KR102471668B1 - 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 기판, 박막 트랜지스터, 애노드 전극 그리고 뱅크를 포함한다. 기판에는 화소 영역이 매트릭스 방식으로 정의된다. 박막 트랜지스터는 각 화소 영역에 배치된다. 애노드 전극은 박막 트랜지스터와 연결되며, 화소 영역 내에 배치된다. 그리고 뱅크는 애노드 전극의 외측 테두리를 덮도록 배치되며, 애노드 전극의 외측 테두리로부터 안쪽으로 일정거리 이격된 내측 경계면 및 애노드 전극의 외측 테두리로부터 바깥쪽으로 일정거리 이격된 외측 경계면을 갖는다.

Description

유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법{Organic Light Emitting Diode Display And Method For Manufacturing The Same}
본 발명은 제조 공정을 단순화한 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 하나의 마스크를 이용하여 뱅크와 애노드 전극을 동시에 형성함으로써, 제조 공정에 필요한 마스크 공정 수를 줄인 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광장치 (Electroluminescence Device, EL) 등이 있다.
전계발광장치는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광장치와 유기발광다이오드장치로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.
전계발광소자인 유기발광 다이오드의 특징을 이용한 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode display: OLEDD)에는 패시브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Passive Matrix type Organic Light Emitting Diode display, PMOLED)와 액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Active Matrix type Organic Light Emitting Diode display, AMOLED)로 대별된다.
액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(AMOLED)는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: 박막 트랜지스터)를 이용하여 유기발광 다이오드에 흐르는 전류를 제어하여 화상을 표시한다.
이러한, 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하기 위해서는 포토 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정이 수회 수행된다. 각 마스크 공정은 세정, 노광, 현상 및 식각 등의 부속 공정들을 수반한다.
한번의 마스크 공정이 추가될 때마다, 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하기 위한 제조 시간 및 제조 비용이 상승하고, 불량 발생률이 증가하여 제조 수율이 낮아지는 문제점이 있다. 따라서, 생산비를 절감하고, 생산수율 및 생산효율을 개선하기 위해서 마스크 공정 수를 줄이기 위한 노력이 필요하다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로, 하나의 마스크를 이용하여 뱅크와 애노드 전극을 동시에 형성한 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 기판, 박막 트랜지스터, 애노드 전극 그리고 뱅크를 포함한다. 기판에는 화소 영역이 매트릭스 방식으로 정의된다. 박막 트랜지스터는 각 화소 영역에 배치된다. 애노드 전극은 박막 트랜지스터와 연결되며, 화소 영역 내에 배치된다. 그리고 뱅크는 애노드 전극의 외측 테두리를 덮도록 배치되며, 애노드 전극의 외측 테두리로부터 안쪽으로 일정거리 이격된 내측 경계면 및 애노드 전극의 외측 테두리로부터 바깥쪽으로 일정거리 이격된 외측 경계면을 갖는다.
본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치 제조방법은 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 박막 트랜지스터 위에 오버 코트 층을 도포하고, 박막 트랜지스터의 일부를 노출하는 화소 콘택홀을 형성하는 단계, 오버 코트 층 위에 애노드 전극 물질과, 감광성 절연 물질을 차례로 도포하고, 동시에 패터닝하여, 화소 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터와 접속하는 애노드 전극을 형성하는 단계, 그리고, 감광성 절연 물질을 애싱하여, 애노드 전극의 일부를 노출하는 뱅크를 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명은 유기발광 다이오드 표시장치 제조 시 마스크 공정 수를 저감함으로써, 공정을 단순화할 수 있고, 제조 시간 및 제조 비용을 저감할 수 있다. 또한, 불량 발생률을 낮출 수 있어, 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2를 Ⅱ-Ⅱ'로 절취한 것으로, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 센싱 트랜지스터 및 센싱 배선을 가지는 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치를 나타내는 평면도 및 단면도이다.
도 5 내지 도 12, 도 13a 내지 도 13c는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 공정을 나타낸 단면도들이다.
도 14a 및 도 14b는 본 발명의 뱅크 구조를 종래기술과 비교 설명하기 위한 도면이다.
도 15는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 16은 도 15에 도시된 제2 보호막의 다른 실시 예를 나타내는 단면도이다.
도 17a 내지 도 17e는 도 15에 도시된 유기 발광 다이오드 표시 장치를 제조하는 공정을 나타내는 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 설명한다. 도 1은 본 발명에 의한 유기 발광 다이오드 표시 장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도이다. 도 2는 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 3은 도 2를 Ⅱ-Ⅱ'로 절취한 것으로, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 한 화소는 도 1에 도시된 바와 같이 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 스위칭 박막 트랜지스터(ST)와 연결된 구동 박막 트랜지스터(DT), 및 구동 박막 트랜지스터(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLED)를 포함한다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 영역에 형성되어, 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 스캔 배선(SL)과 연결된 스위칭 게이트 전극(SG)과, 데이터 배선(DL)에서 분기된 스위칭 소스 전극(SS)과, 스위칭 드레인 전극(SD), 및 스위칭 채널 영역(SA)이 정의된 스위칭 반도체 층(SSE)을 포함한다.
구동 박막 트랜지스터(DT)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 기능을 한다. 구동 박막 트랜지스터(DT)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 스위칭 드레인 전극(SD)과 연결된 구동 게이트 전극(DG)과, 구동 전류 배선(VDL)에서 분기된 구동 소스 전극(DS)과, 구동 드레인 전극(DD), 및 구동 채널 영역(DA)이 정의된 구동 반도체 층(DSE)을 포함한다. 구동 박막 트랜지스터(DT)의 구동 드레인 전극(DD)은 화소 콘택홀(PH)을 통해 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극(ANO)과 연결된다.
