JP2020134715A - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】簡略化された成膜方法を用いた有機絶縁膜の端部の位置制御、および簡略化された成膜方法と、それを用いた信頼性の向上した表示装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板１０２の表示領域１０２ａを含む面上に第１無機絶縁層１２４ａを形成し、表示領域を囲み、第１無機絶縁層の内側の領域として画定される第１無機絶縁層上の第１領域に第１有機絶縁層１２４ｂ−１を形成し、表示領域を覆い、第１領域に囲まれる第１無機絶縁層上の第２領域に、第１有機絶縁層と接するように第２有機絶縁層１２４ｂ−２を形成し、第１有機絶縁層及び第２有機絶縁層を覆い、第１有機絶縁層の外側で第１無機絶縁層と接する第２無機絶縁層１２４ｃを形成する、ことを含む表示装置の製造方法。【選択図】図２

Description

本発明の一実施形態は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。例えば発光素子として有機ＥＬ素子を用いる有機ＥＬ表示装置においては、各画素に有機ＥＬ素子が設けられ、有機ＥＬ素子は、アノード電極、およびカソード電極から成る一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「有機ＥＬ層」という）を挟んだ構造を有している。有機ＥＬ表示装置は、アノード電極が画素ごとに個別画素電極として設けられ、カソード電極は複数の画素に跨って共通の電位が印加される共通画素電極として設けられている。有機ＥＬ表示装置は、この共通画素電極の電位に対し、画素電極の電圧を画素ごとに印加することで、画素の発光を制御している。

有機ＥＬ層は水分に極めて弱く、外部からパネル内部に水分が浸入し、有機ＥＬ層に到達するとダークスポットと呼ばれる非点灯領域が発生し得る。そこで、有機ＥＬ層への水分の侵入を防止するために、有機ＥＬ素子が配列された表示領域の構造を覆うように、封止膜を形成する対策が取られている。

封止膜としては、主として有機絶縁膜と、有機絶縁膜の側面及び上下面を無機絶縁膜で積層した構造が一般的に用いられる。水分の浸透を防止するために、十分な厚さの有機絶縁膜を配置する必要がある。有機絶縁膜を配置する方法としては、例えば特許文献１に、有機絶縁膜が塗布法によって形成される方法が開示されている。

米国特許第９７７３９９４号明細書

しかしながら、近年の狭額縁化に伴って表示領域外周部を極力狭くする必要があり、有機絶縁膜の端部の位置制御がますます困難になってきている。本発明の一実施形態は、上記課題に鑑み、簡略化された成膜方法を用いた有機絶縁膜の端部の位置制御を目的の一つとする。

本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、基板の表示領域を含む面上に第１無機絶縁層を形成し、表示領域を囲み、第１無機絶縁層の内側の領域として画定される第１無機絶縁層上の第１領域に第１有機絶縁層を形成し、表示領域を覆い、第１領域に囲まれる第１無機絶縁層上の第２領域に、第１有機絶縁層と接するように第２有機絶縁層を形成し、第１有機絶縁層及び第２有機絶縁層を覆い、第１有機絶縁層の外側で第１無機絶縁層と接する第２無機絶縁層を形成する、ことを含む。

本発明の一実施形態に係る表示装置は、表示領域を有する基板と、表示領域を含む面上に配置される第１無機絶縁層と、表示領域を囲み、第１無機絶縁層の内側の領域として画定される第１領域に配置される第１部と、表示領域を覆い、第１領域に囲まれる第２領域に配置される第２部と、を含む有機絶縁層と、有機絶縁層を覆い、有機絶縁層の外側で第１無機絶縁層と接する第２無機絶縁層と、を含み、有機絶縁層は、第１部と第２部との間に凹部を有する。

本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する上面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する上面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する上面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する断面図である。

以下、図面を参照して、本発明のいくつかの実施形態に係る表示装置について詳細に説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。本発明の実施形態では、特に有機ＥＬ表示装置を好適な応用例として例示するが、これに限定されるものではない。

図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、図面の寸法比率は、説明の都合上、実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略する。

本明細書において、ある部材又は領域が、他の部材又は領域の「上（又は下）」にあるとする場合、特段の限定がない限り、これは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく、他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。

＜第１実施形態＞
図１は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を説明する上面図である。表示装置１００は、表示領域１０２ａと、周辺領域１０２ｂと、屈曲領域１０２ｃと、端子領域１０２ｄとを有している。

表示領域１０２ａは、画像を表示するための領域である。表示領域１０２ａには、複数の画素１１２が配列されている。複数の画素１１２は、互いに交差する２方向に、行列状に配列されている。本実施形態においては、複数の画素１１２は、互いに直交する２方向に、行列状に配列されている。複数の画素１１２は、それぞれ発光素子が設けられている。

周辺領域１０２ｂは、表示領域１０２ａの周縁に接し、表示領域１０２ａを囲む領域である。周辺領域１０２ｂには、複数の画素１１２の発光を制御するための駆動回路が配置されてもよい。図１には、周辺領域１０２ｂに隔壁層１２２が示されている。隔壁層１２２は、周辺領域１０２ｂにおいて、第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ、第３隔壁１２２ｃ、及び第４隔壁１２２ｄを有する。第１隔壁１２２ａは、表示領域１０２ａと間隔を有し、表示領域１０２ａを囲む周状である。第２隔壁１２２ｂは、第１隔壁１２２ａと間隔を有し、第１隔壁１２２ａを囲む周状である。第３隔壁１２２ｃは、第２隔壁１２２ｂと間隔を有し、第２隔壁１２２ｂを囲む周状である。第４隔壁１２２ｄは、第３隔壁１２２ｃと間隔を有し、第３隔壁１２２ｃを囲む周状である。

屈曲領域１０２ｃは、任意の構成であり、表示装置１００を折り曲げることが可能な領域である。表示装置１００では、屈曲領域１０２ｃ内を通る任意の直線を境に折り曲げることにより、端子領域１０２ｄを、表示領域１０２ａの表示面の裏側に折り畳むことができる。

端子領域１０２ｄは、表示装置１００とフレキシブル印刷回路基板（ＦＰＣ基板）１３８等とを接続するための領域である。端子領域１０２ｄは、表示装置１００の一辺に沿って設けられ、複数の接続端子１３０が配列される。

図２は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を説明する断面図であり、図１に示すＡ−Ａ´に沿った断面の構成を示している。表示装置１００は、基板１０２と、回路層１０４と、複数の画素１１２と、隔壁層１２２と、封止層１２４と、第１保護層１２６と、第２保護層１２８と、複数の接続端子１３０と、偏光板１３２と、カバーフィルム１３４とを備えている。封止層１２４は、第１無機絶縁層１２４ａ、有機絶縁層１２４ｂ、第２無機絶縁層１２４ｃを含んで構成される。そして、第１保護層１２６、第２保護層１２８は、封止層１２４の上層に設けられている。また、複数の接続端子１３０は、第１保護層１２６の外側に設けられている。

基板１０２は、その一表面側に配置される回路層１０４や複数の画素１１２等の各種素子を支持する。基板１０２の材料としては、ガラス、石英、プラスチック、金属、セラミック等を含むことができる。

表示装置１００に可撓性を付与する場合、基板１０２上に基材を形成すればよい。この場合、基板１０２は支持基板とも呼ばれる。基材は、可撓性を有する絶縁層である。基材の具体的な材料としては、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネートに例示される高分子材料から選択される材料を含むことができる。

回路層１０４は、基板１０２の一表面に設けられ、下地層１０６、トランジスタ１０８、層間絶縁層１１０を含む。回路層１０４には更に、トランジスタ１０８を含む画素回路、駆動回路等が設けられる（図示せず）。画素回路は、表示領域１０２ａ内に配列された複数の画素１１２の各々に設けられ、発光素子１１４の発光を制御する。駆動回路は、周辺領域１０２ｂに設けられ、画素回路を駆動する。

下地層１０６は、任意の構成であり、基板１０２の当該一表面に設けられる。下地層１０６は、基板１０２（および基材）からアルカリ金属などの不純物がトランジスタ１０８等へ拡散することを防ぐための層である。下地層１０６の材料としては、無機絶縁材料を含むことができる。無機絶縁材料としては、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素又は酸化窒化珪素等を含むことができる。下地層１０６中の不純物濃度が小さい場合、下地層１０６は設けないか、あるいは基板１０２の一部のみを覆うように形成してもよい。

トランジスタ１０８は、半導体層１０８ａ、ゲート絶縁層１０８ｂ、ゲート電極１０８ｃ、ソース・ドレイン電極１０８ｄ等を含む。半導体層１０８ａは、下地層１０６上に島状に設けられている。半導体層１０８ａの材料としては、例えば珪素などの１４族元素、酸化物半導体等を含んでもよい。酸化物半導体としては、インジウムやガリウムなどの第１３族元素を含むことができ、例えばインジウムとガリウムの混合酸化物（ＩＧＯ）が挙げられる。半導体層１０８ａに酸化物半導体を用いる場合、更に１２族元素を含んでもよく、一例としてインジウム、ガリウム、および亜鉛を含む混合酸化物（ＩＧＺＯ）が挙げられる。半導体層１０８ａの結晶性に限定はなく、単結晶、多結晶、微結晶又はアモルファスのいずれの結晶状態を含んでもよい。

ゲート絶縁層１０８ｂは、半導体層１０８ａの上層に設けられている。本実施形態においては、ゲート絶縁層１０８ｂは、複数のトランジスタ１０８に亘って設けられている。しかし、ゲート絶縁層１０８ｂは、少なくともゲート電極１０８ｃと重畳する領域に設けられていればよい。ゲート絶縁層１０８ｂの材料としては、下地層１０６に用いることができる材料を用いることができ、単層構造であっても、これらの材料から選択された積層構造であってもよい。

ゲート電極１０８ｃは、ゲート絶縁層１０８ｂを介して半導体層１０８ａと重畳している。半導体層１０８ａにおいて、ゲート電極１０８ｃと重畳する領域がチャネル領域である。ゲート電極１０８ｃの材料としては、チタン、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタル等の金属や、その合金等を用いることができる。これらの材料のいずれかの単層、あるいはこれらから選択された複数の材料の積層構造を有するように形成することができる。例えば、チタン、タングステン、モリブデン等の比較的高い融点を有する金属で、アルミニウムや銅などの導電性の高い金属を挟持する構造を採用することができる。

層間絶縁層１１０は、ゲート電極１０８ｃの上層に設けられる。層間絶縁層１１０の材料としては、下地層１０６に用いることができる材料を用いることができ、単層構造であっても、これらの材料から選択された積層構造であってもよい。

