CN114430012A - 有机电致发光面板的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种边框区域窄的有机电致发光面板的制造方法。包括以下工序：准备在表面形成有构成显示屏的多个发光元件的基板；在所述基板形成第一无机绝缘膜；通过湿式成膜法在所述第一无机绝缘膜上形成有机绝缘膜，所述有机绝缘膜具有覆盖所述多个发光元件的全部的平坦部和与该平坦部的周缘部分连接的倾斜部；在所述有机绝缘膜上形成第二无机绝缘膜；形成覆盖所述平坦部上的所述第二无机绝缘膜的至少一部分并使所述倾斜部上的所述第二无机绝缘膜露出的掩模层；经由所述掩模层来蚀刻所述第二无机绝缘膜和所述有机绝缘膜；去除所述掩模层；在所述基板形成第三无机绝缘膜，通过使所述第一无机绝缘膜与所述第三无机绝缘膜接合来密封所述有机绝缘膜。
Description
技术领域
本公开涉及一种有机电致发光面板的制造方法。
背景技术
近年，作为智能电话等便携用设备的显示器，使用有机EL(Electro-luminescence：电致发光)面板。
已知一种通过上下的无机密封膜来密封有机密封膜的有机电致发光面板(参照专利文献1至专利文献3)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-117973号公报
专利文献2：日本特开2017-168411号公报
专利文献3：日本特开2018-113104号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种边框区域狭窄的有机电致发光面板的制造方法。
用于解决问题的方案
根据本公开的一个方式，提供一种有机电致发光面板的制造方法，所述有机电致发光面板的制造方法包括以下工序：a)准备在表面形成有构成显示屏的多个发光元件的基板；b)在所述基板形成第一无机绝缘膜；c)通过湿式成膜法在所述第一无机绝缘膜上形成有机绝缘膜，所述有机绝缘膜具有覆盖所述多个发光元件的全部的平坦部和与该平坦部的周缘部分连接的倾斜部；d)在所述有机绝缘膜上形成第二无机绝缘膜；e)形成覆盖所述平坦部上的所述第二无机绝缘膜的至少一部分并使所述倾斜部上的所述第二无机绝缘膜露出的掩模层；f)经由所述掩模层来蚀刻所述第二无机绝缘膜和所述有机绝缘膜；g)去除所述掩模层；h)在所述基板形成第三无机绝缘膜，通过使所述第一无机绝缘膜与所述第三无机绝缘膜接合来密封所述有机绝缘膜。
发明的效果
本公开提供一种边框区域狭窄的有机电致发光面板的制造方法。
附图说明
图1是本实施方式所涉及的有机电致发光显示器的主视图。
图2是本实施方式所涉及的有机电致发光面板的主视图。
图3是本实施方式所涉及的有机电致发光面板的电路框图。
图4是本实施方式所涉及的有机电致发光面板的像素电路附近的截面图。
图5是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的工序的流程图(其一)。
图6是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的工序的流程图(其二)。
图7是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其一)。
图8是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其二)。
图9是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其三)。
图10是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其四)。
图11是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其五)。
图12是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其六)。
图13是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其七)。
图14是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其八)。
图15是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其九)。
图16是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其十)。
