KR101286094B1 - 유기전계발광소자의 제조 방법 및 수리방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 다수의 화소가 정의되어 있는 기판 상에 다수의 게이트 배선을 형성하는 단계와; 상기 다수의 게이트 배선과 교차하여 상기 다수의 화소를 정의하는 다수의 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 다수의 게이트 배선 또는 상기 다수의 데이터 배선과 평행하게 연장된 전원배선을 형성하는 단계와; 상기 다수의 게이트 배선 중 어느 하나와 상기 다수의 데이터 배선 중 어느 하나에 연결된 스위칭 박막트랜지스터 및 상기 스위칭 박막트랜지스터에 연결된 구동 박막트랜지스터를 상기 다수의 화소 각각에 형성하는 단계와; 상기 구동 박막트랜지스터를 덮으며 상기 구동 박막트랜지스터의 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계와; 상기 보호층 상에서 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 구동 박막트랜지스터에 연결되는 제 1 전극을 상기 다수의 화소 각각에 형성하는 단계와; 상기 다수의 화소 각각에, 상기 제 1 전극과 접촉하는 유기발광층을 형성하는 단계와; 상기 기판 전체를 덮고 상기 유기발광층과 접촉하는 제 2 전극을 형성하는 단계와; 상기 다수의 화소 중 휘점이 발생한 화소에 위치하는 상기 드레인 콘택홀에 레이저빔을 조사하여 상기 구동 박막트랜지스터와 상기 제 1 전극의 연결을 제거하는 단계를 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법을 제공한다.
Description
본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로, 특히 유기전계발광소자의 제조 방법 및 수리방법에 관한 것이다.
최근까지, CRT(cathode ray tube)가 표시장치로서 주로 사용되었다. 그러나, 최근에 CRT를 대신할 수 있는, 플라즈마표시장치(plasma display panel : PDP), 액정표시장치(liquid crystal display device : LCD), 유기전계발광소자(organic electroluminescent device : OELD)와 같은 평판표시장치가 널리 연구되며 사용되고 있는 추세이다.
위와 같은 평판표시장치 중에서, 유기전계발광소자는 자발광소자로서, 비발광소자인 액정표시장치에 사용되는 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하다.
그리고, 액정표시장치에 비해 시야각 및 대비비가 우수하며, 소비전력 측면에서도 유리하며, 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 내부 구성요소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용 온도범위도 넓은 장점을 가지고 있다.
특히, 제조공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 액정표시장치 보다 많이 절감할 수 있는 장점이 있다.
이러한 특성을 갖는 유기전계발광소자는 크게 패시브 매트릭스 타입(passive matrix type)과 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)으로 나뉘어 지는데, 고해상도나 대화면을 구현할 수 있는 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자의 연구가 활발히 진행되고 있다.
도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 기본 픽셀 구조를 나타낸 도면이다.
도시한 바와 같이 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 하나의 화소는 스위칭(switching) 박막트랜지스터(STr)와 구동(driving) 박막트랜지스터(DTr), 스토리지 캐패시터(StgC), 그리고 유기전계발광 다이오드(E)로 이루어진다.
즉, 제 1 방향으로 게이트 배선(GL)이 형성되어 있고, 이 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 데이터 배선(DL)이 형성되어 있으며, 상기 데이터 배선(DL)과 이격하며 전압을 인가하기 위한 전원배선(PL)이 형성되어 있다.
또한, 상기 데이터 배선(DL)과 게이트 배선(GL)이 교차하는 부분에는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 형성되어 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 전기적으로 연결된 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다.
이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 유기전계 발광 다이오드(E)와 전기적으로 연결되고 있다. 즉, 상기 유기전계발광 다이오드(E)의 일측 단자인 제 1 전극은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극과 연결되고, 타측 단자인 제 2 전극은 전원배선(PL)과 연결되고 있다. 이때, 상기 전원배선(PL)은 전원전압을 상기 유기전계발광 다이오드(E)로 전달하게 된다. 또한, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에는 스토리지 커패시터(StgC)가 형성되고 있다.
따라서, 상기 게이트 배선(GL)을 통해 신호가 인가되면 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 온(on) 되고, 상기 데이터 배선(DL)의 신호가 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극에 전달되어 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 되므로 유기전계발광 다이오드(E)를 통해 빛이 출력된다. 이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 상태가 되면, 전원배선(PL)으로부터 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며 이로 인해 상기 유기전계발광 다이오드(E)는 그레이 스케일(gray scale)을 구현할 수 있게 되며, 상기 스토리지 커패시터(StgC)는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 되었을 때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전압을 일정하게 유지시키는 역할을 함으로써 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 상태가 되더라도 다음 프레임(frame)까지 상기 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.
도 2는 종래 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 유기전계발광소자(10)는 제 1 기판(1)과, 제 1 기판(1)과 마주하는 제 2 기판(2)으로 구성되며, 제 1 및 제 2 기판(1, 2)은 서로 이격되어 이의 가장자리부를 실패턴(seal pattern : 20)을 통해 봉지되어 합착된다.
이를 좀더 자세히 살펴보면, 제 1 기판(1)의 상부에는 각 화소영역 별로 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있고, 각각의 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결되는 제 1 전극(3)과 제 1 전극(3)의 상부에 특정한 색의 빛을 발광하는 유기발광층(5)과, 유기발광층(5)의 상부에는 제 2 전극(7)이 구성된다. 이들 제 1 및 제 2 전극(3, 7)과 그 사이에 형성된 유기발광층(5)은 유기전계 발광다이오드를 이루게 된다.
