TW201732400A - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提供一種可提高水分遮斷性之顯示裝置及其製造方法。顯示裝置具備有：第1有機絕緣膜；第1溝槽，係以包圍顯示區域之框狀形態形成，阻斷第1有機絕緣膜；第1無機隔壁部，係配置於第1溝槽，以包圍顯示區域之框狀形態存在之無機絕緣材料所構成；第2有機絕緣膜，係形成於第1有機絕緣膜以及第1無機隔壁部之上方；以及，第2溝槽，係以包圍顯示區域之框狀形態形成，阻斷第2有機絕緣膜，俯視上位於第1溝槽之內側。

Description

顯示裝置及其製造方法
本發明係關於一種顯示裝置及其製造方法。
專利文獻1中揭示了在含有有機材料之平坦化絕緣膜上配置畫素電極，於覆蓋此等元件之元件分離膜形成使得畫素電極露出之開口部，以及元件分離膜可含有機材料。
先前技術文獻
專利文獻1 日本特開2005-158292號公報
專利文獻2 日本特開2004-335267號公報
另一方面，具備有機絕緣膜之顯示裝置，如專利文獻2所揭示般，有時會在顯示區域與邊緣之間形成用以阻止水分浸入之阻斷溝槽。
當此種阻斷溝槽欲適用於專利文獻1般具備2層有機絕緣膜之顯示裝置的情況，可考慮的方式是在下側有機絕緣膜形成第1阻斷溝槽後再形成上側有機絕緣膜，於填埋第1阻斷溝槽之部分形成第2阻斷溝槽。但是，若以塗佈方式形成上側有機絕緣膜，由於填埋第1阻斷溝槽之部分會變成較下側有機絕緣膜上的部分來得厚，故於用以形成使得畫素電極露出之開口的最適化蝕刻條件下，填埋第1阻斷溝槽之部分無法由第2阻斷溝槽所完全阻斷，上側之有機絕緣膜的殘膜成為水分侵入路徑，恐無法得到充分的水分遮斷性。此外，以避免發生上側有機絕緣膜之殘膜的方式最適化的蝕刻條件，下側有機絕緣膜會被過度蝕刻，而有發生圖案不良之顧慮。
本發明係鑑於上述課題所得者，其目的在於提供一種顯示裝置及其製造方法，可提高水分遮斷性以防止水分侵入顯示部所致發光層之元件劣化。
為了解決上述課題，本發明之顯示裝置，具有配置著複數畫素之顯示區域；並具備：第1有機絕緣膜；第1溝槽，係以包圍該顯示區域之框狀形態存在，阻斷該第1有機絕緣膜；第1無機隔壁部，係配置於該第1溝槽，以包圍該顯示區域之框狀形態存在，由無機絕緣材料所構成；第2有機絕緣膜，係形成於該第1有機絕緣膜以及該第1無機隔壁部之上方；以及第2溝槽，係以包圍該顯示區域之框狀形態存在，阻斷該第2有機絕緣膜，俯視上位於該第1溝槽之內側。
此外，本發明之顯示裝置之製造方法，係用以製造具有配置著複數畫素之顯示區域的顯示裝置；形成以包圍該顯示區域之框狀形態存在之無機絕緣材料所構成之第1無機隔壁部；形成具有第1溝槽且於該第1溝槽配置有該第1無機隔壁部之第1有機絕緣膜；於該第1溝槽配置有該第1無機隔壁部之狀態之該第1有機絕緣膜之上方來形成第2有機絕緣膜；形成以包圍該顯示區域之框狀形態存在、且阻斷該第2有機絕緣膜、且俯視上位於該第1溝槽之內側的第2溝槽。
依據本發明，藉由於第1溝槽配置無機隔壁部，由於在無機隔壁部之上方所形成之被覆膜的部分相較於未配置無機隔壁部之情況會變薄，故可容易藉由第2溝槽來阻斷該部分，其結果，可防止第1溝槽內之第2有機絕緣膜的殘膜，可提高水分遮斷性。
1‧‧‧顯示裝置
2‧‧‧顯示面板
2A‧‧‧顯示區域
2C‧‧‧邊框區域
2E‧‧‧邊緣
3‧‧‧FPC
4‧‧‧水分遮斷構造
5‧‧‧水分遮斷構造
6‧‧‧陣列基板
7‧‧‧對向基板
8‧‧‧填充材
9‧‧‧密封材
11‧‧‧基板
13‧‧‧層間絕緣膜
15‧‧‧層間絕緣膜(無機絕緣膜)
17‧‧‧有機平坦化膜(第1有機絕緣膜)
17c‧‧‧第1阻斷溝槽
17p‧‧‧被覆膜
18‧‧‧層間絕緣膜(無機絕緣膜)
19‧‧‧畫素分離膜(第2有機絕緣膜)
19a‧‧‧開口
19c‧‧‧第2阻斷溝槽
19p‧‧‧被覆膜
21‧‧‧有機膜
23‧‧‧對向電極(陰極)
25‧‧‧密封膜
30‧‧‧畫素電路
32‧‧‧半導體膜
33‧‧‧閘極電極
34‧‧‧源極電極
36‧‧‧汲極電極(下部電極)
36c‧‧‧導電膜
37‧‧‧電容形成電極
38‧‧‧畫素電極(陽極)
38c‧‧‧導電膜
381‧‧‧導電膜
382‧‧‧導電膜
383‧‧‧導電膜
39‧‧‧導電膜
40‧‧‧電路元件
42‧‧‧半導體膜
43‧‧‧閘極電極