스위칭 박막 트랜지스터(ST)와 구동 박막 트랜지스터(DT) 하부에는 차광층(SLS, DLS)이 형성된다. 차광층(SLS, DLS)은 산화물 반도체 물질을 이용하여 반도체 층(SSE, DSE)을 형성하는 경우에 외부광으로부터 산화물 반도체 소자를 보호하기 위하여 형성된다. 여기서, 스위칭 차광막(SLS)와 구동 차광막(DLS)는 서로 연결되어 한 몸체로 형성될 수 있다. 또한, 차광막(SLS, DLS)은 게이트 전극(SG, DG)과 연결되어 더블 게이트 구조로 형성될 수도 있다.
차광층(SLS, DLS)과 함께 보조 용량 하부 전극(ST)이 형성될 수 있다. 보조 용량(STG)은 절연막을 사이에 두고 중첩하는 보조 용량 하부 전극(ST)과 애노드 전극(ANO)에 의해 형성될 수 있다.
애노드 전극(ANO) 위에는 뱅크(BN)가 형성된다. 뱅크(BN)는 애노드 전극(ANO)의 외측 테두리를 덮도록 형성되며, 애노드 전극(ANO)의 외측 테두리로부터 안쪽으로 일정거리 이격된 내측 경계면(IS) 및 애노드 전극(ANO)의 외측 테두리로부터 바깥쪽으로 일정거리 이격된 외측 경계면(OS)을 갖는다. 뱅크(BN)의 내측 경계면(IS)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)의 일부는 발광 영역(AA)으로 정의된다. 내측 경계면(IS)과 외측 경계면(OS)을 갖는 뱅크(BN)는 발광 영역(AA)을 제외한 애노드 전극(ANO)의 상면 및 측면을 덮도록 형성된다. 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서, 뱅크(BN)는 발광 영역(AA)을 정의함과 동시에, 애노드 전극(ANO)이 형성된 영역 중 비 발광 영역에 해당하는 보조 용량(STG) 영역과 화소 콘택홀(PH) 영역을 덮도록 형성된다.
더욱 자세하게는, 기판(SUB) 상에 스위칭 차광층(SLS), 구동 차광층(DLS), 및 보조 용량 하부 전극(ST)이 형성된다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)가 형성될 영역에는 스위칭 차광층(SLS)이 형성되고, 구동 박막 트랜지스터(DT)가 형성될 영역에는 구동 차광층(DLS)이 형성된다. 또한, 보조 용량(STG)이 형성될 영역에 보조 용량 하부 전극(ST)이 형성된다.
버퍼 층(BUF)은 차광층(SLS, DLS) 및 보조 용량 하부 전극(ST) 위에 도포되어, 기판(SUB) 전체 표면을 덮도록 형성된다. 버퍼 층(BUF) 위에는 반도체 층(SSE, DSE)이 형성된다. 반도체 층(SSE, DSE)의 채널 영역(SA, DA)은 차광층(SLS, DLS)과 중첩되도록 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 스위칭 채널 영역(SA)은 스위칭 차광층(SLS)과 중첩되며, 구동 채널 영역(DA)은 구동 차광층(DLS)과 중첩되도록 형성된다. 스위칭 채널 영역(SA) 및 구동 채널 영역(DA)의 상부에는 게이트 절연막(GI)과 게이트 전극(SG, DG)이 형성된다.
게이트 전극(SG, DG)이 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에는 층간 절연막(IN)이 형성된다. 층간 절연막(IN) 위에는 데이터 배선(DL)에서 분기된 스위칭 소스 전극(SS), 스위칭 소스 전극(SS)과 대향하여 배치된 스위칭 드레인 전극(SD)이 형성된다. 스위칭 소스 전극(SS)은 스위칭 소스 콘택홀(SSH)을 통해 스위칭 반도체 층(SSE)의 일측과 연결된다. 스위칭 드레인 전극(SD)은 스위칭 드레인 콘택홀(SDH)을 통해 스위칭 반도체 층(SSE)의 타측과 연결된다. 또한, 층간 절연막(IN) 위에는 구동 전류 배선(VDL)에서 분기된 구동 소스 전극(DS), 구동 소스 전극(DS)과 대향하여 배치된 구동 드레인 전극(DD)이 형성된다. 구동 소스 전극(DS)은 구동 소스 콘택홀(DSH)을 통해 구동 반도체 층(DSE)의 일측과 연결된다. 구동 드레인 전극(DD)은 구동 드레인 콘택홀(DDH)을 통해 구동 반도체 층(DSE)의 타측과 연결된다. 이로써, 스위칭 박막 트랜지스터(ST) 및 구동 박막 트랜지스터(DT)가 완성된다. 이때, 스위칭 드레인 전극(SD)은 게이트 콘택홀(GH)을 통해 구동 게이트 전극(DG)과 연결된다.
박막 트랜지스터들(ST, DT)이 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에는 보호층(PAS)이 형성된다. 보호층(PAS) 위의 발광 영역(AA)에는 컬러 필터(CF)가 배치될 수 있다. 각 화소에는 적색, 녹색, 청색의 컬러 필터(CF) 중 어느 하나가 배치되며, 이들이 교대로 배치될 수 있다. 컬러 필터(CF)는 적색, 녹색, 청색 컬러 필터(CF) 외에 백색의 컬러 필터(CF)를 더 포함할 수도 있다. 이 때, 화소 영역 중 박막 트랜지스터들(ST, DT)이 형성된 영역 위에도, 박막 트랜지스터들(ST, DT)을 덮도록 적색 및/또는 녹색의 컬러 필터(CF)가 연장되어 형성될 수도 있다. 또한, 데이터 배선(DL), 스캔 배선(SL) 및 구동 전류 배선(VDL) 중 적어도 어느 하나의 신호 배선 상에는 적어도 1층의 컬러 필터(CF)가 형성된다. 이에 따라, 신호 배선 및 캐소드 전극(CAT) 사이의 거리가 멀어지므로 신호 배선 및 캐소드 전극(CAT) 간의 기생 커패시턴스를 감소시킬 수 있다. 이 때, 신호 배선 상에는 인접한 화소들의 컬러필터들(CF)이 다층으로 적층될 수도 있다. 예를 들어, 청색(B) 및 녹색(G) 화소들 사이에 위치하는 데이터 배선들(DL) 상에는 청색(B) 및 녹색(G) 컬러 필터들(CF)이 적층된다. 이 경우, 신호 배선 상의 다층 구조의 컬러 필터들(CF)은 빛샘에 의한 인접한 화소의 혼색을 방지하는 블랙매트릭스의 역할을 한다.