유기발광층(5)은 적, 녹, 청의 색을 표현하게 되는데, 일반적인 방법으로는 각 화소마다 적, 녹, 청색을 발광하는 별도의 유기물질(5a, 5b, 5c)을 패턴하여 사용한다.
이때, 상기 제 1 전극(3)이 투명하고 상기 제 2 전극(7)이 불투명한 경우, 상기 유기발광층(5)으로부터 방출된 빛은 상기 제 1 전극(3)을 통해 상기 제 1 기판(1)을 통과하게 되며, 이를 하부발광형이라 한다. 이와 달리, 상기 제 1 전극(3)이 불투명하고 상기 제 2 전극(7)이 투명한 경우, 상기 유기발광층(5)으로부터 방출된 빛은 상기 제 2 전극(7)을 통해 상기 제 2 기판(2)을 통과하게 되며, 이를 상부발광형이라 한다.
한편, 제 2 기판(2)의 내부면에는 외부의 수분을 차단하는 흡습제(13)가 형성된다.
그런데, 위와 같은 구조의 유기전계발광소자에 위치하는 다수의 화소 중 일부에 불량이 발생하는 경우가 있다. 예를 들어, 정전기나 이물질 등에 의해 전기 배선간 쇼트(short)가 발생하여 일부 화소가 항상 빛을 방출하게 되는 문제가 발생하게 된다. 즉, 이른바 휘점 불량이 발생하게 된다.
본 발명은 전기 배선 간 쇼트에 의해 발생하는 휘점 불량을 해결하여 고품질의 영상을 구현할 수 있는 유기전계발광소자를 제공하고자 한다.
또한, 휘점 불량 수리 공정에 의해 다른 구성 요소가 손상되는 것을 방지하고자 한다.
또한, 휘점 불량의 수리에 의해 유기전계발광소자 제조 공정의 수율을 향상시키고자 한다.
위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은 다수의 화소가 정의되어 있는 기판 상에 다수의 게이트 배선을 형성하는 단계와; 상기 다수의 게이트 배선과 교차하여 상기 다수의 화소를 정의하는 다수의 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 다수의 게이트 배선 또는 상기 다수의 데이터 배선과 평행하게 연장된 전원배선을 형성하는 단계와; 상기 다수의 게이트 배선 중 어느 하나와 상기 다수의 데이터 배선 중 어느 하나에 연결된 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 스위칭 박막트랜지스터 및 상기 전원배선에 연결된 구동 박막트랜지스터를 상기 다수의 화소 각각에 형성하는 단계와; 상기 구동 박막트랜지스터를 덮으며 상기 구동 박막트랜지스터를 노출시키는 드레인 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계와; 상기 보호층 상에서 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 구동 박막트랜지스터에 연결되는 제 1 전극을 상기 다수의 화소 각각에 형성하는 단계와; 상기 다수의 화소 각각에, 상기 제 1 전극과 접촉하는 유기발광층을 형성하는 단계와; 상기 기판 전체를 덮고 상기 유기발광층과 접촉하는 제 2 전극을 형성하는 단계와; 상기 다수의 화소 중 휘점 불량이 발생한 화소에 위치하는 상기 드레인 콘택홀에 대응하여 펄스 타입으로 532nm의 파장과 0.5~0.8mJ의 세기를 갖는 레이저빔을 조사함으로써 상기 드레인 콘택홀 내에 위치하는 상기 박막트랜지스터를 구성하는 구성요소의 손상없이 상기 제 2 전극과 유기발광층과 제 1 전극을 제거하여 상기 구동 박막트랜지스터와 상기 제 1 전극의 연결을 단절시키는 단계를 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법을 제공한다.
상기 레이저빔의 조사 단계에 의해, 상기 전원배선과 상기 제 1 전극은 전기적으로 절연되는 것이 특징이다.
상기 유기발광층으로부터 발광된 빛은 상기 제 2 전극을 통해 방출되는 것이 특징이다.
삭제
상기 레이저빔은 상기 제 2 전극 방향에서 조사되는 것이 특징이다.
다른 관점에서, 본 발명은 다수의 화소 각각에 위치하는 구동 박막트랜지스터와, 상기 구동 박막트랜지스터를 덮으며 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 갖는 보호층과, 상기 보호층 상에서 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결되며 제 1 전극과 유기발광층과 제 2 전극의 적층 구조를 갖는 유기전계발광다이오드를 포함하는 유기전계발광소자의 수리 방법에 있어서, 상기 다수의 화소 중 휘점 불량이 발생한 화소에 위치하는 상기 드레인 콘택홀에 펄스 타입으로 532nm의 파장과 0.5~0.8mJ의 세기를 갖는 레이저빔을 조사하여 상기 드레인 콘택홀 내에 위치하는 상기 드레인 전극의 손상없이 상기 유기전계발광다오드를 제거하여 상기 유기전계발광다이오드와 상기 드레인 전극의 연결을 단절시키는 단계를 포함하는 유기전계발광소자의 수리방법을 제공한다.
삭제
상기 유기전계발광다이오드는 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기발광층과, 상기 유기발광층 상에 위치하는 제 2 전극을 포함하고, 상기 유기발광층으로부터 발광된 빛은 상기 제 2 전극을 통해 방출되는 것이 특징이다.
