CN110085553B - Oled阵列基板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种OLED阵列基板及其制作方法，所述OLED阵列基板主要包含一基板、一TFT层、一绝缘层、一阳极层、一像素限定层，其中所述像素限定层具有一第一槽孔及一第二槽孔，所述第一槽孔内形成一发光层，所述第二槽孔内具有多个填充物，所述多个填充物在所述第二槽孔内形成多个不连续槽孔，用以形成多个不连续的阴极层。当远离显示区的像素限定层表面的阴极被腐蚀，不会影响到显示区内的阴极的功能，从而不会影响到显示器件的显示效果，因此不再受全部覆盖下边框阴极的薄膜封装层限制，可以有效的实现更窄的下边框。

Description

OLED阵列基板及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种OLED阵列基板及其制作方法，特别是涉及一种适用于窄边框面板设计的OLED阵列基板及其制作方法。
背景技术
与液晶显示器相比，有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)具有高对比、视角、运动图像响应速度等，以此引起人们的关注和开发。随着OLED应用领域的拓展，新的应用领域更多的需要OLED显示柔性化的全面屏，OLED显示柔性化的全面屏会有越来越多的要求如：OLED显示弯折使用寿命、窄边框等；OLED全面屏柔性显示则会要求对OLED器件需要的封装采用薄膜化及四周边框尽量变窄，OLED显示的边框中，下边框变窄是一个很大的考验。
现在OLED显示的下边框变窄很大的难题就是，薄膜封装的边界要包裹住OLED器件的阴极，而OLED器件的阴极受掩膜版误差约±100微米的限制，所以薄膜封装所要覆盖的区域就没法进行有效的收缩变窄。也就是说，现在OLED下边框变窄时，会造成阴极包覆不佳、易腐蚀，封装有机层易溢出挡墙等风险。
因此，有必要提供一种改良的OLED阵列基板及其制作方法，以解决上述技术问题。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种OLED阵列基板及其制作方法，其具有多个不连续的阴极层，当远离显示区的像素限定层表面的阴极被腐蚀，不会影响到显示区内的阴极的功能，从而不会影响到显示器件的显示效果。此外，在所述像素限定层形成突起的挡墙，可进一步防止封装的有机层溢出。
为达上述目的，本发明提供一种OLED阵列基板的制作方法，其包含以下步骤：
提供一基板，其中一TFT层形成在所述基板上，一绝缘层形成在部分的所述TFT层上，一阳极层形成在部分的所述绝缘层上并与所述TFT层连接，一像素限定层形成在所述TFT层、所述绝缘层及所述阳极层上；
移除部分的所述像素限定层，将所述像素限定层在所述阳极层上方形成一第一槽孔，在所述第一槽孔旁形成一第二槽孔；
形成一发光层在所述第一槽孔内，及在所述第二槽孔内制作多个填充物，以在所述第二槽孔内形成多个不连续槽孔；及
形成多个阴极层在所述像素限定层上，及形成在所述第一槽孔及所述第二槽孔内，所述多个阴极层为不连续的阴极层。
在本发明的一实施例中，在形成多个阴极层的步骤之后，还包含以下步骤：形成一有机挡墙在所述不连续槽孔内及其上方。
在本发明的一实施例中，在形成一有机挡墙的步骤之后，形成一有机层覆盖所述第一槽孔上方直至所述有机挡墙。
在本发明的一实施例中，在形成一有机层之前，还含包含以下步骤：在所述像素限定层上形成一第一无机层，所述第一无机层覆盖所述多个阴极层及所述有机挡墙。
在本发明的一实施例中，在形成一有机层之后，还含包含以下步骤：在所述有机层上形成一第二无机层，所述第二无机层覆盖所述有机层及所述第一无机层。
为达上述目的，本发明提供一种OLED阵列基板，其包含：一基板；一TFT层，形成在所述基板上；一绝缘层，形成在部分的所述TFT层；一阳极层，形成在部分的所述TFT层上并与所述TFT层连接；一像素限定层，形成在所述TFT层、所述绝缘层及所述阳极层上，其中所述像素限定层具有一第一槽孔及一第二槽孔，所述第一槽孔内形成一发光层，所述第二槽孔内具有多个填充物，所述多个填充物在所述第二槽孔内形成多个不连续槽孔；及多个阴极层，形成在所述像素限定层上及所述第一槽孔及所述第二槽孔内，所述多个阴极层为不连续的阴极层。