ソース・ドレイン電極１０８ｄは、層間絶縁層１１０上に設けられ、層間絶縁層１１０及びゲート絶縁層１０８ｂに設けられる開口において、半導体層１０８ａのソース・ドレイン領域と電気的に接続される。層間絶縁層１１０上には更に、端子配線１０８ｅが設けられる。つまり、図２に示すように、端子配線１０８ｅは、ソース・ドレイン電極１０８ｄと同一の層内に存在することができる。また、これに限られず、端子配線１０８ｅはゲート電極１０８ｃと同一の層内に存在するよう構成してもよい（図示せず）。

図２では、トランジスタ１０８は、トップゲート型のトランジスタを例示しているが、トランジスタ１０８の構造に限定はなく、ボトムゲート型トランジスタ、ゲート電極１０８ｃを複数有するマルチゲート型トランジスタ、半導体層１０８ａの上下を二つのゲート電極１０８ｃで挟持する構造を有するデュアルゲート型トランジスタであってもよい。また、図２では、各画素１１２に一つのトランジスタ１０８が設けられる例が示されているが、各画素１１２は複数のトランジスタ１０８や容量素子などの半導体素子を更に有してもよい。

複数の画素１１２の各々は、発光素子１１４を有している。発光素子１１４は、基板１０２側から第１電極１１６、発光層１１８及び第２電極１２０が積層された層構造を有している。第１電極１１６及び第２電極１２０からキャリアが発光層１１８へ注入され、キャリアの再結合が発光層１１８内で生じる。これにより、発光層１１８内の発光性分子が励起状態となり、これが基底状態へ緩和するプロセスを経て発光が得られる。

第１電極１１６は、平坦化絶縁層１２２ｅよりも上層に設けられる。第１電極１１６はまた、平坦化絶縁層１２２ｅ及び無機絶縁層１２２ｆに設けられた開口を覆い、ソース・ドレイン電極１０８ｄと電気的に接続されるように設けられる。これにより、トランジスタ１０８を介して電流が発光素子１１４へ供給される。発光素子１１４からの発光を第２電極１２０側から取り出す場合、第１電極１１６の材料としては、可視光を反射することができる材料から選択される。この場合、第１電極１１６は、銀やアルミニウムなどの反射率の高い金属やその合金を用いる。あるいはこれらの金属や合金を含む層上に、透光性を有する導電性酸化物の層を形成する。導電酸化物としてはＩＴＯやＩＺＯなどが挙げられる。逆に、発光素子１１４からの発光を第１電極１１６側から取り出す場合、第１電極１１６の材料としては、ＩＴＯやＩＺＯを用いればよい。

発光層１１８は、第１電極１１６を覆うように設けられる。発光層１１８の構成は適宜選択することができ、例えばキャリア注入層、キャリア輸送層、発光層１１８、キャリア阻止層、励起子阻止層などを組み合わせて構成することができる。発光層１１８は、画素１１２毎に異なる材料を含むように構成することができる。発光層１１８に用いる材料を適宜選択することで、画素１１２毎に異なる発光色を得ることができる。あるいは、発光層１１８の構造を画素１１２間で同一としてもよい。このような構成では、各画素１１２の発光層１１８から同一の発光色が出力されるため、例えば発光層１１８を白色発光可能な構成とし、カラーフィルタを用いて種々の色（例えば、赤色、緑色、青色）をそれぞれ画素１１２から取り出してもよい。

第２電極１２０は、発光層１１８の上層に設けられる。第２電極１２０はまた、本実施形態のように、複数の画素１１２に共通して設けられてもよい。平面視において、第１電極１１６と発光層１１８が接触する領域が発光領域である。発光素子１１４からの発光を第２電極１２０側から取り出す場合、第２電極１２０の材料としては、ＩＴＯなどの透光性を有する導電性酸化物等から選択される。あるいは、上述した金属を可視光が透過する程度の厚さで形成することができる。この場合、さらに透光性を有する導電性酸化物を積層してもよい。

隔壁層１２２は、基板１０２の当該一表面上に設けられている。隔壁層１２２は、第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ、第３隔壁１２２ｃ、第４隔壁１２２ｄ、平坦化絶縁層１２２ｅ及び無機絶縁層１２２ｆを有している。

第１隔壁１２２ａは、平面視において表示領域１０２ａと間隔を有し、表示領域１０２ａを囲む周状の形態を有している。

これによって、表示領域１０２ａ及び第１隔壁１２２ａの間には、周状の溝部１２２ｇが形成されている。詳細は後述するが、製造工程において封止層１２４を構成する有機絶縁層１２４ｂを形成する際に、有機絶縁層１２４ｂが表示領域１０２ａを覆い、且つ基板１０２の端部に拡がらないように基板１０２の表面内の領域に選択的に形成する必要がある。有機絶縁層１２４ｂが基板１０２の端部まで拡がってしまうと、端部から有機絶縁層１２４ｂを介して水分が表示装置１００内に侵入することが懸念される。有機絶縁層１２４ｂは、例えばインクジェット法を用いて２段階に表示領域１０２ａに選択的に塗布される。このとき、第１隔壁１２２ａは、その外側に有機絶縁層１２４ｂが拡がらないように堰き止める機能を有する。

そのため、第１隔壁１２２ａは、表示領域１０２ａとの間隔が１０μｍ以上１０００μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上２００μｍ以下となるように配置される。ここで表示領域１０２ａの端部とは、仮に、発光層１１８の端部とする。表示領域１０２ａと第１隔壁１２２ａとの間隔がこの範囲より小さいと、有機絶縁層１２４ｂを形成する際に、それを堰き止めるのに十分な機能が得られない。表示領域１０２ａと第１隔壁１２２ａとの間隔がこの範囲より大きいと、表示装置１００の狭額縁化が阻害される。また、第１隔壁１２２ａは、幅が５μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。第１隔壁１２２ａの幅がこの範囲よりも小さいと、製造工程において十分な高さの第１側壁を形成することが困難になる。第１隔壁１２２ａの幅がこの範囲よりも大きいと、表示装置１００の狭額縁化が阻害される。また、第１隔壁１２２ａは、最大高さが、１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。第１隔壁１２２ａの高さがこの範囲よりも小さいと、有機絶縁層１２４ｂを塗布する際に、それを堰き止めるのに十分な機能が得られない。第１隔壁１２２ａの高さがこの範囲よりも大きいと、隔壁層１２２を形成することが困難になる。

第２隔壁１２２ｂは、平面視において第１隔壁１２２ａと間隔を有し、第１隔壁１２２ａを囲む周状の形態を有する。第２隔壁１２２ｂは、有機絶縁層１２４ｂが第１隔壁１２２ａの外側まで流れ出てしまった場合の予備壁である。このため、第２隔壁１２２ｂは、第１隔壁１２２ａと同じ構成で配置されることが好ましい。

第３隔壁１２２ｃは、平面視において第２隔壁１２２ｂと間隔を有し、第２隔壁１２２ｂを囲む周状の形態を有する。これによって、第３隔壁１２２ｃ及び第２隔壁１２２ｂの間には、周状の溝部１２２ｈが形成されている。詳細は後述するが、製造工程において、複数の接続端子１３０を覆う封止層１２４をパターニングして複数の接続端子１３０を露出させる際に、第１保護層１２６をマスクとして封止層１２４をエッチングする。このエッチングの際、第１保護層１２６の端部が後退する。第１保護層１２６の端部が後退しすぎると、封止層１２４のエッチングにおいて、第１無機絶縁層１２４ａ、有機絶縁層１２４ｂ及び第２無機絶縁層１２４ｃの３層が積層された領域までエッチングされ、有機絶縁層１２４ｂが露出することが懸念される。有機絶縁層１２４ｂが露出すると、そこから水分が侵入し、その後、第１無機絶縁層１２４ａを透過することによって、発光層１１８が劣化してしまう。これによって、表示装置１００の歩留まり及び信頼性が劣化する。第１無機絶縁層１２４ａは、凹凸を有する隔壁層１２２上に設けられるため、クラック等が生じやすく、それが水分の侵入経路となり得る。

そのため、第２隔壁１２２ｂおよび第３隔壁１２２ｃを設け、第３隔壁１２２ｃ上に端部が配置されるように第１保護層１２６を形成すれば、第１隔壁１２２ａ及び第２隔壁１２２ｂの間の溝部、並びに第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃの間の溝部１２２ｈにより、第１保護層１２６の周辺領域１０２ｂにおける膜厚を厚くすることができる。これによって、封止層１２４のエッチングの際に第１保護層１２６の端部が後退することを防止することができる。これによって、封止層１２４の意図しない領域までエッチングされ、有機絶縁層１２４ｂが露出することを防止することができる。

また、後述する工程で、第１保護層１２６をマスクとして、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃを除去する。このとき、第１保護層１２６が不用意に基板端近くまで流れ出てしまうと、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃが除去されない領域が拡大する。特に、狭額縁化が進むと、表示領域１０２ａと端子領域１０２ｄとの距離が小さくなるため、接続端子１３０の露出を阻害する場合がある。第３隔壁１２２ｃ、及び溝部１２２ｈによって、第１保護層１２６の堰き止め効果が期待できる。

そのため、第３隔壁１２２ｃは、第２隔壁１２２ｂとの間隔が１０μｍ以上１０００μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上２００μｍ以下となるように配置される。第３隔壁１２２ｃと第２隔壁１２２ｂとの間隔がこの範囲よりも小さいと、第１保護層１２６の端部近傍において十分な厚さを有する領域を十分に確保できず、第１保護層１２６の端部の後退を防止する機能が十分に得られない。第３隔壁１２２ｃと第２隔壁１２２ｂとの間隔がこの範囲よりも大きいと、表示装置１００の狭額縁化が阻害される。また、第３隔壁１２２ｃは、最大高さが、１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。第３隔壁１２２ｃの高さがこの範囲よりも小さいと、第１保護層１２６の端部近傍の膜厚を十分に厚くすることができず、第１保護層１２６の端部の後退を防止する機能が十分に得られない。第３隔壁１２２ｃの高さがこの範囲よりも大きいと、隔壁層１２２を形成することが困難になる。

第４隔壁１２２ｄは、平面視において第３隔壁１２２ｃと間隔を有し、第３隔壁１２２ｃを囲む周状の形態を有する。第４隔壁１２２ｄは、第１保護層１２６が第３隔壁１２２ｃの外側まで流れ出てしまった場合の予備壁である。このため、第４隔壁１２２ｄは、第３隔壁１２２ｃと同じ構成で配置されることが好ましい。

以上、隔壁層１２２の内、第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ、第３隔壁１２２ｃ、及び第４隔壁１２２ｄの構成について説明したが、これらは平面視において互いに分離されている。第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ、第３隔壁１２２ｃ、及び第４隔壁１２２ｄの材料としては、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂等の有機絶縁材料を用いることができる。