상기 레이저빔은 상기 제 2 전극 방향에서 조사되는 것이 특징이다.
본 발명의 유기전계발광소자는 휘점 불량을 완벽하게 해결함으로써, 유기전계발광소자 제조 공정의 수율을 향상시킬 수 있다.
또한, 휘점 불량의 수리에 의해 다른 요소의 손상에 발생하지 않기 때문에, 유기전계발광소자 제조 공정의 수율이 더욱 향상된다.
휘점 불량 수리에 의해 고품질의 영상을 구현하는 유기전계발광소자를 제공할 수 있는 장점을 갖는다.
도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 기본 픽셀 구조를 나타낸 도면이다.
도 2는 종래 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광소자의 하나의 화소에 대한 개략적인 단면도이다.
도 4a 및 도 4b 각각은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광소자의 하나의 화소에 대한 개략적인 단면도이다.
도 5a 내지 도 5h는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광소자의 제조 및 수리 공정을 보여주는 개략적인 공정 단면도이다.
도 2는 종래 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광소자의 하나의 화소에 대한 개략적인 단면도이다.
도 4a 및 도 4b 각각은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광소자의 하나의 화소에 대한 개략적인 단면도이다.
도 5a 내지 도 5h는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광소자의 제조 및 수리 공정을 보여주는 개략적인 공정 단면도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 대해 자세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광소자의 하나의 화소에 대한 개략적인 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 유기전계발광소자는 기판(101)의 화소 (P)에 위치하는 구동 박막트랜지스터(DTr)와 상기 구동 박막트랜지스터(Dr)에 연결되는 제 1 전극(150)과, 상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기발광층(170) 및 상기 유기발광층(170) 상에 위치하는 제 2 전극(180)을 포함한다. 상기 제 1 전극(150), 상기 유기발광층(170) 및 상기 제 2 전극(180)은 유기전계발광다이오드를 이루며, 상기 구동박막트랜지스터(DTr)에 의해 구동되어 발광하게 된다. 상기 제 1 전극(150) 및 상기 유기발광층(170)은 화소(P)별로 분리되며, 상기 제 2 전극(180)은 상기 기판(101) 전체를 덮으며 형성된다. 도시하지 않았으나, 상기 유기전계발광소자는 상기 제 2 전극(180)을 덮는 대향 기판을 더욱 포함한다.
또한, 상기 기판(101) 상에는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)에 연결되어 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)를 스위칭하기 위한 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 위치한다. 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)는 제 1 게이트 전극(102)과, 상기 제 1 게이트 전극(102)을 덮는 게이트 절연막(106)과, 상기 게이트 절연막(106) 상에서 상기 제 1게이트 전극(102)과 중첩하는 제 1 반도체층(120)과, 상기 제 1 반도체층(120) 상에서 서로 이격되어 있는 제 1소스 전극(132) 및 제 1드레인 전극(134)을 포함한다. 상기 제 1 반도체층(120)은 순수 비정질 실리콘으로 이루어지는 제 1 액티브층(120a)과 불순물 비정질 실리콘으로 이루어지는 제 1 오믹콘택층(120b)을 포함한다.
상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)에 연결되어 스위칭되며 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 유사한 구조를 갖는다. 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 제 2 게이트 전극(104)과, 상기 제 2 게이트 전극(104)을 덮는 상기 게이트 절연막(106)과, 상기 게이트 절연막(106) 상에서 상기 제 2 게이트 전극(104)과 중첩하는 제 2 반도체층(122)과, 상기 제 2 반도체층(122) 상에서 서로 이격되어 있는 제 2 소스 전극(136) 및 제 2 드레인 전극(138)을 포함한다. 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 상기 제 2 게이트 전극(104)은 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)의 제 1 드레인 전극(134)에 연결된다. 상기 제 2 반도체층(122)은 순수 비정질 실리콘으로 이루어지는 제 2 액티브층(122a)과 불순물 비정질 실리콘으로 이루어지는 제 2 오믹콘택층(122b)을 포함한다.
상기 스위칭 박막트랜지스터(STr) 및 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 폴리실리콘을 반도체층으로 이용할 수도 있다. 예를 들어, 폴리실리콘의 반도체층을 포함하는 탑 게이트 형태를 가질 수 있다.
한편, 게이트 배선(미도시)이 일방향을 따라 연장되고, 상기 게이트 배선(미도시)과 교차하여 상기 화소(P)을 정의하는 데이터 배선(130)이 위치하며, 상기 게이트 배선(미도시) 및 상기 데이터 배선(130) 어느 하나와 평행하게 연장되어 유기전계발광다이오드에 전압을 인가하는 전원배선(미도시)이 위치한다.
상기 게이트 배선은 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)의 제 1 게이트 전극(102)에 연결되고, 상기 데이터 배선은 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)의 제 1 소스 전극(132)에 연결된다. 또한, 상기 전원배선(미도시)은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 소스 전극(136)에 연결된다.
상기 제 1 전극(150)은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 드레인 전극(138)에 연결된다. 즉, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)를 덮고 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 드레인 전극(138)을 노출시키는 드레인 콘택홀(142)을 포함하는 보호층(140)이 위치하며, 상기 제 1 전극(150)은 상기 보호층(140) 상에 위치하고 상기 드레인 콘택홀(142)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 드레인 전극(138)과 연결된다.