한편, 컬러 필터(CF)는 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이 레퍼런스 배선(RL) 및 센싱 박막 트랜지스터(SET)를 포함하는 화소 구동 회로(PC)를 가지는 유기 발광 다이오드 표시 장치에서도 적용될 수 있다. 도 4a에 도시된 R/B/G/W 화소들은 데이터 배선들(DL1~DL4)과 각각 접속되고, 한 레퍼런스 배선(RL)을 공유한다. 한 쌍의 데이터 배선(DL1, DL2)은 적색(R)/청색(B) 화소들 사이에 나란하게 배치되고, 다른 한 쌍의 데이터 배선(DL3, DL4)는 녹색(G)/백색(W) 화소들 사이에 나란하게 배치된다. 적색(R) 화소의 좌측에 배치된 한 구동 전류 배선(VDL)은 적색(R)/청색(B) 화소들과 공통 접속되고, 백색(W) 화소의 우측에 배치된 다른 구동 전류 배선(VDL)은 녹색(G)/백색(W) 화소들과 공통 접속되어 고전위 전압(VDD)을 공급한다. 이 때, 레퍼런스 배선(RL)은 청색(B) 및 녹색(G) 화소 사이에 위치하므로, 레퍼런스 배선(RL) 상부에는 도 4b에 도시된 바와 같이 청색(B) 및 녹색(G) 컬러 필터들(CF)이 적층된다. 이에 따라, 레퍼런스 배선(RL) 및 캐소드 전극(CAT) 사이의 거리가 청색(B) 및 녹색(G) 컬러 필터들(CF)에 의해 멀어지므로 레퍼런스 배선(RL) 및 캐소드 전극(CAT) 사이의 기생 커패시턴스를 감소시킨다. 이외에도 레퍼런스 배선(RL) 상에 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 컬러 필터(CF) 중 적어도 2개의 컬러 필터(CF)가 적층되도록 화소 배치 구조를 변경하여도 레퍼런스 배선(RL) 및 캐소드 전극(CAT) 사이의 기생 커패시턴스를 감소시킬 수 있다. 이러한 컬러 필터(CF)가 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에 평탄화를 위한 오버 코트 층(OC)이 형성된다.
오버 코트 층(OC) 위에는 애노드 전극(ANO)과 뱅크(BN)가 형성된다. 애노드 전극(ANO)은 오버 코트 층(OC)과, 보호 층(PAS)을 관통하도록 형성된 화소 콘택홀(PH)을 통해 구동 박막 트랜지스터(DT)의 구동 드레인 전극(DD)과 연결된다. 이때, 애노드 전극(ANO)과 보조 용량 하부 전극(ST) 사이에서 절연막들을 매개로 하여 보조 용량(STG)이 형성된다.
뱅크(BN)는 애노드 전극(ANO)의 형상을 정의함과 동시에 발광 영역(AA)을 정의하도록 형성된다. 예를 들어, 뱅크(BN)는 애노드 전극(ANO)의 외측 테두리 둘레를 덮도록 형성된다. 뱅크(BN)의 내측 경계면(IS)은 애노드 전극(ANO) 위에 위치하여 애노드 전극(ANO)의 상부 표면과 접촉되고, 외측 경계면(OS)은 오버 코트 층(OC) 위에 위치하여, 오버 코트 층(OC)의 상부 표면과 접촉된다. 평면 상에서 볼 때, 뱅크(BN)의 외측 경계면(OS)은 애노드 전극(ANO)의 형상과 동일한 형상을 갖고, 내측 경계면(IS)은 애노드 전극(ANO)에서 발광 영역(AA)을 노출하는 형상을 갖는다.
노출된 애노드 전극(ANO) 상에는 유기 발광 층(OLE)이 형성되고, 유기 발광 층(OLE) 상에는 유기 발광 층(OLE)을 덮도록 캐소드 전극(CAT)이 형성된다. 이로써, 애노드 전극(ANO), 유기 발광 층(OLE), 캐소드 전극(CAT)을 포함하는 유기발광 다이오드(OLED)가 완성된다. 이때, 유기발광 다이오드(OLED)는 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결되어 구동된다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 방법을 설명한다. 도 5 내지 도 12, 도 13a 내지 도 13c는 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 제조하는 공정을 나타낸 단면도들이다.
도 5를 참조하면, 기판(SUB) 전체 표면 위에 불투명하고, 차광 성능이 우수한 차광 물질을 도포한다. 혹은, 전도성이 우수한 금속 물질을 도포할 수도 있다. 제1 마스크 공정으로 차광 물질을 패터닝하여 차광층(SLS, DLS)을 형성한다. 금속 물질을 사용한 경우에는 보조 용량을 형성하기 위한 보조 용량 하부 전극(ST)을 함께 형성할 수 있다. 차광 층(SLS, DLS)은 나중에 형성될 박막 트랜지스터의 반도체 층 특히, 채널 영역과 중첩하도록 형성하는 것이 바람직하다. 차광 층(SLS, DLS)은 외부광으로부터 산화물 반도체 소자를 보호하는 기능을 한다. 차광 층(SLS, DLS)이 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에 절연 물질을 도포하여, 버퍼 층(BUF)을 형성한다.
도 6을 참조하면, 버퍼 층(BUF)이 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에 반도체 물질을 도포한다. 반도체 물질은 인듐 갈륨 징크 옥사이드(Indium Gallium Zinc Oxide; IGZO)와 같은 산화물 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제2 마스크 공정으로 반도체 물질을 패터닝하여 반도체 층(SSE, DSE)을 형성한다.
