JP2018180469A - 表示装置、および表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】タッチセンサが搭載された高信頼性表示装置、およびその製造方法を提供する。【解決手段】表示装置の製造方法が提供される。この製造方法は、画素を有する表示領域を基板１０２上に形成すること、表示領域１１４と基板の辺の間に位置するように、画素と電気的に接続される端子１２０を形成すること、表示領域と端子上にパッシベーション膜１９０を形成すること、表示領域、表示領域と端子間の領域、および端子の一部を覆うようにパッシベーション膜上に絶縁層を形成すること、絶縁層２００をマスクとしてパッシベーション膜をエッチングして端子を露出することを含む。【選択図】図７

Description

本発明の実施形態の一つは、表示装置、およびその製造方法に関する。例えばタッチセンサが搭載された表示装置とその製造方法に関する。

ユーザが表示装置に対して情報を入力するためのインターフェースとして、タッチセンサが知られている。タッチセンサを表示装置の画面と重なるように設置することで、画面上に表示される入力ボタンやアイコンなどをユーザが操作することができ、表示装置へ容易に情報を入力することができる。例えば特許文献１では、有機ＥＬ表示装置にタッチセンサが搭載された電子機器が開示されている。ここでは、有機ＥＬ素子（以下、発光素子と記す）上に封止膜を形成し、その上にタッチセンサ用のタッチ電極が形成されている。

米国特許出願公開第２０１５／０１３０７２６号明細書

本発明に係る実施形態は、表示装置、およびその製造方法を提供することを目的の一つとする。例えば、タッチセンサが搭載された高信頼性表示装置、およびその製造方法を提供することを目的の一つとする。

本発明の実施形態の一つは、表示装置の製造方法である。この製造方法は、画素を有する表示領域を基板上に形成すること、表示領域と基板の辺の間に位置するように、画素と電気的に接続される端子を形成すること、表示領域と端子上にパッシベーション膜を形成すること、表示領域、表示領域と端子間の領域、および端子の一部を覆うようにパッシベーション膜上に絶縁層を形成すること、絶縁層をマスクとしてパッシベーション膜をエッチングして端子を露出することを含む。

本発明の実施形態の一つは、表示装置の製造方法である。この製造方法は、画素を有する表示領域を基板上に形成すること、表示領域と基板の辺の間に位置するように、画素と電気的に接続される端子を形成すること、表示領域と端子上にパッシベーション膜を形成すること、表示領域と端子間の領域、および端子の一部を覆うようにパッシベーション膜上に第１の絶縁層を形成すること、表示領域と第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成すること、第１の絶縁層をマスクとしてパッシベーション膜をエッチングして端子を露出することを含む。

本発明の実施形態の一つは、表示装置である。表示装置は、基板上に位置し、画素を有する表示領域と、基板上に位置し、画素と電気的に接続される端子と、表示領域上に位置し、端子の一部を覆うパッシベーション膜と、パッシベーション膜上に位置し、かつ表示領域と端子の間に位置する絶縁層を有する。パッシベーション膜の上面と、絶縁層の上面は同一平面内に存在する。

本発明の実施形態の表示装置の模式的斜視図。 本発明の実施形態の表示装置の模式的上面図。 本発明の実施形態の表示装置の上面拡大図。 本発明の実施形態の表示装置の模式的上面図。 本発明の実施形態の表示装置の模式的上面図。 本発明の実施形態の表示装置の画素の模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の端部の模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の端部の模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の端部の模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。

以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。

本明細書と請求項において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。

本明細書および請求項において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

本明細書および請求項において、「ある構造体が他の構造体から露出するという」という表現は、ある構造体の一部が他の構造体によって覆われていない態様を意味し、この他の構造体によって覆われていない部分は、さらに別の構造体によって覆われる態様も含む。

（第１実施形態）
本実施形態では、本実施形態に係る表示装置１００の構成について説明する。図１は表示装置１００の模式的斜視図である。ここでは理解を促進するため、表示装置１００が展開された状態を示しているが、表示装置１００は図１に示した各構成要素が一体化された状態で使用される。

［１．全体構成］
表示装置１００は、基板１０２と、基板１０２に対向する対向基板１０４を有する。基板１０２と対向基板１０４の間には、表示装置１００に表示機能を付与する表示ユニット１１０、表示ユニット１１０上の緩衝膜（第１の緩衝膜）２００、表示ユニット１１０上のタッチセンサ３００を有する。任意の構成として、表示装置１００はタッチセンサ３００と対向基板１０４の間、あるいは対向基板１０４上に偏光板２２０を有していてもよい。

［２．タッチセンサ］
表示装置１００の上面模式図を図２に示す。ここでは、対向基板１０４や偏光板２２０は図示していない。タッチセンサ３００は、列方向にストライプ状に配列される複数の第１のタッチ電極３０２と、行方向にストライプ状に配列され、第１のタッチ電極３０２と交差する複数の第２のタッチ電極３０４を有する。第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４の一方は送信電極（Ｔｘ）、他方は受信電極（Ｒｘ）とも呼ばれる。タッチセンサ３００は、表示ユニット１１０の表示領域１１４と重なるように設けられ、表示領域１１４とほぼ同じ大きさ、形状を有することができる。

図３（Ａ）にタッチセンサ３００の拡大図を示す。図３（Ａ）に示すように、第１のタッチ電極３０２は、それぞれほぼ四角形の形状を有する複数の四角形領域（ダイアモンド電極）３０２ａと、隣接するダイアモンド電極３０２ａを接続する接続領域３０２ｂを有している。同様に、第２のタッチ電極３０４の各々も、複数のダイアモンド電極３０４ａと、隣接するダイアモンド電極３０４ａを接続する接続領域３０４ｂを有している。第１のタッチ電極３０２と各第２のタッチ電極３０４は図示しない絶縁層を介して互いに離間して電気的に独立しており、これらの間で容量が形成される。人の指などが第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４を介して表示領域１１４に触れることで容量が変化し、この変化を読み取ることでタッチの位置が決定される。このように、第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４により、いわゆる投影型静電容量方式のタッチセンサ３００が形成される。

図３（Ａ）では、ダイアモンド電極３０２ａと３０４ａが異なる層に存在する例が示されているが、図３（Ｂ）に示すように、これらは同一の層内に存在するよう、タッチセンサ３００を構成してもよい。この場合には、ブリッジ電極３１０が接続領域３０２ｂ、あるいは接続領域３０４ｂとして機能し、隣接するダイアモンド電極３０２ａ同士、あるいはダイアモンド電極３０４ａ同士の電気的な接続を行う。

ダイアモンド電極３０２ａ、３０４ａは、図３（Ａ）や図３（Ｂ）に示すように、それぞれ開口を持たない導電層でも良く、あるいは図３（Ｃ）に示すように開口を有するメッシュ状の配線によって形成されていてもよい。開口を持たない導電層の場合、第１のタッチ電極３０２、第２のタッチ電極３０４はインジウム―スズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム―亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの可視光を透過可能な導電性酸化物を含むことができる。メッシュ状の配線を適用する場合、第１のタッチ電極３０２、第２のタッチ電極３０４は、上述した導電性酸化物のほか、アルミニウムやモリブデン、タングステン、チタン、銅などの金属、あるいはこれらの合金を含むことができる。

