CN111416048A - 显示装置、显示装置的盖板的制作方法 - Google Patents
显示装置、显示装置的盖板的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111416048A CN111416048A CN202010256762.3A CN202010256762A CN111416048A CN 111416048 A CN111416048 A CN 111416048A CN 202010256762 A CN202010256762 A CN 202010256762A CN 111416048 A CN111416048 A CN 111416048A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- quantum dot
- display device
- black matrix
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/102—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising tin oxides, e.g. fluorine-doped SnO2
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Abstract
公开了一种显示装置,涉及显示技术领域,相对于相关技术提高了发光效率。显示装置包括盖板和与盖板相对设置的显示基板。其中,盖板包括第一衬底基板、层叠设置于第一衬底基板靠近显示基板一侧的黑矩阵和支撑层,以及设置于第一衬底基板靠近显示基板一侧的量子点层。黑矩阵和支撑层形成多个开口区域。量子点层包括多个量子点单元,每个量子点单元位于一个开口区域内。显示基板包括:第二衬底基板、设置于第二衬底基板上靠近盖板一侧的驱动电路结构,及设置于驱动电路结构远离第二衬底基板一侧的发光器件;发光器件与驱动电路结构耦接,发光器件在驱动电路结构的驱动下发出光。该显示装置用于实现显示功能。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示装置、显示装置的盖板的制作方法。
背景技术
随着显示技术的不断发展,显示装置能够实现更广色域的显示。量子点(QuantumDot,QD)显示装置具有光谱窄、色纯度高以及色域广等特点,在广色域的显示领域中具有独特的优势。
发明内容
一方面,提供一种显示装置。所述显示装置包括:盖板和与所述盖板相对设置的显示基板。其中,所述盖板包括:第一衬底基板、层叠设置于所述第一衬底基板靠近所述显示基板一侧的黑矩阵和支撑层,以及设置于所述第一衬底基板靠近所述显示基板一侧的量子点层。所述黑矩阵和所述支撑层均具有多个开口,且所述黑矩阵的多个开口分别与所述支撑层的多个开口至少部分重叠,形成多个开口区域。所述量子点层包括多个量子点单元,每个量子点单元位于一个开口区域内。其中,所述显示基板包括:第二衬底基板、设置于所述第二衬底基板上靠近所述盖板一侧的驱动电路结构,及设置于所述驱动电路结构远离所述第二衬底基板一侧的发光器件。所述发光器件与所述驱动电路结构耦接,所述发光器件在所述驱动电路结构的驱动下发出光。
在一些实施例中,所述黑矩阵相对于所述支撑层远离所述第一衬底基板。
在一些实施例中,所述支撑层具有远离所述第一衬底基板的主表面和围成其每个开口的坡面。所述盖板还包括:设置于所述黑矩阵和所述支撑层之间的光反射层,所述光反射层至少覆盖所述支撑层的坡面。
在一些实施例中,所述黑矩阵在所述第一衬底基板上的正投影的边缘与所述支撑层的主表面在所述第一衬底基板上的正投影的边缘重合或大致重合。
在一些实施例中,所述光反射层的材料包括金属材料。
在一些实施例中,所述光反射层为透明金属氧化物层、反光金属层和透明金属氧化物层依次层叠形成的叠层结构,或者为至少两层金属层层叠形成的叠层结构。
在一些实施例中,所述光反射层为铟锡氧化物层、银层和铟锡氧化物层依次层叠形成的叠层结构,或者为钼层、铝层和镍层依次层叠形成的叠层结构。
在一些实施例中,所述光反射层的厚度范围100nm~300nm。
在一些实施例中,所述量子点单元在所述第一衬底基板上的正投影的边缘处于,所述支撑层的坡面在所述第一衬底基板上的正投影的内边缘与外边缘之间。其中,所述内边缘为,该坡面正投影中靠近该坡面所围开口的中心的边缘;所述外边缘为,该坡面正投影中远离该坡面所围开口的中心的边缘。
在一些实施例中,所述支撑层具有远离所述第一衬底基板的主表面和围成所述支撑层的每个开口的坡面。所述黑矩阵覆盖所述支撑层的主表面和坡面。
在一些实施例中,所述黑矩阵相对于所述支撑层靠近所述第一衬底基板。
在一些实施例中,所述支撑层的厚度范围为10μm~30μm。
在一些实施例中,所述黑矩阵的厚度范围为1μm~2μm。
在一些实施例中,所述盖板还包括:设置于所述量子点层与所述第一衬底基板之间的彩膜层。所述彩膜层包括多个滤光单元,每个滤光单元位于一个开口区域内。
在一些实施例中,在所述发光器件在所述驱动电路结构的驱动下发出的光为蓝光的情况下,所述量子点层包括红色量子点单元和绿色量子点单元;所述彩膜层包括红色滤光单元、绿色滤光单元和蓝色滤光单元。其中,一个所述红色量子点单元与一个所述红色滤光单元位于同一开口区域内;一个绿色量子点单元与一个绿色滤光单元位于同一开口区域内。
在一些实施例中,在所述发光器件在所述驱动电路结构的驱动下发出的光为白光的情况下,所述量子点层包括红色量子点单元、绿色量子点单元和蓝色量子点单元;所述彩膜层包括红色滤光单元、绿色滤光单元和蓝色滤光单元;其中,一个所述红色量子点单元与一个所述红色滤光单元位于同一开口区域内;一个绿色量子点单元与一个绿色滤光单元位于同一开口区域内;一个蓝色量子点单元与一个蓝色滤光单元位于同一开口区域内。
在一些实施例中,所述的显示装置,包括:包括阵列式排布的多个像素单元,每个像素单元包括一个红色子像素、一个蓝色子像素和两个绿色子像素,每个像素单元所包括的各子像素沿行方向排列;沿列方向,红色子像素和蓝色子像素交替设置,形成红蓝子像素列;沿列方向,绿色子像素依次排列,形成绿色子像素列,沿行方向,所述红蓝子像素列和所述绿色子像素列交替设置。
另一方面,提供一种显示装置的盖板的制作方法,用于制作上述任一实施例所述的显示装置的盖板。该制作方法包括:提供第一衬底基板。在所述第一衬底基板上形成黑矩阵和支撑层。所述黑矩阵与所述支撑层层叠设置,所述黑矩阵和所述支撑层均具有多个开口,且所述黑矩阵的多个开口分别与所述支撑层的多个开口至少部分重叠,形成多个开口区域。在所述第一衬底基板上形成量子点层,所述量子点层包括多个量子点单元,每个量子点单元位于一个开口区域内。
在一些实施例中,所述在所述第一衬底基板上形成黑矩阵和支撑层包括:在所述第一衬底基板上形成所述支撑层;所述支撑层具有远离所述第一衬底基板的主表面和围成所述支撑层的每个开口的坡面。在所述支撑层远离所述第一衬底基板的一侧形成所述黑矩阵,所述黑矩阵至少覆盖所述支撑层的主表面。
在一些实施例中,所述显示装置的盖板的制作方法,在所述黑矩阵不覆盖所述支撑层的坡面的情况下,还包括:在形成所述支撑层的步骤与形成所述黑矩阵的步骤之间,在所述支撑层远离所述第一衬底基板的一侧形成光反射层;所述光反射层至少覆盖所述支撑层的坡面。