도 7를 참조하면, 반도체 층(SSE, DSE)이 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에 절연 물질과 금속 물질을 연속으로 도포한다. 제3 마스크 공정으로 절연물질과 금속물질을 함께 패터닝하여, 게이트 절연막(GI)과 이와 중첩하는 게이트 전극들(SG, DG)을 형성한다. 게이트 전극들(SG, DG)은 반도체 층의 중앙 영역과 중첩하고 반도체 층의 양측변은 노출하도록 형성한다. 반도체 층의 중앙 영역은 각각 스위칭 박막 트랜지스터의 스위칭 채널 층(SA) 및 구동 박막 트랜지스터의 구동 채널 층(DA)으로 정의된다. 노출된 반도체 층은 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터 각각의 소스-드레인 전극들과 접촉하는 소스 영역들(SSA, DSA)과 드레인 영역(SDA, DDA)들이 된다. 반도체 물질이 산화물 반도체 물질인 경우 소스 영역들(SSA, DSA)과 드레인 영역(SDA, DDA)들을 플라즈마 처리 공정으로 도체화 할 수 있다.
도 8을 참조하면, 게이트 전극들(SG, DG)이 형성된 기판(SUB) 전체 표면 위에 절연 물질을 도포하여 층간 절연막(IN)을 형성한다. 제4 마스크 공정으로 층간 절연막(IN)을 패터닝하여 반도체 층의 소스 영역들(SSA, DSA)을 노출하는 콘택홀(SSH, DSH)들과 반도체 층의 드레인 영역들(SDA,DDA)을 노출하는 콘택홀들(SDH, DDH)을 형성한다. 이때, 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극(DG)의 일부를 노출하는 게이트 콘택홀(GH)도 형성한다.
도 9를 참조하면, 콘택홀들이 형성된 층간 절연막(IN) 위에 도전 물질을 도포한다. 제5 마스크 공정으로 도전 물질을 패터닝하여 구동 전류 배선(VDL), 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 소스 전극(SS) 및 드레인 전극(SD) 그리고 구동 박막 트랜지스터(DT)의 소스 전극(DS) 및 드레인 전극(DD)을 형성한다. 이때, 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 드레인 전극(SD)은 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DG)과 연결된다.
도 10을 참조하면, 박막 트랜지스터들(ST, DT)이 형성된 기판 전체 표면 위에 절연물질을 도포하여, 보호 층(PAS)을 형성한다. 보호 층(PAS) 위에 적색, 녹색, 청색의 안료를 도포하고, 제6, 제7, 및 제8 마스크 공정으로 이를 각각 패터닝하여 적색, 녹색, 청색의 컬러 필터(CF)를 순차적으로 형성할 수 있다. 적색, 녹색, 청색의 컬러 필터(CF) 각각은 적색, 녹색, 청색을 표시하고자 하는 화소 영역에 각각 대응되도록 하나씩 배치된다. 이때, 화소 영역 중 박막 트랜지스터들(ST, DT)이 형성된 영역 위에도, 박막 트랜지스터들(ST, DT)을 덮도록 적색 및/또는 녹색의 컬러 필터(CF)가 연장되어 형성될 수도 있다.
도 11을 참조하면, 컬러 필터(CF)가 형성된 기판 전체 표면 위에 절연 물질을 도포하여 오버 코트 층(OC)을 형성한다. 제9 마스크 공정으로 오버 코트 층(OC)을 패터닝하여 화소 콘택홀이 형성될 영역과 보조 용량이 형성될 영역의 보호 층(PAS)을 노출시킨다.
도 12를 참조하면, 제10 마스크 공정으로 보호 층(PAS)을 패터닝하여 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DD)의 일부를 노출하는 화소 콘택홀(PH)을 형성한다.
도 13a 내지 도 13c를 참조하여, 본 발명의 핵심 내용인 애노드 전극과 뱅크를 단일 마스크 공정으로 형성하는 과정을 설명한다.
보호층(PAS)과 오버 코트 층(OC)을 덮도록 기판(SUB) 전체 표면 위에 도전 물질(MM)과 감광성 절연 물질(IM1)을 연속적으로 도포한다. 제11 마스크 공정으로 도전 물질(MM)과 감광성 절연 물질(IM1)을 패터닝하기 위해 하프톤 마스크(HM)를 준비한다. 하프톤 마스크(HM)는 조사된 모든 광을 차단하는 차단부(X), 조사된 광의 일부만 투과시키고 일부는 차단하는 반투과부(Y) 및 조사된 광을 전부 투과시키는 투과부(Z)을 포함한다. 이어서, 준비된 하프톤 마스크(HM)를 통해 선택적으로 광을 조사한다. 감광성 절연 물질(IM1)은 포지티브 타입의 포토 레지스트 물질일 수 있고, 네거티브 타입의 포토 레지스트 물질일 수 있다. 이하, 감광성 절연 물질(IM1)이 포지티브 포토 레지스트 물질인 경우를 예로 들어 설명한다. (도 13a)
하프톤 마스크(HM)를 통해 노광된 감광성 절연 물질(IM1)을 현상하면, 노광시 광이 전량 투고된 투과부(Z)의 감광성 절연 물질은 제거되고, 광량이 제한된 차단부(X)와 반투과부(Y)의 감광성 절연 물질은 잔류하여 감광성 절연 패턴(IM2)으로 형성된다. 이때, 차단부(X)의 감광성 절연 패턴(IM2)이 반투과부(Y)의 감광성 절연 패턴(IM2)보다 두껍게 형성된다. 잔류한 감광성 절연 패턴(IM2)을 이용한 마스크 공정으로 금속 물질(MM)을 패터닝하여 애노드 전극(ANO)을 형성한다. 이때, 애노드 전극(ANO)의 형상을 결정하는 외측 테두리 끝단은 잔류한 감광성 절연 패턴(IM2) 내부로 언더 컷(under-cut) 될 수 있다. 이후, 잔류한 감광성 절연 패턴(IM2)은 큐어링(curing) 공정을 통해 리플로우(reflow) 되어, 애노드 전극(ANO)의 외측 테두리 둘레를 덮도록 형성된다. (도 13b)
이어서, 잔류한 감광성 절연 패턴(IM2)의 두께 일부를 제거하는 애싱(ashing)공정을 진행하여 차단부(X)의 감광성 절연 물질만이 잔류하도록 한다. 잔류한 감광성 절연 물질은 뱅크(BN)가 된다. 이때, 애노드 전극(ANO)의 중앙부 대부분이 노출되며, 애노드 전극(ANO)의 노출된 부분이 발광 영역(AA)이 된다. 뱅크(BN)는 애노드 전극(ANO)의 외측 테두리를 덮도록 형성된다. 즉, 뱅크(BN)는 애노드 전극(ANO)의 외측 테두리로부터 안쪽으로 일정거리 이격된 내측 경계면(도 3 의 IS 참조) 및 애노드 전극(ANO)의 외측 테두리로부터 바깥쪽으로 일정거리 이격된 외측 경계면(도 3의 OS 참조)을 갖는다. (도 13c)
뱅크(BN)를 형성하기 위한 절연 물질은 감광 특성을 가지며, 마스크 공정 시 포토 레지스트와 같은 기능을 할 수 있다. 본 발명은 감광 특성을 갖는 절연 물질을 이용하여, 하나의 마스크 공정으로, 애노드 전극(ANO)과 뱅크(BN)를 동시에 형성하는 것을 특징으로 한다.