第１のタッチ電極３０２、第２のタッチ電極３０４は配線３０６と電気的に接続され、配線３０６は表示領域１１４と重ならない領域を経由して基板１０２の端部付近まで延伸し、表示ユニット１１０において端子１２０と接続される（図２）。端子１２０はフレキシブル印刷回路（ＦＰＣ）基板などのコネクタ１２６と接続され、外部回路（図示せず）から端子１２０を経由してタッチセンサ用信号が第１のタッチ電極３０２、第２のタッチ電極３０４に与えられる。これにより、タッチセンサ３００が制御される。

［３．表示ユニット］
表示ユニット１１０、および表示ユニット１１０上の緩衝膜２００の上面模式図を図４に示す。表示ユニット１１０は、パターニングされた種々の絶縁層層、導電層、半導体層が積層されることによって構成される。これら種々の膜により、後述する画素１１２やゲート側駆動回路１１６、ソース側駆動回路１１８、端子１２０、１２２などが形成される。

画素１１２はマトリクス状に複数設けられ、表示領域１１４を形成する。各画素１１２には発光素子や液晶素子などの表示素子、および表示素子と電気的に接続される一つ、あるいは複数のトランジスタが備えられる。画素１１２が与える色は表示素子、あるいは画素１１２上に任意の構成として設けられるカラーフィルタの特性によって決定される。本明細書および請求項では、画素１１２とは、それぞれ一つの表示素子を有し、表示領域１１４で再現される映像の一部を構成する最小単位である。

画素１１２に、例えば赤色、緑色、あるいは青色を与える表示素子を設けることでフルカラー表示を行うことができる。あるいは、全画素１１２で白色を与える表示素子を用い、カラーフィルタを用いて画素１１２ごとに赤色、緑色、あるいは青色を取り出してフルカラー表示を行ってもよい。画素１１２の配列に制限はなく、ストライプ配列、デルタ配列、モザイク配列などを採用することができる。

表示領域１１４の外側には、画素１１２の駆動を制御するための駆動回路が設けられる。ここでは、表示領域１１４を挟むように形成される二つのゲート側駆動回路１１６、および一つのソース側駆動回路１１８が配置された例が示されているが、ゲート側駆動回路１１６は一つでも良い。また、これらの駆動回路とともに、あるいはこれらの駆動回路に替わり、基板１０２とは異なる基板（半導体基板など）上に形成されたＩＣチップなどを駆動回路として表示ユニット１１０上やコネクタ１２６上に設けてもよい。本実施形態では、図２、図４に示すように、表示ユニット１１０内に形成されるゲート側駆動回路１１６、ソース側駆動回路１１８、および、コネクタ１２６上に設けられるＩＣチップ１２４によって画素１１２が制御される例が示される。なお、ＩＣチップ１２４はタッチセンサ３００の制御を行ってもよく、ＩＣチップ１２４とは異なるＩＣチップを別途用いてタッチセンサ３００を制御してもよい。

表示領域１１４やゲート側駆動回路１１６、ソース側駆動回路１１８から配線１２８が基板１０２の端部へ延伸する。表示ユニット１１０において、配線１２８は基板１０２の端部で端子１２２を形成する。端子１２２はコネクタ１２６と電気的に接続される。図示しない外部回路から映像信号がＩＣチップ１２４やゲート側駆動回路１１６、ソース側駆動回路１１８を介して画素１１２に与えられ、トランジスタや表示素子が制御される。

図１、図２、図４に示すように、基板１０２は四角形の形状を有することができ、この場合、基板１０２は第１の端部、第２の端部、第３の端部、および第４の端部にそれぞれ相当する第１の辺１０２ａ、第２の辺１０２ｂ、第３の辺１０２ｃ、第４の辺１０２ｄを有する（図４）。第１の辺１０２ａと第３の辺１０２ｃは互いに対向し、表示領域１１４を挟む。同様に、第２の辺１０２ｂと第４の辺１０２ｄも互いに対向し、表示領域１１４を挟む。端子１２０、１２２は基板１０２の一つの辺（第１の辺１０２ａ）に沿うように配列することができ、これにより、一つのコネクタ１２６を用いて映像信号やタッチセンサ用信号を表示装置１００に供給することができる。

［４．緩衝膜］
緩衝膜２００は絶縁層であり、表示領域１１４と端子１２０、１２２間の領域と重なるように表示ユニット１１０上に設けられる（図１、図４参照）。ここで示した例では、緩衝膜２００は帯状に設けられ、ソース側駆動回路１１８を覆っている。緩衝膜２００はさらに、ゲート側駆動回路１１６の一部を覆うように形成してもよい。緩衝膜２００はポリマーを含むことができ、ポリマーとしては、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、ノボラック樹脂、ポリイミド、ポリエステルなどを用いることができる。あるいはポリエチレンやポリプロピレンなどのポリオレフィンおよびその共重合体、ポリアクリロニトリルおよびその共重合体、ポリビニリデンクロリドおよびその共重合体、脂肪族ポリアミド、フッ素を含むポリエチレンおよびその共重合体などを用いてもよい。これらのポリマーはリニアな鎖状の構造を有していてもよく、分子間で架橋して三次元ネットワークを形成してもよい。緩衝膜２００は、例えばインクジェット法やスピンコート法、ディップコーティング法などの、いわゆる湿式成膜法によって形成することができる。

緩衝膜２００は、図５に示すように、表示領域１１４を取り囲むように形成してもよい。換言すると、緩衝膜２００は、表示領域１１４と重なる部分に開口部を有するよう形成してもよい。緩衝膜２００は、第１の辺１０２ａ、第２の辺１０２ｂ、第３の辺１０２ｃ、第４の辺１０２ｄと表示領域１１４の間に形成することができる。この場合、緩衝膜２００の外周は、第１の辺１０２ａ、第２の辺１０２ｂ、第３の辺１０２ｃ、第４の辺１０２ｄとは接せずに離間する。

［５．断面構造］
＜５−１．表示ユニット＞
断面模式図を用い、表示装置１００の構造を詳細に説明する。図６に図４の鎖線Ａ−Ａ´に沿った断面模式図を示す。ここでは、表示素子として発光素子１７０を有する画素１１２が例として用いられ、基板１０２、および表示ユニット１１０の断面模式図が示されている。なお、表示素子の構成には制約はなく、表示素子は液晶素子や電気泳動素子など、電圧駆動型の表示素子でもよい。この断面模式図には、以下に説明するように、トランジスタ１４０や保持容量、付加容量がそれぞれ一つづつ描かれているが、各画素１１２はこれらの半導体素子をそれぞれ複数有していてもよい。

基板１０２は表示ユニット１１０やその上に設けられる画素１１２、緩衝膜２００、タッチセンサ３００などを支持する機能を有し、例えばガラスや石英、セラミック、ポリマーを含むことができる。可撓性を有するポリマーを基板１０２を用いてもよく、これにより表示装置１００に可撓性を付与することができる。

上述したように、表示ユニット１１０にはパターニングされた種々の絶縁層、半導体層、導電体層が設けられ、これらによって画素１１２やゲート側駆動回路１１６、ソース側駆動回路１１８などが形成される。

