CN112310332B - Oled显示面板制备方法和oled显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法包括：在形成阻挡层之前，制备一有机膜层作为牺牲层，图案化处理牺牲层制备得到作为挡墙成型区的第一沟槽，然后在所述牺牲层表面形成一阻挡层材料，所述阻挡层材料填充所述第一沟槽，再利用掩膜板图案化处理阻挡层制备得到高/窄的挡墙结构，同时利用湿法刻蚀工艺去除第一沟槽；通过在形成阻挡层之前形成牺牲层，形成的挡墙结构的厚度等于牺牲层的厚度加上阻挡层的厚度。

Description

OLED显示面板制备方法和OLED显示面板
技术领域
本发明涉及OLED显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板制备方法和一种OLED显示面板。
背景技术
现有的OLED显示面板制备工艺中，在形成像素定义层后，会形成一阻挡层，所述阻挡层包括多个挡墙结构，由于形成和曝光等工艺的限制，所述阻挡层的厚度难以超过3微米，而在发光层的制备中，往往需要至少4微米的挡墙结构来阻挡量子点墨水的扩散，因此，现有OLED显示面板制备方法存在难以形成高/窄的挡墙结构的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种OLED显示面板制备方法和一种OLED显示面板，可缓解现有OLED显示面板制备方法存在难以形成高/窄的挡墙结构的技术问题。
本发明实施例提供一种OLED显示面板制备方法，包括：
提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成有阵列层、像素定义层；
在所述像素定义层上，制备一有机膜层，将所述有机膜层作为牺牲层；
对所述牺牲层进行图案化处理，制备得到作为挡墙成型区的第一沟槽；
在所述牺牲层表面形成一层阻挡层材料，所述阻挡层材料填充在所述第一沟槽内，位于牺牲层表面的阻挡层材料高于所述牺牲层的高度；
利用掩膜板对所述阻挡层进行图案化处理，制备得到挡墙结构。
在本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法中，在形成牺牲层的步骤中,还包括：在所述像素定义层上，制备一层聚酰亚胺材料，形成一聚酰亚胺层，将所述聚酰亚胺层作为牺牲层。
在本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法中，在形成牺牲层的步骤中,还包括：形成的所述聚酰亚胺层厚度范围为2微米至3微米。
在本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法中，在形成一阻挡层的步骤中,还包括：形成的所述阻挡层的厚度范围为2微米至3微米。
在本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法中，在形成高/窄的挡墙结构的步骤中，还包括：在所述阻挡层上形成显影液，再对所述阻挡层进行图案化处理，去除掉挡墙结构以外区域的阻挡层。
在本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法中，在形成高/窄的挡墙结构的步骤中，还包括：形成所述挡墙结构的厚度范围为4微米至6微米。
在本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法中，在形成高/窄的挡墙结构的步骤中，还包括：形成所述挡墙结构的宽度范围为9微米至11微米。
在本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法中，在形成所述牺牲层之后的步骤中，还包括；在所述牺牲层上制备一有机膜层，所述有机膜层作为补偿层，所述补偿层的厚度范围为2微米至3微米。
在本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法中，在形成所述补偿层的步骤中，还包括：所述第二沟槽的制备材料与所述第一沟槽的制备材料相同，对所述补偿层利用图案化处理制备出第二沟槽。
