JP2018180469A - 表示装置、および表示装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】タッチセンサが搭載された高信頼性表示装置、およびその製造方法を提供する。【解決手段】表示装置の製造方法が提供される。この製造方法は、画素を有する表示領域を基板102上に形成すること、表示領域114と基板の辺の間に位置するように、画素と電気的に接続される端子120を形成すること、表示領域と端子上にパッシベーション膜190を形成すること、表示領域、表示領域と端子間の領域、および端子の一部を覆うようにパッシベーション膜上に絶縁層を形成すること、絶縁層200をマスクとしてパッシベーション膜をエッチングして端子を露出することを含む。【選択図】図7

Description

本発明の実施形態の一つは、表示装置、およびその製造方法に関する。例えばタッチセンサが搭載された表示装置とその製造方法に関する。
ユーザが表示装置に対して情報を入力するためのインターフェースとして、タッチセンサが知られている。タッチセンサを表示装置の画面と重なるように設置することで、画面上に表示される入力ボタンやアイコンなどをユーザが操作することができ、表示装置へ容易に情報を入力することができる。例えば特許文献1では、有機EL表示装置にタッチセンサが搭載された電子機器が開示されている。ここでは、有機EL素子(以下、発光素子と記す)上に封止膜を形成し、その上にタッチセンサ用のタッチ電極が形成されている。
米国特許出願公開第2015/0130726号明細書
本発明に係る実施形態は、表示装置、およびその製造方法を提供することを目的の一つとする。例えば、タッチセンサが搭載された高信頼性表示装置、およびその製造方法を提供することを目的の一つとする。
本発明の実施形態の一つは、表示装置の製造方法である。この製造方法は、画素を有する表示領域を基板上に形成すること、表示領域と基板の辺の間に位置するように、画素と電気的に接続される端子を形成すること、表示領域と端子上にパッシベーション膜を形成すること、表示領域、表示領域と端子間の領域、および端子の一部を覆うようにパッシベーション膜上に絶縁層を形成すること、絶縁層をマスクとしてパッシベーション膜をエッチングして端子を露出することを含む。
本発明の実施形態の一つは、表示装置の製造方法である。この製造方法は、画素を有する表示領域を基板上に形成すること、表示領域と基板の辺の間に位置するように、画素と電気的に接続される端子を形成すること、表示領域と端子上にパッシベーション膜を形成すること、表示領域と端子間の領域、および端子の一部を覆うようにパッシベーション膜上に第1の絶縁層を形成すること、表示領域と第1の絶縁層上に第2の絶縁層を形成すること、第1の絶縁層をマスクとしてパッシベーション膜をエッチングして端子を露出することを含む。
本発明の実施形態の一つは、表示装置である。表示装置は、基板上に位置し、画素を有する表示領域と、基板上に位置し、画素と電気的に接続される端子と、表示領域上に位置し、端子の一部を覆うパッシベーション膜と、パッシベーション膜上に位置し、かつ表示領域と端子の間に位置する絶縁層を有する。パッシベーション膜の上面と、絶縁層の上面は同一平面内に存在する。
本発明の実施形態の表示装置の模式的斜視図。 本発明の実施形態の表示装置の模式的上面図。 本発明の実施形態の表示装置の上面拡大図。 本発明の実施形態の表示装置の模式的上面図。 本発明の実施形態の表示装置の模式的上面図。 本発明の実施形態の表示装置の画素の模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の端部の模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の端部の模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の端部の模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。 本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する模式的断面図。
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
本明細書と請求項において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
本明細書および請求項において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
本明細書および請求項において、「ある構造体が他の構造体から露出するという」という表現は、ある構造体の一部が他の構造体によって覆われていない態様を意味し、この他の構造体によって覆われていない部分は、さらに別の構造体によって覆われる態様も含む。
(第1実施形態)
本実施形態では、本実施形態に係る表示装置100の構成について説明する。図1は表示装置100の模式的斜視図である。ここでは理解を促進するため、表示装置100が展開された状態を示しているが、表示装置100は図1に示した各構成要素が一体化された状態で使用される。
[1.全体構成]
表示装置100は、基板102と、基板102に対向する対向基板104を有する。基板102と対向基板104の間には、表示装置100に表示機能を付与する表示ユニット110、表示ユニット110上の緩衝膜(第1の緩衝膜)200、表示ユニット110上のタッチセンサ300を有する。任意の構成として、表示装置100はタッチセンサ300と対向基板104の間、あるいは対向基板104上に偏光板220を有していてもよい。
[2.タッチセンサ]
表示装置100の上面模式図を図2に示す。ここでは、対向基板104や偏光板220は図示していない。タッチセンサ300は、列方向にストライプ状に配列される複数の第1のタッチ電極302と、行方向にストライプ状に配列され、第1のタッチ電極302と交差する複数の第2のタッチ電極304を有する。第1のタッチ電極302と第2のタッチ電極304の一方は送信電極(Tx)、他方は受信電極(Rx)とも呼ばれる。タッチセンサ300は、表示ユニット110の表示領域114と重なるように設けられ、表示領域114とほぼ同じ大きさ、形状を有することができる。
図3(A)にタッチセンサ300の拡大図を示す。図3(A)に示すように、第1のタッチ電極302は、それぞれほぼ四角形の形状を有する複数の四角形領域(ダイアモンド電極)302aと、隣接するダイアモンド電極302aを接続する接続領域302bを有している。同様に、第2のタッチ電極304の各々も、複数のダイアモンド電極304aと、隣接するダイアモンド電極304aを接続する接続領域304bを有している。第1のタッチ電極302と各第2のタッチ電極304は図示しない絶縁層を介して互いに離間して電気的に独立しており、これらの間で容量が形成される。人の指などが第1のタッチ電極302と第2のタッチ電極304を介して表示領域114に触れることで容量が変化し、この変化を読み取ることでタッチの位置が決定される。このように、第1のタッチ電極302と第2のタッチ電極304により、いわゆる投影型静電容量方式のタッチセンサ300が形成される。