たとえば表示ユニット１１０には、アンダーコート１３０を介して基板１０２上にトランジスタ１４０を設けることができる。アンダーコート１３０は、基板１０２に含まれるアルカリ金属イオンなどの不純物がトランジスタ１４０などへ拡散することを防ぐ機能を有し、例えばケイ素を含有する無機化合物を含むことができる。ケイ素を含有する無機化合物としては、酸化ケイ素や窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素などが挙げられる。アンダーコート１３０は単層の構造を有していてもよく、上記無機化合物から選択される化合物を含有する層が複数積層された構造を有していてもよい。

トランジスタ１４０は、半導体層１４２、ゲート電極１４６、半導体層１４２とゲート電極１４６間に挟持されるゲート絶縁層１４４、層間膜１５０、および半導体層１４２と電気的に接続されるソース／ドレイン電極１５２、１５４を基本構造として有する。

半導体層１４２は、例えばケイ素などの１４族元素、あるいは酸化物半導体を含むことができる。酸化物半導体としては、インジウムとガリウムの混合酸化物（ＩＺＯ）、インジウム、ガリウム、亜鉛の混合酸化物（ＩＧＺＯ）など、１３族元素を含む酸化物を用いることができる。半導体層１４２の結晶性に制約なく、単結晶、多結晶、微結晶、アモルファスのモルフォロジーを有してもよい。また、一つの半導体層１４２中にこれらのモルフォロジーが混在していてもよい。

ゲート絶縁層１４４も絶縁層であり、ケイ素を含有する無機化合物を含むことができる。ゲート絶縁層１４４も単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよい。

ゲート電極１４６は、電圧を印加することによって半導体層１４２にキャリアを発生させる機能を有し、これにより、トランジスタ１４０のオン／オフが制御される。ゲート電極１４６はチタンやアルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属やその合金などを用い、単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。例えばチタンやタングステン、モリブデンなどの比較的高い融点を有する金属でアルミニウムや銅などの導電性の高い金属を挟持する構造を採用することができる。配線１２８や端子１２０、１２２もゲート電極１４６と同時に形成してもよい。この場合、これらの配線１２８や端子１２０、１２２、およびゲート電極１４６は同一層内に存在する。

層間膜１５０はゲート電極１４６上に設けられる。層間膜１５０も絶縁層であり、ゲート絶縁層１４４と同様、ケイ素を含有する無機化合物を含むことができる。層間膜１５０も単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよい。

ソース／ドレイン電極１５２、１５４は、ゲート絶縁層１４４や層間膜１５０に設けられる開口部で半導体層１４２と電気的に接続される。ソース／ドレイン電極１５２、１５４もゲート電極１４６で使用可能な金属を含むことができ、積層構造、あるいは単層構造で形成される。配線１２８や端子１２０、１２２をソース／ドレイン電極１５２、１５４と同時に形成してもよい。この場合、これらの配線１２８や端子１２０、１２２、およびゲート電極１４６は同一層内に存在する。

トランジスタ１４０の構造に限定はなく、図６に示すトップゲート構造を有してもよく、ボトムゲート構造を有していてもよい。あるいは、ゲート電極１４６は半導体層１４２の上下に設置してもよい。また、複数のゲート電極１４６が１つの半導体層１４２と重なる、いわゆるマルチゲート構造を有するトランジスタを用いてもよい。

表示ユニット１１０はさらに、半導体層１４２およびソース／ドレイン電極１５４と重なり、これらに挟持される容量電極１４８を有してもよい。容量電極１４８はゲート電極１４６と同時に形成してもよく、一体化されていてもよい。半導体層１４２、ゲート絶縁層１４４、容量電極１４８、層間膜１５０、およびソース／ドレイン電極１５４によって保持容量が形成され、ゲート電極１４６の電位の維持に寄与する。

表示ユニット１１０はさらに、トランジスタ１４０上に平坦化層１５６を有することができる。平坦化層１５６は、トランジスタ１４０や保持容量などに起因する凹凸を吸収し、平坦な面を与える機能を有する。平坦化層１５６も絶縁層であり、有機化合物で形成することができる。有機化合物としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサンなどのポリマー材料が挙げられる。図示しないが、平坦化層１５６の下、あるいは上に窒化ケイ素や窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、酸化ケイ素などの無機化合物を含む絶縁層を形成してもよい。

平坦化層１５６には、トランジスタ１４０と発光素子１７０を電気的に接続するための開口部が設けられる。図６に示すように、この開口部にソース／ドレイン電極１５４と電気的に接続される接続電極１５８を設けてもよい。接続電極１５８は、可視光を透過可能な導電性酸化物を用いて形成することができる。

任意の構成として、表示ユニット１１０には付加容量電極１６０、およびそれを覆う絶縁層１６２を設けることができる。付加容量電極１６０は平坦化層１５６の上に設けられる。絶縁層１６２は、付加容量電極１６０とともに接続電極１５８を覆うように形成することができるが、接続電極１５８の底面の一部を覆わず、接続電極１５８を露出させる。これにより、接続電極１５８の底面が発光素子１７０の第１の電極１７２と電気的に接続することができる。

付加容量電極１６０と絶縁層１６２、およびこれらの上に設けられる発光素子１７０の第１の電極１７２によって付加容量が形成される。すなわち、絶縁層１６２は誘電体膜として機能する。付加容量電極１６０はトランジスタ１４０のゲート電極１４６と電気的に接続することができ、付加容量はソース／ドレイン電極１５４とゲート電極１４６間の電位の維持に寄与する。

付加容量電極１６０は、ゲート電極１４６やソース／ドレイン電極１５２、１５４で使用可能な金属や合金を含むことができ、単層構造、あるいは積層構造を有するように形成することができる。絶縁層１６２は、アンダーコート１３０と同様、ケイ素を含む無機化合物を含み、単層構造、あるいは積層構造を有するように形成することができる。なお、配線１２８や端子１２０、１２２と付加容量電極１６０が同一の層内に存在するよう、同時に形成してもよい。

発光素子１７０は、接続電極１５８と電気的に接続される第１の電極１７２、第１の電極１７２上のＥＬ層１７４、ＥＬ層１７４上の第２の電極１８２によって構成される。本明細書と請求項において、ＥＬ層１７４とは、第１の電極１７２と第２の電極１８２に挟持される層の全体を指し、第１の電極１７２と第２の電極１８２からキャリアが注入される層である。

発光素子１７０からの発光を第２の電極１８２から取り出す場合、第１の電極１７２は可視光を反射するように構成される。この場合、第１の電極１７２は、銀やアルミニウムなどの反射率の高い金属やその合金を用いる。あるいはこれらの金属や合金を含む膜上に、透光性を有する導電性酸化物の膜を形成する。発光素子１７０からの発光を第１の電極１７２から取り出す場合には、透光性を有する導電性酸化物を用いて第１の電極１７２を形成すればよい。