图17是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其十一)。
图18是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其十二)。
图19是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其十三)。
图20是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其十四)。
图21是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其十五)。
图22是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其十六)。
图23是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其十七)。
图24是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其十八)。
图25是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其十九)。
图26是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其二十)。
图27是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其二十一)。
图28是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其二十二)。
图29是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其二十三)。
图30是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其二十四)。
图31是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其二十五)。
图32是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其二十六)。
图33是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图(其二十七)。
图34是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的有机密封层的密封构造的图。
图35是说明比较例的有机电致发光面板的有机密封层的密封构造的图。
具体实施方式
下面，参照附图来说明用于实施本公开的方式。此外，在本说明书和附图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，由此省略重复的说明。此外，有时使附图中的各部分的比例尺与实际不同，以易于理解。允许平行、直角、正交、水平、垂直、上下、左右等方向具有不损害实施方式的效果的程度的偏差。角部的形状不限于直角，也可以带有弓状的弧形。平行、直角、正交、水平、垂直也可以包括大致平行、大致直角、大致正交、大致水平、大致垂直。
<有机电致发光显示器>
首先，参照图1来说明使用有机电致发光面板的有机电致发光显示器1的整体结构的一例。图1是本实施方式所涉及的有机电致发光显示器1的主视图。
本实施方式所涉及的有机电致发光显示器1具备有机电致发光面板10、壳体20以及摄像头30。有机电致发光显示器1例如配备于智能电话等便携信息终端。
有机电致发光面板10在画面10a显示图像、文字等。另外，有机电致发光面板10还作为触摸屏面板发挥功能。有机电致发光面板10通过作为触摸屏面板发挥功能而能够被用作输入设备。有机电致发光面板10在画面10a的一部分具有沿厚度方向贯通有机电致发光面板10的贯通孔10h。在有机电致发光显示器1，以从有机电致发光面板10的贯通孔10h露出的方式安装摄像头30。
壳体20收纳有机电致发光面板10和摄像头30。另外，壳体20收纳使有机电致发光面板10和摄像头30分别动作的电路基板等部件。并且，壳体20例如收纳用于控制有机电致发光显示器1的整体的电路基板、用于进行无线通信的电路基板、串行通信用的连接器、存储卡用的连接器等接口等。
摄像头30为用于对操作有机电致发光显示器1的人的脸部等进行拍摄的摄像头，是所谓的前置摄像头(日语：インカメラ)。摄像头30从设置于有机电致发光面板10的贯通孔10h露出。