本公开实施例提供的显示装置,每个量子点单元位于黑矩阵和支撑层形成的开口区域内,黑矩阵和支撑层构成了每个量子点单元的挡墙结构。支撑层的材料可以采用能够制作的较厚的材料,这样,由于支撑层可以制作的较厚,从而使得黑矩阵和支撑层构成的挡墙结构也可以制作的较厚,进而可以将各量子点单元的厚度制作的较厚。因此,由于本公开实施例提供的显示面板显示装置的盖板,可以将量子点单元制作的较厚,从而使量子点单元尽可能多的对激发光线进行吸收,提高量子点单元的发光效率,进而提高了显示面板显示装置的发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案,下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图,对于本领域普通技术人员来讲,还可以根据这些附图获得其他的附图。此外,以下描述中的附图可以视作示意图,并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1为根据本公开的一些实施例提供的一种显示装置的俯视结构图;
图2A为根据本公开的一些实施例提供的一种显示装置沿剖面线AA'的剖视图;
图2B为根据本公开的一些实施例提供的另一种显示装置沿剖面线AA'的剖视图;
图2C为根据本公开的一些实施例提供的又一种显示装置沿剖面线AA'的剖视图;
图3为根据本公开的一些实施例提供的一种显示装置的盖板的结构图;
图4A为根据本公开的一些实施例提供的一种显示装置的盖板沿剖面线BB'的剖视图;
图4B为根据本公开的一些实施例提供的另一种显示装置的盖板沿剖面线BB'的剖视图;
图4C为根据本公开的一些实施例提供的又一种显示装置的盖板沿剖面线BB'的剖视图;
图5为根据本公开的一些实施例提供的又一种显示装置的盖板的结构图;
图6为根据本公开的一些实施例提供的又一种显示装置的盖板的结构图;
图7为根据本公开的一些实施例提供的一种支撑层的结构图;
图8为根据本公开的一些实施例提供的又一种显示装置的盖板的结构图;
图9为根据相关技术提供的一种显示装置的盖板的结构图;
图10为根据本公开的一些实施例提供的一种显示装置的盖板的制作方法的流程图;
图11为根据本公开的一些实施例提供的一种显示装置的盖板的各制作步骤图;
图12为根据本公开的一些实施例提供的另一种显示装置的盖板的各制作步骤图;
图13为根据本公开的一些实施例提供的又一种显示装置的盖板的各制作步骤图。
具体实施方式
下面将结合附图,对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求,否则,在整个说明书和权利要求书中,术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思,即为“包含,但不限于”。在说明书的描述中,术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外,所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时,术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本公开和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本公开的限制。
如图1、图2A、图2B和图2C所示,本公开实施例提供一种显示装置100,该显示装置100可以为手机、平板电脑等具有显示功能的显示装置。
该显示装置100包括显示装置的盖板1和显示基板2,盖板1和显示基板2相对设置。
在一些实施例中,显示装置100可以为自发光型显示装置。示例性地,显示装置100可以为OLED(Organic Light Emitting Diode,有机电致发光二极管)显示装置。在显示装置100为自发光型显示装置的情况下,显示基板2用于提供光源,即显示基板2发射出显示用的光线。显示装置的盖板1设置于显示基板2的出光侧。在显示装置100显示时,显示基板2发射出的光线穿过显示装置的盖板1后进入人眼,从而实现画面的显示。
请参阅图1,显示装置100包括显示区域AA。显示区域AA中设置有阵列式排布的多个像素单元101。每个像素单元101包括三种不同颜色的多个子像素P。示例性地,每个像素单元101包括一个红色子像素(图1中标记为R)、两个绿色子像素(图1中标记为G)和一个蓝色子像素(图1中标记为B)。每个像素单元101所包括的各子像素P沿行方向排列。沿列方向,红色子像素和蓝色子像素交替设置,形成红蓝子像素列102;沿列方向,绿色子像素依次排列,形成绿色子像素列103。沿行方向,红蓝子像素列102和绿色子像素列103交替设置。
可以理解的是,请参阅图2A、图2B和图2C,显示装置100的每个子像素P包括位于显示基板2中的一些结构和位于显示装置的盖板1中的一些结构。
请参阅图2A、图2B和图2C,显示基板2包括第二衬底基板21。在每个子像素P中,位于显示基板2中的该些结构包括设置于第二衬底基板21靠近盖板1一侧的驱动电路结构22,以及设置于驱动电路结构22远离第二衬底基板21一侧的发光器件23。其中发光器件23与驱动电路结构22耦接。在驱动电路结构22的驱动下,发光器件23发光。
请继续参阅图2A、图2B和图2C,驱动电路结构22包括多个薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,简称TFT)。示例性地,TFT包括有源层(Active)221、栅绝缘层222、栅极(Gate)223、层间绝缘层226以及源极225和漏极224。其中,漏极224和源极225同层设置,且均与有源层221电连接。
需要说明的是,本公开实施例中的TFT可以是底栅型薄膜晶体管,也可以是顶栅型薄膜晶体管。本公开实施例的附图中以TFT是顶栅型薄膜晶体管为例进行示意。
请继续参阅图2A、图2B和图2C,显示基板2还可包括设置于TFT靠近第二衬底基板21一侧的遮光层24和缓冲层25。其中,遮光层24相对于缓冲层25远离TFT设置。
请继续参阅图2A、图2B和图2C,显示基板2还可包括叠层设置于驱动电路结构22和发光器件23之间的钝化层26和平坦层27。其中,钝化层26靠近驱动电路结构22设置,平坦层27靠近发光器件23设置。
示例性地,请继续参阅图2A、图2B和图2C,发光器件23包括依次叠层设置的阳极231、像素界定层232、发光功能层233以及阴极234。
其中,阳极231与TFT的漏极224耦接。
其中,像素界定层232具有多个开口,像素界定层232的各开口与显示装置100的各子像素P的开口区域一一对应。
其中,在一些实施例中,发光功能层233覆盖像素界定层232以及像素界定层232的多个开口。可以理解的是,请参阅图2A、图2B和图2C,发光功能层233中位于像素界定层232所具有的多个开口内的部分与阳极231接触,发光功能层233中覆盖在像素界定层232上的部分不与阳极231接触。这样,在发光功能层233实现发光功能时,发光功能层233中位于像素界定层232所具有的多个开口的部分发光,发光功能层233中覆盖在像素界定层232上的部分不发光。
阴极234位于发光功能层233背向第二衬底基板21的一侧。
在一些实施例中,发光功能层233包括发光层。发光层发出的光例如为白光或蓝光。
在另一些实施例中,发光功能层233除包括发光层外,还包括电子传输层(election transporting layer,简称ETL)、电子注入层(election injection layer,简称EIL)、空穴传输层(hole transporting layer,简称HTL)以及空穴注入层(holeinjection layer,简称HIL)中的一层或多层。
请继续参阅图2A、图2B和图2C,显示基板2还包括第二薄膜封装层28。第二薄膜封装层28覆盖在阴极234背向第二衬底基板21的一侧,起到封装发光器件23的作用。