表示ユニット１１０はさらに、第１の電極１７２の端部を覆う隔壁１６４を有してもよい。隔壁１６４により、第１の電極１７２などに起因する段差を吸収し、かつ、隣接する画素１１２の第１の電極１７２同士を互いに電気的に絶縁することができる。隔壁１６４は第１の電極１７２の端部を覆うことで、その上に設けられるＥＬ層１７４や第２の電極１８２の断線を防ぐことができる。隔壁１６４も絶縁層であり、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリシロキサンなどのポリマーを含むことができる。

ＥＬ層１７４は有機化合物を含み、第１の電極１７２と隔壁１６４と重なるように設けられる。ＥＬ層１７４の構成は任意であり、異なる機能を有する複数の層で構成することができる。例えばＥＬ層１７４は、キャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリア阻止層、励起子阻止層などを適宜組み合わせて形成すればよい。一つの層が複数の機能を兼ねてもよい。図６では、ＥＬ層１７４が正孔注入／輸送層１７６、発光層１７８、電子注入／輸送層１８０を含む例が示されている。隣接する画素１１２間で発光層１７８の構造や材料を変えることで、隣接する画素１１２間で異なる発光色を与えることができる。この場合、正孔注入／輸送層１７６や電子注入／輸送層１８０は隣接する画素１１２によって共有され、正孔注入／輸送層１７６と電子注入／輸送層１８０は隔壁１６４上で互いに接してもよい。

第２の電極１８２はＥＬ層１７４上に設けられる。第２の電極１８２は、複数の画素１１２に共有されるよう、複数の画素１１２にわたって形成することができる。発光素子１７０からの発光を第１の電極１７２から取り出す場合には、第２の電極１８２として、アルミニウムやマグネシウム、銀などの金属やこれらの合金（例えばＭｇ−Ａｇ）を用いればよい。逆に発光素子１７０からの発光を第２の電極１８２から取り出す場合には、第２の電極１８２として、ＩＴＯなどの透光性を有する導電性酸化物などを用いればよい。あるいは、上述した金属を可視光が透過する程度の厚さで形成することができる。この場合、透光性を有する導電性酸化物をさらに積層してもよい。

表示ユニット１１０はさらに、発光素子１７０上に封止膜（パッシベーション膜）１９０を有する。パッシベーション膜１９０は、外部から発光素子１７０やトランジスタ１４０に不純物（水、酸素など）が侵入することを防ぐ機能を有する。パッシベーション膜１９０は、例えばケイ素を含有する無機化合物を含む膜を単層、あるいは複数で構成することができる。あるいは図６に示すように、パッシベーション膜１９０は三つの層（第１の層１９２、第２の層１９４、第３の層１９６）を含んでもよい。この場合、第１の層１９２と第３の層１９６には、例えばケイ素を含有する無機化合物を用いることができる。一方、第２の層１９４では、エポキシ樹脂やアクリル樹脂、ポリイミドなどのポリマーを用いることができる。第２の層１９４は、発光素子１７０や隔壁１６４に起因する凹凸を吸収して平坦な面を与えるように形成してもよい。

本明細書、および請求項では、表示ユニット１１０は、パッシベーション膜１９０、およびパッシベーション膜１９０と基板１０２間に存在する膜を指す。

＜５−２．基板端部の構造＞
図２における鎖線Ｂ−Ｂ´、Ｃ−Ｃ´に沿った断面模式図をそれぞれ図７、図８に示す。理解の促進のため、表示ユニット１１０の詳細な構造は図示していない。

（電源線）
図８に示すように、表示ユニット１１０には、第２の電極１８２に一定電位を供給するための電源線１８４が、表示領域１１４と基板１０２の端部（ここでは第２の辺１０２ｂ）の間に配置される。第２の電極１８２は電源線１８４と電気的に接続される。図示していないが、表示領域１１４と第４の辺１０２ｄ、あるいは第３の辺１０２ｃの間にも電源線１８４を設けてもよい。

（水分遮断構造）
図７、図８に示すように、基板１０２の端部（ここでは第１の辺１０２ａ、第２の辺１０２ｂ）と表示領域１１４の間の領域において、層間膜１５０（あるいは平坦化層１５６の下に設けられる無機化合物を含む絶縁層）と第１の層１９２、あるいは電源線１８４と第１の層１９２が直接接するよう、平坦化層１５６の一部を除去してもよい。このような平坦化層１５６が除去された部分は水分遮断構造とも呼ばれ、平坦化層１５６が基板１０２の端部で露出することを防ぐことができる。平坦化層１５６に使用可能なポリマーは、ケイ素を含む無機化合物と比較して水との親和性が高い。このため、平坦化層１５６が基板１０２の端部で露出すると、外部から水が平坦化層１５６に侵入する。平坦化層１５６は表示領域１１４へ延伸しているため、平坦化層１５６は水の輸送経路として働き、その結果、水が表示領域１１４へ侵入する。発光素子１７０などの表示素子は水の存在下で駆動すると速やかに劣化するため、表示装置１００の信頼性が低下する。しかしながら水分遮断構造を用いることで、外部からの水の侵入を防ぐことができ、表示装置１００の信頼性を向上させることができる。

水分遮断構造は、表示領域１１４を取り囲むように形成することができる。また、図７、図８に示すように、水分遮断構造は表示領域１１４を二重に取り囲むように形成することができる。この場合、表示装置１００は水分遮断構造を二つ有し、二つの水分遮断構造の間に平坦化層１５６の一部で形成されるリブ１５６ａが設けられる。後述するように、パッシベーション膜１９０の第２の層１９４を湿式成膜法によって形成する場合、リブ１５６ａを残すように平坦化層１５６の一部を除去することにより、第２の層１９４の形成に用いる材料の一部が基板１０２の端部、あるいはその近傍にまで塗布されることを防ぐことができる。

（端子）
上述したように、端子１２０、１２２はトランジスタ１４０のゲート電極１４６、ソース／ドレイン電極１５２、１５４、あるいは付加容量電極１６０と同時に形成することができる。また、図７に示すように、端子１２０は積層構造を有することができる。同様に、図示していないが、端子１２２も積層構造を有してもよい。この場合、例えばゲート電極１４６、ソース／ドレイン電極１５２、１５４、あるいは付加容量電極１６０と同一の層に存在する金属膜と、接続電極１５８、あるいは第１の電極１７２と同一の層に存在する導電性酸化物の膜が積層された構造を採用することができる。端子１２０、１２２は、異方性導電層２２４などの導電性を有する接着剤などを介してコネクタ１２６と電気的に接続される。

（パッシベーション膜）
図７、図８に示すように、パッシベーション膜１９０の第２の層１９４は、第１の層１９２と第３の層１９６によって挟持され、基板１０２の端部と表示領域１１４の外端との間で第１の層１９２と第３の層１９６が接する。これにより、第２の層１９４は第１の層１９２と第３の層１９６によって閉じ込められる。図７に示すように、第１の層１９２は端子１２０（および端子１２２）と接してもよい。図示していないが、第３の層１９６は、第１の層１９２の側面と第１の辺１０２ａの間で端子１２０、１２２と接してもよい。