44‧‧‧源極電極
46‧‧‧汲極電極
47‧‧‧配線
48‧‧‧配線
49‧‧‧配線
50‧‧‧無機隔壁部
51‧‧‧無機基部
52‧‧‧有機基部
61‧‧‧基板
63‧‧‧BM
65‧‧‧密封膜
67‧‧‧濾色器
70‧‧‧端子
97‧‧‧有機平坦化膜
97c‧‧‧第1阻斷溝槽
98‧‧‧畫素電極
99‧‧‧畫素分離膜
99a‧‧‧開口
99c‧‧‧第2阻斷溝槽
99p‧‧‧被覆膜
99y‧‧‧堆埋部
99z‧‧‧殘渣
圖1係第1實施形態相關之顯示裝置之俯視圖。
圖2係前述顯示裝置之截面圖。
圖3係顯示前述顯示裝置之製造製程之圖。
圖4係參考例相關之顯示裝置之製造製程之圖。
圖5係第2實施形態相關之顯示裝置之截面圖。
圖6係第3實施形態相關之顯示裝置之截面圖。
圖7係第4實施形態相關之顯示裝置之截面圖。
圖8係第5實施形態相關之顯示裝置之截面圖。
圖9係第6實施形態相關之顯示裝置之截面圖。
圖10係第7實施形態相關之顯示裝置之截面圖。
圖11係變形例相關之顯示裝置之截面圖。
圖12係變形例相關之顯示裝置之截面圖。
圖13係變形例相關之顯示裝置之截面圖。
以下，參見圖式說明本發明之實施形態。本說明書之揭示僅為本發明之一例，在保有本發明主旨下之適宜變更而為業界人士所能輕易思及者包含在本發明之範圍內。此外，圖中所示各部分的寬度、厚度以及形狀等有示意表示之情況，其並不會限定本發明之解釋。此外，本說明書與各圖中，關於已提到之圖和前述者為同樣要素上有時係賦予同一符號而適宜省略詳細說明。
以下，關於顯示裝置之一例，係針對使用自發光元件一種的OLED(organic light-emitting diode)之有機EL(Electro Luminescence)顯示裝置來說明。
〔第1實施形態〕
圖1係第1實施形態相關之顯示裝置1之俯視圖。圖2係圖1中以II-II線切斷時的截面圖。顯示裝置1具備有顯示面板2、安裝於顯示面板2之端部處的FPC(Flexible Printed Circuit)3。於顯示面板2之中央部設有複數畫素配置成為矩陣狀之矩形狀的顯示區域2A。複數畫素以分類為複數發光色為佳，畫素之發光色有例如紅、綠、藍之3色以及紅、綠、藍、白之4色等。畫素發光色也可包含靛青、洋紅、黃。
於顯示區域2A之周圍設有框狀的邊框區域2C。於邊框區域2C設有用以抑制水分從顯示面板2之邊緣2E浸入顯示區域2A之複數水分遮斷構造4、5。水分遮斷構造4、5位於顯示面板2之邊緣2E與顯示區域2A之間，以包圍顯示區域2A的方式形成為框狀。圖示例中，2個水分遮斷構造 4、5係並排於從邊緣2E朝向顯示區域2A之方向(以下將該方向稱為水分浸入方向)上，但不限於此，水分遮斷構造也可僅有1個。此外，圖示例中，水分遮斷構造4、5分別以無中斷的方式包圍著顯示區域2A，但不限於此，當框內存在著其他無機絕緣材料等之構造物的情況等，水分遮斷構造也可於中途來中斷。
顯示面板2具備有陣列基板6以及對向於陣列基板6之對向基板7。如圖12所示，也可不設置對向基板7。陣列基板6與對向基板7係經由填充材8而貼合著。具體而言，沿著顯示面板2之邊緣2E設有框狀之密封材9，較密封材9更內側之空間填充著填充材8。顯示面板2為例如對陣列基板6朝對向基板7之方向(以下將該方向稱為上方，該方向之相反方向稱為下方)射出光之上部發光型。
對向基板7具備有例如玻璃所構成之基板61。基板61也可為聚醯亞胺等具可撓性之樹脂。當顯示面板2為上部發光型之情況，基板61為透明。基板61之面向陣列基板6之側設有：黑矩陣(BM)63，係對應於各畫素之發光區域形成有開口；濾色器67，係以和BM63之一部分重疊的方式所形成；以及，平坦化層65，係覆蓋BM63與濾色器67。濾色器67也可設置於陣列基板6。也可不設置平坦化層65。
陣列基板6具備有例如玻璃所構成之基板11。基板11也可為聚醯亞胺等具可撓性之樹脂。當顯示面板2為上部發光型之情況，基板11也可為不透明。基板11面向於對向基板7之側的顯示區域2A設有對應於各畫素之畫素電路30等，於邊框區域2C設有水分遮斷構造4、5等。畫素電路30包含TFT(Thin Film Transistor)，以對應於各畫素的方式所配置。