<有机电致发光面板>
<整体结构>
接着，更详细地说明有机电致发光面板10。图2是本实施方式所涉及的有机电致发光面板10的主视图。有机电致发光面板10为有源矩阵方式的显示器面板。
有机电致发光面板10具有用于显示图像、文字等的显示区域10DA。另外，在显示区域10DA的周围具有边框区域10FA。边框区域10FA为不进行显示的区域。有机电致发光面板10在显示区域10DA具有多个子像素10sp。子像素10sp例如发出红色、绿色以及蓝色中的任一颜色的光。有时将发出红色光的子像素、发出绿色光的子像素、发出蓝色光的子像素统称为像素。子像素10sp例如沿行方向(图2的横向)和列方向(图2的纵向)二维地排列。
另外，有机电致发光面板10具备触摸传感器。有机电致发光面板10探测用户的手指等接触了显示区域10DA。
有机电致发光面板10以与显示区域10DA的一部分重叠的方式具有贯通孔10h。在本实施方式的有机电致发光面板10中，贯通孔10h以贯通孔10h的周围被多个子像素10sp包围的方式设置。
另外，有机电致发光面板10具备端子部10T。端子部10T具备多个端子10t。有机电致发光面板10经由端子部10T的端子10t与有机电致发光面板10的外部的设备通信。另外，有机电致发光面板10经由端子部10T的端子10t被供给电力。
<电路结构>
接着，说明有机电致发光面板10的电路结构。图3是本实施方式所涉及的有机电致发光面板10的电路框图。
有机电致发光面板10具备多个像素电路11、扫描线驱动电路14、数据线驱动电路15、多个扫描线16以及多个数据线17。
有机电致发光面板10在各个子像素10sp具备像素电路11。与子像素10sp的排列对应地排列像素电路11。即，像素电路11沿行方向(图3的横向)和列方向(图3的纵向)二维地排列。
每行的像素电路11与一个扫描线16连接。另外，每列的像素电路11与一个数据线17进一步连接。
像素电路11具备像素驱动电路12和有机电致发光二极管13。
像素驱动电路12具备写入晶体管12T1、驱动晶体管12T2和保持电容器12C。写入晶体管12T1和驱动晶体管12T2由薄膜晶体管(TFT(Thin film transistor))构成。
写入晶体管12T1的源极端子与数据线17连接。写入晶体管12T1的栅极端子与扫描线16连接。写入晶体管12T1的漏极端子与驱动晶体管12T2的栅极和保持电容器12C的一方的电极连接。
驱动晶体管12T2的源极端子与电源线18连接。驱动晶体管12T2的漏极端子与有机电致发光二极管13的阳极连接。保持电容器12C的另一方的电极与电源线18连接。有机电致发光二极管13的阴极与接地线19连接。
对像素电路11的动作进行说明。由扫描线驱动电路14选择出扫描线16中的一个扫描线。栅极与选择出的扫描线16连接的写入晶体管12T1被接通。当写入晶体管12T1被接通时，基于从数据线驱动电路15经由数据线17供给的数据信号来设定保持电容器12C的保持电压。
驱动晶体管12T2从电源线18向有机电致发光二极管13供给基于保持电容器12C的保持电压决定的电流。有机电致发光二极管13基于从驱动晶体管12T2供给的电流发光。
在全部的子像素10sp中进行上述的动作，由此有机电致发光面板10在显示区域10DA进行显示。
<像素电路11>
接着，对像素电路11的结构进行说明。图4是本实施方式所涉及的有机电致发光面板的像素电路11附近的截面图。此外，在图4中，对于像素驱动电路12示出保持电容器12C和驱动晶体管12T2。
有机电致发光二极管13在被隔壁13B包围的区域具备阳极13A、发光部13EL以及阴极13C。被隔壁13B包围的区域与一个子像素10sp对应。此外，在图4中，将发光部13EL和阴极13C统一地表示为层13O。
阳极13A例如由氧化铟锡(ITO(Indium Tin Oxide))形成。阳极13A与驱动晶体管12T2连接。
发光部13EL从阳极13A侧起依次具备空穴注入层13HIL、空穴传输层13HTL、发光层13EML、电子传输层13ETL以及电子注入层13EIL。
发光层13EML由有机化合物形成。作为发光层13EML，例如形成有发出红色光的红色发光层、发出绿色光的绿色发光层或发出蓝色光的蓝色发光层。在电子注入层13EIL的上层形成阴极13C。此外，阴极13C越过隔壁13B而与其它子像素10sp的阴极形成为一体。即，与其它子像素10sp共享阴极13C。阴极13C例如由镁和银的合金形成。