상기 제 1 전극(150)은 일함수 값이 비교적 큰 물질로 이루어지며, 상기 제 2 전극(180)은 일함수 값이 상기 제 1 전극(150)의 물질에 비해 작은 물질로 이루어진다. 예를 들어, 상기 제 1 전극(150)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO)로 이루어지며, 상기 제 2 전극(180)은 Ag/Mg 또는 Cu로 이루어질 수 있다.
상기 유기발광층(170)은 적, 녹, 청의 색을 표현하게 되는데, 일반적인 방법으로는 각 화소마다 적, 녹, 청색을 발광하는 유기물질을 패턴하여 사용한다. 상기 유기발광층(170)은 상기 제 1 및 제 2 전극(150, 180) 사이에 위치하며 전압 인가에 의해 발광하게 된다. 도면에서 상기 유기발광층(170)은 상기 화소(P)를 둘러싸는 격자형상의 뱅크(160)에 의해 화소(P)별로 분리되는 구성이 도시되고 있다. 그러나 상기 뱅크(160)은 생략될 수 있다.
상기 제 1 전극(150)은 투명하고 상기 제 2 전극(180)은 불투명하게 이루어지며, 상기 유기발광층(170)으로부터 방출된 빛은 상기 제 1 전극(150) 및 상기 제 1 기판(101)을 통과하여 영상을 구현하게 된다. 이를 하부발광형 (bottom emission type) 유기전계발광소자라 한다.
이러한 하부발광형 유기전계발과소자에서 일부 화소에 휘점 불량이 발생할 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 소스 전극(136)과 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 드레인 전극(138)이 이물질이나 정전기에 의해 쇼트될 경우, 상기 유기발광층(170)은 계속적으로 발광상태를 갖게 된다.
즉, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)는 상기 제 1 게이트 전극(102)에 의해 스위칭되고 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 온(on) 상태에서 상기 데이터 배선(130)의 신호가 상기 제 1 소스 전극(132) 및 상기 제 1 드레인 전극(134)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 게이트 전극(104)에 인가된다. 이러한 경우, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)이 온상태가 되고, 상기 전원배선(미도시)의 전압이 상기 제 2 소스 전극(136) 및 상기 제 2 드레인 전극(138)을 통해 상기 유기전계발광다이오드의 제 1 전극(150)에 인가되어 상기 유기발광층(170)이 발광하게 된다.
그러나, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 소스 전극(136)과 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 드레인 전극(138)이 쇼트되면, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 상태일 때에도, 상기 전원배선(미도시)의 전압은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 소스 전극(136)과 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 드레인 전극(138)을 통해 상기 제 1 전극(150)에 인가된다. 따라서, 휘점 불량이 발생한다.
본 발명에서는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 소스 전극(136)에 레이저빔(LB)를 조사하여 상기 제 2 소스 전극(136)을 절단함으로써 전원배선(미도시)의 전압이 상기 제 1 전극(150)에 인가되는 것을 막는다. 즉, 발광면인 제 1 기판(101)에서 휘점 불량이 발생한 화소(P)에 직접 레이저빔(LB)를 조사하여 상기 제 2 소스 전극(136)을 절단하게 된다. 따라서, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)의 상태에 관계없이, 상기 유기발광층(170)은 발광하지 않게 된다. 즉, 휘점 불량이 발생한 화소(P)를 암점화하여 불량을 해결하게 된다.
도 4a 및 도 4b 각각은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광소자의 하나의 화소에 대한 개략적인 단면도이다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 유기전계발광소자는 기판(201)의 화소 (P)에 위치하는 구동 박막트랜지스터(DTr)와 상기 구동 박막트랜지스터(Dr)에 연결되는 제 1 전극(250)과, 상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기발광층(270) 및 상기 유기발광층(270) 상에 위치하는 제 2 전극(280)을 포함한다. 상기 제 1 전극(250), 상기 유기발광층(270) 및 상기 제 2 전극(280)은 유기전계발광다이오드를 이루며, 상기 구동박막트랜지스터(DTr)에 의해 구동되어 발광하게 된다. 상기 제 1 전극(250) 및 상기 유기발광층(270)은 화소(P)별로 분리되며, 상기 제 2 전극(280)은 상기 기판(201) 전체를 덮으며 형성된다. 도시하지 않았으나, 상기 유기전계발광소자는 상기 제 2 전극(280)을 덮는 대향 기판을 더욱 포함한다.
또한, 상기 기판(201) 상에는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)에 연결되어 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)를 스위칭하기 위한 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 위치한다. 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)는 제 1 게이트 전극(202)과, 상기 제 1 게이트 전극(202)을 덮는 게이트 절연막(206)과, 상기 게이트 절연막(206) 상에서 상기 제 1게이트 전극(202)과 중첩하는 제 1 반도체층(220)과, 상기 제 1 반도체층(220) 상에서 서로 이격되어 있는 제 1소스 전극(232) 및 제 1드레인 전극(234)을 포함한다. 상기 제 1 반도체층(220)은 순수 비정질 실리콘으로 이루어지는 제 1 액티브층(220a)과 불순물 비정질 실리콘으로 이루어지는 제 1 오믹콘택층(220b)을 포함한다.