図3(A)では、ダイアモンド電極302aと304aが異なる層に存在する例が示されているが、図3(B)に示すように、これらは同一の層内に存在するよう、タッチセンサ300を構成してもよい。この場合には、ブリッジ電極310が接続領域302b、あるいは接続領域304bとして機能し、隣接するダイアモンド電極302a同士、あるいはダイアモンド電極304a同士の電気的な接続を行う。
ダイアモンド電極302a、304aは、図3(A)や図3(B)に示すように、それぞれ開口を持たない導電層でも良く、あるいは図3(C)に示すように開口を有するメッシュ状の配線によって形成されていてもよい。開口を持たない導電層の場合、第1のタッチ電極302、第2のタッチ電極304はインジウム―スズ酸化物(ITO)やインジウム―亜鉛酸化物(IZO)などの可視光を透過可能な導電性酸化物を含むことができる。メッシュ状の配線を適用する場合、第1のタッチ電極302、第2のタッチ電極304は、上述した導電性酸化物のほか、アルミニウムやモリブデン、タングステン、チタン、銅などの金属、あるいはこれらの合金を含むことができる。
第1のタッチ電極302、第2のタッチ電極304は配線306と電気的に接続され、配線306は表示領域114と重ならない領域を経由して基板102の端部付近まで延伸し、表示ユニット110において端子120と接続される(図2)。端子120はフレキシブル印刷回路(FPC)基板などのコネクタ126と接続され、外部回路(図示せず)から端子120を経由してタッチセンサ用信号が第1のタッチ電極302、第2のタッチ電極304に与えられる。これにより、タッチセンサ300が制御される。
[3.表示ユニット]
表示ユニット110、および表示ユニット110上の緩衝膜200の上面模式図を図4に示す。表示ユニット110は、パターニングされた種々の絶縁層層、導電層、半導体層が積層されることによって構成される。これら種々の膜により、後述する画素112やゲート側駆動回路116、ソース側駆動回路118、端子120、122などが形成される。
画素112はマトリクス状に複数設けられ、表示領域114を形成する。各画素112には発光素子や液晶素子などの表示素子、および表示素子と電気的に接続される一つ、あるいは複数のトランジスタが備えられる。画素112が与える色は表示素子、あるいは画素112上に任意の構成として設けられるカラーフィルタの特性によって決定される。本明細書および請求項では、画素112とは、それぞれ一つの表示素子を有し、表示領域114で再現される映像の一部を構成する最小単位である。
画素112に、例えば赤色、緑色、あるいは青色を与える表示素子を設けることでフルカラー表示を行うことができる。あるいは、全画素112で白色を与える表示素子を用い、カラーフィルタを用いて画素112ごとに赤色、緑色、あるいは青色を取り出してフルカラー表示を行ってもよい。画素112の配列に制限はなく、ストライプ配列、デルタ配列、モザイク配列などを採用することができる。
表示領域114の外側には、画素112の駆動を制御するための駆動回路が設けられる。ここでは、表示領域114を挟むように形成される二つのゲート側駆動回路116、および一つのソース側駆動回路118が配置された例が示されているが、ゲート側駆動回路116は一つでも良い。また、これらの駆動回路とともに、あるいはこれらの駆動回路に替わり、基板102とは異なる基板(半導体基板など)上に形成されたICチップなどを駆動回路として表示ユニット110上やコネクタ126上に設けてもよい。本実施形態では、図2、図4に示すように、表示ユニット110内に形成されるゲート側駆動回路116、ソース側駆動回路118、および、コネクタ126上に設けられるICチップ124によって画素112が制御される例が示される。なお、ICチップ124はタッチセンサ300の制御を行ってもよく、ICチップ124とは異なるICチップを別途用いてタッチセンサ300を制御してもよい。
表示領域114やゲート側駆動回路116、ソース側駆動回路118から配線128が基板102の端部へ延伸する。表示ユニット110において、配線128は基板102の端部で端子122を形成する。端子122はコネクタ126と電気的に接続される。図示しない外部回路から映像信号がICチップ124やゲート側駆動回路116、ソース側駆動回路118を介して画素112に与えられ、トランジスタや表示素子が制御される。
図1、図2、図4に示すように、基板102は四角形の形状を有することができ、この場合、基板102は第1の端部、第2の端部、第3の端部、および第4の端部にそれぞれ相当する第1の辺102a、第2の辺102b、第3の辺102c、第4の辺102dを有する(図4)。第1の辺102aと第3の辺102cは互いに対向し、表示領域114を挟む。同様に、第2の辺102bと第4の辺102dも互いに対向し、表示領域114を挟む。端子120、122は基板102の一つの辺(第1の辺102a)に沿うように配列することができ、これにより、一つのコネクタ126を用いて映像信号やタッチセンサ用信号を表示装置100に供給することができる。
[4.緩衝膜]
緩衝膜200は絶縁層であり、表示領域114と端子120、122間の領域と重なるように表示ユニット110上に設けられる(図1、図4参照)。ここで示した例では、緩衝膜200は帯状に設けられ、ソース側駆動回路118を覆っている。緩衝膜200はさらに、ゲート側駆動回路116の一部を覆うように形成してもよい。緩衝膜200はポリマーを含むことができ、ポリマーとしては、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、ノボラック樹脂、ポリイミド、ポリエステルなどを用いることができる。あるいはポリエチレンやポリプロピレンなどのポリオレフィンおよびその共重合体、ポリアクリロニトリルおよびその共重合体、ポリビニリデンクロリドおよびその共重合体、脂肪族ポリアミド、フッ素を含むポリエチレンおよびその共重合体などを用いてもよい。これらのポリマーはリニアな鎖状の構造を有していてもよく、分子間で架橋して三次元ネットワークを形成してもよい。緩衝膜200は、例えばインクジェット法やスピンコート法、ディップコーティング法などの、いわゆる湿式成膜法によって形成することができる。
緩衝膜200は、図5に示すように、表示領域114を取り囲むように形成してもよい。換言すると、緩衝膜200は、表示領域114と重なる部分に開口部を有するよう形成してもよい。緩衝膜200は、第1の辺102a、第2の辺102b、第3の辺102c、第4の辺102dと表示領域114の間に形成することができる。この場合、緩衝膜200の外周は、第1の辺102a、第2の辺102b、第3の辺102c、第4の辺102dとは接せずに離間する。
[5.断面構造]
<5−1.表示ユニット>
断面模式図を用い、表示装置100の構造を詳細に説明する。図6に図4の鎖線A−A´に沿った断面模式図を示す。ここでは、表示素子として発光素子170を有する画素112が例として用いられ、基板102、および表示ユニット110の断面模式図が示されている。なお、表示素子の構成には制約はなく、表示素子は液晶素子や電気泳動素子など、電圧駆動型の表示素子でもよい。この断面模式図には、以下に説明するように、トランジスタ140や保持容量、付加容量がそれぞれ一つづつ描かれているが、各画素112はこれらの半導体素子をそれぞれ複数有していてもよい。