当在阳极13A与阴极13C之间施加电压时，从阴极13C向电子注入层13EIL注入电子，并且从阳极13A向空穴注入层13HIL注入空穴。被注入至电子注入层13EIL的电子通过电子传输层13ETL被传输至发光层13EML。另外，被注入至空穴注入层13HIL的空穴通过空穴传输层13HTL被传输至发光层13EML。
被传输至发光层13EML的空穴与电子在发光层13EML再次复合。当空穴与电子再次复合时，发光层13EML的发光材料被激励，使得发光层13EML发光。
此外，在本实施方式中，有机电致发光二极管13具备空穴注入层13HIL、空穴传输层13HTL、发光层13EML、电子传输层13ETL以及电子注入层13EIL，但至少具备发光层13EML即可。例如，也可以省略空穴注入层13HIL、空穴传输层13HTL、电子传输层13ETL以及电子注入层13EIL中的一部分或全部。
另外，也可以与其它的子像素10sp之间分别共享空穴注入层13HIL、空穴传输层13HTL、电子传输层13ETL以及电子注入层13EIL。在本实施方式中，如后所述，与阴极13C同样地与其它子像素10sp共享电子传输层13ETL和电子注入层13EIL。
<有机电致发光面板的制造方法>
对有机电致发光面板的制造方法进行说明。图5和图6是说明本实施方式的有机电致发光面板的制造方法的流程图。另外，图7至图33是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的图。此外，在说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板的制造方法的附图的截面图中，上部的箭头表示该截面是图2中的A-A截面、B-B截面、C-C截面中的哪个截面。
(步骤S10)
首先，对准备形成了电路层的基板的工序进行说明。
准备玻璃基板100和绝缘基板110。玻璃基板100为在制造有机电致发光面板10时用于防止绝缘基板110变形的基板。
绝缘基板110为支承有机电致发光面板10的结构要素的基板。本实施方式的有机电致发光面板10在具有挠性的绝缘基板110上形成像素电路11。绝缘基板110具有树脂层110a、无机层110b以及树脂层110c。树脂层110a和树脂层110c例如由聚酰亚胺形成。无机层110b由氮化硅(SiN)形成。绝缘基板110具有挠性。
绝缘基板110贴附于玻璃基板100上(图7)。此外，在本实施方式中，使用玻璃基板100，但在通过绝缘基板110能够确保制造时所需的强度的情况下，也可以不使用玻璃基板100。
此外，有时将使玻璃基板100与绝缘基板110贴合而得到的基板称作处理基板40。对于处理基板40，将玻璃基板100侧载置于设置于用于处理基板的处理装置的台上。因而，由处理装置对图7的处理基板40的上侧即绝缘基板110侧进行处理。在下面的说明中，相对于玻璃基板100，将具有绝缘基板110的一侧作为上侧进行说明。
接着，在绝缘基板110的整个上表面形成缓冲层120。缓冲层120为用于防止有水分、氧等从绝缘基板110侵入的层。缓冲层120例如由氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)以及氮氧化硅(SiON)中的任一方或它们的组合形成。
然后，在缓冲层120的整个上表面沉积半导体膜。然后，将沉积的半导体膜形成图案，由此形成半导体层121、122、123及124等。半导体层121、122、123及124构成薄膜晶体管的半导体层。半导体层121、122、123及124例如由非晶硅、多晶硅或氧化物半导体等形成。
作为多晶硅，例如可以使用低温多晶硅(LTPS(Low TemperaturePolycrystalline Silicon))等。
另外，作为氧化物半导体，例如可以使用含铟、镓和锌的氧化铟镓锌(IGZO(InGaZnO))、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锡(ITO)或氧化铟(InO)等。
在形成半导体层121、122、123及124等后，在处理基板40的整个上表面沉积绝缘膜130a。绝缘膜130a例如由氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)以及氮氧化硅(SiON)中的任一方或它们的组合形成。
然后，在绝缘膜130a的整个上表面沉积金属膜。将沉积的金属膜形成图案，由此形成电极131a至电极137a等。
电极131a、电极133a、电极135a以及电极137a分别为薄膜晶体管的栅极电极。电极132a、电极134a及电极136a为保持电容器的一方的电极。此外，绝缘膜130a作为晶体管的栅极绝缘膜和保持电容器的电介质层发挥作用。