示例性地,第二薄膜封装层28可以为高阻水型膜层,可以用于防止外界的水和氧气对发光器件23造成影响。例如第二薄膜封装层28可以由氮化硅或氧化硅等材料制作而成。
请继续参阅图2A、图2B和图2C,本公开实施例的显示装置100还包括设置于显示装置的盖板1和显示基板2之间的填充物29。填充物29填充显示装置的盖板1和显示基板2对盒后之间的空隙。填充物29一方面可以起到对显示装置的盖板1支撑的作用,另一方面可以起到对显示装置的盖板1和显示基板2的封装作用。
在一些实施例中,填充物29可以是可固化的透明液体,显示装置100还包括设置在显示基板2的第二薄膜封装层28远离第二衬底基板21的一侧的填充物挡墙结构(本公开的附图中未示意出填充物挡墙结构),填充物挡墙结构呈环形围绕在第二薄膜封装层28的周边,填充物29填充在填充物挡墙结构所围绕的区域内。
需要说明的是,本公开实施例提供的显示装置100可以为顶发射型显示装置,在此情况下,靠近第二衬底基板21的阳极231不透明,远离第二衬底基板21的阴极234透明或半透明。
如图3、图4A~图4B所示,本公开实施例还提供一种显示装置的盖板1,可以应用于上述的显示装置100中。该显示装置的盖板1具有多个开口区域S。各开口区域S与显示装置100的各子像素P的开口区域一一对应。需要说明的是,在图3中,与红色子像素对应的开口区域S标记为R、与绿色子像素对应的开口区域S标记为G,与蓝色子像素对应的开口区域S标记为B。
由前述对显示装置100的显示基板2的结构说明可知,显示基板2的像素界定层232的各开口与显示装置100的各子像素P的开口区域一一对应。这样,显示装置的盖板1的各开口区域S与显示基板2的像素界定层232的各开口一一对应。基于此,在显示装置100实现显示功能时,显示基板2的发光功能层233中位于像素界定层232的各开口内的部分发射出的光线,通过显示装置的盖板1的各开口区域S后进入人眼,从而实现画面的显示。
请参阅图4A、图4B和图4C,本公开实施例提供的显示装置的盖板1包括第一衬底基板11,以及层叠设置于第一衬底基板11靠近显示基板2一侧的黑矩阵12和支撑层13。黑矩阵12和支撑层13均具有多个开口,且黑矩阵12的多个开口分别与支撑层13的多个开口至少部分重叠(例如大部分重叠,或者基本重叠),形成上述多个开口区域S。
需要说明的是,在本公开的实施例中,请结合图1、图2A、图2B和图2C,黑矩阵12用于避免显示基板2的发光功能层233发射出的侧向光线照射至相邻的子像素P,从而避免显示装100出现混色。
在本公开的实施例中,请参阅图2A、图2B和图2C,支撑层13具有特定的高度,可以用于作为隔垫物。在显示基板2和显示装置的盖板1对盒后,支撑层13用于支撑显示装置的盖板1。
请参阅图4A、图4B和图4C,本公开实施例提供的显示装置的盖板1还包括设置于第一衬底基板11上的量子点层14。量子点层14包括多个量子点单元141,每个量子点单元141位于一个开口区域S内。
需要说明的是,参阅图4A、图4B和图4C,由于各开口区域S与显示基板2的像素界定层232的各开口一一对应,因此位于各开口区域S内的各量子点单元141也与像素界定层232的各开口一一对应。这样,显示基板2的发光功能层233中位于像素界定层232的各开口内的部分发射出的光线,在通过各开口区域S的过程中,会穿过各量子点单元141。
应当理解的是,量子点是一种由Ⅱ-Ⅵ、或Ⅲ-Ⅴ族元素组成的球形半导体纳米微粒,粒径一般在几纳米至数十纳米之间。量子点材料由于量子限域效应的存在,原本连续的能带变成分立的能级结构,受外界光线激发后可发射可见光。发射出的可见光的频率会随着量子点的粒径的改变而变化。因而通过调节量子点的粒径就可以控制其发射出的光的颜色。在本公开实施例中,各量子点单元141在显示基板2的发光功能层233发射出的光线的激发下可以发出相应颜色的光。
由前述可知,发光功能层233发射出的光线可以为白光,也可以为蓝光。
在一些实施例中,如图5所示,在发光功能层233发射出的光线(也可称为激发光线)为白光的情况下,多个量子点单元141包括多个红色量子点单元(图5中标记为R)、多个绿色量子点单元(图5中标记为G)和多个蓝色量子点单元(图5中标记为B)。红色量子点单元可以吸收照射至该红色量子点单元的激发光线发射出红色光线;绿色量子点单元可以吸收照射至该绿色量子点单元的激发光线发射出绿色光线;蓝色量子点单元可以吸收照射至该蓝色量子点单元的激发光线发射出蓝色光线。
在一些实施例中,如图6所示,在发光功能层233发射出的光线为蓝光的情况下,多个量子点单元141包括多个红色量子点单元(图6中标记为R)和多个绿色量子点单元(图6中标记为G)。量子点层14还包括多个透光单元142。透光单元142用于透射蓝光。此处说明的是,透光单元142是指黑矩阵12和支撑层13所形成的多个开口区域S中未设置有量子点单元141的开口区域S。应当理解的是,透光单元142的材料可以是后续形成的第一薄膜封装层15的材料,也就是说,可以在形成第一薄膜封装层15的步骤中同时形成透光单元142,以节省工艺步骤。这样,红色量子点单元可以吸收照射至该红色量子点单元的激发光线发射出红色光线;绿色量子点单元可以吸收照射至该绿色量子点单元的激发光线发射出绿色光线;透光单元可以直接透射蓝色光线。从而无需设置发出蓝色光线的量子点单元,简化工艺,节省材料。
受量子点材料性能的影响,量子点单元可能无法完全吸收照射至上述量子点单元的激发光线。在相关技术中,通过增加量子点单元的厚度,可以使量子点单元尽可能多的对激发光线进行吸收,提高量子点单元的发光效率。在相关技术中,将黑矩阵作为挡墙结构隔离各量子点单元,以保证不同颜色的量子点单元之间不会出现混色现象。受黑矩阵的材料以及制造工艺的影响,黑矩阵的厚度还不能做到2μm以上的水准,这样,各量子点单元的厚度也就不能做到2μm以上的水准。因此单纯依靠黑矩阵作为挡墙结构隔离各量子点单元,很难将量子点单元做厚,这样就制约了量子点单元的厚度。
本公开实施例提供的显示装置的盖板1,每个量子点单元141位于黑矩阵12和支撑层13形成的开口区域S内,黑矩阵12和支撑层13构成了每个量子点单元141的挡墙结构。支撑层13的材料可以采用能够制作的较厚的材料,这样,由于支撑层13可以制作的较厚,从而使得黑矩阵12和支撑层13构成的挡墙结构也可以制作的较厚,进而可以将各量子点单元141的厚度制作的较厚。因此,由于本公开实施例提供的显示面板显示装置的盖板1,可以将量子点单元14制作的较厚,从而使量子点单元14尽可能多的对激发光线进行吸收,提高量子点单元的发光效率,进而提高了显示面板显示装置100的发光效率。
需要说明的是,在本公开实施例中,支撑层13的材料是能够制作的较厚的材料。示例性的,支撑层13由光刻胶制作而成,由光刻胶制作而成的支撑层13的厚度可以达到10μm以上的水准。例如,光刻胶包括包括丙烯酸酯。
示例性地,支撑层13的厚度范围为10μm~30μm。例如,支撑层13的厚度为10μm、15μm、20μm或25μm。
示例性地,黑矩阵12的厚度范围为1μm~2μm。例如,黑矩阵12的厚度为1.1μm、1.5μm或1.7μm。
例如,在支撑层13的厚度为10μm,黑矩阵12的厚度为1μm的情况下,黑矩阵12和支撑层13构成的挡墙结构的厚度可以达到11μm。这样,位于各开口区域S内的各量子点单元141的厚度也可以制作到11μm。相对于相关技术中,量子点单元141的厚度还不能做到2μm以上的水准的情况,本公开实施例中的各量子点单元141的厚度至少增加了9μm。