基板102は表示ユニット110やその上に設けられる画素112、緩衝膜200、タッチセンサ300などを支持する機能を有し、例えばガラスや石英、セラミック、ポリマーを含むことができる。可撓性を有するポリマーを基板102を用いてもよく、これにより表示装置100に可撓性を付与することができる。
上述したように、表示ユニット110にはパターニングされた種々の絶縁層、半導体層、導電体層が設けられ、これらによって画素112やゲート側駆動回路116、ソース側駆動回路118などが形成される。
たとえば表示ユニット110には、アンダーコート130を介して基板102上にトランジスタ140を設けることができる。アンダーコート130は、基板102に含まれるアルカリ金属イオンなどの不純物がトランジスタ140などへ拡散することを防ぐ機能を有し、例えばケイ素を含有する無機化合物を含むことができる。ケイ素を含有する無機化合物としては、酸化ケイ素や窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素などが挙げられる。アンダーコート130は単層の構造を有していてもよく、上記無機化合物から選択される化合物を含有する層が複数積層された構造を有していてもよい。
トランジスタ140は、半導体層142、ゲート電極146、半導体層142とゲート電極146間に挟持されるゲート絶縁層144、層間膜150、および半導体層142と電気的に接続されるソース/ドレイン電極152、154を基本構造として有する。
半導体層142は、例えばケイ素などの14族元素、あるいは酸化物半導体を含むことができる。酸化物半導体としては、インジウムとガリウムの混合酸化物(IZO)、インジウム、ガリウム、亜鉛の混合酸化物(IGZO)など、13族元素を含む酸化物を用いることができる。半導体層142の結晶性に制約なく、単結晶、多結晶、微結晶、アモルファスのモルフォロジーを有してもよい。また、一つの半導体層142中にこれらのモルフォロジーが混在していてもよい。
ゲート絶縁層144も絶縁層であり、ケイ素を含有する無機化合物を含むことができる。ゲート絶縁層144も単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよい。
ゲート電極146は、電圧を印加することによって半導体層142にキャリアを発生させる機能を有し、これにより、トランジスタ140のオン/オフが制御される。ゲート電極146はチタンやアルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属やその合金などを用い、単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。例えばチタンやタングステン、モリブデンなどの比較的高い融点を有する金属でアルミニウムや銅などの導電性の高い金属を挟持する構造を採用することができる。配線128や端子120、122もゲート電極146と同時に形成してもよい。この場合、これらの配線128や端子120、122、およびゲート電極146は同一層内に存在する。
層間膜150はゲート電極146上に設けられる。層間膜150も絶縁層であり、ゲート絶縁層144と同様、ケイ素を含有する無機化合物を含むことができる。層間膜150も単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよい。
ソース/ドレイン電極152、154は、ゲート絶縁層144や層間膜150に設けられる開口部で半導体層142と電気的に接続される。ソース/ドレイン電極152、154もゲート電極146で使用可能な金属を含むことができ、積層構造、あるいは単層構造で形成される。配線128や端子120、122をソース/ドレイン電極152、154と同時に形成してもよい。この場合、これらの配線128や端子120、122、およびゲート電極146は同一層内に存在する。
トランジスタ140の構造に限定はなく、図6に示すトップゲート構造を有してもよく、ボトムゲート構造を有していてもよい。あるいは、ゲート電極146は半導体層142の上下に設置してもよい。また、複数のゲート電極146が1つの半導体層142と重なる、いわゆるマルチゲート構造を有するトランジスタを用いてもよい。
表示ユニット110はさらに、半導体層142およびソース/ドレイン電極154と重なり、これらに挟持される容量電極148を有してもよい。容量電極148はゲート電極146と同時に形成してもよく、一体化されていてもよい。半導体層142、ゲート絶縁層144、容量電極148、層間膜150、およびソース/ドレイン電極154によって保持容量が形成され、ゲート電極146の電位の維持に寄与する。
表示ユニット110はさらに、トランジスタ140上に平坦化層156を有することができる。平坦化層156は、トランジスタ140や保持容量などに起因する凹凸を吸収し、平坦な面を与える機能を有する。平坦化層156も絶縁層であり、有機化合物で形成することができる。有機化合物としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサンなどのポリマー材料が挙げられる。図示しないが、平坦化層156の下、あるいは上に窒化ケイ素や窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、酸化ケイ素などの無機化合物を含む絶縁層を形成してもよい。
平坦化層156には、トランジスタ140と発光素子170を電気的に接続するための開口部が設けられる。図6に示すように、この開口部にソース/ドレイン電極154と電気的に接続される接続電極158を設けてもよい。接続電極158は、可視光を透過可能な導電性酸化物を用いて形成することができる。
任意の構成として、表示ユニット110には付加容量電極160、およびそれを覆う絶縁層162を設けることができる。付加容量電極160は平坦化層156の上に設けられる。絶縁層162は、付加容量電極160とともに接続電極158を覆うように形成することができるが、接続電極158の底面の一部を覆わず、接続電極158を露出させる。これにより、接続電極158の底面が発光素子170の第1の電極172と電気的に接続することができる。
付加容量電極160と絶縁層162、およびこれらの上に設けられる発光素子170の第1の電極172によって付加容量が形成される。すなわち、絶縁層162は誘電体膜として機能する。付加容量電極160はトランジスタ140のゲート電極146と電気的に接続することができ、付加容量はソース/ドレイン電極154とゲート電極146間の電位の維持に寄与する。
付加容量電極160は、ゲート電極146やソース/ドレイン電極152、154で使用可能な金属や合金を含むことができ、単層構造、あるいは積層構造を有するように形成することができる。絶縁層162は、アンダーコート130と同様、ケイ素を含む無機化合物を含み、単層構造、あるいは積層構造を有するように形成することができる。なお、配線128や端子120、122と付加容量電極160が同一の層内に存在するよう、同時に形成してもよい。