本发明实施例提供一种OLED显示面板，包括：衬底基板、阵列层、像素定义层、挡墙结构、发光功能层、封装层；其中，所述挡墙结构设置在所述像素定义层上，所述挡墙结构用于阻挡量子点墨水的扩散，所述挡墙结构的厚度范围为4微米至6微米。
有益效果：本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法包括：在形成阻挡层之前，制备一有机膜层作为牺牲层，图案化处理所述牺牲层制备得到作为挡墙成型区的第一沟槽，然后在所述牺牲层表面形成一阻挡层材料，所述阻挡层材料填充所述第一沟槽，再利用掩膜板图案化处理所述阻挡层制备得到高/窄的挡墙结构，同时利用湿法刻蚀工艺去除所述第一沟槽；通过在形成所述阻挡层之前形成所述牺牲层，形成的所述挡墙结构的厚度等于所述牺牲层的厚度加上所述阻挡层的厚度，缓解了现有OLED显示面板制备方法存在难以形成高/窄的挡墙结构的技术问题。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的OLED显示面板形成挡墙结构的第一种结构流程图；
图3为本发明实施例提供的OLED显示面板形成挡墙结构的第二种结构流程图；
图4为本发明实施例提供的OLED显示面板形成挡墙结构的第三种结构流程图；
图5为本发明实施例提供的OLED显示面板的截面示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
如图1所示，本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法包括：
S1:提供一衬底基板10，在所述衬底基板10上形成有阵列层、像素定义层30；
S2:在所述像素定义层30上，制备一有机膜层，将所述有机膜层作为牺牲层70；
S3:对所述牺牲层70进行图案化处理，制备得到作为挡墙结构60成型区的第一沟槽；
S4:在所述牺牲层70表面形成一层阻挡层80材料，所述阻挡层80材料填充在所述第一沟槽内，位于牺牲层70表面的阻挡层80材料高于所述牺牲层70的高度；
S5:利用掩膜板对所述阻挡层80进行图案化处理，制备得到挡墙结构60。
在本实施例中，OLED显示面板制备方法包括：在形成阻挡层80之前，制备一有机膜层作为牺牲层70，图案化处理所述牺牲层70制备得到具有挡墙结构60成型区的第一沟槽，然后在所述牺牲层表面形成一阻挡层80材料，所述阻挡层80材料填充所述第一沟槽，再利用掩膜板图案化处理所述阻挡层80制备得到高/窄的挡墙结构60，同时利用湿法刻蚀工艺去除所述第一沟槽；通过在形成所述阻挡层80之前形成所述牺牲层70，形成的所述挡墙结构60的厚度等于所述牺牲层70的厚度加上所述阻挡层80的厚度，缓解了现有OLED显示面板制备方法存在难以形成高/窄的挡墙结构60的技术问题。
其中，通过廉价的牺牲层作为去除材料，可以更节省，同时利用牺牲层的厚度作为挡墙结构的潜在厚度，可以制备得到高/窄的挡墙结构。
其中，在形成所述挡墙结构之后，可以通过利用湿法刻蚀工艺去除所述第一沟槽，再依次在所述挡墙结构上形成发光功能层、封装层。
在一种实施例中，如图2所示，在所述像素定义层30上，制备一有机膜层，将所述有机膜层作为牺牲层70，将牺牲层70定义出挡墙成型区，图案化所述牺牲层70形成第一沟槽。
在一种实施例中，如图3所示，在所述牺牲层70表面形成一层阻挡层80材料，所述阻挡层80材料填充在所述第一沟槽内，所述阻挡层80材料的厚度大于所述牺牲层70的厚度的三分之一。
在一种实施例中，如图4所示，图案化所述阻挡层制备得到高/窄的挡墙结构。
在一种实施例中，如图4所示，在形成高/窄的挡墙结构60的步骤中，还包括：在所述阻挡层80上形成显影液，再对所述阻挡层80进行图案化处理，去除掉挡墙结构60以外区域的阻挡层80。
在一种实施例中，如图4所示，在形成高/窄的挡墙结构60的步骤中，还包括：形成所述挡墙结构60的厚度范围为4微米至6微米。
其中，厚度大于4微米的挡墙结构60结构能满足喷墨打印技术中对厚墨水打印层的需求。