在本发明的一实施例中，所述第一槽孔及所述第二槽孔为倒梯形，所述填充物为倒三角形或倒梯形。
在本发明的一实施例中，还包含一有机挡墙，所述有机挡墙设在所述不连续槽孔内及其上方。
在本发明的一实施例中，还包含一有机层覆盖所述第一槽孔上方直至所述有机挡墙。
在本发明的一实施例中，还包含一第一无机层，所述第一无机层覆盖所述多个阴极层及所述有机挡墙；及一第二无机层，所述第二无机层覆盖所述有机层及所述第一无机层。
在本发明中，通过将一像素限定层设置一槽孔，并通过在所述槽孔内设置多个填充物以形成多个不连续槽孔，故可在所述像素限定层上形成多个不连续的阴极层，因此当远离显示区的像素限定层表面的阴极被腐蚀，不会影响到显示区内的阴极的功能，从而不会影响到显示器件的显示效果，因此不再受全部覆盖下边框阴极的薄膜封装层限制，可以有效的实现更窄的下边框。此外，在所述像素限定层形成突起的挡墙，可进一步防止封装的有机层溢出。
附图说明
图1：本发明的OLED阵列基板的制作方法的第一步骤示意图。
图2：本发明的OLED阵列基板的制作方法的第二步骤示意图。
图3：本发明的OLED阵列基板的制作方法的第三步骤示意图。
图4：本发明的OLED阵列基板的制作方法的第四步骤示意图。
图5：本发明的OLED阵列基板的制作方法的第五步骤示意图。
图6：本发明的OLED阵列基板的制作方法的第六步骤示意图。
图7：本发明的OLED阵列基板的制作方法的第七步骤示意图。
图8：本发明的OLED阵列基板的制作方法的第八步骤及本发明的OLED阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
为让本发明上述目的、特征及优点更明显易懂，下文特举本发明较佳实施例，并配合附图，作详细说明。再者，本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参照附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
请参照图1-8所示，图1-8是本发明的OLED阵列基板的制作方法的步骤示意图，其中图8包含本发明的OLED阵列基板的结构示意图。特别说明的是，在图1-8之中显示的是本发明的一种OLED阵列基板100在面板下边框部分的局部剖面示意图，其只显示了最接近面板边缘的一个像素的结构。
如图1-8所示，本发明的一种OLED阵列基板100制作方法包含以下步骤：
第一步骤(如图1所示)：提供一基板11，其中一TFT层12形成在所述基板11上，一绝缘层13形成在部分的所述TFT层12上，一阳极层14形成在部分的所述绝缘层13上并与所述TFT层12连接，一像素限定层15形成在所述TFT层12、所述绝缘层13及所述阳极层14上。
在本步骤中，可利用光刻技术的涂布、曝光、显影等工艺技术来制备像素定义层。
第二步骤(如图2所示)：移除部分的所述像素限定层15，将所述像素限定层15在所述阳极层14上方形成一第一槽孔151，在所述第一槽孔151旁形成一第二槽孔152，在所述第二槽孔152旁形成一第一突出153，在所述第一突出153旁形成一第二突出154。
详细来说，所述第一槽孔151及所述第二槽孔152是所述像素限定层15蚀刻所形成的槽孔，其剖面为优选为倒梯形，所述第一突出153及所述第二突出154是所述像素限定层15蚀刻去除两侧后所留下的部分，其剖面为正梯形。至此，所述第一槽孔151及所述第二槽孔152仍属于所述像素限定层15，但所述第一突出153独立形成一挡墙，所述第二突出154上独立形成一塑料层16，所述第一突出153及所述第二突出154不属于所述像素限定层15。