平坦化絶縁層１２２ｅは、回路層１０４の上層、且つ発光素子１１４の下層に配置されている。平坦化絶縁層１２２ｅは、トランジスタ１０８等の半導体素子に起因する凹凸を吸収して平坦な表面を与える。平坦化絶縁層１２２ｅの材料としては、第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ、第３隔壁１２２ｃ、及び第４隔壁１２２ｄに用いることができる材料を用いることができる。

無機絶縁層１２２ｆは、任意の構成であり、トランジスタ１０８等の半導体素子を保護する機能を有する。更に、発光素子１１４の第１電極１１６と、無機絶縁層１２２ｆの下層で、第１電極１１６と無機絶縁層１２２ｆを挟むように形成される電極（図示せず）との間で容量を形成することができる。

平坦化絶縁層１２２ｅ及び無機絶縁層１２２ｆには、複数の開口が設けられる。その内の一つは、発光素子１１４の第１電極１１６とトランジスタ１０８のソース・ドレイン電極１０８ｄとを電気的に接続するために設けられる。他の一つは、端子配線１０８ｅの一部を露出するように設けられる。この開口によって露出した端子配線１０８ｅは、例えば異方性導電膜１３６等によりＦＰＣ基板１３８と電気的に接続される。

封止層１２４は、複数の画素１１２及び隔壁層１２２の上層に設けられている。封止層１２４は、第１無機絶縁層１２４ａ、有機絶縁層１２４ｂ及び第２無機絶縁層１２４ｃを有している。

第１無機絶縁層１２４ａは、複数の画素１１２及び隔壁層１２２に起因する凹凸表面を被覆する。第１無機絶縁層１２４ａは、端部が第２隔壁１２２ｂの外側であって、第３隔壁１２２ｃ上又は溝部１２２ｈと重なる位置に配置されている。つまり、第１無機絶縁層１２４ａは、複数の画素１１２及び第１隔壁１２２ａの間の溝部１２２ｇの底面及び隔壁を被覆する。更に、第１無機絶縁層１２４ａは、第１隔壁１２２ａ及び第２隔壁１２２ｂの間の溝部の底面及び側壁、並びに第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃの間の溝部１２２ｈの底面及び側壁を被覆する。

第１無機絶縁層１２４ａは、少なくとも次の２つの役割を有する。１つは、第１無機絶縁層１２４ａの上層に配置され、水分が透過しやすい有機絶縁層１２４ｂが発光素子１１４に接触しないように設けられている。これによって、有機絶縁層１２４ｂが含有する水分、又は表示装置１００の外部から有機絶縁層１２４ｂに侵入した水分が発光層１１８へ到達し、発光層１１８を劣化させることを防止することができる。他の１つは、第１隔壁１２２ａ及び第２隔壁１２２ｂに有機材料を介した水分の侵入経路を生じさせないために設けられている。これによって、第３隔壁１２２ｃが含有する水分、又は表示装置１００の外部から第３隔壁１２２ｃに侵入した水分が、表示領域１０２ａの内側へ侵入し、発光層１１８を劣化させることを防止することができる。

よって、第１無機絶縁層１２４ａの材料としては、透湿性の低い絶縁材料が好ましい。第１無機絶縁層１２４ａの具体的な材料としては、例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム等を使用することができる。また、これらから選択された複数の材料を積層した構造を使用してもよい。

有機絶縁層１２４ｂは、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１と有機絶縁層第２部１２４ｂ−２を有する。有機絶縁層１２４ｂの有機絶縁層第１部１２４ｂ−１と有機絶縁層第２部１２４ｂ−２とは、第１無機絶縁層１２４ａの上層に設けられている。有機絶縁層第１部１２４ｂ−１は、表示領域１０２ａを囲む周状である。有機絶縁層第１部１２４ｂ−１は、第１無機絶縁層１２４ａの内側の領域として画定される周辺領域１０２ｂの第１領域に配置される。有機絶縁層第１部１２４ｂ−１は、外側端部が第１隔壁１２２ａ上に配置される。しかしながらこれに限定されず、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１は、外側端部が表示領域１０２ａ及び第１隔壁１２２ａの間、又は第１隔壁１２２ａ及び第２隔壁１２２ｂの間に配置されてもよい。有機絶縁層第１部１２４ｂ−１は、断面視したときに、外側端部から表示領域１０２ａ側に、丸みを帯びて、角部を有さない凸形状を有する。しかしながらこれに限定されず、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１の表面形状は、凹凸構造が少なければよい。

有機絶縁層第１部１２４ｂ−１の最上部と第１隔壁１２２ａ上の第１無機絶縁層１２４ａの上面との差は、２μｍ以上１５μｍ以下の範囲であることが好ましい。ここで有機絶縁層第１部１２４ｂ−１の最上部とは、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１と有機絶縁層第２部１２４ｂ−２との境界であってもよい。すなわち、第１隔壁１２２ａ上の第１無機絶縁層１２４ａの上面より、有機絶縁層１２４ｂの有機絶縁層第１部１２４ｂ−１の最上部のほうが基板１０２からの距離が大きい。有機絶縁層第１部１２４ｂ−１の高さがこの範囲よりも小さいと、有機絶縁層第２部１２４ｂ−２を塗布する際に、それを堰き止めるのに十分な機能が得られない。有機絶縁層第１部１２４ｂ−１の幅は、１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であることが好ましい。有機絶縁層第１部１２４ｂ−１の幅がこの範囲よりも小さいと、十分な高さの有機絶縁層第１部１２４ｂ−１を形成することが困難になる。このような構成を有することによって、有機絶縁層１２４ｂの有機絶縁層第１部１２４ｂ−１は、その外側に有機絶縁層１２４ｂの有機絶縁層第２部１２４ｂ−２が拡がらないように堰き止めることができる。

有機絶縁層第２部１２４ｂ−２は、表示領域１０２ａを覆うように配置される。有機絶縁層第２部１２４ｂ−２は、第１領域に囲まれる表示領域１０２ａ及び周辺領域１０２ｂを含む第２領域に配置される。有機絶縁層第２部１２４ｂ−２は、外側端部が有機絶縁層第１部１２４ｂ−１と接している。有機絶縁層第２部１２４ｂ−２は、断面視したときに、外側端部から表示領域１０２ａ側に、丸みを帯びて、角部を有さない凸形状を有する。有機絶縁層第２部１２４ｂ−２は、表示領域１０２ａにおいて略平坦である。しかしながらこれに限定されず、有機絶縁層第２部１２４ｂ−２は、表示領域１０２ａにおいて凹凸構造が少なければよい。有機絶縁層１２４ｂは、複数の画素１１２に起因する表示領域１０２ａの凹凸を平坦化するために設けられる。

複数の画素１１２の凹凸が十分に平坦化されず、有機絶縁層１２４ｂ上に第２無機絶縁層１２４ｃが設けられると、第２無機絶縁層１２４ｃが有機絶縁層１２４ｂに残った凹凸を十分に被覆できず、第２無機絶縁層１２４ｃにクラック等の欠陥が生じ、それに起因する水分の侵入経路が生じる場合がある。

有機絶縁層第２部１２４ｂ−２の最上部と有機絶縁層第１部１２４ｂ−１の最上部との差は、５μｍ以上２０μｍ以下の範囲であることが好ましい。すなわち、有機絶縁層１２４ｂは、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１の最上部より有機絶縁層第２部１２４ｂ−２の最上部のほうが基板１０２からの距離が大きい。さらに、有機絶縁層第２部１２４ｂ−２と有機絶縁層第１部１２４ｂ−１との接触角は、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１と第１無機絶縁層１２４ａとの接触角より大きい。すなわち、有機絶縁層第２部１２４ｂ−２の凸形状の傾斜が有機絶縁層第１部１２４ｂ−１の凸形状の傾斜より急峻である。表示領域１０２ａにおいて、有機絶縁層第２部１２４ｂ−２の最上部と第１無機絶縁層１２４ａの最上部との差は、２μｍ以上３０μｍ以下の範囲であることが好ましい。このような構成を有することによって、有機絶縁層１２４ｂを表示領域１０２ａにおいて十分に厚く形成することができ、凹凸の平坦化及び表示領域１０２ａへの異物混入などに起因するムラなどを抑制することができる。

有機絶縁層第１部１２４ｂ−１と有機絶縁層第２部１２４ｂ−２との境界は、凹部１２４ｂ’を有する。有機絶縁層第２部１２４ｂ−２の端部である凹部１２４ｂ’は、上面視したときに、表示領域１０２ａの周囲が波打った形状である。すなわち、有機絶縁層第２部１２４ｂ−２の端部は、周辺領域１０２ｂにおいて表示領域１０２ａの外側方向に複数の凹凸形状を有する。一方で、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１の端部は、凹凸構造が少なければよい。有機絶縁層第１部１２４ｂ−１と有機絶縁層第２部１２４ｂ−２との境界がこのような構成を有することによって、有機絶縁層１２４ｂと有機絶縁層１２４ｂの上層である第２無機絶縁層１２４ｃとの密着性を向上することができる。

第２無機絶縁層１２４ｃは、有機絶縁層１２４ｂの上層に設けられている。第２無機絶縁層１２４ｃはまた、端部が第２隔壁１２２ｂの外側であって、第３隔壁１２２ｃの上又は溝部１２２ｈと重なる位置に配置される。本実施形態においては、第２無機絶縁層１２４ｃは、第１無機絶縁層１２４ａの端部に沿って配置されている。そして、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃの端部が第３隔壁１２２ｃの上に配置されることで、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃによって第２隔壁１２２ｂを確実に被覆することができ、表示領域１０２ａに水分が浸入するのを防ぐ効果を高めることができる。そして、有機絶縁層１２４ｂは、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃによって密封されている。このような構成を有することによって、有機絶縁層１２４ｂを介した、表示装置１００の外部から内部へ水分の侵入経路を遮断することができる。第２無機絶縁層１２４ｃの材料としては、透湿性の低い絶縁材料を用いることが好ましく、第１無機絶縁層１２４ａと同様の材料を用いることができる。

尚、第２無機絶縁層１２４ｃは、必ずしもその端部が第１無機絶縁層１２４ａの端部に沿って配置される必要は無い。有機絶縁層１２４ｂが、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃによって密封されるように封止層１２４が構成されればよい。