이로써, 본 발명은 유기발광 다이오드 표시장치 제조 시 마스크 공정 수를 저감함으로써, 공정을 단순화할 수 있고, 제조 시간 및 제조 비용을 저감할 수 있다. 또한, 불량 발생률을 낮출 수 있어, 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
이하, 도 14a 및 도 14b를 참조하여, 본 발명에서 뱅크가 형성된 구조를 종래기술과 비교하여 설명한다. 도 14a 및 도 14b는 본 발명의 뱅크 구조를 종래기술과 비교 설명하기 위한 도면이다.
종래기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서의 뱅크(BN)는 애노드 전극(ANO)의 중앙부 대부분을 노출하면서 기판 전면에 형성된다. 뱅크(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)의 중앙부 대부분은 발광 영역(AA)이 된다. 즉, 종래기술에 의한 뱅크(BN)는 기판 전체에서 발광 영역(AA)을 제외한 빗금 친 전 영역에 형성된다.(도 14a)
이에 비하여, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서의 뱅크(BN)는 애노드 전극(ANO)의 중앙부 대부분을 노출하면서 애노드 전극(ANO)의 외측 테두리를 덮도록 형성된다. 뱅크(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)의 중앙부 대부분은 발광 영역(AA)이 된다. 이에 따라, 본 발명에 의한 뱅크(BN)는 발광 영역(AA)을 제외한 애노드 전극(ANO)의 외측 테두리 둘레를 덮도록 형성되어, 중앙의 발광 영역(AA)이 개방된 섬(island) 모양을 갖는다. (도 14b)
본 발명의 제1 실시 예의 특징은 감광 특성을 갖는 절연 물질을 이용하여, 애노드 전극(ANO)과 뱅크(BN)를 하나의 마스크 공정으로 형성하는 것이다. 따라서, 애노드 전극(ANO)을 형성하기 전의 구조 및 공정은 전술한 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명은 유기발광 다이오드를 구동할 수 있는 모든 구조 및 공정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 15에 도시된 바와 같이 보조 전극을 구비하는 구조에서도 애노드 전극(ANO) 및 뱅크(BN)를 하나의 마스크 공정을 형성할 수 있다.
도 15는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 15에 도시된 유기 발광 다이오드 표시 장치는 구동 박막트랜지스터(DT), 유기 발광 다이오드(OLED), 보조 용량, 제1 및 제2 연결 전극(CE1,CE2)과, 보조 전극(Aux)과, 게이트 및 데이터 패드(GP,DP)와, 분리홈(SEG), 화소 콘택홀(PH) 및 보조 콘택홀(AuH)을 가지는 제2 보호막(PAS2)을 구비한다. 제 2 콘택홀(CH2)을 제외하여 제 1 연결전극(CE1), 상기 구동 트랜지스터(T)와 보조 용량을 덮으며, 오버코트층(OC)이 구비되고, 상기 제 2 콘택홀(CH2)을 통해 제 2 연결 전극(CE2)이 제 1 연결 전극(CE1)과 접속되어 형성되고, 오버코트층(OC) 상에 보조 전극(Aux)이 구비된다. 그리고, 상기 보조 전극(Aux), 제 2 연결 전극(CE2) 및 오버코트층(OC) 상에 제 2 보호막(PAS2)이 구비된다. 여기서, 도 15에 도시된 유기 발광 다이오드 표시 장치는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치와 대비하여 동일한 구성에 대해서 동일한 도면 부호를 부여하고, 각각의 구성의 재료 및 구조 등에 있어서 반복되는 부분에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.
도 15에 도시된 게이트 패드(GP)는 게이트 배선(GL)과 접속된 게이트 패드 하부 전극(LGP)과, 제1 보호막(PAS1)을 관통하는 게이트 패드 콘택홀(GPH)과, 그 게이트 패드 콘택홀(GPH)을 통해 게이트 패드 하부 전극(LGP)과 접속되는 게이트 패드 상부 전극(UGP)을 구비한다.
데이터 패드(DP)는 데이터 배선(DL)과 접속된 데이터 패드 하부 전극(LDP)과, 제1 보호막(PAS1)을 관통하는 데이터 패드 콘택홀(DPH)과, 그 데이터 패드 콘택홀(DPH)을 통해 데이터 패드 하부 전극(LDP)과 접속되는 데이터 패드 상부 전극(UDP)을 구비한다.
여기서, 게이트 및 데이터 패드 상부 전극(UGP,UDP)은 제1 보호막(PAS1) 상에 위치하는 제1 연결 전극(CE1)과 동일 재질로 형성된다.