在一种实施例中，在形成牺牲层70的步骤中,还包括：在所述像素定义层30上，制备一层聚酰亚胺材料，形成一聚酰亚胺层，将所述聚酰亚胺层作为牺牲层70。
其中，所述聚酰亚胺材料可以通过湿法刻蚀去除，曝光显影工艺无法去除所述聚酰亚胺材料，而所述曝光显影工艺可以去除部分阻挡层80，形成所述挡墙结构60。
其中，所述牺牲层70的制备材料也可以是包括酰亚胺环的聚合物。
在一种实施例中，在形成牺牲层70的步骤中,还包括：形成的所述聚酰亚胺层厚度范围为2微米至3微米。
其中，受到曝光工艺、形成工艺的限制，所述有机膜层的厚度极限为3微米。
其中，形成的所述牺牲层70为后续步骤形成的挡墙结构60提供了潜在高度，有效的缓解了曝光工艺、以及形成工艺上的限制，可形成厚度大于4微米的挡墙结构60，以满足工业需求。
在一种实施例中，在形成一阻挡层80的步骤中,还包括：形成的所述阻挡层80的厚度范围为2微米至3微米。
其中，所述挡墙结构60的厚度范围等于所述阻挡层80厚度范围加上所述牺牲层70的厚度范围，即所述挡墙结构60的厚底范围为4微米至6微米。
在一种实施例中，在形成高/窄的挡墙结构60的步骤中，还包括：形成所述挡墙结构60的宽度范围为9微米至11微米。
其中，宽度窄的挡墙结构60结构能省下更多的面积作为透光区。
在一种实施例中，在形成所述牺牲层70之后的步骤中，还包括；在所述牺牲层70上制备一有机膜层，所述有机膜层作为补偿层，所述补偿层的厚度范围为2微米至3微米。
其中，所述挡墙结构60厚度范围为4微米至9微米。
其中，所述补偿层的制备材料可以和所述牺牲层70相同。
其中，所述补偿层的制备材料可以为聚酰亚胺材料，所述聚酰亚胺材料可以通过湿法刻蚀去除，曝光显影工艺无法去除所述聚酰亚胺材料，而所述曝光显影工艺可以去除部分阻挡层80，形成所述挡墙结构60。
其中，所述补偿层的制备材料也可以是包括酰亚胺环的聚合物。
在一种实施例中，在形成所述补偿层的步骤中，还包括：所述第二沟槽的制备材料与所述第一沟槽的制备材料相同，对所述补偿层利用图案化处理制备出第二沟槽。
其中，在对所述牺牲层70定义出所述挡墙结构60成型区之前，形成所述补偿层。
其中，形成所述补偿层后，分两步曝光所述补偿层和所述牺牲层70，形成所述第二沟槽和所述第一沟槽，所述第二沟槽和所述第一沟槽共同定义出所述挡墙结构60成型区。
在一种实施例中，在形成所述挡墙结构60后，通过喷墨打印的方式，在所述挡墙结构60之间形成一层量子点墨水，所述量子点墨水用于形成所述发光层402。
其中，所述挡墙结构60用于防止所述量子点墨水从一发光区扩散至相邻的另一发光区内。
本发明实施例提供的OLED显示面板包括衬底基板10、阵列层、像素定义层30、挡墙结构60、发光功能层40、封装层50；其中，所述挡墙结构60设置在所述像素定义层30上，所述挡墙结构60用于阻挡量子点墨水的扩散，所述挡墙结构60的厚度范围为4微米至6微米。
在本实施例中，所述OLED显示面板包括多个厚度范围为4微米至6微米的挡墙结构60，所述挡墙结构60设置在所述像素定义层30上，所述挡墙结构60用于阻挡量子点墨水的扩散，所述挡墙结构60的厚度等于所述牺牲层70的厚度加上所述阻挡层80的厚度，厚度大于4微米的挡墙结构60可以更有效地阻挡量子点墨水的扩散。
其中，所述阵列层包括遮光层201、缓冲层202、有源层203、栅绝缘层204、栅极层205、层间绝缘层206、源漏极层207、钝化层208、平坦层209，所述源漏极层207包括源极2071和漏极2072。
其中，所述发光功能层40包括第一电极层401、发光层402、第二电极层402。
其中，在所述发光功能层40上还设置有封装层50。
其中，所述挡墙结构60的截面形状为矩形或三角形。
在一种实施例中，在形成了所述挡墙结构60后，通过喷墨打印技术在相邻挡墙结构60之间形成发光层402。
在一种实施例中，所述平坦层209上形成所述挡墙结构60，通过牺牲层70定义出发光区位置。
其中，在本实施例中，所述OLED显示面板未设置像素定义层30，通过高/窄的挡墙结构60也可以定义出发光区。