第１保護層１２６は、第１保護層第１部１２６−１と第１保護層第２部１２６−２を有する。第１保護層１２６の第１保護層第１部１２６−１と第１保護層第２部１２６−２とは、封止層１２４の上層、つまり、第２無機絶縁層１２４ｃに設けられている。第１保護層第１部１２６−１は、有機絶縁層１２４ｂが配置される第１領域及び第２領域を囲む周状である。第１保護層第１部１２６−１は、第１無機絶縁層１２４ａの内側の領域として画定される周辺領域１０２ｂの第３領域に配置される。第１保護層第１部１２６−１は、外側端部が第２隔壁１２２ｂの外側であって、第３隔壁１２２ｃ上又は溝部１２２ｈと重なる位置に配置される。第１保護層第１部１２６−１は、断面視したときに、外側端部から表示領域１０２ａ側に、丸みを帯びて、角部を有さない凸形状を有する。しかしながらこれに限定されず、第１保護層第１部１２６−１の表面形状は、凹凸構造が少なければよい。

第１保護層第１部１２６−１の最上部と第３隔壁１２２ｃ上の第２無機絶縁層１２４ｃの上面との差は、２μｍ以上１５μｍ以下の範囲であることが好ましい。ここで第１保護層第１部１２６−１の最上部とは、第１保護層第１部１２６−１と第１保護層第２部１２６−２との境界であってもよい。すなわち、第３隔壁１２２ｃ上の第２無機絶縁層１２４ｃの上面より第１保護層１２６の第１保護層第１部１２６−１の最上部のほうが基板１０２からの距離が大きい。第１保護層第１部１２６−１の高さがこの範囲よりも小さいと、第１保護層第２部１２６−２を塗布する際に、それを堰き止めるのに十分な機能が得られない。第１保護層第１部１２６−１の幅は、１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であることが好ましい。第１保護層第１部１２６−１の幅がこの範囲よりも小さいと、十分な高さの第１保護層第１部１２６−１を形成することが困難になる。このような構成を有することによって、第１保護層１２６の第１保護層第１部１２６−１は、その外側に第１保護層１２６の第１保護層第２部１２６−２が拡がらないように堰き止めることができる。

第１保護層第２部１２６−２は、表示領域１０２ａを覆うように配置される。第１保護層第２部１２６−２は、第３領域に囲まれる表示領域１０２ａ及び周辺領域１０２ｂを含む第４領域に配置される。第１保護層第２部１２６−２は、外側端部が第１保護層第１部１２６−１と接している。第１保護層第２部１２６−２は、断面視したときに、外側端部から表示領域１０２ａ側に、丸みを帯びて、角部を有さない凸形状を有する。第１保護層第２部１２６−２は、表示領域１０２ａにおいて略平坦である。しかしながらこれに限定されず、第１保護層第２部１２６−２は、表示領域１０２ａにおいて凹凸構造が少なければよい。

本実施形態においては、第１保護層１２６は、及び第２無機絶縁層１２４ｃの端部に沿って配置されている。第１保護層１２６はまた、第１隔壁１２２ａ及び第２隔壁１２２ｂの間の溝部、並びに第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃの間の溝部１２２ｈを充填する。これによって、第１保護層１２６は、周辺領域１０２ｂにおける厚みが、表示領域１０２ａ上よりも厚くなっている。第１保護層１２６の材料としては、前述の有機絶縁層１２４ｂに用いることができる材料と同様の材料を用いることができる。

第１保護層第２部１２６−２の最上部と第１保護層第１部１２６−１の最上部との差は、５μｍ以上２０μｍ以下の範囲であることが好ましい。すなわち、第１保護層１２６は、第１保護層第１部１２６−１の最上部より第１保護層第２部１２６−２の最上部のほうが基板１０２からの距離が大きい。さらに、第１保護層第２部１２６−２と第１保護層第１部１２６−１との接触角は、第１保護層第１部１２６−１と第２無機絶縁層１２４ｃとの接触角より大きい。すなわち、第１保護層第２部１２６−２の凸形状の傾斜が第１保護層第１部１２６−１の凸形状の傾斜より急峻である。このような構成を有することによって、第１保護層１２６を十分に厚く形成することができ、第１保護層１２６の上面における凹凸を隔壁層１２２における凹凸より小さく形成することができる。

第１保護層第１部１２６−１と第１保護層第２部１２６−２との境界は、凹部１２６ｂ’を有する。第１保護層第２部１２６−２の端部である凹部１２６ｂ’は、上面視したときに、表示領域１０２ａをの周囲が波打った形状である。すなわち、第１保護層第２部１２６−２の端部は、周辺領域１０２ｂにおいて表示領域１０２ａの外側方向に複数の凹凸形状を有する。一方で、第１保護層第１部１２６−１の端部は、凹凸構造が少なければよい。第１保護層第１部１２６−１と第１保護層第２部１２６−２との境界がこのような構成を有することによって、第１保護層１２６と第１保護層１２６の上層である第２保護層１２８との密着性を向上することができる。

第２保護層１２８は、任意の構成であり、表示装置１００を物理的に保護する。第２保護層１２８の材料としては、エステル、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの高分子材料を含むことができる。印刷法やラミネート法などを適用して形成することができる。

複数の接続端子１３０は、基板１０２の当該一表面上に配列されている。複数の接続端子１３０の各々は、無機絶縁層１２２ｆ及び平坦化絶縁層１２２ｅに設けられた開口を介して、接続配線に電気的に接続されている。複数の接続端子１３０はまた、平面視において第１保護層１２６の外側に配置される。

偏光板１３２は、例えばλ／４板１３２ａ及びその上に配置される直線偏光板１３２ｂの積層構造を有することができる。表示装置１００の外から入射する光が直線偏光板１３２ｂを透過して直線偏光となった後、λ／４板１３２ａを通過すると、右回りの円偏光となる。この円偏光が第１電極１１６で反射すると左回りの円偏光となり、これが再度λ／４板１３２ａを透過することで直線偏光となる。このときの直線偏光の偏光面は、反射前の直線偏光と直交する。したがって、直線偏光板１３２ｂを透過することができない。その結果、偏光板１３２を設置することで外光の反射が抑制され、コントラストの高い映像を提供することが可能となる。

カバーフィルム１３４は、任意の構成であり、本実施形態においては、偏光板１３２の上層に設けられている。カバーフィルム１３４は、偏光板１３２を物理的に保護する。

表示装置１００の構成によれば、封止層１２４の劣化を防止することができる。これによって、製造歩留まり及び信頼性が向上した表示装置１００を提供することができる。

次いで、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について詳細に説明する。図３乃至図１０は、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法を説明する断面図である。

基板１０２は、その一表面側に配置される回路層１０４や複数の画素１１２等の各種素子を支持する。従って、基板１０２には、その上に形成される各種素子のプロセスの温度に対する耐熱性とプロセスで使用される薬品に対する化学的安定性を有する材料を使用すればよい。基板１０２の材料としては、ガラス、石英、プラスチック、金属、セラミック等を含むことができる。

表示装置１００に可撓性を付与する場合、基板１０２上に基材を形成すればよい。この場合、基板１０２は支持基板とも呼ばれる。基材は、可撓性を有する絶縁層である。基材の具体的な材料としては、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナートに例示される高分子材料から選択される材料を含むことができる。基材は、例えば印刷法やインクジェット法、スピンコート法、ディップコーティング法などの湿式成膜法、あるいはラミネート法などを適用して形成することができる。

次いで、図３を用いて、基板１０２の一表面上に、回路層１０４を形成する方法について説明する。先ず、下地層１０６を形成する。下地層１０６の材料としては、無機絶縁材料を含むことができる。無機絶縁材料としては、窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素又は酸化窒化珪素等を含むことができる。下地層１０６は、化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法等を適用して、単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。尚、下地層１０６は任意の構成であり、必ずしも設ける必要は無い。

次いで、半導体層１０８ａを形成する。半導体層１０８ａは、前述した珪素などの１４族元素、あるいは半導体層１０８ａは、酸化物半導体を含んでもよい。半導体層１０８ａが珪素を含む場合、半導体層１０８ａは、シランガスなどを原料として用い、ＣＶＤ法によって形成すればよい。これによって得られるアモルファスシリコンに対して加熱処理、あるいはレーザなどの光を照射することで結晶化を行ってもよい。半導体層１０８ａが酸化物半導体を含む場合、スパッタリング法等を利用して形成することができる。

次いで、半導体層１０８ａを覆うようにゲート絶縁層１０８ｂを形成する。ゲート絶縁層１０８ｂは単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよく、下地層１０６と同様の手法で形成することができる。

次いで、ゲート絶縁層１０８ｂ上にゲート電極１０８ｃを形成する。ゲート電極１０８ｃは、チタンやアルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属やその合金などを用いることができる。これらの材料のいずれかの単層、あるいはこれらから選択された複数の材料の積層構造を有するように形成することができる。例えばチタンやタングステン、モリブデンなどの比較的高い融点を有する金属でアルミニウムや銅などの導電性の高い金属を挟持する構造を採用することができる。ゲート電極１０８ｃは、スパッタリング法やＣＶＤ法を用いて形成することができる。

次いで、ゲート電極１０８ｃ上に層間絶縁層１１０を形成する。ゲート電極１０８ｃの上層に設けられる。層間絶縁層１１０の材料としては、下地層１０６に用いることができる材料を用いることができ、単層構造であっても、これらの材料から選択された積層構造であってもよい。層間絶縁層１１０は、下地層１０６と同様の手法で形成することができる。積層構造を有する場合、例えば有機材料を含む層を形成した後、無機材料を含む層を積層してもよい。

次に、層間絶縁層１１０とゲート絶縁層１０８ｂに対してエッチングを行い、半導体層１０８ａに達する開口を形成する。開口は、例えばフッ素含有炭化水素を含むガス中でプラズマエッチングを行うことで形成することができる。更に、同一の工程で、屈曲領域１０２ｃにおける回路層１０４の、下地層１０６、ゲート絶縁層１０８ｂ及び層間絶縁層１１０を除去しておく。無機絶縁材料は、屈曲によってクラック等の欠陥が生じやすく、それを起点に水分の侵入経路が生じることが懸念される。そのため、屈曲領域１０２ｃにおける無機絶縁材料を除去しておくことが好ましい。

次いで、開口を覆うように金属層を形成し、エッチングを行って成形することで、ソース・ドレイン電極１０８ｄを形成する。本実施形態では、ソース・ドレイン電極１０８ｄの形成と同時に端子配線１０８ｅを形成する。従って、ソース・ドレイン電極１０８ｄと端子配線１０８ｅは同一の層内に存在することができる。金属層はゲート電極１０８ｃと同様の構造を有することができ、ゲート電極１０８ｃの形成と同様の手法を用いて形成することができる。