顯示區域2A中，於基板11之上方配置著半導體膜32。基板11以及半導體膜32被層間絕緣膜13所覆蓋，於層間絕緣膜13之上方配置著閘極電極33。層間絕緣膜13以及閘極電極33被層間絕緣膜15所覆蓋，於層間絕緣膜15之上方配置著源極電極34與汲極電極36。於層間絕緣膜13、15形成有用以將源極電極34與汲極電極36連接於半導體膜32之層間連接孔。藉由此等半導體膜32、閘極電極33、源極電極34以及汲極電極36構成畫素電路30之TFT。閘極電極33係連接於未圖示之其他TFT的汲極電極， 源極電極34連接著未圖示之電源線。半導體膜32係由例如LTPS半導體、非晶質半導體、氧化物半導體等所構成。層間絕緣膜13,15係例如由氧化矽、氮化矽等無機材料所構成之無機絕緣膜。閘極電極33、源極電極34以及汲極電極36係例如由鋁、銀、銅、鎳、鈦等金屬所構成。
圖示例中，雖基板11接觸著半導體膜32，但不限於此，於基板11與半導體膜32之間也可介設圖11所示一層或是複數層的底塗層12。底塗層12係例如由氧化矽、氮化矽等無機材料所構成之無機絕緣膜。
層間絕緣膜15、源極電極34以及汲極電極36係被有機平坦化膜17所覆蓋，於有機平坦化膜17之上方配置著畫素電極38。有機平坦化膜17形成有用以將畫素電極38連接於汲極電極36之層間連接孔。有機平坦化膜17為第1有機絕緣膜之一例為含有例如丙烯酸樹脂等有機材料的有機絕緣膜。有機平坦化膜17相較於其他層間絕緣膜係厚厚地形成，具有平坦的上面。畫素電極38為例如陽極，以對應於各畫素的方式配置著。畫素電極38係由例如銦錫氧化物(ITO)、鋁、銀、銅、鎳、鈦等金屬所構成，可具有反射面。
有機平坦化膜17以及畫素電極38係被畫素分離膜19所覆蓋，畫素分離膜19形成有使得畫素電極38之端部以外露出之開口19a。具體而言，畫素分離膜19係覆蓋畫素電極38之端部，除此以外之區域係露出畫素電極38。形成畫素分離膜19之開口19a的內緣部具有平緩的錐面形狀。畫素分離膜19為第2有機絕緣膜之一例，為例如含有丙烯酸樹脂等有機材料之有機絕緣膜。畫素分離膜19也被稱為堤防或是肋部。
畫素分離膜19以及露出於開口19a內之畫素電極38係由含發光層之有機膜21所覆蓋著。有機膜21例如從畫素電極38側起依序包含電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、電子注入層。有機膜21之積層構造不限於此，只要至少含發光層即可並無特別限定。本實施形態中，有機膜21所含發光層之發光色為白色，但不限於此，也可為其他色。有機膜21係藉由例如不使用遮罩之蒸鍍所成膜，形成於直到內側之水分遮斷構造4之前方之包含顯示區域2A的範圍。
有機膜21係由對向電極23所覆蓋。對向電極23為例如陰極，以覆蓋 有機膜21全體的方式所形成。對向電極23係由例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO))等透明導電材料所構成。對向電極23形成於例如覆蓋有機膜21之範圍，而形成至內側之水分遮斷構造4與外側之水分遮斷構造5之間。再者，對向電極23係由密封膜25所覆蓋。密封膜25係例如由氧化矽、氮化矽等無機材料所構成之無機絕緣膜，橫跨陣列基板6之全體來形成。密封膜25係和填充材8以及密封材9接觸。
於邊框區域2C分別設有分別阻斷有機平坦化膜17與畫素分離膜19的水分遮斷構造4、5。水分遮斷構造4、5形成有阻斷有機平坦化膜17之第1阻斷溝槽17c，於第1阻斷溝槽17c配置著無機隔壁部50。第1阻斷溝槽17c與無機隔壁部50係阻斷有機平坦化膜17。無機隔壁部50係例如由氧化矽、氮化矽等無機絕緣材料所構成。無機絕緣材料由於不會通過水分且有別於金屬並不會腐蝕，故做為遮斷水分之構造為最適宜者。無機隔壁部50具有例如梯形之截面形狀，具有上面且隨著往下方而寬度變寬。對應於此，第1阻斷溝槽17c係上側寬度窄於下側寬度之懸垂(overhang)形狀。無機隔壁部50之上面相較於有機平坦化膜17之上面係位於上方，例如和畫素電極38之上面處在同程度之高度。
此外，於水分遮斷構造4、5形成有阻斷畫素分離膜19之第2阻斷溝槽19c。第2阻斷溝槽19c係以俯視上包含於第1阻斷溝槽17c之內側的方式所形成。例如，第2阻斷溝槽19c之下側開口只要俯視上落在第1阻斷溝槽17c之上側開口的內側即可。此外，第2阻斷溝槽19c只要俯視上和第1阻斷溝槽17c成為重疊，則未必要落於內側來形成。第2阻斷溝槽19c係以例如以無機隔壁部50之上面為底、第2阻斷溝槽19c之下側開口落於無機隔壁部50之上面的方式所形成。形成畫素分離膜19之第2阻斷溝槽19c的邊緣部係接觸於無機隔壁部50之上側的角落部。