제1 연결 전극(CE1)은 제1 보호막(PAS1)을 관통하도록 형성된 제1 전극 콘택홀(CH1)을 통해 구동 드레인 전극(DD)과 접속된다. 제2 연결 전극(CE2)은 오버코트층(OC)을 관통하도록 형성된 제2 전극 콘택홀(CH2)에 의해 노출된 제1 연결 전극(CE1)과 접속되며, 화소 콘택홀(PH)을 통해 애노드 전극(ANO)과 접속된다.
보조 용량 하부 전극(ST1)은 층간 절연막(IN)을 사이에 두고 보조 용량 상부 전극(ST2)과 중첩되어 보조 용량(Cst)이 형성된다. 이 때, 보조 용량 하부 전극(ST1)은 구동 게이트 전극(DG)과 동일 재질로 동일 평면 상에 위치하며, 보조 용량 상부 전극(ST2)은 구동 드레인 전극(DD)과 동일 재질로 동일 평면 상에 위치한다.
보조 전극(Aux)은 오버코트층(OC) 상에 전도성이 좋은 금속으로 형성된다. 이 보조 전극(Aux)은 보조 컨택홀(AuH)에 의해 노출되어 캐소드 전극(CAT)과 접속됨으로써 캐소드 전극(CAT)의 저항 성분을 낮출 수 있다.
보조 전극(Aux) 및 제2 연결 전극(CE2)을 덮도록 형성되는 제2 보호막(PAS2)은 게이트 패드(GP) 및 데이터 패드(DP)가 형성된 패드 영역을 제외한 나머지 영역에 형성된다. 이 제2 보호막(PAS2)은 분리홈(SEG), 화소 콘택홀(PH) 및 보조 콘택홀(AuH)을 가지도록 형성된다.
화소 콘택홀(PH)은 제2 보호막(PAS2)을 관통하여 제2 연결 전극(CE2)을 노출시킨다.
분리홈(SEG)은 제2 보호막(PAS2)에 일부를 제거하여 형성되어 보조 콘택홀(AuH)보다 낮은 깊이로 형성된다. 그리고, 분리홈(SEG)은 화소 콘택홀(PH) 및 보조 콘택홀(AuH) 사이에서 보조 콘택홀(AuH)보다 선폭(W1)이 작다. 이 분리홈(SEG)에 의해 노출된 제2 보호막(PAS2)의 측면은 애노드 전극(ANO)의 측면을 덮도록 형성된 뱅크(BN)의 하부면과 접촉한다. 이에 따라, 보조 컨택홀(AuH)과 대응되는 영역에서 애노드 전극(ANO)과 캐소드 전극(CAT)이 접촉되더라도, 분리홈(SEG)과 대응되는 영역에서 애노드 전극(ANO) 및 캐소드 전극(CAT)이 분리되어 있어 애노드 전극(ANO) 및 캐소드 전극(CAT)의 전기적인 쇼트 불량을 방지할 수 있다.
보조 콘택홀(AuH)은 제2 보호막(PAS2)을 관통하여 보조 전극(Aux)을 노출시킨다. 이 보조 콘택홀(AuH)에 의해 노출된 제2 보호막(PAS2)의 측면은 뱅크(BN)의 측면뿐만 아니라 애노드 전극(ANO)의 측면보다 내측에 위치하는 언더컷 구조로 형성된다. 즉, 보조 콘택홀(AuH)에 의해 노출된 제2 보호막(PAS2)의 측면은 애노드 전극(ANO)의 하부면을 노출시키도록 애노드 전극(ANO)의 하부면과 접촉한다. 이에 따라, 보조 콘택홀(AuH)의 선폭(W2)은 보조 콘택홀(AuH)을 둘러싸는 뱅크들(BN) 간의 이격거리(d)보다 넓게 형성되므로 보조 콘택홀(AuH)의 선폭(W2)은 보조 전극(Aux) 상에 위치하는 유기 발광층(OLE)의 선폭보다 길다. 이 경우, 유기 발광층(OLE)은 쉐도우 마스크를 이용하여 증착되므로 수직 방향으로의 증착률만이 양호하여 스텝 커버리지(Step coverage)가 캐소드 전극(CAT)보다 낮다. 이에 따라, 유기 발광층(OLE)은 뱅크들(BN) 사이의 이격 영역을 통과하여 보조 콘택홀(AuH)에 의해 노출된 보조 전극(Aux)의 상부면의 중앙영역에만 형성되고 제2 보호막(PAS2)의 측면 및 보조 전극(Aux)의 상부면의 외곽부 영역에 형성되지 않는다. 반면, 캐소드 전극(CAT)은 수평, 수직 및 경사 방향으로의 증착률이 양호한 스퍼터링 등의 증착 방향으로 증착되므로 유기 발광층보다 스텝 커버리지가 좋다. 이에 따라, 캐소드 전극(CAT)은 보조 콘택홀(AuH)에 의해 노출된 제2 보호막(PAS2)의 측면, 보조 전극(Aux)의 상부면의 외곽 영역 및 유기 발광층(OLE) 상에 형성된다. 이에 따라, 캐소드 전극(CAT)은 보조 콘택홀(AuH)을 통해 노출된 보조 전극(Aux)의 상부면의 외곽영역과 전기적으로 접속될 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 제2 실시 예에서는 보조 콘택홀(AuH)에 의해 노출된 제2 보호막(PAS2)의 측면보다 더 돌출된 뱅크(BN) 및 애노드 전극(ANO)은 격벽 역할을 하게 된다. 즉, 제2 보호막(PAS2)의 측면보다 더 돌출된 애노드 전극(ANO) 및 뱅크(BN) 들 사이의 이격 영역을 통과한 유기 발광층(OLE)은 격벽없이도 보조 콘택홀(AuH) 내에 일부에만 형성된다. 이에 따라, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치는 격벽을 별도로 형성하지 않아도 되고, 애노드 전극 및 뱅크를 하나의 마스크 공정으로 형성가능하므로, 종래에 비해 2개의 마스크공정을 절감할 수 있다. 그 결과, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치는 비용을 절감하고 생산성을 향상시킬 수 있다.