此外，所述第一槽孔151、所述第二槽孔152及所述第一突出153位在一显示区A，所述第二突出154位在一弯折区B，所述弯折区B的一边邻接所述显示区A，另一边邻接一芯片区C。当所述OLED阵列基板100制作完成后，在面板下边框部分，所述弯折区B提供面板弯曲功能，以将所述芯片区C折迭至面板下方，以进一步缩小面板边缘的尺寸。
在本步骤中，可利用光刻技术的涂布、曝光、显影等工艺技术来制备像素定义层上的各槽孔及突出。
第三步骤(如图3所示)：在所述第一槽孔151内形成一发光层17，及在所述第二槽孔152内制作多个填充物181,182,183，以能够在所述第二槽孔152内形成多个不连续槽孔184,185。
优选地，在所述第二槽孔152两侧制作的填充物181,183为倒三角形或倒梯形，在所述第二槽孔152中间制作的所述填充物182为倒梯形，因此可使所述第二槽孔152内形成多个正梯形的不连续槽孔184,185。
在本步骤中，可利用热蒸发工艺，在像素限定层上形成发光层；及可利用喷墨打印工艺，在槽孔内打印有机的填充物，所述有机填充物可以是亚克力、环氧树脂等，所述有机填充物的高度可高于像素限定层的高度，且呈凸起状，并进行UV固化等。
第四步骤(如图4所示)：在所述像素限定层15上形成多个阴极层19，所述多个阴极层19形成在所述像素限定层15上，及形成所述第一槽孔151及所述第二槽孔152内。具体地，是在所述第一槽孔151内及所述第一槽孔151外部的所述像素限定层15上形成一个阴极层19，并且在所述多个填充物181,182,183表面及所述多个不连续槽孔184,185底部形成多个阴极层19。也就是说，由于所述不连续槽孔184,185的存在，可在一次制作工艺中制作出所述多个不连续的阴极层19。
在本步骤中，可利用热蒸发工艺，在发光层表面形成阴极层。
第五步骤(如图5所示)：在所述不连续槽孔184,185内及其上方形成一有机挡墙20，所述有机挡墙20高于所述阴极层19一距离，所述有机挡墙20顶部例如为一圆弧形。
第六步骤(如图6所示)：在所述像素限定层15上形成一第一无机层21，所述第一无机层21覆盖所述多个阴极层19及所述有机挡墙20，所述第一无机层21也可覆盖部分的所述TFT层12及/或所述绝缘层13，并一直覆盖至所述第一突出153形成的挡墙。然而，本步骤可依据用户实际需求来选择性实施。
在本步骤中，可利用PECVD和喷墨打印工艺对器件表面进行薄膜封装，PECVD形成的无机膜层可以是氮化硅、氮氧化硅等。
第七步骤(如图7所示)：在所述第一无机层21上形成一有机层22在所述第一槽孔151上方，也就是所述有机层22覆盖所述第一槽孔151上方的所述第一无机层21，直至所述有机挡墙20。
在本步骤中，可利用PECVD和喷墨打印工艺对器件表面进行薄膜封装，喷墨打印形成的有机膜层可以是亚克力、环氧树脂等。
第八步骤(如图8所示)：在所述有机层22上形成一第二无机层23，所述第二无机层23覆盖所述有机层22及所述第一无机层21，所述第二无机层23可进一步覆盖直至所述弯折区边缘，其中包含覆盖所述第一突出153形成的挡墙。然而，本步骤可依据用户实际需求来选择性实施。另外，用户也可依据实际需求选择性设置无机层及有机层的层数。
在本步骤中，可利用PECVD和喷墨打印工艺对器件表面进行薄膜封装，PECVD形成的无机膜层可以是氮化硅、氮氧化硅等。
如上所述，通过上述制作方法的各步骤，可制作完成本发明的一种OLED阵列基板100，其主要包含一基板11、一TFT层12、一绝缘层13、一阳极层14、一像素限定层15，其中所述TFT层12形成在所述基板11上，所述绝缘层13形成在部分的所述TFT层12上，所述阳极层14形成在部分的所述绝缘层13上并与所述TFT层12连接，所述像素限定层15形成在所述TFT层12、所述绝缘层13及所述阳极层14上。
再者，将所述像素限定层15具有一第一槽孔151及一第二槽孔152，所述第一槽孔151内形成一发光层17，所述第二槽孔152内具有多个填充物181,182,183，所述多个填充物181,182,183在所述第二槽孔152内形成多个不连续槽孔184,185。