另外,由于本公开实施例提供的显示装置的盖板1,可以将量子点单元14制作得较厚,从而使量子点单元14尽可能多的对激发光线进行吸收,提高量子点单元的发光效率。如图6所示,在发光功能层233发射出的光线为蓝光,多个量子点单元141包括多个红色量子点单元(图6中标记为R)和多个绿色量子点单元(图6中标记为G),蓝光未经量子点单元处理直接显示的情况下,可以将绿色量子点单元和红色量子点单元制作得较厚,从而使绿色量子点单元和红色量子点单元尽可能多的对激发光线进行吸收,提高绿色量子点单元和红色量子点单元对蓝光的转化效率,进而提高显示装置100的红光和绿光亮度,减小红光和绿光与蓝光之间的亮度差,以提高显示装置100的整体亮度的均一性。
本公开实施例对于黑矩阵12的材料不进行限定,可以以能够达到防止像素漏光的功能为标准进行材料的选取。示例性地,黑矩阵12的材料可以为金属材料,例如,铬、铝、银或铝银合金等。
需要说明的是,如图4A、图4B和图4C所示,本公开实施例提供的显示装置的盖板1还包括用于封装量子点层14的第一薄膜封装层15。第一薄膜封装层15设置于支撑层13和量子点层14远离第一衬底基板11的一侧。如图2A、图2B和图2C所示,在显示基板2和显示装置的盖板1对盒形成显示装置100后,第一薄膜封装层15和第二薄膜封装层28相对设置,前文中提到的填充物29设置于第一薄膜封装层15和第二薄膜封装层28之间。第一薄膜封装层15和第二薄膜封装层28,以及设置于二者之间的填充物29构成封装结构,起到对显示装置100封装的作用。
另外,由前述可知,显示装置100可以是顶发射型显示装置。请参阅图2A、图2B和图2C,显示基板1的发光功能层233发出的光依次透过阴极234、第二薄膜封装层28和第一薄膜封装层15照射至量子点层14。量子点层14中的各量子点单元141吸收照射至该量子点单元141的光线发射出相应颜色的光线,实现彩色显示。
黑矩阵12遮挡各子像素的光线,尽可能地防止各子像素的光线照射至相邻的子像素,从而尽可能地避免显示装置100出现混色。然而由于位于黑矩阵12和阳极231(不透明)之间的各膜层为透明材料,各子像素的光线容易穿过位于黑矩阵12和阳极231(不透明)之间的各膜层照射至相邻的子像素,造成显示装置1A出现混色。
可以理解的是,黑矩阵12和阳极231(不透明)之间的距离L越大,各子像素的光线越容易穿过位于黑矩阵12和阳极231(不透明)之间的各膜层照射至相邻的子像素;黑矩阵12和阳极231(不透明)之间的距离L越小,各子像素的光线越不容易穿过位于黑矩阵12和阳极231(不透明)之间的各膜层照射至相邻的子像素。
请继续参阅图2A、图2B和图2C,黑矩阵12和阳极231之间的距离L是指,在垂直于第一衬底基板11的方向上,黑矩阵12远离第一衬底基板11一侧的表面,与阳极231远离第二衬底基板21一侧的表面之间的距离。也就是说,黑矩阵12和阳极231之间的距离L等于位于黑矩阵12和阳极231之间的各膜层的厚度之和。
在本公开实施例中,可以是黑矩阵12相对于支撑层13远离第一衬底基板11,也可以是黑矩阵12相对于支撑层13靠近第一衬底基板11。例如,在一些实施例中,如图4A所示,黑矩阵12相对于支撑层13靠近第一衬底基板11。在另一些实施例中,如图4B和图4C所示,黑矩阵12相对于支撑层13远离第一衬底基板11。
如图2A所示,在黑矩阵12相对于支撑层13靠近第一衬底基板11的情况下,位于黑矩阵12和阳极231之间的各膜层包括支撑层13、第一薄膜封装层17、第二薄膜封装层28、阴极234、发光功能层233以及像素界定层232。黑矩阵12和阳极231之间的距离L,等于支撑层13、第一薄膜封装层15、第二薄膜封装层28、阴极234、发光功能层233以及像素界定层232的厚度的总和。
需要说明的是,此处像素界定层232的厚度是指,像素界定层232中,除位于平坦层27和钝化层26中的过孔(即用于接触TFT的漏极224的过孔)内的部分以外的部分的厚度。
如图2B和图2C所示,在黑矩阵12相对于支撑层13远离第一衬底基板11情况下,位于黑矩阵12和阳极231之间的各膜层包括第一薄膜封装层17、第二薄膜封装层28、阴极234、发光功能层233以及像素界定层232。黑矩阵12和阳极231之间的距离L等于,第一薄膜封装层17、第二薄膜封装层28、阴极234、发光功能层233以及像素界定层232的厚度的总和。
可见,在此情况下,本公开实施例提供的显示装置的盖板1即使设置了支撑层13,也不会导致黑矩阵12和阳极231之间的距离L增加。这样本公开实施例提供的显示装置的盖板1在应用于显示装置100时,在能够提高显示装置100发光效率的同时,不会影响黑矩阵12的遮光效果和防混色效果。
可以理解的是,如图4A、图4B和图4C所示,支撑层13具有远离第一衬底基板11的主表面131和围成支撑层13的每个开口的坡面132。
示例性地,如图4A、图4B和图4C所示,支撑层13呈梯台结构(图2A、图2B、图2C、图4A、图4B和图4C仅示意出该梯台结构的一部分)。如图7所示,支撑层13在垂直于第一衬底基板11远离第一衬底基板11的方向上的截面为梯形。支撑层13的主表面131的截面形成该梯形远离第一衬底基板11的底边,支撑层13的坡面132的截面形成该梯形的侧边。
在一些实施例中,如图4A、图4B和图4C所示,支撑层13呈正梯台结构。
此处,所谓“支撑层13呈正梯台结构”具体是指:如图4A、图4B和图4C所示,支撑层13在垂直于第一衬底基板11方向上的截面为正梯形,该截面平行于第一衬底基板11的两边中,远离第一衬底基板11的一边的边长小于靠近第一衬底基板11的一边的边长。
需要指出的是,在支撑层13呈正梯台结构的情况下,如图7所示,由于其坡面132与其底面133(即支撑层13靠近第一衬底基板11的一面)的夹角α呈锐角,因此坡面132所围成的支撑层13的各开口,在远离第一衬底基板11处的宽度D1大于在靠近第一衬底基板11处的宽度D2,这样减小了支撑层13对后续采用喷墨打印工艺形成量子点层14的过程的影响。
需要说明的是,喷墨打印工艺是指预先在基板上制作挡墙结构,然后将墨滴滴入挡墙结构限定的区域内。例如在本公开实施例中,采用喷墨打印工艺形成量子点层14是指将量子点材料滴入各开口区域S内。
在一些实施例中,请参阅图2A,在黑矩阵12相对于支撑层13靠近第一衬底基板11的情况下,黑矩阵12与支撑层13的底面(即支撑层13靠近第一衬底基板11的一面)重合。
在一些实施例中,请参阅图2B和图2C,在黑矩阵12相对于支撑层13远离第一衬底基板11的情况下,黑矩阵12至少覆盖支撑层13的主表面131。并且在此情况下,为了防止各子像素的发光器件23发射出的侧向光线穿过支撑层13照射至相邻的子像素,需要对支撑层13的坡面132进行遮光。
示例性地,请参阅图4B,可以采用黑矩阵12对支撑层13的坡面132进行遮光,即黑矩阵12不仅覆盖支撑层13的主表面131,还覆盖支撑层13的坡面132。如图2B所示,这样可以防止各子像素的发光器件23发射出的侧向光线穿过支撑层13照射至相邻的子像素,从而避免显示面板100出现混色。
示例性地,请参阅图4C,可以通过在支撑层13的坡面132上覆盖反射层16对支撑层13的坡面132进行遮光。例如,本公开实施例提供的显示装置的盖板1还包括:设置于黑矩阵12和支撑层13之间的光反射层16。光反射层16至少覆盖支撑层13的坡面132(例如覆盖坡面132的大部分或者全部)。这样,光反射层16覆盖在支撑层13的坡面132的部分可以将各子像素的发光器件23发射出的侧向光线反射回该子像素的开口区域。因此,光反射层16,一方面,可以将各个像素发出的光限制在该子像素内,防止其射至相邻的子像素,从而避免显示装置100出现混色;另一方面,可以提高各个像素内的出光效率,提高光的利用率。