（緩衝膜）
図７に示すように、緩衝膜２００は表示領域１１４の外端と端子１２０の間の領域に、第３の層１９６を覆うように設けられる。この時、第１の辺１０２ａに沿う緩衝膜２００の側壁（第１の側壁）２００＿１の傾斜が比較的小さくなるよう、緩衝膜２００を構成することができる。より具体的には、第１の側壁２００＿１と基板１０２の上面がなす角度θが０°より大きく５°以下、あるいは１°以上３°以下となるよう、緩衝膜２００を設けることができる。また、リブ１５６ａに起因し、パッシベーション膜１９０は表示領域１１４と端子１２０の間に凸部１９８を有するが、緩衝膜２００はこの凸部１９８を覆うように形成してもよい。これにより、タッチセンサ３００から延伸する配線３０６は、凸部１９８によって形成される段差による影響を受けることがない。さらに、角度θを上記範囲に調整することによって、第１の側壁２００＿１上で延伸する配線３０６が切断されることを効果的に防ぐことができ、その結果、高い信頼性を有する表示装置１００を製造することが可能となる。

図７、図８に示すように、表示領域１１４内における第３の層１９６の上面と緩衝膜２００の上面が同一平面上に位置するよう、緩衝膜２００を配置してもよい。これにより、表示領域１１４とその周囲に平坦な表面を形成し、その平坦な表面上にタッチセンサ３００を形成することができる。その結果、第１のタッチ電極３０２や第２のタッチ電極３０４の断線を防ぐことができる。

図７や図８では、緩衝膜２００の側壁が平坦な面によって構成される例が示されているが、例えば図９（Ａ）から図９（Ｃ）に示すように、側壁の断面が曲線で表されるように緩衝膜２００を構成してもよい。この場合、図９（Ａ）に示すように曲線は変曲点を有していてもよく、図９（Ｂ）や図９（Ｃ）に示すように変曲点を持たなくてもよい。変曲点を持たない場合には、曲線は下に凸でも上に凸でもよい。側壁の断面が曲線で表される場合、角度θは、断面における緩衝膜２００の端部（表示領域１１４よりも基板１０２の端部に近い方の端部。以下、本明細書と請求項において同じ）と緩衝膜２００の平坦な面の端部（表示領域１１４よりも基板１０２の端部に近い方の端部。以下、本明細書と請求項において同じ）を通る直線と、基板１０２の上面とがなす角度として定義することができる。

上述したように、表示領域１１４を囲むように緩衝膜２００を設けてもよい（図５参照）。この場合、図８に示すように、第２の辺１０２ｂに沿った端部では、第１の層１９２や第３の層１９６は基板１０２の端部まで延伸するよう形成され、第１の層１９２や第３の層１９６の側面は基板１０２の側面と同一平面上に存在することができる。一方、緩衝膜２００の端部は表示領域１１４と基板１０２の端部の間に位置し、側壁の底辺は第１の層１９２や第３の層１９６の上面と重なる。、第３の辺１０２ｃ、第４の辺１０２ｄに沿った端部でも同様である。

（タッチセンサ）
表示領域１１４上にタッチセンサ３００が設けられる（図７、図８）。ここでは第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４が同一の層内に存在する例が示されており、第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４が第３の層１９６上に設けられる。第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４を覆うように設けられる絶縁層３０８は誘電体膜として機能し、第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４とともに容量を形成する。絶縁層３０８は、例えばケイ素を含む無機化合物、あるいはアクリル樹脂やエポキシ樹脂などのポリマーを含むことができる。

絶縁層３０８上には、ブリッジ電極３１０が設けられ、隣接するダイアモンド電極３０４ａが電気的に接続される。絶縁層３０８には第１のタッチ電極３０２、あるいは第２のタッチ電極３０４に達する開口部が設けられ、この開口部を埋めるように配線３０６が設けられる。配線３０６は緩衝膜２００の第１の側壁２００＿１を横断して第１の辺１０２ａの方向に延伸し、端子１２０と電気的に接続される（図７）。したがって、配線３０６と緩衝膜２００は接しても良い。配線３０６はアルミニウムやモリブデン、タングステン、チタン、銅などの金属、あるいはこれらの合金を含むことができ、ブリッジ電極３１０と同一の層内に存在することができる。

＜５−３．その他の構成＞
任意の構成として、第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４、およびブリッジ電極３１０を覆うように保護膜３１２を設けてもよい。保護膜３１２はケイ素を含有する無機化合物や、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などのポリマーを含むことができる。さらに任意の構成として、保護膜３１２を介して偏光板２２０をタッチセンサ３００上に設けることができる。偏光板２２０は直線偏光板でも良く、円偏光板でも良い。円偏光板を使用することで、タッチセンサ３００や表示ユニット１１０内で反射した外光を遮蔽することができ、表示品質を向上させることができる。対向基板１０４は接着層２２２を介して偏光板２２０の上に設けられる。偏光板２２０は対向基板１０４の上に配置してもよい。

上述したように、配線３０６には凸部１９８の形状が反映されることなく、緩やかな傾斜を有する第１の側壁２００＿１に沿って延伸する。このため、配線３０６の断線を防ぐことができ、表示装置１００に高い信頼性を付与することができる。

（第２実施形態）
本実施形態では、表示装置１００の製造方法の一例を図１０（Ａ）から図２２を用いて説明する。本実施形態では、緩衝膜２００が表示領域１１４を取り囲むように形成された表示装置１００の製造方法について述べる。図１０（Ａ）から図１２（Ｂ）、図１４（Ａ）から図１５（Ｂ）は図４の断面の一部であり、図１３（Ａ）、図１６（Ａ）、図１７（Ａ）、図１７（Ｂ）、図１９（Ａ）、図１９（Ｂ）、図２１（Ａ）から図２２は図２の鎖線Ｂ−Ｂ´に沿った断面に相当し、図１３（Ｂ）、図１６（Ｂ）、図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）は図２の鎖線Ｃ−Ｃ´に沿った断面に相当する。第１実施形態と同様の内容に関しては、説明を割愛することがある。

［１．表示ユニット］
まず、図１０（Ａ）に示すように、基板１０２上にアンダーコート１３０を化学気相堆積（ＣＶＤ）法、スパッタリング法などを用いて形成する。アンダーコート１３０に積層構造を適用する場合、例えば窒化ケイ素を含む膜を酸化ケイ素を含む膜で挟持した構造を用いることができる。基板１０２中の不純物濃度が小さい場合、アンダーコート１３０は設けない、あるいは基板１０２の一部だけを覆うように形成してもよい。

次に、アンダーコート１３０上に半導体層１４２を形成する（図１０（Ａ））。半導体層１４２がケイ素を含む場合、半導体層１４２は、シランガスなどを原料として用い、ＣＶＤ法によって形成すればよい。得られるアモルファスシリコンに対して加熱処理、あるいはレーザなどの光を照射することで結晶化を行ってもよい。半導体層１４２が酸化物半導体を含む場合、スパッタリング法などを利用して形成することができる。

次に、半導体層１４２に対して一回目のドーピングを行い、ドープ領域１４２＿２とアンドープ領域１４２＿１を形成する（図１０（Ｂ））。具体的には、アンドープ領域１４２＿１が形成される部分にレジスト膜１３２を形成し、その後イオンを半導体層１４２にドープする（図１０（Ａ））。イオンとしては、例えばｎ型導電性を付与するリンや窒素のイオンを用いることができる。その後レジスト膜１３２を除去する。