한편, 본 발명의 제2 실시 예에서는 제2 보호막(PAS2)이 분리홈(SEG) 및 보조 콘택홀(AuH)을 구비하는 것을 예로 들어 설명하였지만, 이외에도 도 16에 도시된 바와 같이 오버코트층 (OC) 상의 제2 보호막(PAS2)은 분리홈(SEG)없이 보조 콘택홀(AuH)만을 구비할 수도 있다. 이 경우, 보조 콘택홀(AuH)을 둘러싸는 뱅크(BN)는 도 16에 도시된 바와 같이 애노드 전극(ANO)의 측면을 덮도록 형성되고, 애노드 전극(ANO)의 하부면은 제2 보호막(PAS2)과 완전히 접촉되고, 뱅크들(BN) 사이의 이격거리(d)는 보조 콘택홀(AuH)의 선폭(W2)보다 좁게 형성된다.
도 17a 내지 도 17e는 도 15에 도시된 유기 발광 다이오드 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
먼저, 제1 마스크 공정으로 차광층(DLS)을 형성한다. 제2 마스크 공정으로 버퍼층(BUF) 상에 반도체층(DA)을 형성한다. 제3 마스크 공정으로 게이트 절연막(GI), 게이트 전극(DG) 및 보조 용량 하부 전극(ST1)을 형성한다. 제4 마스크 공정으로, 소스 영역 및 드레인 영역을 노출하는 콘택홀들을 가지는 층간 절연막(IN)을 형성한다. 제5 마스크 공정으로 소스 및 드레인 전극(DS,DD), 패드 하부 전극(LDP,LGP) 및 보조 용량 상부 전극(ST2)을 형성한다. 제6 마스크 공정으로 드레인 전극(DD)을 노출하는 제1 전극 컨택홀(CH1), 패드 하부 전극(LDP,LGP)을 노출하는 패드 컨택홀(DPH,GPH)을 가지는 제1 보호막(PAS1)을 형성한다. 제7 마스크 공정으로 제1 연결 전극(CE1) 및 패드 상부 전극(UDP,UGP)을 형성한다. 제8 마스크 공정으로 제2 전극 콘택홀(CH2)을 가지는 오버코트층(OC)을 형성한다. 9 마스크 공정으로 제2 연결 전극(CE2) 및 보조 전극(Aux)을 형성한다. 제10 마스크 공정으로 화소 콘택홀(PH)을 가지는 제2 보호막(PAS2)을 형성한다. 이 때, 제2 보호막(PAS2)은 오버코트층(OC)과 동일 특성인 재질, 예를 들어 유기 절연 물질로 형성된다.
그런 다음, 도 17a에 도시된 바와 같이 제2 보호막(PAS2)이 형성된 기판(SUB) 전면 상에 도전 물질(MM)과, 감광성 절연 물질을 연속적으로 도포한다. 이 후, 멀티-톤(Multi-Tone) 마스크를 이용한 제11 마스크 공정으로 감광성 절연 물질을 노광 및 현상함으로써 도전 물질(MM) 상에 다단 구조의 감광성 절연 패턴(IM2)이 형성된다. 다단 구조의 감광성 절연 패턴(IM2)은 멀티-톤 마스크의 제1 반투과부와 대응되는 영역에서 제1 두께로 형성되는 제1 감광성 절연 패턴(IMA)과, 멀티-톤 마스크의 제2 반투과부와 대응되는 영역에서 제1 두께보다 두꺼운 제2 두께로 형성되는 제2 감광성 절연 패턴(IMB)과, 멀티-톤 마스크의 차단부와 대응되는 영역에서 제2 두께보다 두꺼운 제3 두께로 형성되는 제3 감광성 절연 패턴(IMC)을 구비한다. 그리고, 멀티-톤 마스크의 투과부와 대응되는 영역에서는 감광성 절연 물질이 제거되므로 감광성 절연 패턴(IM2)이 형성되지 않는다.
그런 다음, 다단 구조의 감광성 절연 패턴(IM2)을 마스크로 이용하여 도전 물질(MM)을 습식 식각함으로써 도 17b에 도시된 바와 같이 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 이 때, 애노드 전극(ANO)의 측면은 감광성 절연 패턴(IM2)의 측면보다 내측에 위치한다.
그런 다음, 다단 구조의 감광성 절연 패턴(IM2)을 마스크로 이용하여 제2 보호막(PAS2)을 1차 건식 식각함으로써 도 17c에 도시된 바와 같이 소정 깊이의 보조 컨택홀(AuH)이 형성된다. 이후, 다단 구조의 감광성 절연 패턴(IM2)을 1차 애싱함으로써 제2 및 제3 감광성 절연 패턴(IMB,IMC)은 두께가 낮아지고, 제1 두께의 제1 감광성 절연 패턴(IMA)은 제거되어 애노드 전극(ANO)을 노출시킨다. 노출된 애노드 전극(ANO)은 두께가 낮아진 제2 및 제3 감광성 절연 패턴(IMB,IMC)을 마스크로 이용하여 습식 식각됨으로써 분리홀(SEG)과 대응되는 영역의 제2 보호막(PAS2)이 노출된다. 이 후, 큐어링 공정을 통해 제2 및 제3 감광성 절연 패턴(IMB,IMC)은 리플로우(Reflow)됨으로써 제2 및 제3 감광성 절연 패턴(IMB,IMC)은 애노드 전극(ANO)의 측면을 덮도록 형성된다.