需要说明的是,在本公开实施例中,如图7所示,由于支撑层13的厚度较大,经过曝光显影之后坡面132的坡度(即坡面132与其底面133的夹角α)较小、坡长H较长,因此坡面132的宽度D3较大。例如,坡面132的宽度D3可达5.5μm。
此处,坡面132的宽度D3是指,如图8所示,坡面132在第一衬底基板11上的正投影的内边缘132a与外边缘132b之间的距离。其中,内边缘132a是坡面132正投影中靠近坡面132所围开口的中心O的边缘;外边缘132b是坡面132正投影中远离坡面132所围开口的中心O的边缘。
可以理解的是,在支撑层13的坡面132覆盖有光反射层16的情况下,如图8所示,光反射层16可以将照射至坡面132上的光线反射回子像素内重新利用,这就相当于将子像素的开口区域增加了一部分(即图8中的阴影部分)。具体地,该增加的部分对应于支撑层13的内边缘132a与外边缘132b之的部分,即相当于子像素的开口区域的边缘向外扩宽D3。
在本公开实施例中,光反射层15的材料包括金属材料。例如光反射层15由银、钼、铝或镍等金属材料制成。
在本公开实施例中,光反射层15可以是单层结构还可以是叠层结构。在光反射层15是单层结构的情况下,例如可以是单层银、单层钼、单层铝或单层镍。在光反射层15是叠层结构的情况下,例如可以是铟锡氧化物层、银层和铟锡氧化物层依次层叠形成的叠层结构;又如可以是至少两层金属层层叠形成的叠层结构,示例性地,钼层、铝层和镍层依次层叠形成的叠层结构。
在一些实施例中,光反射层15的厚度范围为100nm~300nm,例如,光反射层15的厚度为100nm、200nm或300nm。
在相关技术中,如图9所示,量子点单元141'采用喷墨打印工艺形成,在实际打印过程中,受到挡墙结构013的影响,量子点单元141'成膜后的形貌多为中间厚两边薄,即量子点单元141'在靠近挡墙结构013处较薄,在远离挡墙结构013处较厚。若量子点单元141'在第一衬底基板11'上的正投影的边缘与挡墙结构013的坡面在第一衬底基板11上的正投影的外边缘重合,量子点单元141'远离第一衬底基板11'的一面将会凸出于挡墙结构013远离第一衬底基板11'的一面,这样将不利于量子点单元141'的封装。
因此,请参阅图8,在一些实施例中,量子点单元141在第一衬底基板11上的正投影的边缘处于,支撑层13的坡面132在第一衬底基板11上的正投影的内边缘132a与外边缘132b之间。也可以说,支撑层13的坡面132在第一衬底基板11上的正投影至少部分与量子点单元141在第一衬底基板11上的正投影重合。这样可以保证量子点单元141被限定在支撑层13的开口内,即,量子点单元141远离第一衬底基板11的一面不会凸出或者大致地不会凸出于支撑层13远离第一衬底基板11的一面,有利于后续对量子点单元141的封装。
在一些实施例中,如图4A、图4B和图4C所示,本公开实施例提供的显示装置的盖板1,还包括设置于量子点单元141与第一衬底基板11之间的彩膜层17。彩膜层17包括多个滤光单元171,每个滤光单元171位于一个开口区域S内。
位于一个开口区域S内的滤光单元171和量子点单元141所对应的颜色相同。例如,如图6所示,在一些实施例中,在多个滤光单元171包括多个红色滤光单元、多个绿色滤光单元和多个蓝色滤光单元,多个量子点单元141包括多个红色量子点单元、多个绿色量子点单元的情况下,多个红色滤光单元和多个红色量子点单元位于一个开口区域S内;多个绿色滤光单元和多个绿色量子点单元位于一个开口区域S内。
可以理解的是,由于量子点单元无法完全吸收照射至该量子点单元的激发光线,因此显示基板2的发光功能层233发出的光线在穿过各量子点单元后,有部分光线仍然显示为其原先的颜色。滤光单元171可以对该部分光线进行滤光,避免显示装100出现混色。
如图10~图13所示,本公开实施例还提供一种显示装置的盖板的制作方法,用于制作上述任一实施例所述的显示装置的盖板1。该制作方法包括S1~S3:
S1:提供第一衬底基板11。
S2:在第一衬底基板11上形成黑矩阵12和支撑层13。
其中,黑矩阵12和支撑层13层叠设置。黑矩阵12和支撑层13均具有多个开口,且黑矩阵12的多个开口分别与支撑层13的多个开口至少部分重叠,形成多个开口区域S。
示例性地,形成黑矩阵12包括:可以采用旋涂或刮涂等工艺,采用黑矩阵材料的溶液,在第一衬底基板上形成黑矩阵材料层,接着对黑矩阵材料层进行烘烤,去除黑矩阵材料层中的溶剂,然后对烘烤以后的黑矩阵材料层依次进行曝光和显影,图案化黑矩阵材料层,形成多个开口,得到黑矩阵12,最后通过烘烤的方式对黑矩阵进行固化。
示例性地,形成支撑层13包括:可以采用旋涂或刮涂等工艺,在第一衬底基板上形成光刻胶,除去光刻胶中的溶剂,得到光刻胶膜层,然后对光刻胶膜层依次进行曝光和显影,图案化光刻胶膜层,形成多个开口,得到支撑层13。
在上述S2中,对黑矩阵12和支撑层13的形成次序并不设限。
示例性地,如图11所示,先形成黑矩阵12,再形成支撑层13。在此情况下,黑矩阵12和支撑层13的形状、结构等可参见前面对于图2A和图4A所对应的实施例的相关描述,此处不再赘述。
示例性地,如图12和图13所示,先形成支撑层13,再形成黑矩阵12。
在此情况下,例如,如图12所示,S2中在第一衬底基板11上形成黑矩阵12和支撑层13包括:
在第一衬底基板11上形成支撑层13。支撑层13具有远离第一衬底基板11的主表面131和围成支撑层13的每个开口的坡面132。
在支撑层13远离第一衬底基板11的一侧形成黑矩阵。黑矩阵12至少覆盖支撑层的主表面131,例如,黑矩阵12覆盖支撑层的主表面131和坡面132。
又如,如图13所示,S2中在第一衬底基板11上形成黑矩阵12和支撑层13包括:
在第一衬底基板11上形成支撑层13。支撑层13具有远离第一衬底基板11的主表面131和围成支撑层13的每个开口的坡面132。
在支撑层13远离第一衬底基板11的一侧形成光反射层16。光反射层16至少覆盖支撑层13的坡面132,例如,光反射层16覆盖支撑层的主表面131和坡面132。
在支撑层13远离第一衬底基板11的一侧形成黑矩阵。黑矩阵12覆盖支撑层的主表面131。
S3:在第一衬底基板上形成量子点层14。量子点层14包括多个量子点单元141,每个量子点单元141位于一个开口区域S内。
示例性地,可以采用喷墨打印工艺在开口区域S内中打印量子点材料,并对量子点材料进行固化得到量子点单元141。
量子点层14的形状、结构等可参见前面的相关描述,此处不再赘述。
另外,在一些实施例中,上述显示装置的盖板的制作方法还包括形成彩膜层的步骤,形成彩膜层的步骤例如可在形成黑矩阵12和支撑层13的步骤之前,彩膜层的形状、结构等可参见前面的相关描述,此处不再赘述。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (20)
1.一种显示装置,包括:
盖板和与所述盖板相对设置的显示基板;
其中,所述盖板包括:第一衬底基板;
层叠设置于所述第一衬底基板靠近所述显示基板一侧的黑矩阵和支撑层,所述黑矩阵和所述支撑层均具有多个开口,且所述黑矩阵的多个开口分别与所述支撑层的多个开口至少部分重叠,形成多个开口区域;及
设置于所述第一衬底基板靠近所述显示基板一侧的量子点层,所述量子点层包括多个量子点单元,每个量子点单元位于一个开口区域内;
所述显示基板包括:
第二衬底基板;
设置于所述第二衬底基板靠近所述盖板一侧的驱动电路结构;及