在一种实施例中，在所述平坦层209上方设置有像素定义层30，所述像素定义层30包括发光区、以及位于发光区两侧的像素定义层30图案，其中，所述挡墙结构60设置在所述像素定义层30图案上。
其中，所述像素定义层30图案用于限定发光区的位置。
其中，所述高/窄的挡墙结构60用于限定量子点墨水的扩散，防止相邻发光区间量子点墨水的相互扩散，而高的挡墙结构60设置可以制备更厚的发光层402，窄的挡墙结构60设置可以增加更多的透光面积。
在一种实施例中，所述OLED显示面板还包括厚度范围为4微米至9微米的挡墙结构60。
其中，所述厚度范围为6微米至9微米的挡墙结构60，通过在制备阻挡层80之间，多形成一层补偿层，所述补偿层厚度范围为2微米至3微米。
在一种实施例中，通过增加一道或多道牺牲层70/补偿层的工艺，目的是形成高/窄的挡墙结构60从而更好的防止量子点墨水的扩散。
其中，所述高/窄的挡墙结构60的厚度范围为4微米至9微米。
本发明实施例提供的OLED显示模组包括OLED显示面板、光学膜片、反射片、扩散片、背光源、背板，所述OLED显示面板包括衬底基板10、阵列层、像素定义层30、挡墙结构60、发光功能层40、封装层50；其中，所述挡墙结构60设置在所述像素定义层30上，所述挡墙结构60用于阻挡量子点墨水的扩散，所述挡墙结构60的厚度范围为4微米至6微米。
在本实施例中，如图5所示，所述OLED显示模组包括多个厚度范围为4微米至6微米的挡墙结构60，所述挡墙结构60设置在所述像素定义层30上，所述挡墙结构60用于阻挡量子点墨水的扩散，所述挡墙结构60的厚度等于所述牺牲层70的厚度加上所述阻挡层80的厚度，厚度大于4微米的挡墙结构60可以更有效地阻挡量子点墨水的扩散。
其中，所述阵列层包括遮光层201、缓冲层202、有源层203、栅绝缘层204、栅极层205、层间绝缘层206、源漏极层207、钝化层208、平坦层209，所述源漏极层207包括源极2071和漏极2072。
其中，所述发光功能层40包括第一电极层401、发光层402、第二电极层402。
其中，在所述发光功能层40上还设置有封装层50。
其中，所述挡墙结构60的截面形状为矩形或三角形。
在一种实施例中，在OLED显示模组中，在形成了所述挡墙结构60后，通过喷墨打印技术在相邻挡墙结构60之间形成发光层402。
在一种实施例中，在OLED显示模组中，所述平坦层209上形成所述挡墙结构60，通过牺牲层70定义出发光区位置。
其中，在本实施例中，所述OLED显示面板未设置像素定义层30，通过高/窄的挡墙结构60也可以定义出发光区。
在一种实施例中，在OLED显示模组中，在所述平坦层209上方设置有像素定义层30，所述像素定义层30包括发光区、以及位于发光区两侧的像素定义层30图案，其中，所述挡墙结构60设置在所述像素定义层30图案上。
其中，所述像素定义层30图案用于限定发光区的位置。
其中，所述高/窄的挡墙结构60用于限定量子点墨水的扩散，防止相邻发光区间量子点墨水的相互扩散，而高的挡墙结构60设置可以制备更厚的发光层402，窄的挡墙结构60设置可以增加更多的透光面积。
在一种实施例中，在OLED显示模组中，所述OLED显示面板还包括厚度范围为4微米至9微米的挡墙结构60。
其中，所述厚度范围为6微米至9微米的挡墙结构60，通过在制备阻挡层80之间，多形成一层补偿层，所述补偿层厚度范围为2微米至3微米。
在一种实施例中，在OLED显示模组中，通过增加一道或多道牺牲层70/补偿层的工艺，目的是形成高/窄的挡墙结构60从而更好的防止量子点墨水的扩散。
其中，所述高/窄的挡墙结构60的厚度范围为4微米至9微米。
在本实施例中，通过在形成阻挡层80之前形成所述牺牲层70，所述牺牲层70的厚度即为挡墙结构60的潜在厚度，即挡墙结构60厚度等于牺牲层70厚度加上阻挡层80厚度，现有工艺阻挡层80和牺牲层70的形成厚度不能超过3微米，而又需要制备得到厚度大于4微米的挡墙结构60用于形成较厚的发光层402，通过形成牺牲层70提高了所述挡墙结构60的潜在厚度，有效的缓解了现有OLED显示面板制备方法存在难以形成高/窄的挡墙结构60的技术问题。