再者，於內側之水分遮斷構造4之無機隔壁部50之上方積層著對向電極23與密封膜25，於外側之水分遮斷構造5之無機隔壁部50之上方積層著密封膜25。於內側之水分遮斷構造4與外側之水分遮斷構造5之間形成有和畫素電極38為同層的導電膜39，對向電極23係通過在畫素分離膜19所形成之開口而連接於導電膜39。此外，本實施形態中，於水分遮斷構造 5與邊緣2E之間存在著有機層，但如圖13所示般，也可為不存在該有機層之構造。
如以上所說明般，藉由第1阻斷溝槽17c、第2阻斷溝槽19c以及無機隔壁部50來構成水分遮斷構造4、5。據此，有機平坦化膜17與畫素分離膜19於水分遮斷構造4、5受到阻斷，含有機材料之所有的膜均未橫跨水分遮斷構造4、5之區域，換言之，橫跨水分遮斷構造4、5之區域的全部的膜均不含有機材料。從而，可抑制水分從顯示面板2之邊緣2E浸入顯示區域2A，可提高水分遮斷性。
邊框區域2C中，於無機隔壁部50之下方配置著電路元件40(包含和畫素電路30為同樣的TFT)。電路元件40為例如閘極驅動電路。電路元件40包含與畫素電路30之源極電極34以及汲極電極36為同層的導電膜36c。此外，於無機隔壁部50與層間絕緣膜15之間配置有橫跨水分遮斷構造4、5之區域的配線47。配線47係連接於電路元件40。配線47係由和畫素電路30之源極電極34以及汲極電極36為同層的導電膜36c所構成。汲極電極36為下部電極之一例。此處，所謂的同層係同時所成膜之同材料所構成之層。
本實施形態中，由於在水分遮斷構造4、5設置無機隔壁部50，於無機隔壁部50之上方配置對向電極23，而可無須考慮相對於對向電極23之短路而在水分遮斷構造4、5之區域配置和畫素電路30之源極電極34以及汲極電極36為同層之導電膜36c。藉此，可於水分遮斷構造4、5之區域設置使用有該導電膜36之電路元件40、配線47。此外，由於可在水分遮斷構造4、5之區域配置電路元件40，而有助於狹邊框化。
〔製造方法〕
圖3係顯示顯示裝置1之製造製程之一部分之圖。同圖中，省略了相對於層間絕緣膜15為下方之絕緣膜與一部分的導電膜。
圖3(a)係於層間絕緣膜15之上方選擇性形成無機隔壁部50。無機隔壁部50之選擇性形成係例如藉由CVD(Chemical Vapor Deposition)來形成覆蓋層間絕緣膜15之無機材料的被覆膜，並將該被覆膜利用光蝕刻技術來圖案化而實現。無機隔壁部50例如由氧化矽、氮化矽等無機材料所構成。無機 隔壁部50之厚度為例如2.2μm程度。
圖3(b)中，於層間絕緣膜15之上方形成之後成為有機平坦化膜17之被覆膜17p。被覆膜17p之成膜係以例如旋塗等塗佈法來實現，被覆膜17p之上面以平坦方式形成。此處，由於是在形成有無機隔壁部50之狀態下藉由塗佈法來形成被覆膜17p，故被覆膜17p係以避開無機隔壁部50使得無機隔壁部50之上部較被覆膜17p之上面來得突出的方式所形成。藉此，形成將被覆膜17p朝面內方向阻斷之以無機隔壁部50所填埋之第1阻斷溝槽17c。亦即，被覆膜17p與無機隔壁部50之界面形成第1阻斷溝槽17c。被覆膜17p包含例如丙烯酸樹脂等有機材料。被覆膜17p之厚度為例如2μm程度。
此外，不限於此方法，也可例如於被覆膜17p形成了第1阻斷溝槽17c之後，於第1阻斷溝槽17c之內側形成無機隔壁部50。
圖3(c)中，被覆膜17p藉由光蝕刻技術來圖案化而完成有機平坦化膜17。形成上面為平坦之有機平坦化膜17的理由乃抑制包含發光層之有機膜21發生段差導致畫素電極38與對向電極23出現短路，而用以防止有機膜之段差(參見圖2)。
圖3(d)中，於有機平坦化膜17之上方選擇性形成畫素電極38以及導電膜39。畫素電極38以及導電膜39之選擇性形成係例如以濺鍍或是蒸鍍方式形成被覆有機平坦化膜17之金屬膜，並將該金屬膜以光蝕刻技術來圖案化而實現。畫素電極38以及導電膜39係由例如ITO、鋁、銀、銅、鎳、鈦等金屬所構成。畫素電極38以及導電膜39之厚度為例如0.2μm程度。