次に半導体層１４２を覆うようにゲート絶縁層１４４を形成する（図１０（Ｂ））。ゲート絶縁層１４４はＣＶＤ法やスパッタリング法などによって形成することができる。

引き続き、ゲート絶縁層１４４上にゲート電極１４６、および容量電極１４８をスパッタリング法やＣＶＤ法を用いて形成する（図１０（Ｂ））。ゲート電極１４６は、アンドープ領域１４２＿１と重なるように設けられる。

次に、ゲート電極１４６をマスクとして用い、半導体層１４２に対して二回目のドーピングを行う（図１１（Ａ））。この時のドーピング条件は、一回目のドーピングと比較して低濃度で半導体層１４２がドープされるように調整される。これにより、アンドープ領域１４２＿１のゲート電極１４６と重ならない領域に低濃度ドープ領域１４２＿３が形成される。低濃度ドープ領域１４２＿３は、ドープ領域１４２＿２と比較して不純物の濃度が小さい。ゲート電極１４６と重なるアンドープ領域１４２＿１は不純物がドープされない、あるいは実質的にドープされない領域であり、チャネル領域として機能する。なお、半導体層１４２が酸化物半導体を含む場合、上述したドーピング工程は行わなくてもよい。

次にゲート電極１４６、容量電極１４８上に層間膜１５０を形成する（図１１（Ａ））。その後、層間膜１５０とゲート絶縁層１４４に対してエッチングを行い、ドープ領域１４２＿２に達する開口部を形成する。エッチングは、例えばプラズマ存在下、フッ素含有炭化水素を含むガス中で行うことができる。これらの開口部を覆うようにスパッタリング法やＣＶＤ法を用いて金属膜を形成し、エッチングを行って金属膜を成形することで、ソース／ドレイン電極１５２、１５４を形成する（図１１（Ｂ））。これにより、トランジスタ１４０が形成される。ソース／ドレイン電極１５４を形成すると同時に端子１２０、１２２を形成してもよい。

次に平坦化層１５６を形成する（図１２（Ａ））。平坦化層１５６は上述した湿式成膜法などによって形成することができる。平坦化層１５６がポリマーを含む層と無機化合物を含む層の積層構造を有する場合、無機化合物を含む絶縁層はスパッタリング法やＣＶＤ法によって形成することができる。

次に平坦化層１５６に対してエッチングを行い、ソース／ドレイン電極１５４に達する開口部を形成する（図１２（Ｂ））。この時、図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）に示すように、表示領域１１４の周囲、すなわち、表示領域１１４と基板１０２の端部（第１の辺１０２ａ、第２の辺１０２ｂ、第３の辺１０２ｃ、第４の辺１０２ｄ）の間の領域において平坦化層１５６の一部を除去し、層間膜１５０を露出させて水分遮断構造１８６が形成される。ここで示した例では、二つの水分遮断構造１８６ａ、１８６ｂが表示領域１１４を二重に取り囲むように形成され、リブ１５６ａは水分遮断構造１８６ａ、１８６ｂの間に位置する。

その後、開口部を覆うように接続電極１５８を形成する（図１４（Ａ））。接続電極１５８は、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの導電性酸化物を含むターゲットに対してスパッタリングを行うことで形成することができる。この時、端子１２０、１２２の表面をＩＴＯやＩＺＯで覆ってもよい。このプロセスは必ずしも行う必要はないが、このプロセスを行うことで、引き続くプロセスにおいてソース／ドレイン電極１５４や端子１２０、１２２の表面など、露出している金属の表面を保護することができ、コンタクト抵抗の増大を防ぐことができる。

次に付加容量電極１６０を形成し、引き続き、絶縁層１６２を形成する（図１４（Ａ））。これらはＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成することができる。任意の構成として、絶縁層１６２には、のちに形成される隔壁１６４と平坦化層１５６が接するよう、開口部を設けてもよい。これにより、表示装置１００の製造プロセス中に平坦化層１５６から脱離する水などの不純物を解放することができる。

次に発光素子１７０の第１の電極１７２をスパッタリング法やＣＶＤ法を用いて形成し、その後、隔壁１６４を形成する（図１４（Ｂ））。第１の電極１７２は、平坦化層１５６に設けられた開口部を埋め、接続電極１５８と接続されるように設けられる。隔壁１６４は上述した湿式成膜法を適用して形成することができる。隔壁１６４は、第１の電極１７２の一部を露出するように開口部を有しており、その開口端はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。これにより、後に形成されるＥＬ層１７４や第２の電極１８２のカバレッジ不良を防ぐことができる。

隔壁１６４の形成後、発光素子１７０のＥＬ層１７４、およびＥＬ層１７４上の第２の電極１８２を形成する（図１５（Ａ））。ここでは、ＥＬ層１７４は正孔注入／輸送層１７６、発光層１７８、および電子注入／輸送層１８０の３層を有する構成を示しているが、本実施形態はこれに限られず、単層の構造を有するＥＬ層１７４を用いてもよく、あるいは４層以上の構造を有するＥＬ層１７４を用いてもよい。ＥＬ層１７４は蒸着法、インクジェット法、印刷法、スピンコート法などによって形成することができる。第２の電極１８２は、蒸着法、スパッタリング法などによって形成することができる。

第２の電極１８２の形成後、パッシベーション膜１９０を第２の電極１８２上に形成する（図１５（Ｂ））。パッシベーション膜１９０の構成は任意に選択できるが、ここでは第１の層１９２、第２の層１９４、第３の層１９６の三層構造を有する例が示されている。

第１の層１９２は、ＣＶＤ法やスパッタリング法などによって形成することができる。第２の層１９４は、図１５（Ｂ）に示すように、表示領域１１４内において隔壁１６４に起因する凹凸を吸収するよう、かつ、平坦な面を与えるような厚さで形成してもよい。第２の層１９４はインクジェット法などの湿式成膜法によって形成することができる。あるいは、第１実施形態で述べたポリマーの原料となるオリゴマーを減圧下で霧状あるいはガス状にし、これを第１の層１９２に吹き付け、その後オリゴマーを重合することによって第２の層１９４を形成してもよい。このような作製方法を用いることで、第２の層１９４は表示領域１１４と基板１０２の端部の間で傾斜した表面を有することができる。上述したように、リブ１５６ａを形成することで、選択的にその内側の領域に第２の層１９４を形成することができる。第３の層１９６は、第１の層１９２と同様の方法で形成することができる。第２の層１９４の形状を反映し、第３の層１９６も表示領域１１４と基板１０２の端部の間で傾斜した表面を有する。

この段階における基板１０２の端部の断面模式図を図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）にそれぞれ示す。図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）に示すように、第１の層１９２と第３の層１９６は、基板１０２の端部に達するように形成することができる。したがって、第１の層１９２や第３の層１９６の形成時、第１の層１９２や第３の層１９６の形成時、端子１２０、１２２を遮蔽するマスクを用いなくてもよい。

第２の層１９４は、表示領域１１４を覆うものの、その端部は表示領域１１４と基板１０２の端部の間に位置するよう形成される。したがって、第１の層１９２と第３の層１９６は、表示領域１１４と基板１０２の端部の間で接することができる。