発光素子170は、接続電極158と電気的に接続される第1の電極172、第1の電極172上のEL層174、EL層174上の第2の電極182によって構成される。本明細書と請求項において、EL層174とは、第1の電極172と第2の電極182に挟持される層の全体を指し、第1の電極172と第2の電極182からキャリアが注入される層である。
発光素子170からの発光を第2の電極182から取り出す場合、第1の電極172は可視光を反射するように構成される。この場合、第1の電極172は、銀やアルミニウムなどの反射率の高い金属やその合金を用いる。あるいはこれらの金属や合金を含む膜上に、透光性を有する導電性酸化物の膜を形成する。発光素子170からの発光を第1の電極172から取り出す場合には、透光性を有する導電性酸化物を用いて第1の電極172を形成すればよい。
表示ユニット110はさらに、第1の電極172の端部を覆う隔壁164を有してもよい。隔壁164により、第1の電極172などに起因する段差を吸収し、かつ、隣接する画素112の第1の電極172同士を互いに電気的に絶縁することができる。隔壁164は第1の電極172の端部を覆うことで、その上に設けられるEL層174や第2の電極182の断線を防ぐことができる。隔壁164も絶縁層であり、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリシロキサンなどのポリマーを含むことができる。
EL層174は有機化合物を含み、第1の電極172と隔壁164と重なるように設けられる。EL層174の構成は任意であり、異なる機能を有する複数の層で構成することができる。例えばEL層174は、キャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリア阻止層、励起子阻止層などを適宜組み合わせて形成すればよい。一つの層が複数の機能を兼ねてもよい。図6では、EL層174が正孔注入/輸送層176、発光層178、電子注入/輸送層180を含む例が示されている。隣接する画素112間で発光層178の構造や材料を変えることで、隣接する画素112間で異なる発光色を与えることができる。この場合、正孔注入/輸送層176や電子注入/輸送層180は隣接する画素112によって共有され、正孔注入/輸送層176と電子注入/輸送層180は隔壁164上で互いに接してもよい。
第2の電極182はEL層174上に設けられる。第2の電極182は、複数の画素112に共有されるよう、複数の画素112にわたって形成することができる。発光素子170からの発光を第1の電極172から取り出す場合には、第2の電極182として、アルミニウムやマグネシウム、銀などの金属やこれらの合金(例えばMg−Ag)を用いればよい。逆に発光素子170からの発光を第2の電極182から取り出す場合には、第2の電極182として、ITOなどの透光性を有する導電性酸化物などを用いればよい。あるいは、上述した金属を可視光が透過する程度の厚さで形成することができる。この場合、透光性を有する導電性酸化物をさらに積層してもよい。
表示ユニット110はさらに、発光素子170上に封止膜(パッシベーション膜)190を有する。パッシベーション膜190は、外部から発光素子170やトランジスタ140に不純物(水、酸素など)が侵入することを防ぐ機能を有する。パッシベーション膜190は、例えばケイ素を含有する無機化合物を含む膜を単層、あるいは複数で構成することができる。あるいは図6に示すように、パッシベーション膜190は三つの層(第1の層192、第2の層194、第3の層196)を含んでもよい。この場合、第1の層192と第3の層196には、例えばケイ素を含有する無機化合物を用いることができる。一方、第2の層194では、エポキシ樹脂やアクリル樹脂、ポリイミドなどのポリマーを用いることができる。第2の層194は、発光素子170や隔壁164に起因する凹凸を吸収して平坦な面を与えるように形成してもよい。
本明細書、および請求項では、表示ユニット110は、パッシベーション膜190、およびパッシベーション膜190と基板102間に存在する膜を指す。
<5−2.基板端部の構造>
図2における鎖線B−B´、C−C´に沿った断面模式図をそれぞれ図7、図8に示す。理解の促進のため、表示ユニット110の詳細な構造は図示していない。
(電源線)
図8に示すように、表示ユニット110には、第2の電極182に一定電位を供給するための電源線184が、表示領域114と基板102の端部(ここでは第2の辺102b)の間に配置される。第2の電極182は電源線184と電気的に接続される。図示していないが、表示領域114と第4の辺102d、あるいは第3の辺102cの間にも電源線184を設けてもよい。
(水分遮断構造)
図7、図8に示すように、基板102の端部(ここでは第1の辺102a、第2の辺102b)と表示領域114の間の領域において、層間膜150(あるいは平坦化層156の下に設けられる無機化合物を含む絶縁層)と第1の層192、あるいは電源線184と第1の層192が直接接するよう、平坦化層156の一部を除去してもよい。このような平坦化層156が除去された部分は水分遮断構造とも呼ばれ、平坦化層156が基板102の端部で露出することを防ぐことができる。平坦化層156に使用可能なポリマーは、ケイ素を含む無機化合物と比較して水との親和性が高い。このため、平坦化層156が基板102の端部で露出すると、外部から水が平坦化層156に侵入する。平坦化層156は表示領域114へ延伸しているため、平坦化層156は水の輸送経路として働き、その結果、水が表示領域114へ侵入する。発光素子170などの表示素子は水の存在下で駆動すると速やかに劣化するため、表示装置100の信頼性が低下する。しかしながら水分遮断構造を用いることで、外部からの水の侵入を防ぐことができ、表示装置100の信頼性を向上させることができる。
水分遮断構造は、表示領域114を取り囲むように形成することができる。また、図7、図8に示すように、水分遮断構造は表示領域114を二重に取り囲むように形成することができる。この場合、表示装置100は水分遮断構造を二つ有し、二つの水分遮断構造の間に平坦化層156の一部で形成されるリブ156aが設けられる。後述するように、パッシベーション膜190の第2の層194を湿式成膜法によって形成する場合、リブ156aを残すように平坦化層156の一部を除去することにより、第2の層194の形成に用いる材料の一部が基板102の端部、あるいはその近傍にまで塗布されることを防ぐことができる。
(端子)
上述したように、端子120、122はトランジスタ140のゲート電極146、ソース/ドレイン電極152、154、あるいは付加容量電極160と同時に形成することができる。また、図7に示すように、端子120は積層構造を有することができる。同様に、図示していないが、端子122も積層構造を有してもよい。この場合、例えばゲート電極146、ソース/ドレイン電極152、154、あるいは付加容量電極160と同一の層に存在する金属膜と、接続電極158、あるいは第1の電極172と同一の層に存在する導電性酸化物の膜が積層された構造を採用することができる。端子120、122は、異方性導電層224などの導電性を有する接着剤などを介してコネクタ126と電気的に接続される。