圖3(e)中，於有機平坦化膜17、無機隔壁部50、畫素電極38以及導電膜39之上方形成之後成為畫素分離膜19之被覆膜19p。被覆膜19p之成膜係藉由例如旋塗等塗佈法來實現，被覆膜19p之上面以平坦方式形成。被覆膜19p包含例如丙烯酸樹脂等有機材料。被覆膜19p之厚度為例如1μm程度。
圖3(f)中，藉由光蝕刻技術之圖案化，而於被覆膜19p同時形成使得畫素電極38露出之開口19a、以及阻斷被覆膜19p之第2阻斷溝槽19c，完成畫素分離膜19。
本實施形態中，由於在第1阻斷溝槽17c配置有無機隔壁部50，故被覆膜19p形成在無機隔壁部50上方的部分相較於未配置無機隔壁部50之情況(參見後述圖4)會變薄。因此，即便是用以於被覆膜19p形成開口19a所最適化之蝕刻條件，也可提高去除被覆膜19p於無機隔壁部50上方所形成之部分的確實性，可得到無殘渣或是殘渣極少的第2阻斷溝槽19c。其結果，可提高水分遮斷性。
較佳為無機隔壁部50之上面相較於有機平坦化膜17之上面位於上方，且相較於畫素分離膜19之上面位於下方，尤佳為和畫素電極38之上面為同程度之高度。於此情況，由於被覆膜19p於無機隔壁部50之上方所形成之部分與被覆膜19p於畫素電極38之上方所形成之部分成為同程度的厚度，故用以於被覆膜19p形成開口19a之最適化的蝕刻條件也會成為形成第2阻斷溝槽19c之最適化條件，可更為提高去除之確實性。
〔參考例〕
圖4係顯示未配置上述無機隔壁部50之參考例相關之顯示裝置之製造製程圖。圖4(x)中，於有機平坦化膜97形成第1阻斷溝槽97c，並於有機平坦化膜97之上方選擇性形成畫素電極98。於第1阻斷溝槽97c之底有層間絕緣膜95露出。
圖4(y)中，於有機平坦化膜97以及露出於第1阻斷溝槽97c底部處的層間絕緣膜95之上方，藉由旋塗等塗佈法來形成之後成為畫素分離膜99的被覆膜99p。此時，於第1阻斷溝槽17c之內側形成堆埋大量被覆膜99p材料的堆埋部99y。此堆埋部99y相較於被覆膜99p在畫素電極98上方所形成之部分會變厚。
圖4(z)中，藉由光蝕刻技術之圖案化，於被覆膜99p形成使得畫素電極98露出之開口99a、以及阻斷被覆膜99p之第2阻斷溝槽99c。但是，由於在第1阻斷溝槽17c之內側存在有厚的堆埋部99y，故用以於被覆膜99p形成開口99a之最適化蝕刻條件下將無法完全去除堆埋部99y，恐成為殘渣99z造成水分遮斷性變得不充分。
〔第2實施形態〕
圖5係第2實施形態相關之顯示裝置之截面圖。第2實施形態之水分 遮斷構造4、5，無機隔壁部50之上面相較於有機平坦化膜17之上面係位於下方，第2阻斷溝槽19c位於第1阻斷溝槽17c之內側。第1阻斷溝槽17c之形成方式係例如先形成無機隔壁部50，於該狀態下形成覆蓋無機隔壁部50而成為有機平坦化膜17的被覆膜，再將該被覆膜於無機隔壁部50之上方所形成之部分以蝕刻來去除。因此，第1阻斷溝槽17c包含配置有無機隔壁部50之下部以及藉由蝕刻所形成之上部。第2阻斷溝槽19c係以無機隔壁部50之上面為底，形成畫素分離膜19之第2阻斷溝槽19c的緣部係覆蓋第1阻斷溝槽17c之傾斜面而接觸於無機隔壁部50之上面。有機平坦化膜17之厚度為例如2μm程度，相對於此，無機隔壁部50之厚度為例如1.5μm程度。
如此般，即使無機隔壁部50之上面相較於有機平坦化膜17之上面係位於下方，於形成畫素分離膜19之際，由於成為畫素分離膜19之被覆膜形成於無機隔壁部50上方的部分相較於未配置無機隔壁部50之情況係變薄，而可提高去除該部分之確實性，藉此可提高水分遮斷性。此外，形成無機隔壁部50之時間、例如沉積成為無機隔壁部50之被覆膜的時間相較於第1實施形態可縮短，可謀求兼顧水分遮斷性與生產性。
〔第3實施形態〕
圖6係第3實施形態相關之顯示裝置之截面圖。第3實施形態之水分遮斷構造4、5中，於無機隔壁部50之內側設有有機基部52。具體而言，於層間絕緣膜15之上方配置有機基部52，以覆蓋有機基部52的方式形成無機隔壁部50。有機基部52之上面與側面係以無機隔壁部50所覆蓋，有機基部52之下面係由層間絕緣膜15、導電層36c所覆蓋。依據內側配置著如此之有機基部52的無機隔壁部50，也可實現水分遮斷構造4、5。此外，有機材料相較於無機材料可容易迅速形成厚的被覆膜，故藉由事先設置有機基部52，以覆蓋有機基部52的方式形成無機隔壁部50，可謀求形成時間之縮短。
〔第4實施形態〕