次いで、図４を用いて、基板１０２の一表面上に、複数の画素１１２と、隔壁層１２２と、複数の接続端子１３０とを形成する方法について説明する。複数の画素１１２は、各々が発光素子１１４を有する。ここで、隔壁層１２２は、第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ、第３隔壁１２２ｃ、第４隔壁１２２ｄ、平坦化絶縁層１２２ｅ、無機絶縁層１２２ｆを有する。第１隔壁１２２ａは表示領域１０２ａを囲み、第２隔壁１２２ｂは第１隔壁１２２ａを囲み、第３隔壁１２２ｃは第２隔壁１２２ｂを囲み、第４隔壁１２２ｄは第３隔壁１２２ｃを囲む。接続端子１３０は、第４隔壁１２２ｄの外側に配置される。

先ず、平坦化絶縁層１２２ｅを形成する。平坦化絶縁層１２２ｅは、ソース・ドレイン電極１０８ｄや端子配線１０８ｅを覆うように形成される。平坦化絶縁層１２２ｅは、トランジスタ１０８、端子配線１０８ｅ等に起因する凹凸や傾斜を吸収し、平坦な面を与える機能を有する。平坦化絶縁層１２２ｅの材料としては、有機絶縁材料を用いることができる。有機絶縁材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナート、ポリシロキサン等の高分子材料が挙げられる。成膜方法としては、湿式成膜法等によって形成することができる。

次いで、平坦化絶縁層１２２ｅ上に無機絶縁層１２２ｆを形成する。上述したように、無機絶縁層１２２ｆは、トランジスタ１０８に対する保護層として機能するだけでなく、後に形成される発光素子１１４の第１電極１１６と共に容量を形成する。従って、誘電率の比較的高い材料を用いることが好ましい。例えば窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素等を用いることができる。成膜方法としては、ＣＶＤ法やスパッタリング法を適用することができる。

次いで、ソース・ドレイン電極１０８ｄと端子配線１０８ｅをエッチングストッパとして、無機絶縁層１２２ｆと平坦化絶縁層１２２ｅに対してエッチングを行い、開口を形成する。その後、これらの開口を覆うように第１電極１１６及び接続端子１３０を形成する。

発光素子１１４からの発光を第２電極１２０側から取り出す場合、第１電極１１６は可視光を反射するように構成される。この場合、第１電極１１６は、銀やアルミニウムなどの反射率の高い金属やその合金を用いる。あるいはこれらの金属や合金を含む層上に、透光性を有する導電性酸化物の層を形成する。導電酸化物としてはＩＴＯやＩＺＯなどが挙げられる。発光素子１１４からの発光を第１電極１１６側から取り出す場合には、ＩＴＯやＩＺＯを用いて第１電極１１６を形成すればよい。

本実施形態においては、第１電極１１６及び接続電極が無機絶縁層１２２ｆ上に形成される。したがって、例えば開口を覆うように上記金属の層を形成し、その後可視光を透過する導電酸化物を含む層を形成し、エッチングによる加工を行って第１電極１１６及び接続電極を形成することができる。

次いで、第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ、第３隔壁１２２ｃ、及び第４隔壁１２２ｄを形成する。

後の製造工程において封止層１２４を構成する有機絶縁層１２４ｂを形成する際に、有機絶縁層１２４ｂが表示領域１０２ａを覆い、且つ基板１０２の端部に拡がらないように基板１０２の表面内の領域に選択的に形成する必要がある。有機絶縁層１２４ｂは、例えばインクジェット法を用いて２段階に表示領域１０２ａに選択的に形成される。このとき、第１隔壁１２２ａは、その外側に有機絶縁層１２４ｂが拡がらないように堰き止める機能を有する。

また、後の製造工程において封止層１２４をパターニングして複数の接続端子１３０を露出させる際に、第１保護層１２６をマスクとして封止層１２４をエッチングする。このエッチングの際、第１保護層１２６の端部が後退する場合がある。第１保護層１２６の端部が後退し過ぎると、封止層１２４のエッチングにおいて、第１無機絶縁層１２４ａ、有機絶縁層１２４ｂ及び第２無機絶縁層１２４ｃの３層が積層された領域までエッチングされ、有機絶縁層１２４ｂが露出することが懸念される。有機絶縁層１２４ｂが露出すると、それが水分の侵入経路となってしまい、有機絶縁層１２４ｂに侵入した水分が第１無機絶縁層１２４ａを透過することによって、発光層１１８が劣化してしまう。これによって、表示装置１００の歩留まり及び信頼性が劣化する。第１無機絶縁層１２４ａは、凹凸を有する隔壁層１２２上に設けられるため、クラック等が生じやすく、それが水分の侵入経路となり得る。

第１保護層１２６の端部の後退を抑制するには、少なくとも第１保護層１２６の端部近傍の膜厚を厚くすればよい。第３隔壁１２２ｃはそのために設けられ、第３隔壁１２２ｃ及び第２隔壁１２２ｂの間の溝部１２２ｈに第１保護層１２６が充填されることによって、第１保護層１２６の端部近傍の膜厚が厚くなる。

第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ、第３隔壁１２２ｃ、及び第４隔壁１２２ｄは、エポキシ樹脂やアクリル樹脂など、平坦化絶縁層１２２ｅに使用可能な材料を用いることができ、湿式成膜法で形成することができる。

次いで、発光層１１８及び第２電極１２０を、第１電極１１６及び隔壁層１２２を覆うように形成する。発光層１１８は、主に有機化合物を含み、インクジェット法やスピンコート法などの湿式成膜法、あるいは蒸着等の乾式成膜法を適用して形成することができる。

発光素子１１４からの発光を第１電極１１６から取り出す場合、第２電極１２０の材料としては、アルミニウム、マグネシウム、銀等の金属やこれらの合金を用いればよい。逆に発光素子１１４からの発光を第２電極１２０から取り出す場合、第２電極１２０の材料としては、ＩＴＯなどの透光性を有する導電性酸化物などを用いればよい。あるいは、上述した金属を可視光が透過する程度の厚さで形成することができる。この場合、さらに透光性を有する導電性酸化物を積層してもよい。

次いで、図５から図７を用いて、封止層１２４を形成する方法について説明する。ここで、封止層１２４は、第１無機絶縁層１２４ａと、有機絶縁層１２４ｂと、第２無機絶縁層１２４ｃとを有する。有機絶縁層１２４ｂは、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１と有機絶縁層第２部１２４ｂ−２を有する。図５を用いて、基板１０２の一表面上に、第１無機絶縁層１２４ａ及び有機絶縁層第１部１２４ｂ−１を形成する方法について説明する。第１無機絶縁層１２４ａは、基板１０２の表面に亘って配置される。有機絶縁層１２４ｂは、第１無機絶縁層１２４ａ上、且つ複数の画素１１２を覆い、第１隔壁１２２ａの内側に配置される。第２無機絶縁層１２４ｃは、有機絶縁層１２４ｂ上、且つ表面に亘って配置される。

先ず、第１無機絶縁層１２４ａを、基板１０２の一表面に亘って形成する。第１無機絶縁層１２４ａは、例えば窒化珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素等の無機材料を含むことができ、下地層１０６と同様の手法で形成することができる。

次いで、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１（第１有機絶縁層）を形成する。有機絶縁層第１部１２４ｂ−１は、第１無機絶縁層１２４ａの内側の領域として画定される周辺領域１０２ｂの第１領域Ａに形成される。有機絶縁層第１部１２４ｂ−１は、表示領域１０２ａを囲むように第１隔壁１２２ａの内側にインクジェット法等の湿式成膜法によって塗布することによって形成される。第１領域Ａに選択的に塗布された有機絶縁層第１部１２４ｂ−１は、第１隔壁１２２ａによって堰き止められる。このため本実施形態において、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１は、外側端部が第１隔壁１２２ａ上に形成されている。しかしながらこれに限定されず、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１は、外側端部が表示領域１０２ａ及び第１隔壁１２２ａの間の溝部１２２ｇに形成されてもよい。また、第２隔壁１２２ｂは、有機絶縁層１２４ｂが第１隔壁１２２ａの外側まで流れ出てしまった場合の予備壁である。このため、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１が第１隔壁１２２ａの外側まで流れ出てしまった場合、外側端部が第１隔壁１２２ａと第２隔壁１２２ｂの間の溝部に到達してもよい。

有機絶縁層第１部１２４ｂ−１は、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１の最上部が第１隔壁１２２ａ上の第１無機絶縁層１２４ａの上面より高くなるよう形成する。すなわち、第１隔壁１２２ａ上の第１無機絶縁層１２４ａの上面より、有機絶縁層１２４ｂの有機絶縁層第１部１２４ｂ−１の最上部のほうが基板１０２からの距離が大きくなるよう形成する。このように形成することによって、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１は、後述する有機絶縁層第２部１２４ｂ−２が有機絶縁層第１部１２４ｂ−１の外側に拡がらないように堰き止める、より大きな隔壁として機能することができる。

有機絶縁層第１部１２４ｂ−１は、光硬化性樹脂材料を硬化することによって形成される。光硬化性樹脂材料としては、アクリル樹脂、ポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステル、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などを含む有機樹脂材料を含有することができる。光硬化性樹脂材料の粘度は、１０ｃＰ以上３０ｃＰ以下の範囲であることが好ましい。光硬化性樹脂材料の粘度が１０ｃＰ以上であることによって、光硬化性樹脂材料の流動を抑制することができ、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１を効率よく選択的に形成することができる。光硬化性樹脂材料の粘度が３０ｃＰ以下であることによって、操作性を向上することができ、効率よく表示領域１０２ａ及び第１隔壁１２２ａの間の溝部１２２ｇを充填することができる。

有機絶縁層第１部１２４ｂ−１は、光硬化性樹脂材料を光照射することによって仮硬化される。照射光の波長領域は、紫外線および／または可視光領域が好ましく、紫外線であることがより好ましい。照射光の波長領域は、光硬化性樹脂材料に含まれる光硬化開始成分などによって適宜選択することができる。光硬化性樹脂材料を仮硬化する照射光の露光量は、光硬化性樹脂材料に含まれる光硬化開始成分および硬化性樹脂材料などによって適宜調節することが好ましい。有機絶縁層第１部１２４ｂ−１を形成するときの露光量は、後述する有機絶縁層第２部１２４ｂ−２を形成するときの露光量より小さい。ここで照射光の露光量とは、照射強度および照射時間に依存する。有機絶縁層第１部１２４ｂ−１は仮硬化することによって、後述する有機絶縁層第２部１２４ｂ−２を形成する際、有機絶縁層第２部１２４ｂ−２が有機絶縁層第１部１２４ｂ−１の外側に拡がらないように堰き止める隔壁として十分な強度を得ることができる。一方で、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１を完全に硬化した場合、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１表面の撥液性が高くなりすぎ、有機絶縁層第２部１２４ｂ−２の光硬化性樹脂材料を撥液してしまう。このため、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１を完全に硬化しないことによって、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１表面のぬれ性を制御することができ、効率よく有機絶縁層第２部１２４ｂ−２を塗布することができる。