接着，在形成电极131a至电极137a等后，在处理基板40的整个上表面沉积绝缘膜130b。绝缘膜130b例如由氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)以及氮氧化硅(SiON)中的任一方或它们的组合形成。
在绝缘膜130b上，将金属膜形成图案，由此形成电极131b、电极132b及电极133b等。
在形成电极131b、电极132b及电极133b等后，在处理基板40的整个上表面沉积绝缘膜130c。绝缘膜130c由氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)以及氮氧化硅(SiON)中的任一方或它们的组合形成。
有时将通过上述处理形成的形成有半导体层121、122、123及124等、电极131a至电极137a等、电极131b、电极132b及电极133b等的绝缘膜130a、130b及130c称作电路层55。将形成了电路层55的处理基板40称作基板50(图8)。
(步骤S20)
首先，对形成堤部的工序进行说明。
在基板50的绝缘膜130c的整个上表面形成光致抗蚀剂膜。将形成的光致抗蚀剂膜形成图案，由此形成光致抗蚀剂141和光致抗蚀剂142。有时将光致抗蚀剂141和光致抗蚀剂142称作堤部。
图9和图10示出形成了光致抗蚀剂141和光致抗蚀剂142的基板50。图10是光致抗蚀剂141和光致抗蚀剂142的周边的俯视图。
光致抗蚀剂141俯视呈大致圆形。光致抗蚀剂141的远离绝缘基板110的一侧的面即上表面141A的面积比光致抗蚀剂141的靠绝缘基板110侧的面即下表面141B的面积小。因而，光致抗蚀剂141的侧面141C相对于与绝缘基板110的表面垂直的方向向光致抗蚀剂141的内侧倾斜。
光致抗蚀剂142为俯视包围光致抗蚀剂141的环状。光致抗蚀剂142的远离绝缘基板110的一侧的面即上表面142A的面积比光致抗蚀剂142的靠绝缘基板110侧的面即下表面142B的面积小。因而，光致抗蚀剂142的侧面142C相对于与绝缘基板110的表面垂直的方向向光致抗蚀剂141的相反侧倾斜。光致抗蚀剂142的侧面142D相对于与绝缘基板110的表面垂直的方向向光致抗蚀剂141侧倾斜。
(步骤S30)
首先，对形成无机膜的工序进行说明。
在形成了光致抗蚀剂141和光致抗蚀剂142的基板50上形成无机膜150(图11)。
无机膜150例如为氮化硅(SiN)。无机膜150例如通过低温CVD(Chemical VaporDeposition：化学气相沉积)法形成。通过采用低温CVD法形成，能够防止光致抗蚀剂141和光致抗蚀剂142因热而损伤。换言之，通过CVD法以光致抗蚀剂141和光致抗蚀剂142不会因热而损伤的温度形成无机膜150。
(步骤S40)
接着，对去除堤部的顶部的无机膜的工序进行说明。
去除形成于光致抗蚀剂141的上表面141A和光致抗蚀剂142的上表面142A的无机膜150(图12)。即，去除光致抗蚀剂141和光致抗蚀剂142的顶部的无机膜150。具体地说，在无机膜150的整个上表面进行光致抗蚀剂的成膜。然后，将成膜的光致抗蚀剂形成图案，来使光致抗蚀剂141的上表面141A和光致抗蚀剂142的上表面142A的部分露出。然后，通过蚀刻去除从光致抗蚀剂露出的光致抗蚀剂141的上表面141A和光致抗蚀剂142的上表面142A的部分的无机膜150。
在光致抗蚀剂141的侧面141C形成由无机膜150的一部分形成的、倾斜的屏障部151。另外，在光致抗蚀剂142的侧面142C形成由无机膜150的一部分形成的、倾斜的屏障部152。并且，在光致抗蚀剂142的侧面142D形成由无机膜150的一部分形成的、倾斜的屏障部153。
(步骤S50)
接着，对去除堤部的工序进行说明。
去除光致抗蚀剂141和光致抗蚀剂142。图13是去除光致抗蚀剂141及光致抗蚀剂142后的截面图。图14是去除光致抗蚀剂141和光致抗蚀剂142后的俯视图。通过溶剂等将光致抗蚀剂141和光致抗蚀剂142去除(剥离)。通过去除光致抗蚀剂141和光致抗蚀剂142，将屏障部151、屏障部152及屏障部153形成为无支撑。
(步骤S60)
接着，对形成像素电极和发光层的工序进行说明。