圖7係第4實施形態相關之顯示裝置之截面圖。第4實施形態之水分遮斷構造4、5中，於無機隔壁部50之上方配置著和畫素電極38為同層的 導電膜38c。無機隔壁部50之上面相較於有機平坦化膜17之上面係位於下方，導電膜38c位於第1阻斷溝槽17c之內側。導電膜38c之上面相較於有機平坦化膜17之上面係位於下方，但不限於此，也可相較於有機平坦化膜17之上面係位於上方。第2阻斷溝槽19c係以導電膜38c之上面為底，形成畫素分離膜19之第2阻斷溝槽19c的緣部係一邊覆蓋第1阻斷溝槽17c之傾斜面、一邊接觸於導電膜38c之上面。導電膜38c係和畫素電極38成為電性分離。
如此般藉由在無機隔壁部50之上方配置導電膜38c，可確保無機隔壁部50與導電膜38c之合計厚度，可提高水分遮斷性。亦即，於形成畫素分離膜19之際，成為畫素分離膜19之被覆膜形成於導電膜38c上方的部分之厚度可較第2實施形態來得薄，可更為提高去除該部分之確實性，藉此可提高水分遮斷性。
〔第5實施形態〕
圖8係第5實施形態相關之顯示裝置之截面圖。第5實施形態之水分遮斷構造4、5中，無機隔壁部50係利用層間絕緣膜15而形成。圖示例中，於基板11之上方配置著無機基部51，於無機基部51之上方積層著層間絕緣膜13,15，上面與側面係形成由層間絕緣膜15所構成之無機隔壁部50。無機基部51係由例如氧化矽、氮化矽等無機材料所構成。即便藉由利用如此之層間絕緣膜15所形成之無機隔壁部50，也可提高水分遮斷性。
另一方面，第5實施形態中，構成無機隔壁部50之層間絕緣膜15之上面係成為第2阻斷溝槽19c之底。於此情況，若於構成無機隔壁部50之層間絕緣膜15之上面設置和畫素電路30之源極電極34以及汲極電極36為同層的配線47(參見圖2等)，其與對向電極23之短路會成為問題。是以，第5實施形態中，於水分遮斷構造4、5之區域係利用和畫素電路30之閘極電極33為同層的配線48。具體而言，於邊框區域2C之水分遮斷構造4、5以外的區域，配置和畫素電路30之源極電極34以及汲極電極36為同層的配線49，於水分遮斷構造4、5之區域，經由形成於層間絕緣膜15處的層間連接孔連接於配線49之和畫素電路30之閘極電極33為同層的配線48係配置於層間絕緣膜13,15之間。
〔第6實施形態〕
圖9係第6實施形態相關之顯示裝置之截面圖。於第6實施形態，於有機平坦化膜17與畫素分離膜19之間配置著層間絕緣膜18，於有機平坦化膜17與層間絕緣膜18之間係配置有夾持著層間絕緣膜18而和畫素電極38為對向之電容形成電極37。層間絕緣膜18為例如由氧化矽、氮化矽等無機材料所構成之無機絕緣膜。電容形成電極37係由例如鋁、銀、銅、鎳、鈦等金屬所構成。
層間絕緣膜18以及電容形成電極37也擴及至邊框區域2C。層間絕緣膜18係例如擴及邊框區域2C之全體，電容形成電極37係例如超過內側之水分遮斷構造4而擴及至內側之水分遮斷構造4與外側之水分遮斷構造5之間。藉此，於內側之水分遮斷構造4的無機隔壁部50之上方配置著層間絕緣膜18以及電容形成電極37，於外側之水分遮斷構造5之無機隔壁部50之上方配置著層間絕緣膜18。第2阻斷溝槽19c係以例如層間絕緣膜18當中形成於無機隔壁部50上方之部分為底。此外，電容形成電極37係於內側之水分遮斷構造4與外側之水分遮斷構造5之間經由導電膜39而連接於對向電極23，藉此，電容形成電極37與對向電極23成為同電位。
即便以此方式於無機隔壁部50之上方配置層間絕緣膜18以及電容形成電極37之至少一者，也可提高水分遮斷性。此外，藉由於無機隔壁部50之上方配置層間絕緣膜18、電容形成電極37，可確保無機隔壁部50、層間絕緣膜18以及電容形成電極37之合計厚度，可提高水分遮斷性。亦即，形成畫素分離膜19之際，由於成為畫素分離膜19之被覆膜在層間絕緣膜18上方所形成之部分的厚度較第2實施形態來得薄，而可進而提高去除該部分之確實性，藉此，可提高水分遮斷性。
〔第7實施形態〕
圖10係第7實施形態相關之顯示裝置之截面圖。第7實施形態之水分遮斷構造4、5中，無機隔壁部50包含無機基部51以及導電膜36c，於無機隔壁部50之上方配置有電容形成電極37、層間絕緣膜18以及導電膜38c。第2阻斷溝槽19c係以導電膜38c之上面為底。如此般，藉由利用無機基部51、導電膜36c、電容形成電極37、層間絕緣膜18以及導電膜38c，可確 保此等合計之厚度，可提高水分遮斷性。亦即，形成畫素分離膜19之際，由於成為畫素分離膜19之被覆膜在導電膜38c上方所形成之部分的厚度較第2實施形態來得薄，可更為提高去除該部分之確實性，藉此可提高水分遮斷性。