以上のプロセスにより、表示ユニット１１０が形成される。

［２．緩衝膜］
引き続き、パッシベーション膜１９０上に緩衝膜２００を形成する。具体的には、第１実施形態で述べたポリマーを含む溶液を塗布し、溶液中の溶媒の留去する。あるいはポリマーの原料となるオリゴマーを塗布し、その後オリゴマーを熱硬化、あるいは光硬化させることで緩衝膜２００が形成される。この時、例えば図１７（Ａ）に示すように、リブ１５６ａに起因して第１の層１９２と第３の層１９６に生じる凸部１９８を覆うように、基板１０２の端部から表示領域１１４の間の領域に緩衝膜２００を選択的に形成してもよい。さらに第１の辺１０２ａに沿った領域では、端子１２０を部分的に覆うように緩衝膜２００を形成する。すなわちこの領域では、緩衝膜２００の端部が端子１２０上にあり、第１の辺１０２ａと表示領域１１４の間に位置するよう、緩衝膜２００を形成する。図１７（Ａ）に示すように、緩衝膜２００の上面が表示領域１１４における第３の層１９６上面と一致する、すなわちこれらの上面が同一平面上に存在するよう、緩衝膜２００を形成してもよい。

引き続き、表示領域１１４と緩衝膜２００を覆うように、第２の緩衝膜２０２を形成する（図１７（Ｂ））。第２の緩衝膜２０２も絶縁層であり、緩衝膜２００と同様、ポリマーを含むことができる。緩衝膜２００と第２の緩衝膜２０２は、同一の材料を含んでもよく、異なる材料を含んでもよい。第２の緩衝膜２０２も緩衝膜２００と同様の方法で形成することができる。オリゴマーを硬化して第２の緩衝膜２０２を形成する場合、熱によって硬化するオリゴマー（熱硬化性樹脂）を使用してもよい。これにより、光硬化における光照射においてＥＬ層１７４が劣化することを避けることができる。なお、緩衝膜２００と第２の緩衝膜２０２を異なるステップで形成せず、一種類の材料を用い、連続的に緩衝膜２００と第２の緩衝膜２０２を形成してもよい。

この段階におけるＣ−Ｃ´断面の模式図を図１８（Ａ）に示す。ここに示すように、第２の辺１０２ｂに沿った領域においても、凸部１９８を覆うように、緩衝膜２００を表示領域１１４と基板１０２の端部の間に形成することができる。第２の緩衝膜２０２も、緩衝膜２００と表示領域１１４を覆うように設けられる。や第３の辺１０２ｃ、第４の辺１０２ｄに沿った領域においても同様である。

その後、端子１２０、１２２を露出するためのエッチングを行う。具体的には、緩衝膜２００をマスクとして用い、例えばフッ素含有炭化水素を含むガス中でプラズマエッチングを行い、端子１２０、１２２を覆う第１の層１９２と第３の層１９６を除去する（図１９（Ａ））。これにより、端子１２０、１２２が第１の層１９２と第３の層１９６から露出し、第１の層１９２と第３の層１９６の側面は端子１２０、１２２の上面と重なる。

次に、第２の緩衝膜２０２を除去する（図１９（Ｂ））。第２の緩衝膜２０２の除去は、ウエットエッチングでも良く、ドライエッチング（あるいはアッシング）でもよい。この時、緩衝膜２００が一部エッチングされるため、緩衝膜２００が表示領域１１４の方向へ後退する。したがって、緩衝膜２００の端部（すなわち、第１の側壁２００＿１の底辺）は第１の層１９２、あるいは第３の層１９６の上面と重なる。第2の緩衝膜２０２の除去により、第３の層１９６が表示領域１１４内で露出する。第２の緩衝膜２０２の除去は、表示領域内における第３の層１９６の上面と、緩衝膜２００の上面が同一平面上に位置するよう、行うことができる。

この段階におけるＣ−Ｃ´断面の模式図を図１８（Ｂ）に示す。第２の辺１０２ｂの近傍では、マスクとして機能する緩衝膜２００は基板１０２の端部に達しているため、緩衝膜２００に覆われる第１の層１９２、第３の層１９６はエッチングされない。したがって、第１の層１９２、第３の層１９６の側面は基板１０２の側面と同一平面上に位置することができる。一方、第２の緩衝膜２０２を除去する際、緩衝膜２００が基板１０２の端部から後退する。このため、緩衝膜２００の側壁の底辺は、第１の層１９２、あるいは第３の層１９６の上面と重なる。第３の辺１０２ｃ、第４の辺１０２ｄの近傍においても同様である。

なお、端子１２０、１２２を露出する際、緩衝膜２００に含まれる材料やエッチング条件を適宜選択することで、緩衝膜２００も同時に徐々にエッチングすることができ、これにより、いわゆるテーパーエッチングが可能となる。この場合、図２０に示すように、第１の層１９２と第３の層１９６の側面は基板１０２の上面から傾く。第１の層１９２と第３の層１９６の側面と基板１０２の上面がなす角度θ´は角度θよりも大きくてもよい。第１の層１９２と第３の層１９６の側面は互いに同一の平面上に位置することができる。

以上のプロセスにより、緩衝膜２００が形成される。

［３．タッチセンサ］
引き続き、タッチセンサ３００を形成する。具体的には、第３の層１９６を介して表示領域１１４上に第１のタッチ電極３０２、第２のタッチ電極３０４をスパッタリング、あるいはＣＶＤ法を用いて形成する（図２１（Ａ））。その後、第１のタッチ電極３０２、第２のタッチ電極３０４を覆うように絶縁層３０８を形成する。絶縁層３０８はＣＶＤ法、あるいは湿式成膜法を適用して形成すればよい。絶縁層３０８と第３の層１９６に同一の材料が含まれるようにすることで、これらの界面（図８参照）間での反射が抑制されるため、光の透過率の低下を防ぐことができる。第１のタッチ電極３０２や第２のタッチ電極３０４、絶縁層３０８は、緩衝膜２００と重なるように形成してもよい。

その後、エッチングによって第１のタッチ電極３０２や、ここでは図示しない第２のタッチ電極３０４を露出するための開口部を絶縁層３０８に形成する。引き続き、この開口部を覆うように、ＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて配線３０６やブリッジ電極３１０を形成する（図２１（Ｂ））。さらに、ＣＶＤ法や湿式成膜法を利用し、保護膜３１２を形成し、保護膜３１２を介して偏光板２２０が貼り合わされる（図２２）。その後、偏光板２２０上に接着層２２２を介して対向基板１０４が配置される。この後、異方性導電層２２４を用いてコネクタ１２６が端子１２０、１２２と電気的に接続される（図７、図８）。

以上の工程により、表示装置１００を製造することができる。

上述したように、本実施形態の製造方法では、パッシベーション膜１９０の第１の層１９２と第３の層１９６の形成時、マスクを用いて端子１２０、１２２を遮蔽する必要がなく、端子１２０、１２２を覆うように第１の層１９２と第３の層１９６を形成することができる。コネクタ１２６との接続のために端子１２０、１２２を第１の層１９２と第３の層１９６から露出する工程は、緩衝膜２００をマスクとするエッチングによって行うことができる。緩衝膜２００はインクジェット法や印刷法を用いて形成することができるため、第１の層１９２と第３の層１９６のエッチングされる領域を精確に制御することができる。したがって、マスク数の減少に伴う製造コストの低減とともに、端子１２０、１２２の形成を精密に制御することが可能となる。