次いで、図６を用いて、有機絶縁層第２部１２４ｂ−２（第２有機絶縁層）を形成する方法について説明する。有機絶縁層第２部１２４ｂ−２は、第１領域Ａに囲まれる表示領域１０２ａ及び周辺領域１０２ｂを含む第２領域Ｂに形成される。有機絶縁層第２部１２４ｂ−２は、表示領域１０２ａを覆うように有機絶縁層第１部１２４ｂ−１の内側にインクジェット法等の湿式成膜法によって塗布することによって形成される。第２領域Ｂに選択的に塗布された有機絶縁層第２部１２４ｂ−２は、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１によって堰き止められる。このため本実施形態において、有機絶縁層第２部１２４ｂ−２は、外側端部が有機絶縁層第１部１２４ｂ−１上に形成されている。すなわち、有機絶縁層第２部１２４ｂ−２を配置する第２領域Ｂは、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１を配置する第１領域Ａと一部重畳する。しかしながらこれに限定されず、有機絶縁層第２部１２４ｂ−２は有機絶縁層第１部１２４ｂ−１と接するように配置すればよい。

有機絶縁層第２部１２４ｂ−２は、有機絶縁層第２部１２４ｂ−２の最上部が有機絶縁層第１部１２４ｂ−１の最上部より高くなるよう形成する。すなわち、有機絶縁層１２４ｂは、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１の最上部より有機絶縁層第２部１２４ｂ−２の最上部のほうが基板１０２からの距離が大きくなるよう形成する。このように形成することによって、有機絶縁層第２部１２４ｂ−２は表示領域１０２ａにおいて十分に厚く形成することができ、凹凸の平坦化及び表示領域１０２ａへの異物混入などに起因するムラなどを抑制することができる。

有機絶縁層第１部１２４ｂ−１と有機絶縁層第２部１２４ｂ−２との境界には、凹部１２４ｂ’が形成される。図７に示すように、有機絶縁層第２部１２４ｂ−２の端部である凹部１２４ｂ’は、上面視したときに、周辺領域１０２ｂにおいて表示領域１０２ａの外側方向に複数の凹凸形状を有する。一方で、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１の端部は、凹凸構造が少ない。有機絶縁層第２部１２４ｂ−２の端部がこのような構成を有することによって、有機絶縁層１２４ｂと有機絶縁層１２４ｂの上層である第２無機絶縁層１２４ｃとの密着性を向上することができる。

有機絶縁層第２部１２４ｂ−２は、光硬化性樹脂材料を硬化することによって形成される。光硬化性樹脂材料としては、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１と同じ光硬化性樹脂材料を含有することができる。光硬化性樹脂材料の粘度は、１０ｃＰ以上３０ｃＰ以下の範囲であることが好ましい。光硬化性樹脂材料の粘度が１０ｃＰ以上であることによって、光硬化性樹脂材料の流動を抑制することができ、有機絶縁層第２部１２４ｂ−２を十分に厚く有機絶縁層第１部１２４ｂ−１の内側に形成することができる。光硬化性樹脂材料の粘度が３０ｃＰ以下であることによって、操作性を向上することができ、効率よく表示領域１０２ａの複数の画素１１２の凹凸を充填することができる。

有機絶縁層第２部１２４ｂ−２は、光硬化性樹脂材料を光照射することによって硬化される。このとき、仮硬化済みの有機絶縁層第１部１２４ｂ−１も硬化される。有機絶縁層第２部１２４ｂ−２を形成するときの露光量は、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１を形成するときの露光量より大きい。照射光の波長領域および露光量は、光硬化性樹脂材料に含まれる光硬化開始成分などによって適宜選択することができる。

次いで、図７を用いて、第２無機絶縁層１２４ｃを形成する方法について説明する。。第２無機絶縁層１２４ｃは、第１無機絶縁層１２４ａと同様の構造を有し、同様の方法で形成することができる。第２無機絶縁層１２４ｃも、有機絶縁層１２４ｂのみならず、接続電極を覆うように形成することができる。これにより、有機絶縁層１２４ｂを第１無機絶縁層１２４ａと第２無機絶縁層１２４ｃとで封止することができる。

ここまでの工程によって、封止層１２４は、第１隔壁１２２ａの内側において、第１無機絶縁層１２４ａ、有機絶縁層１２４ｂ及び第２無機絶縁層１２４ｃの３層構造を有し、第１隔壁１２２ａの外側において、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃの２層構造を有する。

次いで、図８および図９を用いて、第１保護層１２６を形成する方法について説明する。第１保護層１２６は、第１保護層第１部１２６−１と第１保護層第２部１２６−２を有する。図８を用いて、基板１０２の一表面上に、第１保護層第１部１２６−１（第３有機絶縁層）を形成する方法について説明する。第１保護層第１部１２６−１は、第１無機絶縁層１２４ａの内側の領域として画定される周辺領域１０２ｂの第３領域Ｃに形成される。第１保護層第１部１２６−１は、表示領域１０２ａを囲むように第３隔壁１２２ｃの内側にインクジェット法等の湿式成膜法によって塗布することによって形成される。第３領域Ｃに選択的に塗布された第１保護層第１部１２６−１は、第３隔壁１２２ｃによって堰き止められる。このため本実施形態において、第１保護層第１部１２６−１は、外側端部が第３隔壁１２２ｃ上に形成されている。しかしながらこれに限定されず、第１保護層第１部１２６−１は、外側端部が第２隔壁１２２ｂ及び第１隔壁１２２ａの間の溝部１２２ｈに形成されてもよい。また、第４隔壁１２２ｄは、第１保護層１２６が第３隔壁１２２ｃの外側まで流れ出てしまった場合の予備壁である。このため、第１保護層第１部１２６−１が第３隔壁１２２ｃの外側まで流れ出てしまった場合、外側端部が第３隔壁１２２ｃと第４隔壁１２２ｄの間の溝部に到達してもよい。

第１保護層第１部１２６−１は、第１保護層第１部１２６−１の最上部が第３隔壁１２２ｃ上の第２無機絶縁層１２４ｃの上面より高くなるよう形成する。すなわち、第３隔壁１２２ｃ上の第２無機絶縁層１２４ｃの上面より第１保護層第１部１２６−１の最上部の最上部のほうが基板１０２からの距離が大きくなるよう形成する。このように形成することによって、第１保護層第１部１２６−１は、後述する第１保護層第２部１２６−２が第１保護層第１部１２６−１の外側に拡がらないように堰き止める、より大きな隔壁として機能することができる。

第１保護層第１部１２６−１は、光硬化性樹脂材料を硬化することによって形成される。光硬化性樹脂材料としては、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１と同じ条件の光硬化性樹脂材料を含有することができる。

第１保護層第１部１２６−１は、光硬化性樹脂材料を光照射することによって仮硬化される。照射光の波長領域は、紫外線および／または可視光領域が好ましく、紫外線であることがより好ましい。照射光の波長領域は、光硬化性樹脂材料に含まれる光硬化開始成分などによって適宜選択することができる。光硬化性樹脂材料を仮硬化する照射光の露光量は、光硬化性樹脂材料に含まれる光硬化開始成分および硬化性樹脂材料などによって適宜調節することが好ましい。第１保護層第１部１２６−１を形成するときの露光量は、後述する第１保護層第２部１２６−２を形成するときの露光量より小さい。第１保護層第１部１２６−１は仮硬化することによって、後述する第１保護層第２部１２６−２を形成する際、第１保護層第２部１２６−２が第１保護層第１部１２６−１の外側に拡がらないように堰き止める隔壁として十分な強度を得ることができる。一方で、第１保護層第１部１２６−１を完全に硬化した場合、第１保護層第１部１２６−１表面の撥液性が高くなりすぎ、第１保護層第２部１２６−２の光硬化性樹脂材料を撥液してしまう。このため、第１保護層第１部１２６−１を完全に硬化しないことによって、第１保護層第１部１２６−１表面のぬれ性を制御することができ、効率よく第１保護層第２部１２６−２を塗布することができる。

次いで、図９を用いて、第１保護層第２部１２６−２（第４有機絶縁層）を形成する方法について説明する。第１保護層第２部１２６−２は、第３領域Ｃに囲まれる表示領域１０２ａ及び周辺領域１０２ｂを含む第４領域Ｄに形成される。第１保護層第２部１２６−２は、表示領域１０２ａを覆うように第１保護層第１部１２６−１の内側にインクジェット法等の湿式成膜法によって塗布することによって形成される。第４領域Ｄに選択的に塗布された第１保護層第２部１２６−２は、第１保護層第１部１２６−１によって堰き止められる。このため本実施形態において、第１保護層第２部１２６−２は、外側端部が第１保護層第１部１２６−１上に形成されている。すなわち、第１保護層第２部１２６−２を配置する第４領域Ｄは、第１保護層第１部１２６−１を配置する第３領域Ｃと一部重畳する。しかしながらこれに限定されず、第１保護層第２部１２６−２は第１保護層第１部１２６−１と接するように配置すればよい。

第１保護層第２部１２６−２は、第１保護層第２部１２６−２の最上部が第１保護層第１部１２６−１の最上部より高くなるよう形成する。すなわち、第１保護層１２６は、第１保護層第１部１２６−１の最上部より第１保護層第２部１２６−２の最上部のほうが基板１０２からの距離が大きくなるよう形成される。このように形成することによって、第１保護層第２部１２６−２は表示領域１０２ａにおいて十分に厚く形成することができ、隔壁層１２２における凹凸を平坦化することができる。

第１保護層第１部１２６−１と第１保護層第２部１２６−２との境界には、凹部１２６ｂ’が形成される。第１保護層第２部１２６−２の端部である凹部１２６ｂ’は、上面視したときに、周辺領域１０２ｂにおいて表示領域１０２ａの外側方向に複数の凹凸形状を有する。第１保護層第２部１２６−２の端部がこのような構成を有することによって、第１保護層１２６と第１保護層１２６の上層である第２保護層１２８との密着性を向上することができる。

第１保護層第２部１２６−２は、光硬化性樹脂材料を硬化することによって形成される。光硬化性樹脂材料としては、第１保護層第１部１２６−１と同じ光硬化性樹脂材料を含有することができる。光硬化性樹脂材料の粘度は、１０ｃＰ以上３０ｃＰ以下の範囲であることが好ましい。光硬化性樹脂材料の粘度が１０ｃＰ以上であることによって、光硬化性樹脂材料の流動を抑制することができ、第１保護層第２部１２６−２を十分に厚く第１保護層第１部１２６−１の内側に形成することができる。光硬化性樹脂材料の粘度が３０ｃＰ以下であることによって、操作性を向上することができ、効率よく隔壁層１２２における凹凸を充填することができる。