设置于所述驱动电路结构远离所述第二衬底基板一侧的发光器件,所述发光器件与所述驱动电路结构耦接,所述发光器件在所述驱动电路结构的驱动下发出光。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述黑矩阵相对于所述支撑层远离所述第一衬底基板。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述支撑层具有远离所述第一衬底基板的主表面和围成其每个开口的坡面;
所述盖板还包括:
设置于所述黑矩阵和所述支撑层之间的光反射层,所述光反射层至少覆盖所述支撑层的坡面。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述黑矩阵在所述第一衬底基板上的正投影的边缘与所述支撑层的主表面在所述第一衬底基板上的正投影的边缘重合或大致重合。
5.根据权利要求3或4所述的显示装置,其中,所述光反射层的材料包括金属材料。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述光反射层为透明金属氧化物层、反光金属层和透明金属氧化物层依次层叠形成的叠层结构,或者为至少两层金属层层叠形成的叠层结构。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述光反射层为铟锡氧化物层、银层和铟锡氧化物层依次层叠形成的叠层结构,或者为钼层、铝层和镍层依次层叠形成的叠层结构。
8.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述光反射层的厚度范围为100nm~300nm。
9.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述量子点单元在所述第一衬底基板上的正投影的边缘处于,所述支撑层的坡面在所述第一衬底基板上的正投影的内边缘与外边缘之间;其中,所述内边缘为,该坡面正投影中靠近该坡面所围开口的中心的边缘;所述外边缘为,该坡面正投影中远离该坡面所围开口的中心的边缘。
10.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述支撑层具有远离所述第一衬底基板的主表面和围成所述支撑层的每个开口的坡面;
所述黑矩阵覆盖所述支撑层的主表面和坡面。
11.根据权利要求1所述的显示装置的盖板,其中,所述黑矩阵相对于所述支撑层靠近所述第一衬底基板。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述支撑层的厚度范围为10μm~30μm。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述黑矩阵的厚度范围为1μm~2μm。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述盖板还包括:
设置于所述量子点层与所述第一衬底基板之间的彩膜层;
所述彩膜层包括多个滤光单元,每个滤光单元位于一个开口区域内。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,在所述发光器件在所述驱动电路结构的驱动下发出的光为蓝光的情况下,
所述量子点层包括红色量子点单元和绿色量子点单元;
所述彩膜层包括红色滤光单元、绿色滤光单元和蓝色滤光单元;
其中,一个所述红色量子点单元与一个所述红色滤光单元位于同一开口区域内;一个绿色量子点单元与一个绿色滤光单元位于同一开口区域内。
16.根据权利要求14所述的显示装置,其中,在所述发光器件在所述驱动电路结构的驱动下发出的光为白光的情况下,
所述量子点层包括红色量子点单元、绿色量子点单元和蓝色量子点单元;
所述彩膜层包括红色滤光单元、绿色滤光单元和蓝色滤光单元;
其中,一个所述红色量子点单元与一个所述红色滤光单元位于同一开口区域内;一个绿色量子点单元与一个绿色滤光单元位于同一开口区域内;一个蓝色量子点单元与一个蓝色滤光单元位于同一开口区域内。
17.根据权利要求1所述的显示装置,包括:
包括阵列式排布的多个像素单元,每个像素单元包括一个红色子像素、一个蓝色子像素和两个绿色子像素,每个像素单元所包括的各子像素沿行方向排列;
沿列方向,红色子像素和蓝色子像素交替设置,形成红蓝子像素列;沿列方向,绿色子像素依次排列,形成绿色子像素列,
沿行方向,所述红蓝子像素列和所述绿色子像素列交替设置。
18.一种显示装置的盖板的制作方法,用于制作权利要求1~17任一项所述的显示装置的盖板,包括:
提供第一衬底基板;
在所述第一衬底基板上形成黑矩阵和支撑层;所述黑矩阵与所述支撑层层叠设置,所述黑矩阵和所述支撑层均具有多个开口,且所述黑矩阵的多个开口分别与所述支撑层的多个开口至少部分重叠,形成多个开口区域;
在所述第一衬底基板上形成量子点层;所述量子点层包括多个量子点单元,每个量子点单元位于一个开口区域内。
19.根据权利要求18所述的显示装置的盖板的制作方法,其中,所述在所述第一衬底基板上形成黑矩阵和支撑层,包括:
在所述第一衬底基板上形成所述支撑层;所述支撑层具有远离所述第一衬底基板的主表面和围成所述支撑层的每个开口的坡面;
在所述支撑层远离所述第一衬底基板的一侧形成所述黑矩阵;所述黑矩阵至少覆盖所述支撑层的主表面。
20.根据权利要求19所述的显示装置的盖板的制作方法,其中,在所述黑矩阵不覆盖所述支撑层的坡面的情况下,所述制作方法还包括:
在形成所述支撑层的步骤与形成所述黑矩阵的步骤之间,在所述支撑层远离所述第一衬底基板的一侧形成光反射层;所述光反射层至少覆盖所述支撑层的坡面。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010256762.3A CN111416048B (zh) | 2020-04-02 | 2020-04-02 | 显示装置、显示装置的盖板的制作方法 |
US17/770,595 US20220399530A1 (en) | 2020-04-02 | 2021-03-09 | Display apparatus, and method for manufacturing cover plate of display apparatus |
PCT/CN2021/079800 WO2021196995A1 (zh) | 2020-04-02 | 2021-03-09 | 显示装置、显示装置的盖板的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010256762.3A CN111416048B (zh) | 2020-04-02 | 2020-04-02 | 显示装置、显示装置的盖板的制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111416048A true CN111416048A (zh) | 2020-07-14 |
CN111416048B CN111416048B (zh) | 2022-09-09 |
Family
ID=71494799
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010256762.3A Active CN111416048B (zh) | 2020-04-02 | 2020-04-02 | 显示装置、显示装置的盖板的制作方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220399530A1 (zh) |
CN (1) | CN111416048B (zh) |