〔變形例〕
上述第6實施形態(參見圖9)也可適用於圖11所示截面構造之顯示裝置。本變形例中，配置於顯示區域2A之畫素電路30之TFT為例如NchTFT，配置於邊框區域2C之閘極驅動電路等電路元件40為例如PchTFT。以NchTFT而言，在半導體膜32和閘極電極33為對向之通道區域與連接源極電極34以及汲極電極36之連接區域之間設有低濃度雜質區域。即便是PchTFT，也於半導體膜42和閘極電極43為對向之通道區域與連接源極電極44以及汲極電極46之連接區域之間設有低濃度雜質區域。
畫素電路30之閘極電極33之延伸部分係形成保持電容線，其與半導體膜32之間形成有保持電容。此外，閘極電極33之延伸部分在與汲極電極36之延伸部分之間也形成有保持電容。包含閘極電極33、43之導電層具有例如積層著鋁與鈦之積層構造。包含源極電極34、44以及汲極電極36、46之導電層具有例如依序積層著鈦、鋁、鈦之積層構造。由包含源極電極34、44以及汲極電極36、46之導電層所構成之配線被回拉至在陣列基板6之端部所設之端子部而形成端子70。
於包含源極電極34、44以及汲極電極36、46之導電層當中去除了有機平坦化膜17而露出之部分等形成有例如ITO等透明導電材料所構成之導電膜381、382、383。具體而言，於顯示區域2A，在形成於有機平坦化膜17處而露出汲極電極36之層間連接孔係形成有導電膜381。再者，於填埋有機平坦化膜17之層間連接孔的層間絕緣膜18也形成有層間連接孔，畫素電極38經由此層間連接孔而連接於導電膜381。於邊框區域2C之有機平坦化膜17之上面形成有導電膜382，連接著電容形成電極37與對向電極23。亦即，導電膜382與同樣配置於有機平坦化膜17與畫素分離膜19之間的電容形成電極37相連接，另一方面，也經由在畫素分離膜19所形成之層間連接孔而和對向電極23連接著。端子部之端子70係以導電膜383 所覆蓋著。
電容形成電極37具有例如依序積層著鉬、鋁、鉬之積層構造。畫素電極38具有例如依序積層著ITO、銀、ITO之積層構造。
以上，針對本發明之實施形態做了說明，但本發明不限定於上述實施形態，業界人士當然可進行各種變形實施。
2‧‧‧顯示面板
2A‧‧‧顯示區域
2C‧‧‧邊框區域
2E‧‧‧邊緣
3‧‧‧FPC
4‧‧‧水分遮斷構造
5‧‧‧水分遮斷構造
6‧‧‧陣列基板
7‧‧‧對向基板
8‧‧‧填充材
9‧‧‧密封材
11‧‧‧基板
13‧‧‧層間絕緣膜
15‧‧‧層間絕緣膜(無機絕緣膜)
17‧‧‧有機平坦化膜(第1有機絕緣膜)
17c‧‧‧第1阻斷溝槽
19‧‧‧畫素分離膜(第2有機絕緣膜)
19a‧‧‧開口
19c‧‧‧第2阻斷溝槽
21‧‧‧有機膜
23‧‧‧對向電極(陰極)
25‧‧‧密封膜
30‧‧‧畫素電路
32‧‧‧半導體膜
33‧‧‧閘極電極
34‧‧‧源極電極
36‧‧‧汲極電極(下部電極)
36c‧‧‧導電膜
38‧‧‧畫素電極(陽極)
39‧‧‧導電膜
40‧‧‧電路元件
47‧‧‧配線
50‧‧‧無機隔壁部
61‧‧‧基板
63‧‧‧BM
65‧‧‧密封膜
67‧‧‧濾色器

Claims (15)

  1. 一種顯示裝置，具有配置著複數畫素之顯示區域；並具備：第1有機絕緣膜；第1溝槽，係以包圍該顯示區域之框狀形態存在，阻斷該第1有機絕緣膜；第1無機隔壁部，係配置於該第1溝槽，以包圍該顯示區域之框狀形態存在，由無機絕緣材料所構成；第2有機絕緣膜，係形成於該第1有機絕緣膜以及該第1無機隔壁部之上方；以及第2溝槽，係以包圍該顯示區域之框狀形態存在，阻斷該第2有機絕緣膜，俯視上位於該第1溝槽之內側。
  2. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該第1無機隔壁部之上面相較於該第1有機絕緣膜之上面係位於上方。
  3. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該第1無機隔壁部之上面相較於該第2有機絕緣膜之上面係位於下方。