本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法包括：在形成阻挡层之前，制备一有机膜层作为牺牲层，图案化处理所述牺牲层制备得到作为挡墙成型区的第一沟槽，然后在所述牺牲层表面形成一阻挡层材料，所述阻挡层材料填充所述第一沟槽，再利用掩膜板图案化处理所述阻挡层制备得到高/窄的挡墙结构，同时利用湿法刻蚀工艺去除所述第一沟槽；通过在形成所述阻挡层之前形成所述牺牲层，形成的所述挡墙结构的厚度等于所述牺牲层的厚度加上所述阻挡层的厚度，缓解了现有OLED显示面板制备方法存在难以形成高/窄的挡墙结构的技术问题。
以上对本发明实施例所提供的一种进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种OLED显示面板制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成有阵列层、像素定义层；
在所述像素定义层上，制备一有机膜层，将所述有机膜层作为牺牲层；
对所述牺牲层进行图案化处理，制备得到作为挡墙成型区的第一沟槽；
在所述牺牲层表面形成一层阻挡层材料，所述阻挡层材料填充在所述第一沟槽内，位于牺牲层表面的阻挡层材料高于所述牺牲层的高度；
利用掩膜板对所述阻挡层材料进行图案化处理，制备得到挡墙结构。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，在形成牺牲层的步骤中,还包括：
在所述像素定义层上，制备一层聚酰亚胺材料，形成一聚酰亚胺层，将所述聚酰亚胺层作为牺牲层。
3.如权利要求2所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，在形成牺牲层的步骤中,还包括：
形成的所述聚酰亚胺层厚度范围为2微米至3微米。
4.如权利要求1所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，在形成一阻挡层的步骤中,还包括：
形成的所述阻挡层的厚度范围为2微米至3微米。
5.如权利要求1所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，在制备得到挡墙结构的步骤中，还包括：
在所述阻挡层上形成显影液，再对所述阻挡层进行图案化处理，去除掉挡墙结构以外区域的阻挡层。
6.如权利要求5所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，在制备得到挡墙结构的步骤中，还包括：
形成所述挡墙结构的厚度范围为4微米至6微米。
7.如权利要求5所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，在制备得到挡墙结构的步骤中，还包括：
形成所述挡墙结构的宽度范围为9微米至11微米。
8.如权利要求1所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，在形成所述牺牲层之后的步骤中，还包括；
在所述牺牲层上制备一有机膜层，所述有机膜层作为补偿层，所述补偿层的厚度范围为2微米至3微米。
9.如权利要求8所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，在形成所述补偿层的步骤中，还包括：
对所述补偿层利用图案化处理制备出第二沟槽，所述补偿层的制备材料与所述牺牲层的制备材料相同。
10.一种OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板采用如权利要求 1至权利要求9任一项所述的OLED显示面板制备方法制备得到，所述OLED显示面板包括：衬底基板、阵列层、像素定义层、挡墙结构、发光功能层、封装层；其中，所述挡墙结构设置在所述像素定义层上，所述挡墙结构用于阻挡量子点墨水的扩散，所述挡墙结构的厚度范围为4微米至6微米。
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