JP7442419B2 - 有機elパネルの製造方法 - Google Patents
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Description
最初に、図1を参照しながら有機ELパネルが使用される有機ELディスプレイ1の全体構成の一例について説明する。図1は、本実施形態に係る有機ELディスプレイ1の正面図である。
<全体構成>
次に、有機ELパネル10について、より詳細に説明する。図2は、本実施形態に係る有機ELパネル10の正面図である。有機ELパネル10は、アクティブマトリクス方式のディスプレイパネルである。
次に、有機ELパネル10の回路構成について説明する。図3は、本実施形態に係る有機ELパネル10の回路ブロック図である。
次に、画素回路11の構成について説明する。図4は、本実施形態に係る有機ELパネルの画素回路11付近の断面図である。なお、図4では、画素駆動回路12については、保持容量12Cと、駆動トランジスタ12T2と、を示す。
有機ELパネルの製造方法について説明する。図5及び図6は、本実施形態の有機ELパネルの製造方法を説明するフローチャートである。また、図7から図33は、本実施形態に係る有機ELパネルの製造方法を説明する図である。なお、本実施形態に係る有機ELパネルの製造方法を説明する図の断面図には、上部の矢印により、当該断面が、図2におけるA-A断面、B-B断面、C-C断面のどの断面であるかを示している。
最初に、回路層が形成された基板を準備する工程について説明する。
最初に、土手を形成する工程について説明する。
最初に、無機膜を形成する工程について説明する。
次に、土手の頂部の無機膜を除去する工程について説明する。
次に、土手を除去する工程について説明する。
次に、画素電極と発光層を形成する工程について説明する。
次に、共通電極を形成する工程について説明する。
次に、無機封止膜を形成する工程について説明する。
次に、有機封止膜を形成する工程について説明する。
次に、有機封止膜200を形成した基板50の有機封止膜200の上に、無機封止膜210を形成する(図19)。無機封止膜210は、例えば、窒化シリコン(SiN)により形成される。すなわち、無機封止膜210は、窒化シリコン膜である。無機封止膜210は、水素レスのCVD法により形成してもよい。
次に、有機封止膜の上にマスク層を形成する工程について説明する。
次に、有機封止膜を除去する工程について説明する。
次に、マスク層を除去する工程について説明する。有機封止膜200及び無機封止膜210が除去された基板50について、フォトレジスト221を除去する(図22)。フォトレジスト221は、例えば、アッシングすることにより除去される。
次に、無機封止膜を形成する工程について説明する。
次に、平坦化膜を形成する工程について説明する。
次に、タッチスクリーンパネルの機能に関連する部分について説明する。本実施形態のタッチスクリーンパネルは、いわゆる、オンセルタッチパネルである。
次に、貫通孔を形成する工程について説明する。
最後に、ガラス基板100を絶縁基板110から剥離する(図33)。以上の工程により、有機ELパネル10を作製する。
本実施形態の有機ELパネル10の製造方法によれば、表示領域10DAの領域を大きくすることができる。すなわち、有機ELパネル10の額縁領域を小さくすることができる。また、有機ELパネル10の色視野を広くすることができる。さらに、タッチスクリーンパネルとして有機ELパネル10を使用したときのタッチ感度を向上させることができる。
10 有機ELパネル
10DA 表示領域
50 基板
150 無機膜
190 無機封止膜
200 有機封止膜
201 平坦部
202 傾斜部
210 無機封止膜
221 フォトレジスト
230 無機封止膜
Claims (5)
- a)表示画面を構成する複数の発光素子が表面に形成された基板を準備する工程と、
b)前記基板に第1無機絶縁膜を形成する工程と、
c)前記第1無機絶縁膜の上に、前記複数の発光素子の全てを覆う平坦部と、該平坦部の周縁部分に接続された傾斜部とを有する有機絶縁膜を湿式成膜法により形成する工程と、
d)前記有機絶縁膜の上に、第2無機絶縁膜を形成する工程と、
e)前記平坦部の上の前記第2無機絶縁膜の少なくとも一部を覆い、前記傾斜部の上の前記第2無機絶縁膜を露出させるマスク層を形成する工程と、
f)前記マスク層を介して、前記第2無機絶縁膜と前記有機絶縁膜をエッチングする工程と、
g)前記マスク層を除去する工程と、
h)前記基板に第3無機絶縁膜を形成し、前記第1無機絶縁膜と前記第3無機絶縁膜を接合させることにより前記有機絶縁膜を密封する工程と、を有する、
有機ELパネルの製造方法。 - 前記第1無機絶縁膜、前記第2無機絶縁膜及び前記第3無機絶縁膜は、窒化シリコン膜である、
請求項1に記載の有機ELパネルの製造方法。 - 前記窒化シリコン膜は、ハロゲン化シリコンガスと、窒素原子含有ガスとを含み、水素原子を含まない処理ガスにより成膜される、
請求項2に記載の有機ELパネルの製造方法。 - 前記ハロゲン化シリコンガスは、四塩化シリコンガス及び四フッ化シリコンガスの一方又は両方で構成される、
請求項3に記載の有機ELパネルの製造方法。 - 前記b)及び前記d)において、前記第1無機絶縁膜と前記第2無機絶縁膜は前記基板の全面に成膜される
請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の有機ELパネルの製造方法。
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