(パッシベーション膜)
図7、図8に示すように、パッシベーション膜190の第2の層194は、第1の層192と第3の層196によって挟持され、基板102の端部と表示領域114の外端との間で第1の層192と第3の層196が接する。これにより、第2の層194は第1の層192と第3の層196によって閉じ込められる。図7に示すように、第1の層192は端子120(および端子122)と接してもよい。図示していないが、第3の層196は、第1の層192の側面と第1の辺102aの間で端子120、122と接してもよい。
(緩衝膜)
図7に示すように、緩衝膜200は表示領域114の外端と端子120の間の領域に、第3の層196を覆うように設けられる。この時、第1の辺102aに沿う緩衝膜200の側壁(第1の側壁)200_1の傾斜が比較的小さくなるよう、緩衝膜200を構成することができる。より具体的には、第1の側壁200_1と基板102の上面がなす角度θが0°より大きく5°以下、あるいは1°以上3°以下となるよう、緩衝膜200を設けることができる。また、リブ156aに起因し、パッシベーション膜190は表示領域114と端子120の間に凸部198を有するが、緩衝膜200はこの凸部198を覆うように形成してもよい。これにより、タッチセンサ300から延伸する配線306は、凸部198によって形成される段差による影響を受けることがない。さらに、角度θを上記範囲に調整することによって、第1の側壁200_1上で延伸する配線306が切断されることを効果的に防ぐことができ、その結果、高い信頼性を有する表示装置100を製造することが可能となる。
図7、図8に示すように、表示領域114内における第3の層196の上面と緩衝膜200の上面が同一平面上に位置するよう、緩衝膜200を配置してもよい。これにより、表示領域114とその周囲に平坦な表面を形成し、その平坦な表面上にタッチセンサ300を形成することができる。その結果、第1のタッチ電極302や第2のタッチ電極304の断線を防ぐことができる。
図7や図8では、緩衝膜200の側壁が平坦な面によって構成される例が示されているが、例えば図9(A)から図9(C)に示すように、側壁の断面が曲線で表されるように緩衝膜200を構成してもよい。この場合、図9(A)に示すように曲線は変曲点を有していてもよく、図9(B)や図9(C)に示すように変曲点を持たなくてもよい。変曲点を持たない場合には、曲線は下に凸でも上に凸でもよい。側壁の断面が曲線で表される場合、角度θは、断面における緩衝膜200の端部(表示領域114よりも基板102の端部に近い方の端部。以下、本明細書と請求項において同じ)と緩衝膜200の平坦な面の端部(表示領域114よりも基板102の端部に近い方の端部。以下、本明細書と請求項において同じ)を通る直線と、基板102の上面とがなす角度として定義することができる。
上述したように、表示領域114を囲むように緩衝膜200を設けてもよい(図5参照)。この場合、図8に示すように、第2の辺102bに沿った端部では、第1の層192や第3の層196は基板102の端部まで延伸するよう形成され、第1の層192や第3の層196の側面は基板102の側面と同一平面上に存在することができる。一方、緩衝膜200の端部は表示領域114と基板102の端部の間に位置し、側壁の底辺は第1の層192や第3の層196の上面と重なる。、第3の辺102c、第4の辺102dに沿った端部でも同様である。
(タッチセンサ)
表示領域114上にタッチセンサ300が設けられる(図7、図8)。ここでは第1のタッチ電極302と第2のタッチ電極304が同一の層内に存在する例が示されており、第1のタッチ電極302と第2のタッチ電極304が第3の層196上に設けられる。第1のタッチ電極302と第2のタッチ電極304を覆うように設けられる絶縁層308は誘電体膜として機能し、第1のタッチ電極302と第2のタッチ電極304とともに容量を形成する。絶縁層308は、例えばケイ素を含む無機化合物、あるいはアクリル樹脂やエポキシ樹脂などのポリマーを含むことができる。
絶縁層308上には、ブリッジ電極310が設けられ、隣接するダイアモンド電極304aが電気的に接続される。絶縁層308には第1のタッチ電極302、あるいは第2のタッチ電極304に達する開口部が設けられ、この開口部を埋めるように配線306が設けられる。配線306は緩衝膜200の第1の側壁200_1を横断して第1の辺102aの方向に延伸し、端子120と電気的に接続される(図7)。したがって、配線306と緩衝膜200は接しても良い。配線306はアルミニウムやモリブデン、タングステン、チタン、銅などの金属、あるいはこれらの合金を含むことができ、ブリッジ電極310と同一の層内に存在することができる。
<5−3.その他の構成>
任意の構成として、第1のタッチ電極302と第2のタッチ電極304、およびブリッジ電極310を覆うように保護膜312を設けてもよい。保護膜312はケイ素を含有する無機化合物や、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などのポリマーを含むことができる。さらに任意の構成として、保護膜312を介して偏光板220をタッチセンサ300上に設けることができる。偏光板220は直線偏光板でも良く、円偏光板でも良い。円偏光板を使用することで、タッチセンサ300や表示ユニット110内で反射した外光を遮蔽することができ、表示品質を向上させることができる。対向基板104は接着層222を介して偏光板220の上に設けられる。偏光板220は対向基板104の上に配置してもよい。
上述したように、配線306には凸部198の形状が反映されることなく、緩やかな傾斜を有する第1の側壁200_1に沿って延伸する。このため、配線306の断線を防ぐことができ、表示装置100に高い信頼性を付与することができる。
(第2実施形態)
本実施形態では、表示装置100の製造方法の一例を図10(A)から図22を用いて説明する。本実施形態では、緩衝膜200が表示領域114を取り囲むように形成された表示装置100の製造方法について述べる。図10(A)から図12(B)、図14(A)から図15(B)は図4の断面の一部であり、図13(A)、図16(A)、図17(A)、図17(B)、図19(A)、図19(B)、図21(A)から図22は図2の鎖線B−B´に沿った断面に相当し、図13(B)、図16(B)、図18(A)、図18(B)は図2の鎖線C−C´に沿った断面に相当する。第1実施形態と同様の内容に関しては、説明を割愛することがある。
[1.表示ユニット]
まず、図10(A)に示すように、基板102上にアンダーコート130を化学気相堆積(CVD)法、スパッタリング法などを用いて形成する。アンダーコート130に積層構造を適用する場合、例えば窒化ケイ素を含む膜を酸化ケイ素を含む膜で挟持した構造を用いることができる。基板102中の不純物濃度が小さい場合、アンダーコート130は設けない、あるいは基板102の一部だけを覆うように形成してもよい。
