KR100685841B1 - 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 TFT 패널 비발광 영역의 금속 배선의 부식 저항성이 향상된 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 유기 전계 발광 표시 장치는 소스/드레인 전극을 구비하는 TFT 및 비발광 영역에 형성되어 상기 TFT와 전기적으로 연결되는 금속 배선을 구비하는 기판과; 상기 TFT에 의한 하부 단차를 제거하여 상기 기판을 평탄화시키고, 상기 소스/드레인 전극 중 어느 하나의 일부를 노출시키는 평탄화막 및 상기 금속 배선의 에지부를 보호하기 위한 금속 배선 보호막 패턴과; 상기 TFT와 전기적으로 연결되는 EL 소자를 구비하여 이루어질 수 있다.
유기 전계 발광 표시 장치, 금속 배선, 평탄화막, 부식

Description

유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법{OLED and method of fabricting the same}
도 1은 일반적인 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도.
도 2는 종래의 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도.
(도면의 주요 부위에 대한 부호의 설명)
300; 기판 310; 버퍼층
320; 활성층 330; 게이트 절연막
340; 게이트 전극 350; 층간 절연막
361; 소스 전극 365; 드레인 전극
367; 금속 배선 370; 평탄화막
375; 금속 배선 보호막 패턴 410; 하부 전극
420; 화소 정의막 430; 발광층
440; 상부 전극
본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 TFT 패널 비발광 영역의 금속 배선의 부식 저항성이 향상된 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 평판 표시 장치 중 하나인 유기 전계 발광 표시 장치는 전자(electron) 주입 전극(cathode)과 정공(hole) 주입 전극(anode)으로부터 각각 전자(electron)와 정공(hole)을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광하는 발광 표시 장치이다.
이러한 원리로 인해 종래의 박막 액정 표시 소자와는 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 소자의 부피와 무게를 줄일 수 있는 장점이 있다.
또한, 상기 유기 전계 발광 표시 장치는 구동하는 방식에 따라 패시브 매트릭스형(passive matrix type)과 액티브 매트릭스형(active matrix type)으로 나눌 수 있다.
상기 패시브 매트릭스형 유기 전계 발광 표시 장치는 그 구성이 단순하여 제조 방법 또한 단순 하나 높은 소비 전력과 표시 소자의 대면적화에 어려움이 있으며, 배선의 수가 증가하면 할수록 개구율이 저하되는 단점이 있다.
따라서, 소형의 표시 소자에 적용할 경우에는 상기 패시브 매트릭스형 유기 전계 발광 표시 장치를 사용하는 반면, 대면적의 표시 소자에 적용할 경우에는 상 기 액티브 매트릭스형 유기 전계 발광 표시 장치를 사용한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여, 종래 기술에 대하여 설명한다.
도 1은 일반적인 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 일반적인 유기 전계 발광 표시 장치는 비발광 영역에 패드부(P)를 구비하는 TFT 패널(T) 상에 형성된 EL 소자(E)와, 상기 EL 소자(E)를 봉지하기 위한 봉지 기판(ES)과, 상기 TFT 패널(T) 및 봉지 기판(EㆍS)을 접합하며 외부로부터의 이물질 및 수분의 유입을 방지하는 실런트(S)와, 상기 패드부를 통하여 상기 EL 소자(120)와 전기적으로 연결되는 외부 회로 모듈(OㆍC)을 구비한다.
도 2는 종래의 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도로써, 하나의 화소를 구성하는 TFT 및 발광 소자와, 비발광 영역에 한정하여 도시한 것이다.
도 2를 참조하면, 기판(100)상에 버퍼층(110)을 형성하고, 상기 버퍼층(110) 상에 소스/드레인 영역(121, 125)을 구비한 활성층(120)을 형성하며, 게이트 절연막(130) 상에 게이트 전극(141)을 형성한다. 물론, 상기 활성층(120)의 소스/드레인 영역(121, 125) 사이의 영역은 TFT의 채널 영역(123)으로 작용한다.
