층 및 상기 전극층이 테스트 구조물로 정의되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 불량 검사 방법.
  17. 제16 항에 있어서, 상기 저항을 측정하는 단계는,
    상기 도전 패턴들 중 상기 테스트 구조물의 단부에 위치하는 도전 패턴의 일부에 저항 측정 장치를 연결하여 상기 개구들의 저항을 측정하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 불량 검사 방법.
  18. 제14 항에 있어서, 상기 개구들은 레이저 드릴링 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 불량 검사 방법.
  19. 제14 항에 있어서, 상기 전극 패턴들은 상기 하부 전극과 동시에 형성되고, 상기 테스트 공통층은 상기 공통층과 동시에 형성되며, 상기 전극층은 상기 상부 전극과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 불량 검사 방법.
  20. 제14 항에 있어서, 상기 전극층은 상기 개구들을 통해 상기 전극 패턴들과 접촉하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 불량 검사 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7203355B2 (en) 2002-12-24 2007-04-10 Orbotech Ltd. Automatic optical inspection system and method
KR20060082096A (ko) 2005-01-11 2006-07-14 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
JP2015049972A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR102090159B1 (ko) 2013-11-22 2020-03-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
CN104849880B (zh) 2014-02-14 2018-04-10 上海和辉光电有限公司 显示器面板teg测试组件及其形成方法和测试方法
CN110164914B (zh) * 2018-10-15 2022-02-08 京东方科技集团股份有限公司 半导体器件、显示面板、显示装置和制造方法
KR20200077254A (ko) * 2018-12-20 2020-06-30 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111106154A (zh) * 2019-12-12 2020-05-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板及其制造方法
WO2021207924A1 (zh) * 2020-04-14 2021-10-21 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN113950747A (zh) * 2020-05-15 2022-01-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

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