次に、アンダーコート130上に半導体層142を形成する(図10(A))。半導体層142がケイ素を含む場合、半導体層142は、シランガスなどを原料として用い、CVD法によって形成すればよい。得られるアモルファスシリコンに対して加熱処理、あるいはレーザなどの光を照射することで結晶化を行ってもよい。半導体層142が酸化物半導体を含む場合、スパッタリング法などを利用して形成することができる。
次に、半導体層142に対して一回目のドーピングを行い、ドープ領域142_2とアンドープ領域142_1を形成する(図10(B))。具体的には、アンドープ領域142_1が形成される部分にレジスト膜132を形成し、その後イオンを半導体層142にドープする(図10(A))。イオンとしては、例えばn型導電性を付与するリンや窒素のイオンを用いることができる。その後レジスト膜132を除去する。
次に半導体層142を覆うようにゲート絶縁層144を形成する(図10(B))。ゲート絶縁層144はCVD法やスパッタリング法などによって形成することができる。
引き続き、ゲート絶縁層144上にゲート電極146、および容量電極148をスパッタリング法やCVD法を用いて形成する(図10(B))。ゲート電極146は、アンドープ領域142_1と重なるように設けられる。
次に、ゲート電極146をマスクとして用い、半導体層142に対して二回目のドーピングを行う(図11(A))。この時のドーピング条件は、一回目のドーピングと比較して低濃度で半導体層142がドープされるように調整される。これにより、アンドープ領域142_1のゲート電極146と重ならない領域に低濃度ドープ領域142_3が形成される。低濃度ドープ領域142_3は、ドープ領域142_2と比較して不純物の濃度が小さい。ゲート電極146と重なるアンドープ領域142_1は不純物がドープされない、あるいは実質的にドープされない領域であり、チャネル領域として機能する。なお、半導体層142が酸化物半導体を含む場合、上述したドーピング工程は行わなくてもよい。
次にゲート電極146、容量電極148上に層間膜150を形成する(図11(A))。その後、層間膜150とゲート絶縁層144に対してエッチングを行い、ドープ領域142_2に達する開口部を形成する。エッチングは、例えばプラズマ存在下、フッ素含有炭化水素を含むガス中で行うことができる。これらの開口部を覆うようにスパッタリング法やCVD法を用いて金属膜を形成し、エッチングを行って金属膜を成形することで、ソース/ドレイン電極152、154を形成する(図11(B))。これにより、トランジスタ140が形成される。ソース/ドレイン電極154を形成すると同時に端子120、122を形成してもよい。
次に平坦化層156を形成する(図12(A))。平坦化層156は上述した湿式成膜法などによって形成することができる。平坦化層156がポリマーを含む層と無機化合物を含む層の積層構造を有する場合、無機化合物を含む絶縁層はスパッタリング法やCVD法によって形成することができる。
次に平坦化層156に対してエッチングを行い、ソース/ドレイン電極154に達する開口部を形成する(図12(B))。この時、図13(A)、図13(B)に示すように、表示領域114の周囲、すなわち、表示領域114と基板102の端部(第1の辺102a、第2の辺102b、第3の辺102c、第4の辺102d)の間の領域において平坦化層156の一部を除去し、層間膜150を露出させて水分遮断構造186が形成される。ここで示した例では、二つの水分遮断構造186a、186bが表示領域114を二重に取り囲むように形成され、リブ156aは水分遮断構造186a、186bの間に位置する。
その後、開口部を覆うように接続電極158を形成する(図14(A))。接続電極158は、例えばITOやIZOなどの導電性酸化物を含むターゲットに対してスパッタリングを行うことで形成することができる。この時、端子120、122の表面をITOやIZOで覆ってもよい。このプロセスは必ずしも行う必要はないが、このプロセスを行うことで、引き続くプロセスにおいてソース/ドレイン電極154や端子120、122の表面など、露出している金属の表面を保護することができ、コンタクト抵抗の増大を防ぐことができる。
次に付加容量電極160を形成し、引き続き、絶縁層162を形成する(図14(A))。これらはCVD法やスパッタリング法を用いて形成することができる。任意の構成として、絶縁層162には、のちに形成される隔壁164と平坦化層156が接するよう、開口部を設けてもよい。これにより、表示装置100の製造プロセス中に平坦化層156から脱離する水などの不純物を解放することができる。
次に発光素子170の第1の電極172をスパッタリング法やCVD法を用いて形成し、その後、隔壁164を形成する(図14(B))。第1の電極172は、平坦化層156に設けられた開口部を埋め、接続電極158と接続されるように設けられる。隔壁164は上述した湿式成膜法を適用して形成することができる。隔壁164は、第1の電極172の一部を露出するように開口部を有しており、その開口端はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。これにより、後に形成されるEL層174や第2の電極182のカバレッジ不良を防ぐことができる。
隔壁164の形成後、発光素子170のEL層174、およびEL層174上の第2の電極182を形成する(図15(A))。ここでは、EL層174は正孔注入/輸送層176、発光層178、および電子注入/輸送層180の3層を有する構成を示しているが、本実施形態はこれに限られず、単層の構造を有するEL層174を用いてもよく、あるいは4層以上の構造を有するEL層174を用いてもよい。EL層174は蒸着法、インクジェット法、印刷法、スピンコート法などによって形成することができる。第2の電極182は、蒸着法、スパッタリング法などによって形成することができる。
第2の電極182の形成後、パッシベーション膜190を第2の電極182上に形成する(図15(B))。パッシベーション膜190の構成は任意に選択できるが、ここでは第1の層192、第2の層194、第3の層196の三層構造を有する例が示されている。
第1の層192は、CVD法やスパッタリング法などによって形成することができる。第2の層194は、図15(B)に示すように、表示領域114内において隔壁164に起因する凹凸を吸収するよう、かつ、平坦な面を与えるような厚さで形成してもよい。第2の層194はインクジェット法などの湿式成膜法によって形成することができる。あるいは、第1実施形態で述べたポリマーの原料となるオリゴマーを減圧下で霧状あるいはガス状にし、これを第1の層192に吹き付け、その後オリゴマーを重合することによって第2の層194を形成してもよい。このような作製方法を用いることで、第2の層194は表示領域114と基板102の端部の間で傾斜した表面を有することができる。上述したように、リブ156aを形成することで、選択的にその内側の領域に第2の層194を形成することができる。第3の層196は、第1の層192と同様の方法で形成することができる。第2の層194の形状を反映し、第3の層196も表示領域114と基板102の端部の間で傾斜した表面を有する。