그런 다음, 층간 절연막(150) 상에는 콘택 홀(150a)을 통해 상기 소스/드레인 영역(121, 125)과 연결되는 소스/드레인 전극(161, 165)을 형성함과 동시에 기판의 비발광 영역 외부 회로 모듈과 전기적으로 연결될 수 있는 금속 배선(167)을 형성한다. 그런 다음, 상기 기판(100)의 전면에 일반적으로 아크릴 등의 유기 물질로 이루어지는 평탄화막(170)을 형성하여, 상기 TFT 패널을 형성한다.
상기 TFT 패널을 형성한 후, 상기 평탄화막(170)을 패터닝하여, 상기 소스/드레인 전극 중 어느 하나, 예를 들어 드레인 전극(165)의 일부분을 노출시키는 비아 홀(170a)을 형성하며, 상기 TFT 패널의 비발광 영역에는 상기 금속 배선(167)의 일부분을 노출시키는 개구부(170b)를 형성한다.
그런 다음, 상기 비아 홀(170a)을 통해 상기 소스/드레인 전극(161, 165) 중 어느 하나, 예를 들어 드레인 전극(165)에 연결되는 EL소자의 화소 전극인 하부 전극(210)을 형성하고, 상기 금속 배선의 상부에는 소정의 도전막을 형성한다.
그런 다음, 상기 하부 전극(210)을 일부분을 노출시키는 개구부(225)를 구비하는 화소 정의막(220)을 형성하고, 상기 개구부(225)내의 하부 전극(210)상에 발광층(230)이 형성하며, 상기 발광층(230) 상의 기판(300) 전면에 캐소드 전극으로 작용하는 상부 전극(240)을 형성하여, 상기 TFT 패널과 전기적으로 연결되는 유기 EL 소자를 형성한다.
상기 EL 소자를 형성한 이후에는, 도 2에는 도시하지 않았으나, 상기 EL 소자를 봉지하기 위한 봉지 기판을 실런트를 통하여 장착하고, 상기 비발광 영역의 금속 배선과 외부 회로 모듈(OㆍC)을 전기적으로 연결하는 등의 일반적인 공정을 통하여 유기 전계 발광 표시 장치를 완성한다.
한편, 상기 하부 전극(210) 형성시 동시에 형성되는 금속 배선(167) 상의 도전막은 상기 화소 전극인 하부 전극(210)과 동일한 물질, 즉, ITO, IZO 등의 인듐 산화물을 포함하는 도전성 산화물로 이루어진다.
그러나, 이러한 도전성 산화물은 외부 환경에 의한 부식 저항성이 취약하여 상기 금속 배선(167)을 부식시키는 악영향을 미치게 된다.
또한, 상기 평탄화막(170)으로 유기 물질을 사용함으로써, 상기 평탄화막(170)에서 발생하는 아웃 개싱의 문제는 상기 EL 소자의 수명을 단축시키는 문제를 발생시킨다.
본 발명의 목적은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명은 TFT 패널 비발광 영역의 금속 배선의 부식 저항성이 향상된 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기 전계 발광 표시 장치는 소스/드레인 전극을 구비하는 TFT 및 비발광 영역에 형성되어 상기 TFT와 전기적으로 연결되는 금속 배선을 구비하는 기판과; 상기 소스/드레인 전극 중 어느 하나의 일부를 노출시키는 평탄화막 및 상기 금속 배선의 에지부에 형성된 금속 배선 보호막 패턴과; 상기 TFT와 전기적으로 연결되는 EL 소자를 구비하여 이루어질 수 있다.
상기 소스/드레인 전극 및 금속 배선은 Ti/Al의 적층막, Ti/Al합금의 적층막, Ti/Al/Ti의 적층막, Ti/TiN/Al/TiN/Ti의 적층막, Ti/TiN/AlSi/TiN/Ti적층막 및 Ti/Al합금/Ti의 적층막 중 선택되는 어느 하나로 이루어질 수 있다.