さらに、端子１２０、１２２を露出する工程では、表示領域１１４と重なる第３の層１９６は第２の緩衝膜２０２によって覆われている。したがって、この工程において、表示領域１１４と重なる領域の第３の層１９６がダメージを受けることがなく、パッシベーション膜１９０の封止能力を維持することができ、かつ、第２の層１９４によってもたらされる平坦性が維持される。したがって、表示装置１００の高い信頼性を維持しながらタッチセンサ３００を形成することができる。さらに、第２の緩衝膜２０２を除去することで、表示素子から得られる光が第２の緩衝膜２０２によって吸収されることを回避することができるため、表示装置の消費電力を小さくすることができる。

本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

本明細書においては、開示例として主にＥＬ表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。

上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１００：表示装置、１０２：基板、１０２ａ：第１の辺、１０２ｂ：第２の辺、１０２ｃ：第３の辺、１０２ｄ：第４の辺、１０４：対向基板、１１０：表示ユニット、１１２：画素、１１４：表示領域、１１６：ゲート側駆動回路、１１８：ソース側駆動回路、１２０：端子、１２２：端子、１２４：ＩＣチップ、１２６：コネクタ、１２８：配線、１３０：アンダーコート、１３２：レジスト膜、１４０：トランジスタ、１４２：半導体層、１４２＿１：アンドープ領域、１４２＿２：ドープ領域、１４２＿３：低濃度ドープ領域、１４４：ゲート絶縁層、１４６：ゲート電極、１４８：容量電極、１５０：層間膜、１５２：ソース／ドレイン電極、１５４：ソース／ドレイン電極、１５６：平坦化層、１５６ａ：リブ、１５８：接続電極、１６０：付加容量電極、１６２：絶縁層、１６４：隔壁、１７０：発光素子、１７２：第１の電極、１７４：ＥＬ層、１７６：正孔注入／輸送層、１７８：発光層、１８０：電子注入／輸送層、１８２：第２の電極、１８４：電源線、１８６：水分遮断構造、１８６ａ：水分遮断構造、１８６ｂ：水分遮断構造、１９０：パッシベーション膜、１９２：第１の層、１９４：第２の層、１９６：第３の層、１９８：凸部、２００：緩衝膜、２００＿１：第１の側壁、２０２：第２の緩衝膜、２２０：偏光板、２２２：接着層、２２４：異方性導電層、３００：タッチセンサ、３０２：第１のタッチ電極、３０２ａ：ダイアモンド電極、３０２ｂ：接続領域、３０４：第２のタッチ電極、３０４ａ：ダイアモンド電極、３０４ｂ：接続領域、３０６：配線、３０８：絶縁層、３１０：ブリッジ電極、３１２：保護膜

Claims (20)

1. 画素を有する表示領域を基板上に形成すること、
   前記表示領域と前記基板の辺の間に位置するように、前記画素と電気的に接続される端子を形成すること、
   前記表示領域と前記端子上にパッシベーション膜を形成すること、
   前記表示領域、前記表示領域と前記端子間の領域、および前記端子の一部を覆うように前記パッシベーション膜上に絶縁層を形成すること、
   前記絶縁層をマスクとして前記パッシベーション膜をエッチングして前記端子を露出することを含む、表示装置の製造方法。
2. 前記絶縁層の一部を除去し、前記表示領域上において前記パッシベーション膜を露出することを含む、請求項１に記載の製造方法。
3. 前記絶縁層の一部の除去の後、前記パッシベーション膜上にタッチセンサを形成することをさらに含む、請求項２に記載の製造方法。
4. 前記絶縁層の除去は、前記絶縁層の上面と、前記パッシベーション膜の前記表示領域内における上面が同一平面になるように行う、請求項２に記載の製造方法。
5. 前記パッシベーション膜の形成は、前記表示領域と前記端子の間に傾斜した表面を有するように行う、請求項１に記載の製造方法。
6. 前記絶縁層は樹脂を有する、請求項１に記載の製造方法。
7. 前記絶縁層の形成は、前記表示領域を囲むように行う、請求項１に記載の製造方法。
8. 前記パッシベーション膜は、前記領域に凸部を有し、
   前記絶縁層の形成は、前記凸部を覆うように行う、請求項１に記載の製造方法。
9. 画素を有する表示領域を基板上に形成すること、
   前記表示領域と前記基板の辺の間に位置するように、前記画素と電気的に接続される端子を形成すること、
   前記表示領域と前記端子上にパッシベーション膜を形成すること、
   前記表示領域と前記端子間の領域、および前記端子の一部を覆うように前記パッシベーション膜上に第１の絶縁層を形成すること、
   前記表示領域と前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成すること、
   前記第１の絶縁層をマスクとして前記パッシベーション膜をエッチングして前記端子を露出することを含む、表示装置の製造方法。
10. 前記第２の絶縁層を除去することをさらに含む、請求項９に記載の製造方法。
11. 前記第２の絶縁層を除去した後に、前記パッシベーション膜上にタッチセンサを形成することをさらに含む、請求項１０に記載の製造方法。
12. 前記第２の絶縁層の除去は、前記第１の絶縁層の上面、および前記表示領域上の前記パッシベーション膜の上面が同一平面に存在するように行う、請求項１０に記載の製造方法。
13. 前記パッシベーション膜の形成は、前記表示領域と前記端子の間に傾斜した表面を有するように行い、
    前記第１の絶縁層の形成は、前記傾斜した表面を覆うように行う、請求項９に記載の製造方法。
14. 前記第１の絶縁層は第１の樹脂を有し、
    前記第２の絶縁層は、前記第１の樹脂と異なる第２の樹脂を有する、請求項９に記載の製造方法。
15. 前記第１の絶縁層の形成は、前記表示領域を囲むように行う、請求項９に記載の製造方法。
16. 前記パッシベーション膜は、前記領域に凸部を有し、
    前記第１の絶縁層の形成は、前記凸部を覆うように行う、請求項９に記載の製造方法。
17. 基板上に位置し、画素を有する表示領域と、
    前記基板上に位置し、前記画素と電気的に接続される端子と、
    前記表示領域上に位置し、前記端子の一部を覆うパッシベーション膜と、
    前記パッシベーション膜上に位置し、かつ前記表示領域と前記端子の間に位置する絶縁層を有し、
    前記パッシベーション膜の上面と、前記絶縁層の上面が同一平面内に存在する、表示装置。
18. 前記表示領域、および前記パッシベーション膜上にタッチセンサをさらに有する、請求項１７に記載の表示装置。
19. 前記絶縁層は前記表示領域を囲む、請求項１７に記載の表示装置。
20. 前記パッシベーション膜は、前記表示領域と前記端子間に凸部を有し、
    前記絶縁層が前記凸部を覆う、請求項１７に記載の表示装置。

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