この段階における基板102の端部の断面模式図を図16(A)、図16(B)にそれぞれ示す。図16(A)、図16(B)に示すように、第1の層192と第3の層196は、基板102の端部に達するように形成することができる。したがって、第1の層192や第3の層196の形成時、第1の層192や第3の層196の形成時、端子120、122を遮蔽するマスクを用いなくてもよい。
第2の層194は、表示領域114を覆うものの、その端部は表示領域114と基板102の端部の間に位置するよう形成される。したがって、第1の層192と第3の層196は、表示領域114と基板102の端部の間で接することができる。
以上のプロセスにより、表示ユニット110が形成される。
[2.緩衝膜]
引き続き、パッシベーション膜190上に緩衝膜200を形成する。具体的には、第1実施形態で述べたポリマーを含む溶液を塗布し、溶液中の溶媒の留去する。あるいはポリマーの原料となるオリゴマーを塗布し、その後オリゴマーを熱硬化、あるいは光硬化させることで緩衝膜200が形成される。この時、例えば図17(A)に示すように、リブ156aに起因して第1の層192と第3の層196に生じる凸部198を覆うように、基板102の端部から表示領域114の間の領域に緩衝膜200を選択的に形成してもよい。さらに第1の辺102aに沿った領域では、端子120を部分的に覆うように緩衝膜200を形成する。すなわちこの領域では、緩衝膜200の端部が端子120上にあり、第1の辺102aと表示領域114の間に位置するよう、緩衝膜200を形成する。図17(A)に示すように、緩衝膜200の上面が表示領域114における第3の層196上面と一致する、すなわちこれらの上面が同一平面上に存在するよう、緩衝膜200を形成してもよい。
引き続き、表示領域114と緩衝膜200を覆うように、第2の緩衝膜202を形成する(図17(B))。第2の緩衝膜202も絶縁層であり、緩衝膜200と同様、ポリマーを含むことができる。緩衝膜200と第2の緩衝膜202は、同一の材料を含んでもよく、異なる材料を含んでもよい。第2の緩衝膜202も緩衝膜200と同様の方法で形成することができる。オリゴマーを硬化して第2の緩衝膜202を形成する場合、熱によって硬化するオリゴマー(熱硬化性樹脂)を使用してもよい。これにより、光硬化における光照射においてEL層174が劣化することを避けることができる。なお、緩衝膜200と第2の緩衝膜202を異なるステップで形成せず、一種類の材料を用い、連続的に緩衝膜200と第2の緩衝膜202を形成してもよい。
この段階におけるC−C´断面の模式図を図18(A)に示す。ここに示すように、第2の辺102bに沿った領域においても、凸部198を覆うように、緩衝膜200を表示領域114と基板102の端部の間に形成することができる。第2の緩衝膜202も、緩衝膜200と表示領域114を覆うように設けられる。や第3の辺102c、第4の辺102dに沿った領域においても同様である。
その後、端子120、122を露出するためのエッチングを行う。具体的には、緩衝膜200をマスクとして用い、例えばフッ素含有炭化水素を含むガス中でプラズマエッチングを行い、端子120、122を覆う第1の層192と第3の層196を除去する(図19(A))。これにより、端子120、122が第1の層192と第3の層196から露出し、第1の層192と第3の層196の側面は端子120、122の上面と重なる。
次に、第2の緩衝膜202を除去する(図19(B))。第2の緩衝膜202の除去は、ウエットエッチングでも良く、ドライエッチング(あるいはアッシング)でもよい。この時、緩衝膜200が一部エッチングされるため、緩衝膜200が表示領域114の方向へ後退する。したがって、緩衝膜200の端部(すなわち、第1の側壁200_1の底辺)は第1の層192、あるいは第3の層196の上面と重なる。第2の緩衝膜202の除去により、第3の層196が表示領域114内で露出する。第2の緩衝膜202の除去は、表示領域内における第3の層196の上面と、緩衝膜200の上面が同一平面上に位置するよう、行うことができる。
この段階におけるC−C´断面の模式図を図18(B)に示す。第2の辺102bの近傍では、マスクとして機能する緩衝膜200は基板102の端部に達しているため、緩衝膜200に覆われる第1の層192、第3の層196はエッチングされない。したがって、第1の層192、第3の層196の側面は基板102の側面と同一平面上に位置することができる。一方、第2の緩衝膜202を除去する際、緩衝膜200が基板102の端部から後退する。このため、緩衝膜200の側壁の底辺は、第1の層192、あるいは第3の層196の上面と重なる。第3の辺102c、第4の辺102dの近傍においても同様である。
なお、端子120、122を露出する際、緩衝膜200に含まれる材料やエッチング条件を適宜選択することで、緩衝膜200も同時に徐々にエッチングすることができ、これにより、いわゆるテーパーエッチングが可能となる。この場合、図20に示すように、第1の層192と第3の層196の側面は基板102の上面から傾く。第1の層192と第3の層196の側面と基板102の上面がなす角度θ´は角度θよりも大きくてもよい。第1の層192と第3の層196の側面は互いに同一の平面上に位置することができる。
以上のプロセスにより、緩衝膜200が形成される。
[3.タッチセンサ]
引き続き、タッチセンサ300を形成する。具体的には、第3の層196を介して表示領域114上に第1のタッチ電極302、第2のタッチ電極304をスパッタリング、あるいはCVD法を用いて形成する(図21(A))。その後、第1のタッチ電極302、第2のタッチ電極304を覆うように絶縁層308を形成する。絶縁層308はCVD法、あるいは湿式成膜法を適用して形成すればよい。絶縁層308と第3の層196に同一の材料が含まれるようにすることで、これらの界面(図8参照)間での反射が抑制されるため、光の透過率の低下を防ぐことができる。第1のタッチ電極302や第2のタッチ電極304、絶縁層308は、緩衝膜200と重なるように形成してもよい。
その後、エッチングによって第1のタッチ電極302や、ここでは図示しない第2のタッチ電極304を露出するための開口部を絶縁層308に形成する。引き続き、この開口部を覆うように、CVD法やスパッタリング法を用いて配線306やブリッジ電極310を形成する(図21(B))。さらに、CVD法や湿式成膜法を利用し、保護膜312を形成し、保護膜312を介して偏光板220が貼り合わされる(図22)。その後、偏光板220上に接着層222を介して対向基板104が配置される。この後、異方性導電層224を用いてコネクタ126が端子120、122と電気的に接続される(図7、図8)。
以上の工程により、表示装置100を製造することができる。
上述したように、本実施形態の製造方法では、パッシベーション膜190の第1の層192と第3の層196の形成時、マスクを用いて端子120、122を遮蔽する必要がなく、端子120、122を覆うように第1の層192と第3の層196を形成することができる。コネクタ126との接続のために端子120、122を第1の層192と第3の層196から露出する工程は、緩衝膜200をマスクとするエッチングによって行うことができる。緩衝膜200はインクジェット法や印刷法を用いて形成することができるため、第1の層192と第3の層196のエッチングされる領域を精確に制御することができる。したがって、マスク数の減少に伴う製造コストの低減とともに、端子120、122の形成を精密に制御することが可能となる。