  4. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該第1無機隔壁部之上面相較於該第1有機絕緣膜之上面係位於下方；該第2溝槽位於該第1溝槽之內側。
  5. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，係進而具備：第3溝槽，係以包圍該第1溝槽之框狀形態存在，阻斷該第1有機絕緣膜；第2無機隔壁部，係配置於該第3溝槽，以包圍該第1溝槽之框狀形態存在；以及第4溝槽，係以包圍該第2溝槽之框狀形態存在，阻斷該第2有機絕緣膜，俯視上位於該第3溝槽之內側。
  6. 如申請專利範圍第5項之顯示裝置，其中該第2無機隔壁部和該顯示區域成為相反側處並不存在該第1有機絕緣膜以及該第2有機絕緣膜。
  7. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，係進而具備：畫素電極，係形成於該第1有機絕緣膜之上方； 無機絕緣膜，係形成於該第1有機絕緣膜之下方；以及下部電極，係配置於該第1有機絕緣膜與該無機絕緣膜之間，經由在該第1有機絕緣膜所形成之層間連接孔來和該畫素電極做電性連接；於該無機隔壁部與該無機絕緣膜之間係配置有跨越該無機隔壁部之區域而和該下部電極為同層之配線。
  8. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，係進而具備：無機絕緣膜，係形成於該第1有機絕緣膜之下方；以及下部電極，係配置於該第1有機絕緣膜與該無機絕緣膜之間，經由在該第1有機絕緣膜所形成之層間連接孔來和該畫素電極做電性連接；於該無機隔壁部之下方配置電路元件，該電路元件包含和該下部電極為同層之導電膜。
  9. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，係進而具備：無機絕緣膜，係形成於該第1有機絕緣膜與該第2有機絕緣膜之間；以及對向電極，係配置於該第1有機絕緣膜與該無機絕緣膜之間，夾持著該無機絕緣膜而和該畫素電極相對向；於該無機隔壁部之上方配置該無機絕緣膜之一部分以及和該對向電極為同層之導電膜中至少一者。
  10. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中於該無機隔壁部之上方配置和該畫素電極為同層之導電膜。
  11. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，係進而具備：無機絕緣膜，係形成於該第1有機絕緣膜之下方；以及下部電極，係配置於該第1有機絕緣膜與該無機絕緣膜之間，經由在該第1有機絕緣膜所形成之層間連接孔來和該畫素電極做電性連接；該無機隔壁部係包含該無機絕緣膜之一部分以及和該下部電極為同層之導電膜之至少一者。
  12. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，係進而具備：有機膜，係配置於在該第2有機絕緣膜所形成之開口內的該畫素電極上，包含發光層；以及 對向電極，係配置於該有機膜上。
  13. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中有機材料並未橫跨形成於該無機隔壁部之區域。
  14. 一種顯示裝置之製造方法，係用以製造具有配置著複數畫素之顯示區域的顯示裝置；形成以包圍該顯示區域之框狀形態存在之無機絕緣材料所構成之第1無機隔壁部；形成具有第1溝槽且於該第1溝槽配置有該第1無機隔壁部之第1有機絕緣膜；於該第1溝槽配置有該第1無機隔壁部之狀態之該第1有機絕緣膜之上方來形成第2有機絕緣膜；形成以包圍該顯示區域之框狀形態存在、且阻斷該第2有機絕緣膜、且俯視上位於該第1溝槽之內側的第2溝槽。
  15. 如申請專利範圍第14項之顯示裝置之製造方法，係形成以包圍該第1無機隔壁部之框狀形態存在之無機絕緣材料所構成之第2無機隔壁部；該第1有機絕緣膜具有第3溝槽，於該第3溝槽配置該第2無機隔壁部；形成以包圍該第2溝槽之框狀形態存在、且阻斷該第2有機絕緣膜、且俯視上位於該第3溝槽之內側的第4溝槽。
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