在形成了无机膜150的基板50形成将半导体层等要素进行连接的布线、通孔等。然后，在形成了布线、通孔等的基板50形成有机绝缘膜160a和有机绝缘膜160b。有机绝缘膜160a和有机绝缘膜160b形成于基板50的除形成有屏障部151、屏障部152及屏障部153的区域以外的整个面。在形成有机绝缘膜160a和有机绝缘膜160b时，在有机绝缘膜160a与有机绝缘膜160b之间形成布线、通孔等。
然后，在有机绝缘膜160b上，在整个面形成有机绝缘膜之后将其形成图案，由此形成隔壁部161c至165c。隔壁部161c至隔壁部165c划定出各像素的区域。另外，在有机绝缘膜160b上形成阻挡部168c和阻挡部169c。此外，隔壁部161c至隔壁部165c相当于图4的隔壁13B。
接着，在由隔壁部161c及隔壁部162c包围的区域形成像素电极171。另外，在由隔壁部163c和隔壁部164c包围的区域形成像素电极172。并且，在由隔壁部164c和隔壁部165c包围的区域形成像素电极173。像素电极171、像素电极172和像素电极173例如由氧化铟锡(ITO(Indium Tin Oxide))形成。
另外，在像素电极171、像素电极172和像素电极173上均形成空穴注入层13HIL、空穴传输层13HTL以及发光层13EML，但未图示。通过形成空穴注入层13HIL、空穴传输层13HTL及发光层13EML来形成各子像素的发光部。
如上述那样地在各子像素形成像素电极和发光部(图15)。
(步骤S70)
接着，对形成共用电极的工序进行说明。
在形成了隔壁部、阻挡部的基板50形成共用电极180(图16)。此外，在本实施方式中，在形成共用电极180即阴极13C时，同时形成电子传输层13ETL和电子注入层13EIL。
在形成共用电极180时，在形成了隔壁部、阻挡部的基板50的上部配置掩模60。然后，从掩模60的上方通过蒸镀在该基板50形成共用电极180。共用电极180由镁和银的合金形成。
此外，上述的步骤S10至步骤S70的工序合在一起为准备在表面形成有构成显示屏的多个发光元件的基板的工序的一例。
(步骤S80)
接着，对形成无机密封膜的工序进行说明。
在形成了共用电极180的基板50的整个上表面形成无机密封膜190(图17)。无机密封膜190例如由氮化硅(SiN)形成。即，无机密封膜190为氮化硅膜。无机密封膜190的厚度例如为1μm。
无机密封膜190通过不使用掩模的无掩模CVD法形成于形成了共用电极180的基板50的整个上表面。通过不使用掩模，能够抑制灰尘的产生等，从而提高成品率。另外，由于不需要掩模的更换等，因此能够缩短形成无机密封膜190花费的时间。
另外，无机密封膜190也可以通过无氢的CVD法、即以处理气体中不含氢的方式进行膜形成的CVD法来形成。在无氢的CVD法中，利用含有卤化硅气体和含氮原子气体且不含氢原子的处理气体来进行成膜。卤化硅气体例如为四氯化硅(SiCl4)气体、四氟化硅(SiF4)气体等。例如，作为卤化硅气体，也可以由四氯化硅气体和四氟化硅气体中的一方或两方构成。
通过使用无氢的CVD法，在半导体层使用含铟、镓和锌的氧化铟镓锌(IGZO(InGaZnO))的情况下，能够防止半导体层因氢而劣化。
通过形成无机密封膜190，来由无机密封膜190密封在步骤S70形成的共用电极180。
(步骤S90)
接着，对形成有机密封膜的工序进行说明。
在形成了无机密封膜190的基板50的上部形成有机密封膜200(图18)。通过湿式成膜法、例如通过利用液滴喷出装置、所谓的喷射装置涂布材料并使该材料固化来在阻挡部168c与阻挡部169c之间形成有机密封膜200。即，有机密封膜200通过喷射法来形成。有机密封膜200例如由丙稀形成。有机密封膜200的厚度例如为8μm至10μm。
当利用液滴喷出装置、所谓的喷射装置形成有机密封膜200时，在阻挡部168c和阻挡部169c附近的有机密封膜200的端部具有倾斜。从有机密封膜200的末端朝向内侧约有400μm左右的部分倾斜。另外，倾斜的角度约为1度。
在本实施方式的有机电致发光面板10的制造方法中，在覆盖构成显示屏的多个发光元件的全部发光元件的发光区域EA，以有机密封膜200平坦的方式形成有机密封膜200。有机密封膜200具有覆盖构成显示屏的多个发光元件的全部发光元件的平坦部201。
另外，有机密封膜200在周边区域SA具有与平坦部201的周缘部分连接的倾斜部202。并且，在本实施方式的有机电致发光面板10的制造方法中，在形成了屏障部151、屏障部152及屏障部153的贯通孔形成区域HA也形成有机密封膜200。
(步骤S92)
接着，在形成了有机密封膜200的基板50的有机密封膜200上形成无机密封膜210(图19)。无机密封膜210例如由氮化硅(SiN)形成。即，无机密封膜210为氮化硅膜。无机密封膜210也可以通过无氢的CVD法来形成。