상기 Al 합금은 AlSi 및 AlNd 중 선택되는 어느 하나로 이루어질 수 있다.
상기 평탄화막 및 금속 배선 보호막 패턴은 아크릴, PI, BCB 및 SOG 중 선택되는 어느 하나로 이루어질 수 있다.
상기 EL 소자는 상기 TFT의 소스/드레인 전극 중 어느 하나와 전기적으로 연결되는 하부 전극과; 상기 하부 전극의 일부분을 노출시키는 개구부를 구비하는 화소 정의막과; 상기 개구부에 의하여 노출된 하부 전극 상에 형성된 발광층과; 상기 발광층을 상부에 형성된 상부 전극을 구비하는 것이 바람직하다.
상기 하부 전극은 ITO, IZO, ITZO 및 이의 등가물, 즉 인듐을 포함하는 금속 산화물 중 선택되는 어느 하나를 적어도 1층 이상 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 TFT는 상기 기판 상에 형성하며, 소스/채널/드레인 영역을 구비하는 활성층과; 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 전극과; 콘택 홀을 구비하는 층간 절연막의 콘택 홀을 통하여 상기 소스/드레인 영역과 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극을 구비하며, 상기 금속 배선은 상기 소스/드레인 전극과 동일층 상에 형성된 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 소스/드레인 전극을 구비하는 TFT 및 비발광 영역에 형성되어 상기 TFT와 전기적으로 연결되는 금속 배선을 형성하는 단계와; 상기 TFT 및 금속 배선을 구비하는 기판 전면에 평탄화막을 형성하는 단계와; 상기 평탄화막을 패터닝하여 상기 소스/드레인 전극 중 어느 하나의 일부를 노출시키는 비아 홀 및 상기 금속 배선의 에지부를 보호하는 금속 배선 보호막 패턴을 형성하는 단계와; 상기 소스/드레인 전극과 전기적으로 연결되는 EL 소자를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 평탄화막은 스핀 코팅 또는 슬릿 코팅을 통하여 형성될 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 3a를 참조하면, 하부 기판(300) 상에 하부 기판(300)으로부터 금속 이온 등의 불순물이 확산되어 활성층에 침투하는 것을 막기 위한 버퍼층(310)을 형성한다.
상기 버퍼층(310)을 형성한 후, 상기 버퍼층(310) 상에 비정질 실리콘을 증착하고 결정화하여 다결정 실리콘막을 형성하고, 패터닝하여 활성층(320)을 형성한다.
그런 다음, 상기 활성층(320)을 포함하는 하부 기판(300) 전체에 게이트 절연막(330)을 증착하고, 상기 게이트 절연막 상에 게이트 메탈을 증착하고 패터닝하여 게이트 전극(340)을 형성한다.
상기 게이트 전극(340)을 형성한 후, 상기 게이트 전극(340)을 마스크로 사용하여 소정 도전형의 불순물을 활성층(320)에 도핑하여 소스/드레인 영역(321, 325)을 형성한다. 상기 소스/드레인 영역(321, 325) 사이의 불순물이 도핑되지 않은 영역은 TFT의 채널 영역(323)으로 작용한다.
상기 활성층(320)에 소스/드레인 영역(321, 325)을 형성한 다음, 상기 하부 기판(300) 전면에 걸쳐 층간 절연막(350)을 형성하고, 상기 층간 절연막(350)에 소스/드레인 영역(321, 325)의 일부를 노출시키는 콘택 홀(355)을 형성한다.
상기 콘택 홀(155)을 포함한 층간 절연막(150) 상에 도전 물질을 증착한 후, 상기 도전 물질을 패터닝하여 콘택 홀(355)을 통하여 소스/드레인 영역(321, 325)에 연결되는 소스/드레인 전극(361, 165)을 형성하여 활성층(320), 게이트 전극(340), 소스/드레인 전극(361, 365) 등으로 구성되는 TFT를 형성한다.