상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)에 연결되어 스위칭되며 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 유사한 구조를 갖는다. 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 제 2 게이트 전극(204)과, 상기 제 2 게이트 전극(204)을 덮는 상기 게이트 절연막(206)과, 상기 게이트 절연막(206) 상에서 상기 제 2 게이트 전극(204)과 중첩하는 제 2 반도체층(222)과, 상기 제 2 반도체층(222) 상에서 서로 이격되어 있는 제 2 소스 전극(236) 및 제 2 드레인 전극(238)을 포함한다. 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 상기 제 2 게이트 전극(204)은 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)의 제 1 드레인 전극(234)에 연결된다. 상기 제 2 반도체층(222)은 순수 비정질 실리콘으로 이루어지는 제 2 액티브층(220a)과 불순물 비정질 실리콘으로 이루어지는 제 2 오믹콘택층(122b)을 포함한다.
상기 스위칭 박막트랜지스터(STr) 및 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 폴리실리콘을 반도체층으로 이용할 수도 있다. 예를 들어, 폴리실리콘의 반도체층을 포함하는 탑 게이트 형태를 가질 수 있다.
한편, 게이트 배선(미도시)이 일방향을 따라 연장되고, 상기 게이트 배선(미도시)과 교차하여 상기 화소(P)을 정의하는 데이터 배선(230)이 위치하며, 상기 게이트 배선(미도시) 및 상기 데이터 배선(230) 어느 하나와 평행하게 연장되어 유기전계발광다이오드에 전압을 인가하는 전원배선(미도시)이 위치한다.
상기 게이트 배선은 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)의 제 1 게이트 전극(202)에 연결되고, 상기 데이터 배선은 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)의 제 1 소스 전극(232)에 연결된다. 또한, 상기 전원배선(미도시)은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 소스 전극(236)에 연결된다.
상기 제 1 전극(250)은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 드레인 전극(238)에 연결된다. 즉, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)를 덮고 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 드레인 전극(238)을 노출시키는 드레인 콘택홀(242)을 포함하는 보호층(240)이 위치하며, 상기 제 1 전극(250)은 상기 보호층(240) 상에 위치하고 상기 드레인 콘택홀(242)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 드레인 전극(238)과 연결된다.
상기 제 1 전극(250)은 일함수 값이 비교적 큰 물질로 이루어지며, 상기 제 2 전극(280)은 일함수 값이 상기 제 1 전극(250)의 물질에 비해 작은 물질로 이루어진다. 예를 들어, 상기 제 1 전극(250)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide, ITO)로 이루어지며, 상기 제 2 전극(280)은 Ag/Mg 또는 Cu로 이루어질 수 있다.
상기 유기발광층(270)은 적, 녹, 청의 색을 표현하게 되는데, 일반적인 방법으로는 각 화소마다 적, 녹, 청색을 발광하는 유기물질을 패턴하여 사용한다. 상기 유기발광층(270)은 상기 제 1 및 제 2 전극(250, 280) 사이에 위치하며 전압 인가에 의해 발광하게 된다.
상기 제 2 전극(280)은 매우 얇은 두께를 갖도록 하여 투명하게 한다. 따라서, 상기 유기발광층(270)으로부터 방출된 빛은 상기 제 2 전극(280)을 통과하여 영상을 구현하게 된다. 이를 상부발광형(top emission type) 유기전계발광소자라 한다. 도시하지 않았으나, 빛의 효율을 높이기 위해, 투명한 제 1 전극(250) 하부에 반사판을 형성할 수 있다.
이러한 하부발광형 유기전계발과소자에서 일부 화소에 휘점 불량이 발생할 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 소스 전극(236)과 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 드레인 전극(238)이 이물질이나 정전기에 의해 쇼트될 경우, 상기 유기발광층(270)은 계속적으로 발광상태를 갖게 된다.
즉, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)는 상기 제 1 게이트 전극(202)에 의해 스위칭되고 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 온(on) 상태에서 상기 데이터 배선(230)의 신호가 상기 제 1 소스 전극(232) 및 상기 제 1 드레인 전극(234)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 게이트 전극(204)에 인가된다. 이러한 경우, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)이 온상태가 되고, 상기 전원배선(미도시)의 전압이 상기 제 2 소스 전극(236) 및 상기 제 2 드레인 전극(238)을 통해 상기 유기전계발광다이오드의 제 1 전극(250)에 인가되어 상기 유기발광층(270)이 발광하게 된다.
그러나, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 소스 전극(236)과 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 드레인 전극(238)이 쇼트되면, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 상태일 때에도, 상기 전원배선(미도시)의 전압은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 소스 전극(236)과 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 드레인 전극(238)을 통해 상기 제 1 전극(250)에 인가된다. 따라서, 휘점 불량이 발생한다.
이러한 경우, 제 1 실시예에서와 같이 발광면을 통해 레이저빔빔(LB)를 직접 조사할 수 없는 문제가 있다. 즉, 발광면인 제 2 전극(280)에서 구동 박막트랜지스터(DTr)이 보이지 않기 때문에, 발광면인 제 2 전극(280)에 휘점이 발생한 화소(P)를 표시(marking)한 후 비발광면인 기판(201)에 레이저빔을 조사하여야 한다.
그러나, 제 2 전극(280)에 표시한 후 비발광면인 기판(201)에 레이저빔이 조사되기 때문에 얼라인 불량이 발생할 수 있다. 이러한 경우 휘점 불량이 발생하지 않은 화소(P)를 암점화시키는 문제가 발생할 수 있다.