(步骤S100)
接着，对在有机密封膜上形成掩模层的工序进行说明。
在形成了无机密封膜210的基板50的无机密封膜210的整个上表面成膜光致抗蚀剂。将形成的光致抗蚀剂形成图案，由此形成由光致抗蚀剂221构成的掩模层(图20)。光致抗蚀剂221形成于基板的发光区域EA。
(步骤S102)
接着，对去除有机密封膜的工序进行说明。
针对形成了光致抗蚀剂221的基板50，去除从光致抗蚀剂221露出的有机密封膜200和无机密封膜210(图21)。
关于从光致抗蚀剂221露出的有机密封膜200和无机密封膜210，在有机密封膜200和无机密封膜210被去除了的部分，无机密封膜190露出。
(步骤S104)
接着，对去除掩模层的工序进行说明。针对被去除了有机密封膜200和无机密封膜210的基板50，去除光致抗蚀剂221(图22)。例如通过进行灰化来去除光致抗蚀剂221。
(步骤S110)
接着，对形成无机密封膜的工序进行说明。
在被去除了光致抗蚀剂221的基板50的整个上表面形成无机密封膜230(图23)。无机密封膜230例如由氮化硅(SiN)形成。即，无机密封膜230为氮化硅膜。通过无机密封膜230，能够用无机密封膜230来密封在步骤S100中露出的有机密封膜200的侧面。通过利用无机密封膜230进行密封，能够防止由有机密封膜200的吸湿等引起的劣化。可以通过无氢的CVD法来形成无机密封膜230。无机密封膜230的厚度例如为1μm。
另外，在周边区域SA，能够使无机密封膜190与无机密封膜230接合。通过使无机密封膜190与无机密封膜230接合，能够牢固地密封有机密封膜200。
无机密封膜230通过不使用掩模的无掩模CVD法形成于基板50的整个上表面。另外，无机密封膜190也可以通过无氢的CVD法来形成。
此外，有时将无机密封膜190、有机密封膜200、无机密封膜210以及无机密封膜230统称为薄膜密封膜(TFE(Thin Film Encapsulation))。
此外，无机密封膜190是第一无机绝缘膜的一例，无机密封膜210是第二无机绝缘膜的一例，无机密封膜230是第三无机绝缘膜的一例。
(步骤S120)
接着，对形成平坦化膜的工序进行说明。
针对形成了无机密封膜230的基板50，在形成了屏障部151、屏障部152和屏障部153的区域形成保护膜241(图24)。保护膜241例如由丙稀树脂形成。保护膜241填充至形成了屏障部151、屏障部152和屏障部153的区域的凹陷部分，由此防止屏障部151、屏障部152和屏障部153在之后的处理中破损。
(步骤S130)
接着，对与触摸屏面板的功能相关联的部分进行说明。本实施方式的触摸屏面板是所谓的on-cell(日语：オンセル)触摸面板。
在形成了保护膜241的基板50的整个上表面形成导电膜。然后，将该导电膜形成图案，由此形成多个电极251(图25)。接着，在形成了电极251的基板上形成绝缘膜260(图26)。然后，去除形成于基板50的端部的绝缘膜260。此时，还去除形成于端子部10T的绝缘膜260。另外，将覆盖形成了像素的部分的绝缘膜260形成图案，由此形成绝缘膜261，并且形成通孔262至通孔268等(图27)。接着，在基板50的整个上表面形成导电膜270(图28)，并将其形成图案，由此形成触摸屏面板用的电极271及电极272、以及用于与外部设备连接的端子273(图29)。
图30是触摸屏面板用的电极的上表面。电极271俯视呈边沿图30的45度斜向延伸的矩形状。另外，电极271沿图30的纵向及横向排列地设置。沿纵向排列的电极271的一方电极271的角部分与另一方电极271的角部分通过电极251连接。
电极272俯视呈边沿图30的45度斜向延伸的矩形状。另外，电极272沿图30的纵向及横向排列地设置在电极271之间。沿横向排列的电极272的一方电极272的角部分与另一方电极272的角部分连接。此外，各个电极271和各个电极272形成为网格状。
接着，在形成了触摸屏面板用电极的基板50上，通过进行形成图案来形成覆盖层281(图31)。
(步骤S140)
接着，对形成贯通孔的工序进行说明。
在形成了覆盖层281的基板50形成贯通孔50h(图32)。通过进行激光切割来形成贯通孔50h。以包围贯通孔50h的方式形成屏障部151、屏障部152和屏障部153。
(步骤S150)
最后，将玻璃基板100从绝缘基板110剥离(图33)。通过以上的工序来制作有机电致发光面板10。
<作用及效果>
根据本实施方式的有机电致发光面板10的制造方法，能够增大显示区域10DA的区域。即，能够缩小有机电致发光面板10的边框区域。另外，能够扩大有机电致发光面板10的颜色视野。并且，能够提高将有机电致发光面板10用作触摸屏面板时的触摸灵敏度。
使用图34来说明本实施方式的有机电致发光面板10的效果。图34是说明本实施方式所涉及的有机电致发光面板10的有机密封膜的密封构造的图。
有机电致发光面板10的无机密封膜190和无机密封膜230在端部充分地密合。另外，有机密封膜200的倾斜部分以偏离像素部分的上方的方式形成，并通过蚀刻被去除，因此在像素部分，有机密封膜200的上表面与像素电极平行。因而，颜色视野不会下降。并且，在将有机电致发光面板10作为触摸屏面板的情况下，不形成在有机密封膜200的倾斜部分，能够防止灵敏度下降。
使用图35来说明比较例的有机电致发光面板10x。图35是说明比较例的有机电致发光面板10x的有机密封层的密封构造的图。
比较例的有机电致发光面板10x的有机密封层200x的倾斜部覆盖像素。因而，颜色视野劣化。另外，当设为倾斜部不覆盖像素时，需要进行所说的扩大边框部分。并且，在将有机电致发光面板10x作为触摸屏面板的情况下，在有机密封膜200的倾斜部分，灵敏度下降。另外，当想要防止灵敏度下降时，能够用作触摸屏面板的区域变窄。
相比于比较例的有机电致发光面板10x的倾斜部分的尺寸Lx(图35)，本实施方式的有机电致发光面板10能够减小倾斜部分的尺寸L1(图34)。
另外，在比较例的有机电致发光面板10x中，使用掩模并通过CVD法以在基板的端部、端子部分不形成无机密封膜的方式来形成无机密封膜。当使用掩模并通过CVD法形成无机密封膜时，如图35的Ax所示，存在无机密封膜形成得较薄从而没能被充分地确保密封的部分。需要考虑该无机密封膜形成得较薄的部分而扩大边框部分。
在本实施方式的有机电致发光面板10中，通过无掩模的CVD法来形成无机密封膜190和无机密封膜230，因此无需考虑因掩模的影响而使无机密封膜形成得较薄的部分。因而，在有机电致发光面板10中，能够扩大显示区域，即能够进一步缩窄边框区域。
应认为本次公开的本实施方式所涉及的有机电致发光面板的所有点均是例示性而非限制性的。能够不脱离所附的权利要求书及其主旨地对上述的实施方式以各种方式进行变形和改进。在不矛盾的范围内，上述多个实施方式所记载的事项还能够采取其它结构，另外，能够在不矛盾的范围内对上述多个实施方式所记载的事项进行组合。
附图标记说明
1：有机电致发光显示器；10：有机电致发光面板；10DA：显示区域；50：基板；150：无机膜；190：无机密封膜；200：有机密封膜；201：平坦部；202：倾斜部；210：无机密封膜；221：光致抗蚀剂；230：无机密封膜。
Claims (5)
1.一种有机电致发光面板的制造方法，包括以下工序：
a)准备在表面形成有构成显示屏的多个发光元件的基板；
b)在所述基板形成第一无机绝缘膜；
c)通过湿式成膜法在所述第一无机绝缘膜上形成有机绝缘膜，所述有机绝缘膜具有覆盖所述多个发光元件的全部的平坦部和与该平坦部的周缘部分连接的倾斜部；
d)在所述有机绝缘膜上形成第二无机绝缘膜；
e)形成覆盖所述平坦部上的所述第二无机绝缘膜的至少一部分并使所述倾斜部上的所述第二无机绝缘膜露出的掩模层；
f)经由所述掩模层来蚀刻所述第二无机绝缘膜和所述有机绝缘膜；
g)去除所述掩模层；
h)在所述基板形成第三无机绝缘膜，通过使所述第一无机绝缘膜与所述第三无机绝缘膜接合来密封所述有机绝缘膜。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光面板的制造方法，其特征在于，
所述第一无机绝缘膜、所述第二无机绝缘膜以及所述第三无机绝缘膜为氮化硅膜。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光面板的制造方法，其特征在于，
利用包含卤化硅气体和含氮原子气体且不含氢原子的处理气体来形成所述氮化硅膜。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光面板的制造方法，其特征在于，所述卤化硅气体包含四氯化硅气体和四氟化硅气体中的一方或两方。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的有机电致发光面板的制造方法，其特征在于，
在所述b)和所述d)中，在所述基板的整个面形成所述第一无机绝缘膜和所述第二无机绝缘膜。
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