再者，在所述像素限定层15上具有多个阴极层19，所述多个阴极层19形成在所述像素限定层15上及所述第一槽孔151及所述第二槽孔152内，具体地即是在所述第一槽孔151内及所述第一槽孔151外部的所述像素限定层15上形成一个阴极层19，并且在所述多个填充物181,182,183表面及所述多个不连续槽孔184,185底部形成多个阴极层19，所述多个阴极层19为不连续的阴极层。
在所述不连续槽孔184,185内及其上方形成一有机挡墙20，所述有机挡墙20高于所述阴极层19一距离。
所述OLED阵列基板100还包含一第一无机层21、一有机层22及一第二无机层23，其中所述第一无机层21覆盖所述多个阴极层19及所述有机挡墙20，所述第一无机层21也可覆盖部分的所述TFT层12及/或所述绝缘层13，直至所述第一突出153形成的挡墙；所述有机层22形成在所述第一无机层21上，所述有机层22覆盖所述第一槽孔151上方的所述第一无机层21，直至所述有机挡墙20；及所述第二无机层23形成在所述有机层22上，所述第二无机层23覆盖所述有机层22及所述第一无机层21，所述第二无机层23可进一步覆盖直至所述弯折区，其中包含覆盖所述第一突出153形成的挡墙。
综上所述，本发明通过将一像素限定层设置一槽孔，并通过在所述槽孔内设置多个填充物以形成多个不连续槽孔，故可在所述像素限定层上形成多个不连续的阴极层，因此当远离显示区的像素限定层表面的阴极被腐蚀，不会影响到显示区内的阴极的功能，从而不会影响到显示器件的显示效果，因此不再受全部覆盖下边框阴极的薄膜封装层限制，可以有效的实现更窄的下边框。此外，在所述像素限定层形成突起的挡墙，可进一步防止封装的有机层溢出。
本发明已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发明的范例。必需指出的是，已公开的实施例并未限制本发明的范围。相反地，包含于权利要求书的精神及范围的修改及均等设置均包含于本发明的范围内。

Claims (5)

1.一种OLED阵列基板的制作方法，其特征在于，其包含以下步骤：
提供一基板，其中一TFT层形成在所述基板上，一绝缘层形成在部分的所述TFT层上，一阳极层形成在部分的所述绝缘层上并与所述TFT层连接，一像素限定层形成在所述TFT层、所述绝缘层及所述阳极层上；
移除部分的所述像素限定层，将所述像素限定层在所述阳极层上方形成一第一槽孔，在所述第一槽孔旁形成一第二槽孔，所述第一槽孔及所述第二槽孔为倒梯形；
形成一发光层在所述第一槽孔内，及在所述第二槽孔内制作倒三角形或倒梯形的多个填充物，以在所述第二槽孔内形成多个不连续槽孔，所述多个不连续槽孔为正梯形；及
形成多个阴极层在所述像素限定层上，及形成在所述第一槽孔及所述第二槽孔内，所述多个阴极层为不连续的阴极层。
2.如权利要求1所述的OLED阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成多个阴极层的步骤之后，还包含以下步骤：形成一有机挡墙在所述不连续槽孔内及其上方。
3.如权利要求2所述的OLED阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成一有机挡墙的步骤之后，形成一有机层覆盖所述第一槽孔上方直至所述有机挡墙。
4.如权利要求3所述的OLED阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成一有机层之前，还含包含以下步骤：在所述像素限定层上形成一第一无机层，所述第一无机层覆盖所述多个阴极层及所述有机挡墙。
5.如权利要求4所述的OLED阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成一有机层之后，还含包含以下步骤：在所述有机层上形成一第二无机层，所述第二无机层覆盖所述有机层及所述第一无机层。
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