그런 다음, 다단 구조의 제2 및 제3 감광성 절연 패턴(IMB,IMC)을 마스크로 이용하여 제2 보호막(PAS2)을 2차 건식 식각한다. 이에 따라, 도 17d에 도시된 바와 같이 보조 콘택홀(AuH)은 보조 전극(Aux)의 하부면을 일부 노출시키도록 형성되며, 분리홈(SEG)은 제2 보호막(PAS2)이 일부 제거되어 형성되며, 게이트 패드 상부 전극(UGP) 및 데이터 패드 상부 전극(UDP)은 외부로 노출된다. 이 후, 다단 구조의 제2 및 제3 감광성 절연 패턴(IMB)을 2차 애싱함으로써 제2 감광성 절연 패턴(IMB)은 제거되며, 제3 감광성 절연 패턴(IMC)은 두께가 낮아져 뱅크(BN)가 된다. 이 때, 제2 보호막(PAS2)을 2번 식각하여 형성되는 보조 콘택홀(AuH)에 의해 노출된 제2 보호막(PAS2)의 측면은 애노드 전극(ANO)의 측면보다 내측에 위치하는 언더컷 구조로 형성된다. 또한, 제2 보호막(PAS2)을 2번 식각하여 형성되는 보조 콘택홀(AuH)의 선폭은 제2 보호막(PAS2)을 1번 식각하여 형성되는 분리홈(SEG)보다 선폭보다 넓다. 이에 따라, 보조 콘택홀(AuH)에 의해 노출된 보조 전극(Aux)의 선폭은 보조 콘택홀(AuH)과 마주보는 뱅크들(BN) 사이의 이격 거리보다 넓다.
그런 다음, 뱅크(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 상에는 도 17e에 도시된 바와 같이 유기 발광층(OLE)이 형성된다. 또한, 유기 발광층(OLE)은 분리홈(SEG) 및 보조 콘택홀(AuH) 내에도 형성된다. 이 때, 보조 콘택홀(AuH) 내의 유기 발광층(OLE)은 보조 콘택홀(AuH)의 선폭보다 이격거리가 짧은 뱅크(BN)에 의해 보조 콘택홀(AuH) 내의 유기 발광층(OLE)은 보조 콘택홀(AuH)에 의해 노출된 보조 전극(Aux)의 외곽 영역에는 형성되지 않는다.
그런 다음, 유기 발광층(OLE)이 형성된 기판(SUB) 상에 캐소드 전극(CAT)이 형성된다. 이 때, 캐소드 전극(CAT)은 보조 콘택홀(AuH)을 통해 노출된 보조 전극(Aux)의 외곽 영역과 접속됨으로써 캐소드 전극(CAT)의 저항성분을 감소시킬 수 있다.
이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 명세서에 개시된 실시 예들은 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 본 발명의 범위는 아래의 특허청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 모든 기술도 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석해야 할 것이다.
SUB : 기판 ST : 스위칭 박막 트랜지스터
DT : 구동 박막 트랜지스터 AA : 발광 영역
OC : 오버 코트 층 ANO : 애노드 전극
BN : 뱅크 IS : 내측 경계면
OS : 외측 경계면

Claims (17)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치된 박막 트랜지스터 및 보조 전극;
    상기 박막 트랜지스터의 일부를 노출시키는 화소 콘택홀과 상기 보조 전극을 노출시키는 보조 콘택홀을 가지는 보호막;
    상기 화소 콘택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 애노드 전극;
    상기 애노드 전극의 외측 테두리를 덮도록 배치되는 뱅크;
    상기 애노드 전극 상과, 상기 보조 콘택홀에 의해 노출된 보조 전극 상에 위치하는 유기 발광층; 및
    상기 유기 발광층 상에 위치하며, 상기 보조 콘택홀을 통해 상기 보조전극과 접속되는 캐소드 전극을 포함하고,
    상기 보조 콘택홀을 둘러싸고 상기 애노드 전극과 동일층에서 이격된 전극 패턴의 측면은 상기 보조 콘택홀에 의해 노출된 상기 보호막의 측면보다 더 돌출되는 유기발광 다이오드 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 뱅크의 내측 경계면에 의해 노출된 상기 애노드 전극의 일부는 발광 영역으로 정의된 유기발광 다이오드 표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터와 상기 보호막 사이에 배치된 오버 코트 층을 더 포함하고,
    상기 뱅크의 내측 경계면은 상기 애노드 전극 상부 표면과 접촉하고,
    상기 뱅크의 외측 경계면은 상기 보호막의 상부 표면과 접촉하는 유기발광 다이오드 표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 뱅크는 감광성 절연 물질을 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조 콘택홀의 선폭은 상기 보조 전극 상에 위치하는 상기 유기 발광층의 선폭보다 긴 유기발광 다이오드 표시 장치.
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐소드 전극은 상기 보조 콘택홀에 의해 노출된 상기 보호막의 측면 및 상기 보조 전극의 상부면을 덮는 유기발광 다이오드 표시 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소 콘택홀 및 상기 보조 콘택홀 사이에 위치하며, 상기 보조 콘택홀보다 깊이가 낮은 분리홈을 더 구비하며,
    상기 분리홈에 의해 노출되는 상기 보호막의 측면은 상기 보호막 상에 위치하는 상기 애노드 전극의 측면보다 더 돌출되는 유기 발광 다이오드 표시 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 상에 위치하는 다수의 신호 배선과;
    상기 신호 배선과 상기 캐소드 전극 사이에 위치하는 적어도 한 층의 컬러 필터를 더 구비하는 유기발광 다이오드 표시 장치.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 제 1항에 있어서,
    상기 뱅크는 상기 애노드 전극의 상기 외측 테두리로부터 안쪽으로 일정거리 이격된 내측 경계면 및 상기 애노드 전극의 상기 외측 테두리로부터 바깥쪽으로 일정거리 이격된 외측 경계면을 갖는 유기 발광 다이오드 표시 장치.
  17. 제 1항에 있어서,
    상기 보조 콘택홀을 둘러싸고 상기 전극 패턴 상에는 뱅크 패턴이 더 구비되고,
    상기 뱅크 패턴은 상기 보호막의 측면보다 더 돌출된 상기 전극 패턴의 측면을 둘러싸는 유기 발광 다이오드 표시 장치.
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