第１保護層第２部１２６−２は、光硬化性樹脂材料を光照射することによって硬化される。このとき、仮硬化済みの第１保護層第１部１２６−１も硬化される。第１保護層第２部１２６−２を形成するときの露光量は、第１保護層第１部１２６−１を形成するときの露光量より大きい。照射光の波長領域および露光量は、光硬化性樹脂材料に含まれる光硬化開始成分などによって適宜選択することができる。

このように、第１保護層１２６は、図９に示すように、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃが互いに接する領域を覆い、かつ、接続端子１３０と重ならないように形成することが好ましい。

次いで、図１０を用いて、これまでの工程によって封止層１２４に覆われている複数の接続端子１３０を露出させる方法について説明する。ここでは、第１保護層１２６をマスクとして、封止層１２４をエッチングして複数の接続端子１３０を露出させる。ここで、第１保護層１２６に露出された封止層１２４の領域は、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃの２層構造を有する領域である。

第１保護層１２６は、その端部近傍が前述のように溝部において厚膜化されている。このため、封止層１２４をエッチングする工程において、第１保護層１２６の端部が後退することを抑制することができる。第１保護層１２６の端部が後退しすぎると、封止層１２４のエッチングにおいて、第１無機絶縁層１２４ａ、有機絶縁層１２４ｂ及び第２無機絶縁層１２４ｃの３層が積層された領域までエッチングされ、有機絶縁層１２４ｂが露出することが懸念される。有機絶縁層１２４ｂが露出すると、それが水分の侵入経路となってしまい、有機絶縁層１２４ｂに侵入した水分が第１無機絶縁層１２４ａを透過することによって、発光層１１８が劣化してしまう。これによって、表示装置１００の歩留まり及び信頼性が劣化する。第１無機絶縁層１２４ａは、凹凸を有する隔壁層１２２上に設けられるため、クラック等が生じやすく、それが水分の侵入経路となり得る。

そのため、第３隔壁１２２ｃを設け、第３隔壁１２２ｃ上に端部を有する第１保護層１２６を形成すれば、第２隔壁１２２ｂ及び第３隔壁１２２ｃの間の溝部１２２ｈにより、第１保護層１２６の端部近傍の膜厚を厚くすることができる。これによって、封止層１２４のエッチングの際に第１保護層１２６の端部が後退することを抑制することができる。これによって、封止層１２４の意図しない領域までエッチングされ、有機絶縁層１２４ｂが露出することを防止することができる。そして、第３隔壁１２２ｃ上において、第１無機絶縁層１２４ａ、第２無機絶縁層１２４ｃ及び第１保護層１２６の端部が連続するように形成することができる。これにより周辺領域１０２ｂの幅を縮小することができる。

次いで、第２保護層１２８、偏光板１３２及びカバーフィルム１３４を形成する。第２保護層１２８は、ポリエステル、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの高分子材料を含むことができ、印刷法やラミネート法などを適用して形成することができる。カバーフィルム１３４も第２保護層１２８と同様の高分子材料を含むことができ、上述した高分子材料に加え、ポリオレフィン、ポリイミドなどの高分子材料を適用することも可能である。引き続きコネクタを開口において異方性導電膜１３６などを用いて接続することで、図２に示す表示装置１００を形成することができる。

本実施形態に係る表示装置１００の製造方法によれば、製造工程において封止層１２４の劣化を防止することができる。これによって、製造歩留まり及び信頼性が向上した表示装置１００を提供することができる。

＜第２実施形態＞
図１２は、本実施形態に係る表示装置３３０の構成を説明する上面図である。本実施形態に係る表示装置３３０は、発光素子１１４と重なるように表示領域１０２ａ上にタッチセンサ３００が設けられる点で異なること以外、第１実施形態と同様であることから、繰り返しの説明は省略する。

図１２に示すように、表示領域１０２ａには、複数の第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４とが配列されている。複数の第１のタッチ電極３０２は、列方向にストライプ状に配列されている。複数の第２のタッチ電極３０４は、行方向にストライプ状に配列され、第１のタッチ電極３０２と交差する。第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４の一方は送信電極（Ｔｘ）、他方は受信電極（Ｒｘ）とも呼ばれる。第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４は、それぞれほぼ四角形の形状を有する複数の四角形領域（ダイアモンド電極）を備える。第１のタッチ電極３０２、あるいは第２のタッチ電極３０４において、隣接するダイアモンド電極はブリッジ電極によって電気的に接続される。第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４は、図１２では示されない絶縁膜（容量絶縁膜３０６）を介して互いに離間して電気的に独立しており、これらの間で容量が形成される。人の指などが第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４を介して表示領域１０２ａに触れる（以下、この動作をタッチとも呼ぶ）ことで容量が変化し、この変化を読み取ることでタッチの位置が決定される。このように、第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４により、いわゆる投影型静電容量方式のタッチセンサ３００が形成される。

各ダイアモンド電極は、ＩＴＯやＩＺＯなどの可視光を透過する導電性酸化物を含んでもよく、あるいはメッシュ状の金属膜であってもよい。後者の場合、メッシュの開口部が画素１１２と重なるようにダイアモンド電極を構成することが好ましい。

図１３は、本実施形態に係る表示装置３３０の構成を説明する断面図であり、表示領域１０２ａにおける隣接する７つの画素１１２（１１２−１、１１２−２・・・１１２−７）の断面の構成を示している。タッチセンサ３００は封止層１２４上に設けられてる。具体的には、第２無機絶縁層１２４ｃ上に第１のタッチ電極３０２や第２のタッチ電極３０４が配置されている。しかしながらこれに限定されず、第２無機絶縁層１２４ｃと第１のタッチ電極３０２または第２のタッチ電極３０４との間には絶縁層を配置してもよい。第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４上には容量絶縁膜３０６が設けられ、容量絶縁膜３０６に設けられる開口と重なるようにブリッジ電極３０８が形成される。ブリッジ電極３０８により、隣接するダイアモンド電極は電気的に接続される。第１のタッチ電極３０２、第２のタッチ電極３０４、および容量絶縁膜３０６がタッチセンサ３００の基本構造である。図示しないが、容量絶縁膜３０６を挟むように、第１のタッチ電極３０２上に第２のタッチ電極３０４を設けてもよい。この場合、第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４は互いに異なる層に存在する。

タッチセンサ３００上には保護絶縁膜３２０が設けられ、その上に直接、あるいは図示しない絶縁膜を介して偏光板４００を配置することができる。また、偏光板４００上にはさらに保護絶縁膜や対向基板を配置してもよい。

周辺領域１０２ｂには、複数の画素１１２の発光を制御するための駆動回路が配置されてもよい。図１２には、周辺領域１０２ｂに隔壁層１２２が示されている。隔壁層１２２は、周辺領域１０２ｂにおいて、第１隔壁１２２ａ及び第２隔壁１２２ｂを有する。第１隔壁１２２ａは、表示領域１０２ａと間隔を有し、表示領域１０２ａを囲む周状である。第２隔壁１２２ｂは、第１隔壁１２２ａと間隔を有し、第１隔壁１２２ａを囲む周状である。

図１４は、本実施形態に係る表示装置３３０の構成を説明する断面図であり、図１２に示すＢ−Ｂ´に沿った断面の構成を示している。表示装置３３０は、基板１０２と、回路層１０４と、複数の画素１１２と、隔壁層１２２と、封止層１２４と、タッチセンサ３００と、リード配線３１０と、保護絶縁膜３２０とを備えている。封止層１２４は、第１無機絶縁層１２４ａ、有機絶縁層１２４ｂ、第２無機絶縁層１２４ｃを含んで構成される。

隔壁層１２２は、基板１０２の当該一表面上に設けられている。本実施形態において隔壁層１２２は、第１隔壁１２２ａ、第２隔壁１２２ｂ、平坦化絶縁層１２２ｅ及び無機絶縁層１２２ｆを有している。

第１隔壁１２２ａは、平面視において表示領域１０２ａと間隔を有し、表示領域１０２ａを囲む周状の形態を有している。これによって、表示領域１０２ａ及び第１隔壁１２２ａの間には、周状の溝部１２２ｇが形成されている。有機絶縁層１２４ｂは、例えばインクジェット法を用いて２段階に表示領域１０２ａに選択的に塗布される。このとき、第１隔壁１２２ａは、その外側に有機絶縁層１２４ｂが拡がらないように堰き止める機能を有する。

第２隔壁１２２ｂは、平面視において第１隔壁１２２ａと間隔を有し、第１隔壁１２２ａを囲む周状の形態を有する。第２隔壁１２２ｂは、有機絶縁層１２４ｂが第１隔壁１２２ａの外側まで流れ出てしまった場合の予備壁である。このため、第２隔壁１２２ｂは、第１隔壁１２２ａと同じ構成で配置されることが好ましい。

封止層１２４は、複数の画素１１２及び隔壁層１２２の上層に設けられている。封止層１２４は、第１無機絶縁層１２４ａ、有機絶縁層１２４ｂ及び第２無機絶縁層１２４ｃを有している。

第１無機絶縁層１２４ａは、複数の画素１１２及び隔壁層１２２に起因する凹凸表面を被覆する。第１無機絶縁層１２４ａは、端部が第２隔壁１２２ｂの外側に配置されている。つまり、第１無機絶縁層１２４ａは、複数の画素１１２及び第１隔壁１２２ａの間の溝部１２２ｇの底面及び隔壁を被覆する。更に、第１無機絶縁層１２４ａは、第１隔壁１２２ａ及び第２隔壁１２２ｂの間の溝部の底面及び側壁を被覆する。

第１無機絶縁層１２４ａは、少なくとも次の２つの役割を有する。１つは、第１無機絶縁層１２４ａの上層に配置され、水分が透過しやすい有機絶縁層１２４ｂが発光素子１１４に接触しないように設けられている。これによって、有機絶縁層１２４ｂが含有する水分、又は表示装置１００の外部から有機絶縁層１２４ｂに侵入した水分が発光層１１８へ到達し、発光層１１８を劣化させることを防止することができる。他の１つは、第１隔壁１２２ａ及び第２隔壁１２２ｂに有機材料を介した水分の侵入経路を生じさせないために設けられている。これによって、表示装置３３０の外部から侵入した水分が、表示領域１０２ａの内側へ侵入し、発光層１１８を劣化させることを防止することができる。