한편, 상기 소스/드레인 전극(361, 365)을 형성함과 동시에 상기 기판(300)의 비발광 영역에는 외부 회로 모듈과 상기 TFT와 전기적으로 연결시킬 수 있는 금속 배선(367)을 형성한다. 즉, 상기 금속 배선(367)은 상기 TFT 및 외부 회로 모듈과 전기적으로 연결된다.
이때, 상기 소스/드레인 전극(361, 365) 및 금속 배선(367)은 Ti/Al의 적층막, Ti/Al합금(AlSi, AlNd 및 이의 등가물)의 적층막, Ti/Al/Ti의 적층막, Ti/TiN/Al/TiN/Ti의 적층막, Ti/TiN/AlSi/TiN/Ti적층막 및 Ti/Al합금/Ti의 적층막 중 선택되는 어느 하나로 이루어지는 것이 바람직하다. 이는 상기 금속 배선(367)의 외부 환경에 대한 부식 저항성을 향상시키기 위함이다.
상기 소스/드레인 전극(361, 365)과 금속 배선(367)을 형성한 후, 상기 하부 기판(300) 상에 평탄화막(370)을 형성하여, TFT 패널을 완성한다. 이때, 상기 평탄화막(370)은 하부 구조의 단차를 제거할 수 있도록 아크릴, PI, BCB, SOG 및 이의 등가물 중 선택되는 어느 하나로 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 상기 평탄화막(370)은 상기 물질을 스핀 코팅 또는 슬릿 코팅을 통하여 형성한다.
도 3b를 참조하면, 상기 평탄화막(370)을 형성한 후, 상기 평탄화막(370)을 패터닝하여, 상기 소스/드레인 전극(361/365) 중의 어느 하나, 예를 들어 드레인 전극(365)의 일부분을 노출시키는 비아 홀(370a)을 형성한다. 이때, 상기 비아 홀 (370a)의 형성과 동시에, 상기 금속 배선(367)의 일부분을 노출시키는 개구부(375a)를 구비하며, 상기 금속 배선(367)의 에지 부분을 커버할 수 있는 금속 배선 보호막 패턴(375)을 형성한다.
도 3c를 참조하면, 상기 비아 홀(370a) 및 금속 배선 보호막 패턴(375)를 형성한 후, 상기 비아 홀(370a)를 통하여 상기 소스/드레인 전극(361, 365) 중 어느 하나, 예를 들면, 상기 드레인 전극(365)과 전기적으로 연결되는 하부 전극(410)을 형성한다.
이때, 상기 하부 전극(410)은 투명 또는 반투명 도전막으로 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 상기 하부 전극(410)은 ITO, IZO, ITZO 및 이의 등가물, 즉 인듐을 포함하는 금속 산화물 중 선택되는 어느 하나를 적어도 1층 이상 포함하는 구조로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 하부 전극(410)은 ITO(또는 IZO, ITZO)/Al(또는 Al alloy) 또는 ITO(또는 IZO, ITZO)/Al(또는 Al alloy)/ITO(또는 IZO, ITZO)와 같은 형태로 이루어질 수 있는 것이다.
도 3d를 참조하면, 상기 하부 전극(410)을 형성한 다음, 상기 하부 기판(300) 전면에 화소 정의막(420)을 증착하고, 패터닝하여 상기 하부 전극(410)의 일부를 노출시키는 개구부(420a)를 형성한다. 물론 이때, 상기 기판(300) 비발광 영역의 화소 정의막(420) 또한 제거된다.
그런 다음, 상기 개구부(420a)를 포함하는 화소 정의막(420)의 상부에 유기 전계 발광층(430)을 형성한다.
상기 발광층(430)은 그 기능에 따라 여러 층으로 구성될 수 있는데, 정공 주 입층(HIL), 정공 전달층(HTL), 발광층(Emitting Layer), 정공 저지층(HBL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 중 적어도 상기 발광층을 포함하여 하나 이상의 층으로 이루어진다.