WO (1) | WO2021196995A1 (zh) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112382733A (zh) * | 2020-11-16 | 2021-02-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示面板、柔性显示装置以及制作方法 |
CN112951888A (zh) * | 2021-01-28 | 2021-06-11 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN113130613A (zh) * | 2021-04-13 | 2021-07-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、装置及其制备方法 |
CN113178138A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-07-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置及其制备方法 |
WO2021196995A1 (zh) * | 2020-04-02 | 2021-10-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示装置的盖板的制作方法 |
CN113571663A (zh) * | 2021-07-22 | 2021-10-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示设备 |
CN113644219A (zh) * | 2021-08-10 | 2021-11-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
US20220328573A1 (en) * | 2020-09-10 | 2022-10-13 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Pixel array and display device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116963533A (zh) * | 2022-04-11 | 2023-10-27 | 北京京东方技术开发有限公司 | 显示基板以及显示装置 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104377226A (zh) * | 2013-08-14 | 2015-02-25 | 业鑫科技顾问股份有限公司 | 显示面板 |
US20150185381A1 (en) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | Ye Xin Technology Consulting Co., Ltd. | Display device with color conversion layer for full-color display |
CN106707607A (zh) * | 2017-03-20 | 2017-05-24 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种量子点彩色滤光片及其制造方法、显示装置 |
CN108345142A (zh) * | 2017-01-25 | 2018-07-31 | 群创光电股份有限公司 | 显示设备 |
CN108873465A (zh) * | 2018-09-04 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN108922914A (zh) * | 2018-08-03 | 2018-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及显示装置 |
CN109375410A (zh) * | 2018-10-25 | 2019-02-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | 彩色滤光基板及液晶显示装置 |
CN109491136A (zh) * | 2019-01-16 | 2019-03-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种滤光结构及其制备方法、显示装置 |
US20190157354A1 (en) * | 2017-11-21 | 2019-05-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Color control encapsulation layer and display apparatus including the same |
CN110618555A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
CN111863874A (zh) * | 2019-04-26 | 2020-10-30 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111416048B (zh) * | 2020-04-02 | 2022-09-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示装置的盖板的制作方法 |
-
2020
- 2020-04-02 CN CN202010256762.3A patent/CN111416048B/zh active Active
-
2021
- 2021-03-09 US US17/770,595 patent/US20220399530A1/en active Pending
- 2021-03-09 WO PCT/CN2021/079800 patent/WO2021196995A1/zh active Application Filing
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104377226A (zh) * | 2013-08-14 | 2015-02-25 | 业鑫科技顾问股份有限公司 | 显示面板 |
US20150185381A1 (en) * | 2013-12-26 | 2015-07-02 | Ye Xin Technology Consulting Co., Ltd. | Display device with color conversion layer for full-color display |
CN108345142A (zh) * | 2017-01-25 | 2018-07-31 | 群创光电股份有限公司 | 显示设备 |
CN106707607A (zh) * | 2017-03-20 | 2017-05-24 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种量子点彩色滤光片及其制造方法、显示装置 |
