CN113130613B - 显示基板、装置及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种显示基板、装置及其制备方法。具体地，所述显示基板包括：基底；阵列排布的发光元件，设置在所述基底上；以及反射结构，设置在所述发光元件的远离所述基底的一侧，并被配置为反射所述发光元件发出的侧向光，使得所述侧向光能够从所述显示基板射出。利用反射结构调整发光元件发出的侧向光，使得所述侧向光能够从所述显示基板射出，进而降低侧向光的损失，有效提高显示基板的整体出光效率。

Description

显示基板、装置及其制备方法
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板、装置及其制备方法。
背景技术
自发光显示基板利用电子与空穴复合时辐射出的可见光实现显示功能，无需背光源和液晶模组，具有低功耗、浅薄等优势，广泛应用于电子产品。然而，相关技术中，自发光显示基板在光产生进入外部环境的过程中存在光损失，正视出光效率低。
发明内容
有鉴于此，本公开的目的在于提出一种显示基板、装置及其制备方法。
基于上述目的，第一方面，本公开提供了一种显示基板，包括：
基底；
阵列排布的发光元件，设置在所述基底上；以及
反射结构，设置在所述发光元件的远离所述基底的一侧，并被配置为反射所述发光元件发出的侧向光，使得所述侧向光能够从所述显示基板射出。
进一步地，所述反射结构包括反射侧面；所述反射侧面用于反射所述发光元件发出的侧向光。
进一步地，还包括：
像素界定层，设置在所述基底上，并被配置为划分所述发光元件及所述发光元件的周边区域；
所述反射侧面在所述基底上的正投影位于所述发光元件的周边区域在所述基底上的正投影中。
进一步地，所述反射侧面在所述基底上的正投影环绕或者部分环绕所述发光元件在所述基底上的正投影的周围。
进一步地，所述反射结构还包括支撑部；所述反射侧面设置在所述支撑部的侧面。
进一步地，所述支撑部覆盖由所述像素界定层限定出的开口区；并且所述支撑部的侧面朝向所述开口区倾斜。
进一步地，所述支撑部与所述像素界定层限定出的开口区无重叠；并且所述支撑部的侧面向远离所述开口区的方向倾斜。
进一步地，还包括：
吸光层，被配置为吸收光路对准所述反射结构的环境光；其中，所述吸光层在所述基底上的正投影位于所述像素界定层在所述基底上的正投影中。
进一步地，还包括：
封装层，设置在阵列排布的发光元件上；
所述反射结构位于所述封装层内。
进一步地，还包括：
受光单元，设置在所述基底上，被配置为检测手指反射光，进行指纹识别；以及
所述反射结构，还被配置为调整手指反射光的方向，使得所述手指反射光能够被所述受光单元检测。
进一步地，所述反射结构包括反射侧面；所述反射侧面向远离所述受光单元的方向倾斜。
第二方面，本公开还提供一种显示装置，包括前述任一所述的显示基板。
进一步地，所述显示基板包括封装层，所述显示装置还包括：
触控层，设置在所述封装层上；
所述反射结构位于所述触控层上、所述触控层内或者所述封装层和所述触控层之间。
进一步地，其中，
所述反射结构包括反射侧面和支撑部；
所述触控层包括第一触控电极和触控绝缘层；所述第一触控电极位于所述触控绝缘层上；
所述反射侧面和所述第一触控电极的制作材料为同种材料；所述支撑部和所述触控绝缘层的制作材料为同种材料。
第三方面，本公开还提供一种显示装置的制备方法，包括：
提供包括发光元件的基板；
在所述基板上形成第二触控电极；
采用半色调掩膜构图工艺在所述基板和所述第二触控电极上形成触控绝缘层及突出所述触控绝缘层的支撑部；
采用一次构图工艺形成第一触控电极和位于所述支撑部的侧面的反射侧面；
其中，所述反射侧面被配置为反射所述发光元件发出的侧向光，使得所述侧向光能够从显示装置射出。
从上面所述可以看出，本公开提供的显示基板、装置及其制备方法，利用反射结构调整发光元件发出的侧向光，使得所述侧向光能够从所述显示基板射出，进而降低侧向光的损失，有效提高显示基板的整体出光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本公开或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。为了更好地理解和易于描述，附图中可以夸大一些层和区域的厚度和形状。
图1为本公开示例性实施例提供的一种显示基板的平面视图；
图2A是沿着图1的线B-B’截图的显示基板的剖视图；
图2B是图2A所示的显示基板的一种示例性光路示意图；
图2C是图2A所示的显示基板的另一种示例性光路示意图；
图3A为本公开示例性实施例提供的另一种显示基板的剖视图；
图3B是图3A所示的显示基板的一种示例性光路示意图；
图4A为本公开示例性实施例提供的一种显示基板的俯视图；