또한, 본 발명의 일 실시예에서는, 도면상에 도시하지 않았으나, 상기 발광층(430)은 정공 주입층(HIL), 정공 전달층(HTL) 등을 형성하고, 상기 개구부에 발광층(Emitting Layer)을 형성한 후, 상기 정공 저지층(HBL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(ETL)을 형성하여 형성된다.
상기 발광층(430)을 형성한 후, 상기 발광층(430)의 상부에 상부 전극(440)을 형성하여 하부 전극(410), 유기 전계 발광층(430), 상부 전극(440)으로 구성되는 EL 소자를 형성한다.
이후에는 도면상에는 도시하지 않았으나, 상부에 봉지 기판을 안착시키고, 실런트르 통하여 상기 TFT 및 EL 소자가 형성된 기판(300)을 봉지한 후, 상기 금속 배선(367)과 외부 회로 모듈을 전기적으로 연결하여 본 발명의 유기 전계 발광 표시 장치를 형성한다.
상기와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치는 상기 소스/드레인 전극(361, 365) 및 금속 배선(367)이 Ti/Al의 적층막, Ti/Al합금(AlSi, AlNd 및 이의 등가물)의 적층막, Ti/Al/Ti의 적층막, Ti/TiN/Al/TiN/Ti의 적층막, Ti/TiN/AlSi/TiN/Ti적층막 및 Ti/Al합금/Ti의 적층막 중 선택되는 어느 하나로 이루어짐으로써, 상기 금속 배선(367)의 외부 환경에 대한 부식 저항성이 향상된다.
또한, 상기 하부 전극(410)은 일반적으로 습식 식각(wet etching)을 통하여 패터닝되어 형성되는데, 상기 금속 배선(367)이 상기와 같은 적층막으로 이루어지고, 상기 금속 배선(367)의 에지부가 상기 금속 배선 보호막 패턴(375)으로 보호됨으로써, 습식 시각에 의해 발생할 수 있는 상기 금속 배선(367)의 식각에 의한 손상을 방지할 수 있다.
또한, 상기 평탄화막(370)의 일부가 제거됨으로써, 아웃 개싱 효과가 감소하여, EL 소자의 수명 향상을 꾀할 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명에 따르면, 본 발명은 TFT 패널 비발광 영역의 금속 배선의 부식 저항성이 향상된 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법을 제공할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (12)

  1. 소스/드레인 전극을 구비하는 TFT 및 비발광 영역에 형성되어 상기 TFT와 전기적으로 연결되는 금속 배선을 구비하는 기판과;
    상기 소스/드레인 전극 중 어느 하나의 일부를 노출시키는 평탄화막 및 상기 금속 배선의 에지부에 형성된 금속 배선 보호막 패턴과;
    상기 TFT와 전기적으로 연결되는 EL 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 소스/드레인 전극 및 금속 배선은 Ti/Al의 적층막, Ti/Al합금의 적층막, Ti/Al/Ti의 적층막, Ti/TiN/Al/TiN/Ti의 적층막, Ti/TiN/AlSi/TiN/Ti적층막 및 Ti/Al합금/Ti의 적층막 중 선택되는 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 Al 합금은 AlSi 및 AlNd 중 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 평탄화막 및 금속 배선 보호막 패턴은 아크릴, PI, BCB 및 SOG 중 선택되는 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 EL 소자는 상기 TFT의 소스/드레인 전극 중 어느 하나와 전기적으로 연결되는 하부 전극과;
    상기 하부 전극의 일부분을 노출시키는 개구부를 구비하는 화소 정의막과;
    상기 개구부에 의하여 노출된 하부 전극 상에 형성된 발광층과;
    상기 발광층 상부에 형성된 상부 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 하부 전극은 ITO, IZO, ITZO 및 이의 등가물인 인듐을 포함하는 금속 산화물 중 선택되는 어느 하나를 적어도 1층 이상 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 TFT는
    상기 기판 상에 형성며, 소스/채널/드레인 영역을 구비하는 활성층과;
    게이트 절연막 상에 형성된 게이트 전극과;
    콘택 홀을 구비하는 층간 절연막의 콘택 홀을 통하여 상기 소스/드레인 영역과 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극을 구비하며,
    상기 금속 배선은 상기 소스/드레인 전극과 동일층 상에 형성된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
  8. 기판 상에 소스/드레인 전극을 구비하는 TFT 및 비발광 영역에 형성되어 상기 TFT와 전기적으로 연결되는 금속 배선을 형성하는 단계와;
    상기 TFT 및 금속 배선을 구비하는 기판 전면에 평탄화막을 형성하는 단계와;
    상기 평탄화막을 패터닝하여 상기 소스/드레인 전극 중 어느 하나의 일부를 노출시키는 비아 홀 및 상기 금속 배선의 에지부를 보호하는 금속 배선 보호막 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 소스/드레인 전극과 전기적으로 연결되는 EL 소자를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 소스/드레인 전극 및 금속 배선은 Ti/Al의 적층막, Ti/Al합금의 적층막, Ti/Al/Ti의 적층막, Ti/TiN/Al/TiN/Ti의 적층막, Ti/TiN/AlSi/TiN/Ti적층막 및 Ti/Al합금/Ti의 적층막 중 선택되는 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 Al 합금은 AlSi 및 AlNd 중 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 평탄화막 및 금속 배선 보호막 패턴은 아크릴, PI, BCB 및 SOG 중 선택되는 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제 8항에 있어서,
    상기 평탄화막은 스핀 코팅 또는 슬릿 코팅을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8927996B2 (en) 2009-11-30 2015-01-06 Samsung Display Co., Ltd. OLED display device that prevents shorting of interconnections during manufacture thereof
KR101811027B1 (ko) * 2011-07-07 2017-12-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR101921627B1 (ko) * 2017-06-16 2018-11-26 한국과학기술연구원 전계 효과 트랜지스터, 이를 구비한 바이오 센서, 전계 효과 트랜지스터의 제조방법 및 바이오 센서의 제조방법

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101310917B1 (ko) * 2008-07-17 2013-09-25 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법
JP5484853B2 (ja) * 2008-10-10 2014-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI529949B (zh) 2008-11-28 2016-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
CN102986295B (zh) * 2011-07-05 2016-08-03 株式会社日本有机雷特显示器 有机el元件及其制造方法
KR102169013B1 (ko) * 2013-12-17 2020-10-23 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판, 유기 발광 표시 장치 및 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법
TW201612606A (en) * 2014-09-29 2016-04-01 Au Optronics Corp Fabricating methods of pixel structure and liquid crystal display panel
CN107170900B (zh) 2017-05-12 2019-11-22 京东方科技集团股份有限公司 Oled基板及其制备方法、显示装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8927996B2 (en) 2009-11-30 2015-01-06 Samsung Display Co., Ltd. OLED display device that prevents shorting of interconnections during manufacture thereof
US9437666B2 (en) 2009-11-30 2016-09-06 Samsung Display Co., Ltd. OLED display device that prevents shorting of interconnections during manufacture thereof
KR101811027B1 (ko) * 2011-07-07 2017-12-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR101921627B1 (ko) * 2017-06-16 2018-11-26 한국과학기술연구원 전계 효과 트랜지스터, 이를 구비한 바이오 센서, 전계 효과 트랜지스터의 제조방법 및 바이오 센서의 제조방법
CN109148564A (zh) * 2017-06-16 2019-01-04 韩国科学技术研究院 场效应晶体管、生物传感器及其制造方法
US10739301B2 (en) 2017-06-16 2020-08-11 Korea Institute Of Science And Technology Field-effect transistor, biosensor comprising the same, method of manufacturing field-effect transistor, and method of manufacturing biosensor

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