US20190157354A1 (en) * | 2017-11-21 | 2019-05-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Color control encapsulation layer and display apparatus including the same |
CN108922914A (zh) * | 2018-08-03 | 2018-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及显示装置 |
CN108873465A (zh) * | 2018-09-04 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN109375410A (zh) * | 2018-10-25 | 2019-02-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | 彩色滤光基板及液晶显示装置 |
CN109491136A (zh) * | 2019-01-16 | 2019-03-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种滤光结构及其制备方法、显示装置 |
CN111863874A (zh) * | 2019-04-26 | 2020-10-30 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
CN110618555A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021196995A1 (zh) * | 2020-04-02 | 2021-10-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示装置的盖板的制作方法 |
US20220328573A1 (en) * | 2020-09-10 | 2022-10-13 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Pixel array and display device |
CN112382733A (zh) * | 2020-11-16 | 2021-02-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示面板、柔性显示装置以及制作方法 |
CN112951888A (zh) * | 2021-01-28 | 2021-06-11 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN113130613A (zh) * | 2021-04-13 | 2021-07-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、装置及其制备方法 |
CN113130613B (zh) * | 2021-04-13 | 2023-08-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、装置及其制备方法 |
CN113178138A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-07-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置及其制备方法 |
CN113571663A (zh) * | 2021-07-22 | 2021-10-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示设备 |
CN113644219A (zh) * | 2021-08-10 | 2021-11-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021196995A1 (zh) | 2021-10-07 |
US20220399530A1 (en) | 2022-12-15 |
CN111416048B (zh) | 2022-09-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111416048B (zh) | 显示装置、显示装置的盖板的制作方法 | |
KR102093628B1 (ko) | 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 | |
TWI545743B (zh) | 有機el裝置、有機el裝置之製造方法、及電子機器 | |
JP5601025B2 (ja) | 電気光学装置及び電気光学装置の製造方法、並びに電子機器 | |
US20210050388A1 (en) | Display device | |
US9305489B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
US11309505B2 (en) | Display panel and display device | |
CN107204359B (zh) | 发光器件、像素界定层及其制造方法 | |
KR20170080790A (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 및 그의 제조 방법 | |
US11910685B2 (en) | Display device having through hole at light blocking region and method of providing the same | |
CN110098242B (zh) | 一种彩膜层及其制备方法、显示面板 | |
KR20190023268A (ko) | 플렉서블 컬러 필터 기판 및 이를 포함하는 플렉서블 발광 디스플레이 장치 | |
WO2020001061A1 (zh) | 显示基板及制造方法、显示装置 | |
KR20180128387A (ko) | 디스플레이 기판, 디스플레이 장치, 및 디스플레이 기판을 제조하는 방법 | |
CN112534583A (zh) | 显示基板、显示装置及高精度金属掩模板 | |
JP2011090925A (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
CN115485848A (zh) | 显示基板、显示装置及高精度金属掩模板 | |
CN111403462B (zh) | 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置 | |
CN114005853A (zh) | 显示装置 | |
CN110320702B (zh) | 基板及其制备方法、显示面板 | |
US11609368B2 (en) | Display device having bank layers | |
WO2022094973A1 (zh) | 显示面板及显示装置 | |
WO2021218587A1 (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
CN110376781B (zh) | 一种基板及其制备方法、显示面板 | |
JP2013080661A (ja) | 表示装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |