JP5323667B2 - 有機電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 41
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 143
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 85
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 135
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 15
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 12
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 6
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 8
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
Description
<製造方法>
150:バッファーパターン
151:第1スペーサー
152:第2スペーサー
153:第3スペーサー
P:画素領域
Claims (6)
- 画素領域が定義された第1基板と;
前記第1基板上の前記画素領域に形成されたスイッチング薄膜トランジスタ及び駆動薄膜トランジスタと;
前記スイッチング及び駆動薄膜トランジスタを覆って前記駆動薄膜トランジスタのドレイン電極を露出させて形成された保護層と;
前記保護層上に前記駆動薄膜トランジスタのドレイン電極と接触して形成された第1電極と;
前記第1電極の縁と重なって前記画素領域の境界に形成されたバッファーパターンと;
前記バッファーパターンの上部に前記バッファーパターンと完全に重なって前記バッファーパターンの幅より小さな幅を有し、有機絶縁物質で構成され、第1高さを有して第1方向にダム状を有して形成された第1スペーサーと;
前記バッファーパターンの上部に有機絶縁物質で構成され、前記第1高さを有して前記第1方向と交差する第2方向にダム状を有して形成された第2スペーサーと;
前記バッファーパターン上部に前記第1スペーサーと前記第2スペーサーの高さを合せた第2高さを有して、前記第1及び第2スペーサーが交差する部分のみに前記第1及び第2スペーサーが重なって柱状を有して形成された第3スペーサーと;
前記バッファーパターン内側で前記第1電極上部に形成された有機発光層と;
前記有機発光層と前記第1、2及び3スペーサー上部に全面に形成された第2電極と;
前記第1基板と向き合う第2基板と;
前記第1及び第2基板の縁に介在されたシールパターン
を含み、
前記第1高さは2.5μmないし3μmであり、前記第2高さは5μmないし6μmであることを特徴とする有機電界発光素子。 - 前記スイッチング薄膜トランジスタと連結されて互いに交差するゲート及びデータ配線と;
前記データ配線と平行で前記駆動薄膜トランジスタと連結された電源配線
を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。 - 前記有機発光層は多重層構造で正孔注入層/正孔輸送層/発光物質層/電子輸送層/電子注入層で構成されたことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 画素領域が定義された第1基板上の前記画素領域にスイッチング薄膜トランジスタ及び駆動薄膜トランジスタを形成する段階と;
前記スイッチング及び駆動薄膜トランジスタを覆って前記駆動薄膜トランジスタのドレイン電極を露出させるドレインコンタクトホールを有する保護層を形成する段階と;
前記保護層上に前記画素領域に前記駆動薄膜トランジスタのドレイン電極と前記ドレインコンタクトホールを介して接触する第1電極を形成する段階と;
前記第1電極の縁と重なって前記画素領域の境界にバッファーパターンを形成する段階と;
前記バッファーパターンの上に前記バッファーパターンと完全に重なって、前記バッファーパターンの幅より小さい幅を有し、第1高さのダム状を有して第1方向に延長する第1スペーサーを形成する段階と;
前記バッファーパターンの上に前記第1高さのダム状を有して前記第1方向と交差する第2方向に延長する第2スペーサーを形成し、同時に前記バッファーパターン上部に前記第1スペーサーと前記第2スペーサーの高さを合せた第2高さを有して、前記第1及び第2スペーサーが交差する部分のみに前記第1及び第2スペーサーが重なって柱状を有する第3スペーサーを形成する段階と;
画素領域に対応して開口部を有するシャドーマスクを利用して有機発光物質を蒸着することによって前記バッファーパターン内側で前記第1電極上部に有機発光層を形成する段階と;
前記有機発光層と前記第1、2及び3スペーサー上に全面に第2電極を形成する段階と;
前記第1基板に対応して透明な絶縁材質の第2基板を向き合うようにした後、前記第1及び第2基板の縁にシールパターンを形成して合着する段階
を含み、
前記第1、2及び第3スペーサーを形成する段階は、
前記バッファーパターン上の全面に感光性の第1有機絶縁物質をスピンコーティングを介して塗布することによって第1スペーサー層を形成する段階と;
前記第1スペーサー層をパターニングして前記第1スペーサーを形成する段階と;
前記第1スペーサー上に感光性の第2有機絶縁物質をスピンコーティングを介して塗布することによって第2スペーサー層を形成する段階と;
前記第2スペーサー層をパターニングして前記第2スペーサーを形成して、同時に前記第1スペーサーと重なる部分のみに前記第3スペーサーを形成する段階
を含み、
前記第1高さは2.5μmないし3μmであり、前記第2高さは5μmないし6μmであることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。 - 前記感光性の第1及び第2有機絶縁物質はポリイミド(poly imide)、フォトアクリル(photo acryl)、ベンゾシクロブテン(BCB)の中一つであることを特徴とする請求項4に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1スペーサーと前記第2スペーサーは相異なる有機絶縁物質で構成されたり、または
同じ有機絶縁物質で構成される場合は同じ感光特性を有する有機絶縁物質で構成されることを特徴とする請求項5に記載の有機電界発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090050821A KR101333612B1 (ko) | 2009-06-09 | 2009-06-09 | 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법 |
KR10-2009-0050821 | 2009-06-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010287559A JP2010287559A (ja) | 2010-12-24 |
JP5323667B2 true JP5323667B2 (ja) | 2013-10-23 |
Family
ID=43300420
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009292559A Active JP5323667B2 (ja) | 2009-06-09 | 2009-12-24 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8651910B2 (ja) |
JP (1) | JP5323667B2 (ja) |
KR (1) | KR101333612B1 (ja) |
CN (1) | CN101924120B (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI482311B (zh) * | 2012-10-19 | 2015-04-21 | Univ Nat Sun Yat Sen | 三族氮化物量子井結構及其製造方法 |
KR101456023B1 (ko) | 2012-10-31 | 2014-11-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자의 제조 방법 |
KR102027213B1 (ko) | 2013-05-13 | 2019-10-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시패널의 제조 방법 |
KR102151639B1 (ko) | 2013-10-16 | 2020-09-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102280777B1 (ko) | 2013-12-20 | 2021-07-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US9508778B2 (en) * | 2014-04-25 | 2016-11-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
KR102173510B1 (ko) * | 2014-05-20 | 2020-11-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
KR102471668B1 (ko) * | 2014-11-10 | 2022-11-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법 |
KR102369088B1 (ko) * | 2015-01-29 | 2022-03-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR20180034781A (ko) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102421575B1 (ko) * | 2017-12-01 | 2022-07-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102446139B1 (ko) * | 2017-12-06 | 2022-09-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102014179B1 (ko) * | 2017-12-08 | 2019-08-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치와 그의 제조방법 |
CN110911466B (zh) * | 2019-11-29 | 2022-08-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板及其制备方法、母板的制备方法、掩膜版和蒸镀装置 |
CN111106259B (zh) * | 2019-12-04 | 2021-01-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 可弯折有机发光二极管显示面板及有机发光二极管显示屏 |
CN111244143A (zh) * | 2020-01-17 | 2020-06-05 | 合肥维信诺科技有限公司 | 有机发光显示面板、制备方法和显示装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3809758B2 (ja) * | 1999-10-28 | 2006-08-16 | ソニー株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP2004071554A (ja) | 2002-07-25 | 2004-03-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機elパネルおよびその製造方法 |
JP2004127933A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2004165067A (ja) | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機電界発光パネル |
JP2005322564A (ja) | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Sony Corp | 表示装置の製造方法および表示装置 |
JP2009026828A (ja) * | 2007-07-17 | 2009-02-05 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機el表示装置 |
JP2009070859A (ja) | 2007-09-10 | 2009-04-02 | Casio Comput Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
-
2009
- 2009-06-09 KR KR1020090050821A patent/KR101333612B1/ko active IP Right Grant
- 2009-12-24 CN CN2009102623947A patent/CN101924120B/zh active Active
- 2009-12-24 JP JP2009292559A patent/JP5323667B2/ja active Active
- 2009-12-24 US US12/654,605 patent/US8651910B2/en active Active
-
2014
- 2014-01-16 US US14/157,224 patent/US8736158B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8736158B1 (en) | 2014-05-27 |
KR20100132155A (ko) | 2010-12-17 |
US8651910B2 (en) | 2014-02-18 |
US20140131695A1 (en) | 2014-05-15 |
CN101924120A (zh) | 2010-12-22 |
JP2010287559A (ja) | 2010-12-24 |
US20100309172A1 (en) | 2010-12-09 |
KR101333612B1 (ko) | 2013-11-27 |
CN101924120B (zh) | 2012-09-05 |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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