이러한 문제를 방지하기 위해, 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 전극(250)과 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 연결 지점인 상기 드레인 콘택홀(242)에 대하여 발광면인 제 2 전극(280)에 직접 레이저빔(LB)를 조사함으로써 휘점 불량을 해결한다.
즉, 발광면인 제 2 전극(280)에 레이저빔(LB)을 조사하여, 상기 드레인 콘택홀(242)에 대응하는 제 2 전극(280), 유기발광층(270) 및 제 1 전극(250)을 제거함으로써 휘점이 발생한 화소(P)의 유기전계발광다이오와 구동 박막트랜지스터(DTr)의 연결을 끊게 된다. 따라서, 전원배선(미도시)의 전압은 스위칭 박막트랜지스터(STr)의 상태에 관계 없이 제 1 전극(250)에 전달되지 못하며, 유기전계발광다이오드는 작동하지 않게 됨으로써, 휘점이 발생한 화소(P)를 암점화할 수 있다.
상기 레이저빔(LB)는 펄스 타입이며, 532nm의 파장을 갖고 약 0.5~0.8mJ 정도의 세기를 갖는다. 상기와 같은 파장과 세기를 갖는 레이저빔(LB)에 의해 상기 드레인 콘택홀(242)에 대응하는 상기 제 2 전극(280), 유기발광층(270) 및 제 1 전극(250)을 제거하여 유기전계발광다이오드와 상기 구동 박막트랜지스터(DTr) 사이의 연결을 끊으면서 하부 구성 요소에 손상을 최소화할 수 있다.
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광소자의 제조 및 수리 공정을 보여주는 개략적인 공정 단면도이다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 기판(201)에 제 1 금속층(미도시)을 형성하고 마스크 공정에 의해 패턴함으로써, 제 1 및 제 2 게이트 전극(202, 204)을 형성한다. 또한, 상기 제 1 게이트 전극(202)에 연결되는 게이트 배선(미도시)이 형성된다. 상기 제 1 금속층(미도시)은 저저항 특성을 갖는 금속물질 예를들면 구리(Cu), 구리합금, 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나로 이루어진다.
다음, 상기 제 1 및 제 2 게이트 전극(202, 204)를 덮는 게이트 절연막(210)을 형성한다.
다음, 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 절연막(210) 상에 순수 비정질 실리콘과 불순물 비정질 실리콘을 순차적으로 증착함으로써 순수 비정질 실리콘 물질층(미도시)과 불순물 비정질 실리콘 물질층(미도시)을 형성한 후, 상기 순수 비정질 실리콘 물질층과 상기 불순물 비정질 실리콘 물질층을 마스크 공정에 의해 패터닝함으로써, 상기 게이트 절연막(210) 상에 위치하며 제 1 액티브층(220a), 제 2 액티브층(222a), 제 1 불순물 비정질 실리콘 패턴(224) 및 제 2 불순물 비정질 실리콘 패턴(226)을 형성한다. 상기 제 1 액티브층(220a)은 상기 제 1 게이트 전극(202)와 중첩하며, 상기 제 1 불순물 비정질 실리콘 패턴(224)은 상기 제 1 액티브층(220a) 상에 위치한다. 상기 제 2 액티브층(220b)은 상기 제 2 게이트 전극(204)와 중첩하며, 상기 제 2 불순물 비정질 실리콘 패턴(226)은 상기 제 2 액티브층(220b) 상에 위치한다.
다음, 도 5c에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 불순물 비정질 실리콘 패턴(도 5b의 224) 및 상기 제 2 불순물 비정질 실리콘 패턴(도 5b의 226)과 상기 게이트 절연막(210) 상에 제 2 금속물질을 증착하여 제 2 금속층(미도시)을 형성하고, 마스크 공정에 의해 상기 제 2 금속층(미도시)을 패터닝함으로써, 데이터 배선(230), 제 1 소스 전극(232), 제 2 소스 전극(236), 제 1 드레인 전극(234) 및 제 2 드레인 전극(238)을 형성한다. 상기 데이터 배선(230)은 제 2 방향으로 연장하여 상기 게이트 배선(미도시)과 교차함으로써 화소(P)를 정의하며, 상기 제 1 소스 전극(232)은 상기 데이터 배선(230)으로부터 연장된다.
상기 제 1 소스 전극(232) 및 상기 제 1 드레인 전극(234)은 상기 제 1 불순물 비정질 실리콘 패턴(도 5b의 224) 상에 위치하며 서로 이격됨으로써, 상기 제 1 불순물 비정질 실리콘 패턴(도 5b의 224)의 중앙부를 노출시킨다. 또한, 상기 제 2 소스 전극(236) 및 상기 제 2 드레인 전극(238)은 상기 제 2 불순물 비정질 실리콘 패턴(도 5b의 226) 상에 위치하며 서로 이격됨으로써, 상기 제 2 불순물 비정질 실리콘 패턴(도 5b의 226)의 중앙부를 노출시킨다. 상기 제 2 금속물질은 저저항 특성을 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 구리합금 중 어느 하나일 수 있다.
이후, 이격되어 있는 제 1 소스 전극(232) 및 제 1 드레인 전극(234) 사이로 노출된 상기 제 1 불순물 비정질 실리콘 패턴(도 5b의 224)을 식각하여 제거함으로써, 서로 이격된 제 1 오믹콘택층(220b)을 형성하고, 상기 제 1 액티브층(220a)의 중앙을 노출시킨다. 또한, 이격되어 있는 제 2 소스 전극(236) 및 제 2 드레인 전극(238) 사이로 노출된 상기 제 2 불순물 비정질 실리콘 패턴(도 5b의 226)을 식각하여 제거함으로써, 서로 이격된 제 2 오믹콘택층(222b)을 형성하고, 상기 제 2 액티브층(222a)의 중앙을 노출시킨다. 상기 제 1 액티브층(220a)과 상기 제 1 오믹콘택층(220b)은 상기 반도체층(220)을 구성하고, 상기 제 2 액티브층(222a)과 상기 제 2 오믹콘택층(222b)은 상기 반도체층(222)을 구성한다.
상기 제 1 게이트 전극(202), 상기 게이트 절연막(210), 상기 제 1 반도체층(220), 상기 제 1 소스 전극(232) 및 상기 제 1 드레인 전극(234)은 스위칭 박막트랜지스터(STr)를 이루며, 상기 제 2 게이트 전극(204), 상기 게이트 절연막(210), 상기 제 2 반도체층(222), 상기 제 2 소스 전극(236) 및 상기 제 2 드레인 전극(238)은 구동 박막트랜지스터(DTr)를 이룬다.
다음, 도 5d에 도시된 바와 같이, 상기 데이터 배선(230), 상기 제 1 소스 전극(232), 상기 제 1 드레인 전극(234), 상기 제 2 소스 전극(236), 상기 제 2 드레인 전극(238) 및 상기 게이트 절연막(210) 상에 상기 기판(201) 전체를 덮는 보호층(240)을 형성한다. 상기 보호층(240)은 무기절연물질 또는 유기절연물질로 이루어진다. 예를 들어, 상기 무기절연물질은 산화실리콘 또는 질화실리콘이며, 상기 유기절연물질은 벤조사이클로부텐(BCB) 또는 포토아크릴(photo acryl)이다.
이후, 상기 보호층(240)을 마스크 공정에 의해 패터닝함으로써, 상기 제 2 드레인 전극(238)을 노출시키는 드레인 콘택홀(242)을 형성한다.
다음, 상기 보호층(240) 상에 투명 도전성 물질층(미도시)을 형성하고 마스크 공정에 의해 패터닝함으로써, 제 1 전극(250)을 형성한다. 상기 제 1 전극(250)은 상기 드레인 콘택홀(242)을 통해 상기 제 2 드레인 전극(238)과 접촉한다. 즉, 상기 제 1 전극(250)은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)에 연결된다. 상기 투명 도전성 물질은 ITO일 수 있다. 도시하지 않았으나, 상기 투명 도전성 물질층(미도시)의 형성 전에 불투명 금속층을 형성함으로써, 상기 제 1 전극(250)을 통과한 빛을 반사시켜 광효율을 향상시킬 수 있다.
다음, 도 5e에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 전극(250) 상에 유기발광물질층을 증착하고 마스크 공정에 의해 패터닝하여 유기발광층(270)을 형성한다. 상기 화소(P)의 유기발광층(270)은 적색, 녹색, 청색 중 어느 하나이다.
다음, 도 5f에 도시된 바와 같이, 상기 유기발광층(270) 상에 상기 기판(201)전체에 대응하여 금속물질을 증착함으로써, 상기 유기발광층(270)을 덮는 제 2 전극(280)을 형성한다. 상기 제 2 전극(280)은 Ag/Mg 또는 Cu로 이루어질 수 있다. 상기 제 2 전극(280)은 매우 얇은 두께를 가져 투명하다.
이후, 상기 제 1 전극(250)에 전압이 인가되면 상기 유기발광층(270)에서 발광되어 상기 제 2 전극(280)을 통해 영상을 구현하게 된다. 그런데, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 소스 전극(236)과 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 제 2 드레인 전극(238)이 이물질이나 정전기에 의해 쇼트될 경우, 상기 유기발광층(270)은 계속적으로 발광상태를 갖게 되며, 이러한 휘점 불량의 수리가 필요하다.
본 발명에서는, 도 5g에 도시된 바와 같이, 휘점 불량이 발생한 화소(P)의 유기전계발광다이오드와 구동 박막트랜지스터(DTr)의 연결 지점인 드레인 콘택홀(242)에 대응하여 상기 제 2 전극(280) 방향에서 레이저빔(LB)을 조사한다. 이때, 상기 제 2 전극(280), 상기 유기발광층(270) 및 상기 제 1 전극(250)은 약 3~4㎛ 정도의 두께를 갖고, 상기 레이저빔(LB)은 펄스 타입으로 532nm의 파장과 약 0.5~0.8mJ 정도의 세기를 갖는다.
이러한 레이저빔(LB)의 조사에 의해, 도 5h에 도시된 바와 같이, 상기 드레인 콘택홀(242)에 대응하는 상기 제 2 전극(280), 상기 유기발광층(270) 및 상기 제 1 전극(250)이 제거됨으로써, 유기전계발광다이오드와 상기 구동박막트랜지스터(DTr)의 연결이 끊어진다. 따라서, 휘점 불량이 발생한 상기 화소(P)는 스위칭 박막트랜지스터(STr)나 구동 박막트랜지스터(DTr)의 상태에 관계 없이 비발광상태를 갖게 되어 휘점 불량이 해소된다.
전술한 바와 같이, 본 발명에서의 레이저빔(LB)은 펄스 타입으로 532nm의 파장과 약 0.5~0.8mJ 정도의 세기를 갖는다. 레이저빔(LB)이 이보다 작은 세기를 갖는다면 유기전계발광다이오드와 구동 박막트랜지스터(DTr)의 연결이 완벽하게 끊어지지 못하게 되고, 레이저빔(LB)이 이보다 큰 세기를 갖는다면 하부 구성요소에 손상이 발생할 수 있다. 예를 들어, 하부의 데이터 배선(130) 또는 게이트 배선(미도시)에 손상이 발생하면 이에 연결된 화소열(pixel line) 전체에 불량이 발생하게 된다.
본 발명에서는 상기와 같은 파장과 세기를 갖는 레이저빔(LB)에 의해 하부 구성 요소의 손상 없이 상기 드레인 콘택홀(242)에 대응하는 상기 제 2 전극(280), 유기발광층(270) 및 제 1 전극(250)을 제거하여 유기전계발광다이오드와 상기 구동 박막트랜지스터(DTr) 사이의 연결을 완벽하게 끊을 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
201: 기판
242: 드레인 콘택홀
250: 제 1 전극
270: 유기발광층
280: 제 2 전극
LB: 레이저빔
DTr: 구동 박막트랜지스터
242: 드레인 콘택홀
250: 제 1 전극
270: 유기발광층
280: 제 2 전극
LB: 레이저빔
DTr: 구동 박막트랜지스터
Claims (9)
- 다수의 화소가 정의되어 있는 기판 상에 다수의 게이트 배선을 형성하는 단계와;
상기 다수의 게이트 배선과 교차하여 상기 다수의 화소를 정의하는 다수의 데이터 배선을 형성하는 단계와;
상기 다수의 게이트 배선 또는 상기 다수의 데이터 배선과 평행하게 연장된 전원배선을 형성하는 단계와;
상기 다수의 게이트 배선 중 어느 하나와 상기 다수의 데이터 배선 중 어느 하나에 연결된 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 스위칭 박막트랜지스터 및 상기 전원배선에 연결된 구동 박막트랜지스터를 상기 다수의 화소 각각에 형성하는 단계와;
상기 구동 박막트랜지스터를 덮으며 상기 구동 박막트랜지스터를 노출시키는 드레인 콘택홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계와;
상기 보호층 상에서 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 구동 박막트랜지스터에 연결되는 제 1 전극을 상기 다수의 화소 각각에 형성하는 단계와;
상기 다수의 화소 각각에, 상기 제 1 전극과 접촉하는 유기발광층을 형성하는 단계와;
상기 기판 전체를 덮고 상기 유기발광층과 접촉하는 제 2 전극을 형성하는 단계와;
상기 다수의 화소 중 휘점 불량이 발생한 화소에 위치하는 상기 드레인 콘택홀에 대응하여 펄스 타입으로 532nm의 파장과 0.5~0.8mJ의 세기를 갖는 레이저빔을 조사함으로써 상기 드레인 콘택홀 내에 위치하는 상기 박막트랜지스터를 구성하는 구성요소의 손상없이 상기 제 2 전극과 유기발광층과 제 1 전극을 제거하여 상기 구동 박막트랜지스터와 상기 제 1 전극의 연결을 단절시키는 단계를 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 레이저빔의 조사 단계에 의해, 상기 전원배선과 상기 제 1 전극은 전기적으로 절연되는 것이 특징인 유기전계발광소자의 제조방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 유기발광층으로부터 발광된 빛은 상기 제 2 전극을 통해 방출되는 것이 특징인 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,
상기 레이저빔은 상기 제 2 전극 방향에서 조사되는 것이 특징인 유기전계발광소자의 제조방법.
- 다수의 화소 각각에 위치하는 구동 박막트랜지스터와, 상기 구동 박막트랜지스터를 덮으며 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 갖는 보호층과, 상기 보호층 상에서 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결되며 제 1 전극과 유기발광층과 제 2 전극의 적층 구조를 갖는 유기전계발광다이오드를 포함하는 유기전계발광소자의 수리 방법에 있어서,
상기 다수의 화소 중 휘점 불량이 발생한 화소에 위치하는 상기 드레인 콘택홀에 펄스 타입으로 532nm의 파장과 0.5~0.8mJ의 세기를 갖는 레이저빔을 조사하여 상기 드레인 콘택홀 내에 위치하는 상기 드레인 전극의 손상없이 상기 유기전계발광다오드를 제거하여 상기 유기전계발광다이오드와 상기 드레인 전극의 연결을 단절시키는 단계를 포함하는 유기전계발광소자의 수리방법.
- 삭제
- 제 6 항에 있어서,
상기 유기전계발광다이오드는 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기발광층과, 상기 유기발광층 상에 위치하는 제 2 전극을 포함하고, 상기 유기발광층으로부터 발광된 빛은 상기 제 2 전극을 통해 방출되는 것이 특징인 유기전계발광소자의 수리방법.
- 제 6항에 있어서,
상기 레이저빔은 상기 제 2 전극 방향에서 조사되는 것이 특징인 유기전계발광소자의 수리방법.
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