有機絶縁層１２４ｂは、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１と有機絶縁層第２部１２４ｂ−２を有する。有機絶縁層１２４ｂの有機絶縁層第１部１２４ｂ−１と有機絶縁層第２部１２４ｂ−２とは、第１無機絶縁層１２４ａの上層に設けられている。有機絶縁層第１部１２４ｂ−１は、表示領域１０２ａを囲む周状である。有機絶縁層第１部１２４ｂ−１は、第１無機絶縁層１２４ａの内側の領域として画定される周辺領域１０２ｂの第１領域に配置される。有機絶縁層第１部１２４ｂ−１は、外側端部が第１隔壁１２２ａ上に配置される。しかしながらこれに限定されず、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１は、外側端部が表示領域１０２ａ及び第１隔壁１２２ａの間、又は第１隔壁１２２ａ及び第２隔壁１２２ｂの間に配置されてもよい。有機絶縁層第１部１２４ｂ−１は、断面視したときに、外側端部から表示領域１０２ａ側に、丸みを帯びて、角部を有さない凸形状を有する。しかしながらこれに限定されず、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１の表面形状は、凹凸構造が少なければよい。有機絶縁層１２４ｂの有機絶縁層第１部１２４ｂ−１は、その外側に有機絶縁層１２４ｂの有機絶縁層第２部１２４ｂ−２が拡がらないように堰き止めることができる。

有機絶縁層第２部１２４ｂ−２は、表示領域１０２ａを覆うように配置される。有機絶縁層第２部１２４ｂ−２は、第１領域に囲まれる表示領域１０２ａ及び周辺領域１０２ｂを含む第２領域に配置される。有機絶縁層第２部１２４ｂ−２は、外側端部が有機絶縁層第１部１２４ｂ−１と接している。有機絶縁層第２部１２４ｂ−２は、断面視したときに、外側端部から表示領域１０２ａ側に、丸みを帯びて、角部を有さない凸形状を有する。有機絶縁層第２部１２４ｂ−２は、表示領域１０２ａにおいて略平坦である。しかしながらこれに限定されず、有機絶縁層第２部１２４ｂ−２は、表示領域１０２ａにおいて凹凸構造が少なければよい。有機絶縁層１２４ｂは、複数の画素１１２に起因する表示領域１０２ａの凹凸を平坦化するために設けられる。有機絶縁層１２４ｂを表示領域１０２ａにおいて十分に厚く形成することで、凹凸の平坦化及び表示領域１０２ａへの異物混入などに起因するムラなどを抑制することができる。

有機絶縁層第１部１２４ｂ−１と有機絶縁層第２部１２４ｂ−２との境界は、凹部１２４ｂ’を有する。有機絶縁層第２部１２４ｂ−２の端部である凹部１２４ｂ’は、上面視したときに、表示領域１０２ａの周囲が波打った形状である。すなわち、有機絶縁層第２部１２４ｂ−２の端部は、周辺領域１０２ｂにおいて表示領域１０２ａの外側方向に複数の凹凸形状を有する。一方で、有機絶縁層第１部１２４ｂ−１の端部は、凹凸構造が少なければよい。有機絶縁層第１部１２４ｂ−１と有機絶縁層第２部１２４ｂ−２との境界がこのような構成を有することによって、有機絶縁層１２４ｂと有機絶縁層１２４ｂの上層である第２無機絶縁層１２４ｃとの密着性を向上することができる。

第２無機絶縁層１２４ｃは、有機絶縁層１２４ｂの上層に設けられている。第２無機絶縁層１２４ｃはまた、端部が第２隔壁１２２ｂの外側に配置される。本実施形態においては、第２無機絶縁層１２４ｃは、第１無機絶縁層１２４ａの端部に沿って配置されている。そして、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃの端部が第２隔壁１２２ｂの外側に配置されることで、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃによって第２隔壁１２２ｂを確実に被覆することができ、表示領域１０２ａに水分が浸入するのを防ぐ効果を高めることができる。そして、有機絶縁層１２４ｂは、第１無機絶縁層１２４ａ及び第２無機絶縁層１２４ｃによって密封されている。このような構成を有することによって、有機絶縁層１２４ｂを介した、表示装置１００の外部から内部へ水分の侵入経路を遮断することができる。

タッチセンサ３００及びリード配線３１０は、封止層１２４の上層に設けられている。リード配線３１０は、タッチセンサ３００の第１のタッチ電極３０２又は第２のタッチ電極３０４と接続し、端子領域１０２ｄへ延伸する。リード配線３１０は接続端子１３０と電気的に接続され、これにより、タッチを検出するための信号が図示しない外部回路から第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４に供給される。
する。

表示装置３３０の構成によれば、封止層１２４の劣化を防止することができる。これによって、製造歩留まり及び信頼性が向上した表示装置１００を提供することができる。

本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

本明細書においては、一実施形態として発光素子を用いた表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。

上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１００・・・表示装置、１０２・・・基板、１０２ａ・・・表示領域、１０２ｂ・・・周辺領域、１０２ｃ・・・屈曲領域、１０２ｄ・・・端子領域、１０４・・・回路層、１０６・・・下地層、１０８・・・トランジスタ、１０８ａ・・・半導体層、１０８ｂ・・・ゲート絶縁層、１０８ｃ・・・ゲート電極、１０８ｄ・・・ソース・ドレイン電極、１０８ｅ・・・端子配線、１１０・・・層間絶縁層、１１２・・・画素、１１４・・・発光素子、１１６・・・第１電極、１１８・・・発光層、１２０・・・第２電極、１２２・・・隔壁層、１２２ａ・・・第１隔壁、１２２ｂ・・・第２隔壁、１２２ｃ・・・第３隔壁、１２２ｅ・・・平坦化絶縁層、１２２ｆ・・・無機絶縁層、１２２ｇ・・・溝部、１２２ｈ・・・溝部、１２４・・・封止層、１２４ａ・・・第１無機絶縁層、１２４ｂ・・・有機絶縁層、１２４ｃ・・・第２無機絶縁層、１２６・・・第１保護層、１２８・・・第２保護層、１３０・・・接続端子、１３２・・・偏光板、１３２ａ・・・λ／４板、１３２ｂ・・・直線偏光板、１３４・・・カバーフィルム、１３６・・・異方性導電膜、１３８・・・フレキシブル印刷回路基板（ＦＰＣ基板）

Claims (20)

1. 基板の表示領域を含む面上に第１無機絶縁層を形成し、
   前記表示領域を囲み、前記第１無機絶縁層の内側の領域として画定される前記第１無機絶縁層上の第１領域に第１有機絶縁層を形成し、
   前記表示領域を覆い、前記第１領域に囲まれる前記第１無機絶縁層上の第２領域に、第１有機絶縁層と接するように第２有機絶縁層を形成し、
   前記第１有機絶縁層及び前記第２有機絶縁層を覆い、前記第１有機絶縁層の外側で前記前記第１無機絶縁層と接する第２無機絶縁層を形成する、
   ことを含む表示装置の製造方法。
2. 前記第１有機絶縁層および前記第２有機絶縁層を形成することは、それぞれインクジェット法で塗布し、光硬化することによって形成され、
   前記第１有機絶縁層を形成するときの露光量は、前記第２有機絶縁層を形成するときの露光量より小さい請求項１に記載の表示装置の製造方法。
3. 前記第１領域と前記第２領域とは重畳する、請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
4. 前記第１領域を囲み、前記第２無機絶縁層の内側の領域として画定される前記第２無機絶縁層上の第３領域に第３有機絶縁層を形成し、
   前記表示領域を覆い、前記第３領域に囲まれる前記第２無機絶縁層上の第４領域に、第３有機絶縁層と接するように第４有機絶縁層を形成する、
   請求項１乃至３の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
5. 前記第３有機絶縁層および前記第４有機絶縁層を形成することは、それぞれインクジェット法で塗布し、光硬化することによって形成され、
   前記第３有機絶縁層の露光量は、前記第４有機絶縁層の露光量より小さい、請求項４に記載の表示装置の製造方法。
6. 前記第３領域と前記第４領域とは重畳する、請求項４または５に記載の表示装置の製造方法。
7. 前記基板の前記表示領域を含む面に、前記第１領域の端部に配置され、前記第１領域を囲む第１隔壁を形成する、請求項４乃至６の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
8. 前記第１有機絶縁層を形成することは、前記第１隔壁の内側に塗布することによって形成される、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
9. 前記基板の前記表示領域を含む面に、前記第１隔壁を囲む第２隔壁、及び前記第３領域の端部に配置され、前記第２隔壁を囲む第３隔壁を形成する、請求項７または８に記載の表示装置の製造方法。
10. 前記第３有機絶縁層を形成することは、前記第３隔壁の内側に塗布することによって形成される、請求項９に記載の表示装置の製造方法。
11. 前記基板の前記表示領域を含む面に、前記第３隔壁を囲む第４隔壁を形成し、
    前記基板の前記表示領域を含む面に、前記第４隔壁の外側に複数の接続端子を形成する、
    請求項９または１０に記載の表示装置の製造方法。
12. 前記基板から前記第２有機絶縁層の最上部までの距離は、前記基板から前記第１有機絶縁層の最上部までの距離より大きく形成する、請求項４乃至１１の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
13. 前記基板から前記第４有機絶縁層の最上部までの距離は、前記基板から前記第３有機絶縁層の最上部までの距離より大きく形成する、請求項４乃至１２の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
14. 前記第１有機絶縁層と前記第２有機絶縁層とは、同じ光硬化性樹脂材料を用いて形成される、請求項１乃至１３の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
15. 前記第３有機絶縁層と前記第４有機絶縁層とは、同じ光硬化性樹脂材料を用いて形成される、請求項４乃至１３の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
16. 表示領域を有する基板と、
    前記表示領域を含む面上に配置される第１無機絶縁層と、
    前記表示領域を囲み、前記第１無機絶縁層の内側の領域として画定される第１領域に配置される第１部と、前記表示領域を覆い、前記第１領域に囲まれる第２領域に配置される第２部と、を含む有機絶縁層と、
    前記有機絶縁層を覆い、前記有機絶縁層の外側で前記前記第１無機絶縁層と接する第２無機絶縁層と、を含み、
    前記有機絶縁層は、前記第１部と前記第２部との境界に凹部を有する、表示装置。
17. 前記第２部の接触角は、前記第１部の接触角よりも大きい、請求項１６に記載の表示装置。
18. 前記基板は、前記表示領域を含む面に、前記第１領域の端部に配置され、前記第１領域を囲む第１隔壁を有する、請求項１６又は１７に記載の表示装置。
19. 前記有機絶縁層は、前記第１隔壁の内側に配置される、請求項１８に記載の表示装置。
20. 前記第２部は、前記第１部との境界に凹凸構造を有する、請求項１６乃至１９の何れか１項に記載の表示装置。

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