さらに、端子120、122を露出する工程では、表示領域114と重なる第3の層196は第2の緩衝膜202によって覆われている。したがって、この工程において、表示領域114と重なる領域の第3の層196がダメージを受けることがなく、パッシベーション膜190の封止能力を維持することができ、かつ、第2の層194によってもたらされる平坦性が維持される。したがって、表示装置100の高い信頼性を維持しながらタッチセンサ300を形成することができる。さらに、第2の緩衝膜202を除去することで、表示素子から得られる光が第2の緩衝膜202によって吸収されることを回避することができるため、表示装置の消費電力を小さくすることができる。
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
本明細書においては、開示例として主にEL表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
100:表示装置、102:基板、102a:第1の辺、102b:第2の辺、102c:第3の辺、102d:第4の辺、104:対向基板、110:表示ユニット、112:画素、114:表示領域、116:ゲート側駆動回路、118:ソース側駆動回路、120:端子、122:端子、124:ICチップ、126:コネクタ、128:配線、130:アンダーコート、132:レジスト膜、140:トランジスタ、142:半導体層、142_1:アンドープ領域、142_2:ドープ領域、142_3:低濃度ドープ領域、144:ゲート絶縁層、146:ゲート電極、148:容量電極、150:層間膜、152:ソース/ドレイン電極、154:ソース/ドレイン電極、156:平坦化層、156a:リブ、158:接続電極、160:付加容量電極、162:絶縁層、164:隔壁、170:発光素子、172:第1の電極、174:EL層、176:正孔注入/輸送層、178:発光層、180:電子注入/輸送層、182:第2の電極、184:電源線、186:水分遮断構造、186a:水分遮断構造、186b:水分遮断構造、190:パッシベーション膜、192:第1の層、194:第2の層、196:第3の層、198:凸部、200:緩衝膜、200_1:第1の側壁、202:第2の緩衝膜、220:偏光板、222:接着層、224:異方性導電層、300:タッチセンサ、302:第1のタッチ電極、302a:ダイアモンド電極、302b:接続領域、304:第2のタッチ電極、304a:ダイアモンド電極、304b:接続領域、306:配線、308:絶縁層、310:ブリッジ電極、312:保護膜

Claims (20)

  1. 画素を有する表示領域を基板上に形成すること、
    前記表示領域と前記基板の辺の間に位置するように、前記画素と電気的に接続される端子を形成すること、
    前記表示領域と前記端子上にパッシベーション膜を形成すること、
    前記表示領域、前記表示領域と前記端子間の領域、および前記端子の一部を覆うように前記パッシベーション膜上に絶縁層を形成すること、
    前記絶縁層をマスクとして前記パッシベーション膜をエッチングして前記端子を露出することを含む、表示装置の製造方法。
  2. 前記絶縁層の一部を除去し、前記表示領域上において前記パッシベーション膜を露出することを含む、請求項1に記載の製造方法。
  3. 前記絶縁層の一部の除去の後、前記パッシベーション膜上にタッチセンサを形成することをさらに含む、請求項2に記載の製造方法。
  4. 前記絶縁層の除去は、前記絶縁層の上面と、前記パッシベーション膜の前記表示領域内における上面が同一平面になるように行う、請求項2に記載の製造方法。
  5. 前記パッシベーション膜の形成は、前記表示領域と前記端子の間に傾斜した表面を有するように行う、請求項1に記載の製造方法。
  6. 前記絶縁層は樹脂を有する、請求項1に記載の製造方法。
  7. 前記絶縁層の形成は、前記表示領域を囲むように行う、請求項1に記載の製造方法。
  8. 前記パッシベーション膜は、前記領域に凸部を有し、
    前記絶縁層の形成は、前記凸部を覆うように行う、請求項1に記載の製造方法。
  9. 画素を有する表示領域を基板上に形成すること、
    前記表示領域と前記基板の辺の間に位置するように、前記画素と電気的に接続される端子を形成すること、
    前記表示領域と前記端子上にパッシベーション膜を形成すること、
    前記表示領域と前記端子間の領域、および前記端子の一部を覆うように前記パッシベーション膜上に第1の絶縁層を形成すること、
    前記表示領域と前記第1の絶縁層上に第2の絶縁層を形成すること、
    前記第1の絶縁層をマスクとして前記パッシベーション膜をエッチングして前記端子を露出することを含む、表示装置の製造方法。
  10. 前記第2の絶縁層を除去することをさらに含む、請求項9に記載の製造方法。
  11. 前記第2の絶縁層を除去した後に、前記パッシベーション膜上にタッチセンサを形成することをさらに含む、請求項10に記載の製造方法。
  12. 前記第2の絶縁層の除去は、前記第1の絶縁層の上面、および前記表示領域上の前記パッシベーション膜の上面が同一平面に存在するように行う、請求項10に記載の製造方法。
  13. 前記パッシベーション膜の形成は、前記表示領域と前記端子の間に傾斜した表面を有するように行い、
    前記第1の絶縁層の形成は、前記傾斜した表面を覆うように行う、請求項9に記載の製造方法。
  14. 前記第1の絶縁層は第1の樹脂を有し、
    前記第2の絶縁層は、前記第1の樹脂と異なる第2の樹脂を有する、請求項9に記載の製造方法。
  15. 前記第1の絶縁層の形成は、前記表示領域を囲むように行う、請求項9に記載の製造方法。
  16. 前記パッシベーション膜は、前記領域に凸部を有し、
    前記第1の絶縁層の形成は、前記凸部を覆うように行う、請求項9に記載の製造方法。
  17. 基板上に位置し、画素を有する表示領域と、
    前記基板上に位置し、前記画素と電気的に接続される端子と、
    前記表示領域上に位置し、前記端子の一部を覆うパッシベーション膜と、
    前記パッシベーション膜上に位置し、かつ前記表示領域と前記端子の間に位置する絶縁層を有し、
    前記パッシベーション膜の上面と、前記絶縁層の上面が同一平面内に存在する、表示装置。
  18. 前記表示領域、および前記パッシベーション膜上にタッチセンサをさらに有する、請求項17に記載の表示装置。
  19. 前記絶縁層は前記表示領域を囲む、請求項17に記載の表示装置。
  20. 前記パッシベーション膜は、前記表示領域と前記端子間に凸部を有し、
    前記絶縁層が前記凸部を覆う、請求項17に記載の表示装置。
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