图4B为本公开示例性实施例提供的另一种显示基板的俯视图；
图4C为本公开示例性实施例在车辆中的应用示意图；
图5A为本公开示例性实施例提供的又一种显示基板的剖视图；
图5B为本公开示例性实施例提供的又一种显示基板的剖视图；
图6A为本公开示例性实施例提供的一种包括吸光层的显示基板的剖视图；
图6B为本公开示例性实施例提供的另一种包括吸光层的显示基板的剖视图；
图7为本公开示例性实施例提供一种包括受光单元的显示基板的剖视图；
图8A为本公开示例性实施例提供的一种显示装置的剖视图；
图8B为本公开示例性实施例提供的另一种显示装置的剖视图；
图8C为图8B示出的显示装置的俯视图；
图8D为本公开示例性实施例提供的又一种显示装置的剖视图；
图9A~图9J为本公开示例性实施例显示装置的一种制作流程图；
图10A~图10H为本公开示例性实施例显示装置的又一种制作流程图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。
需要说明的是，除非另外定义，本公开实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
当使用诸如“上”、“上面”、“下面”和“旁边”的术语来描述两个部件之间的位置关系时，除非这些术语与术语“紧接地”或“直接地”一起使用，否则一个或更多个部件可以位于两个部件之间。当一个元件或层被设置在另一个元件或层“上”时，另外的层或元件可以被直接地插入在该另一个元件上或它们之间。即使没有明确说明，部件也被解释成包括普通误差范围。
相关技术中，显示基板可以包括基底、第一电极、发光层、第二电极以及封装层。其中，第一电极、发光层、第二电极组成发光元件。发光层发出的光至少经过第二电极、封装层才能到达显示基板的外部。然而，光由光密介质进入光疏介质时，例如光由封装层进入显示基板外部的空气中，同时发生反射和折射，折射角大于入射角，随着入射角的增大，反射光线越来越强，折射光线越来越弱，当折射角增大到90°时，折射光线完全消失，只剩下反射光线。也就是说，随着入射角增大，能够到达显示基板外部的光线减少，造成光损失。
鉴于此，本公开实施例提供了一种显示基板。图1示出了本公开实施例的显示基板的平面视图。图2A是沿着图1的线B-B’截取的显示基板的剖视图。图3A是本公开示例性实施例提供的另一种显示基板的剖视图。
参照图1、图2A和图3A，显示基板100包括基底110、薄膜晶体管120、发光元件130和封装层115。显示基板100可以实现成顶部发射型发光显示装置。
参考图1、图2A和图3A，基底110可以支撑和保护显示基板100的各种部件。基底110可以由玻璃、石英、陶瓷或具有柔性的塑料材料形成。例如，当基底110由塑料材料形成时，它可以由聚酰亚胺(PI)形成。然而，本公开内容的实施方式不限于此。
基底110可以是柔性的、可拉伸的、可折叠的、可弯曲的和/或可卷曲的，所以显示基板也可以是柔性的、可拉伸的、可折叠的、可弯曲的和/或可卷曲的。
基底110包括显示区域A/A和非显示区域N/A。
显示区域A/A是在显示基板100中显示图像的区域。在显示区域A/A中，可以设置发光元件和用于驱动发光元件的各种驱动元件。例如，发光元件130可以包括第一电极131、发光层132和第二电极133。此外，诸如布线、电容器或用于驱动发光元件的薄膜晶体管120的各种元件可以被设置在显示区域A/A中。
显示区域A/A可以包括阵列设置的多个子像素。子像素是用于配置屏幕的最小单元，并且多个子像素中的每一个可以包括发光元件130和驱动电路。多个子像素中的每一个可以发射不同波长的光。例如，多个子像素可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。然而，多个子像素不限于此，还可以包括白色子像素。
子像素的驱动电路是用于控制发光元件130的驱动的电路。例如，驱动电路可以被配置成包括薄膜晶体管120和电容器，但不限于此。
非显示区域N/A是如下区域：在该区域中不显示图像，并且可以设置用于驱动显示区域A/A中所设置的多个子像素的各种部件。例如，提供用于驱动多个子像素的信号的驱动器IC、柔性膜等可以被设置在非显示区域N/A中。
非显示区域N/A可以是如图1所示的围绕显示区域A/A的区域，但不限于此。例如，非显示区域N/A可以是从显示区域A/A延伸的区域。
参照图2A和图3A，薄膜晶体管120被设置在基底110上。薄膜晶体管120可以是显示基板100的驱动元件。薄膜晶体管120包括有源层121、栅电极122、源极电极123和漏极电极124。
在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示基板100中，有源层121设置在基底110上。有源层121可以由非晶、多晶半导体材料、氧化物半导体或有机半导体材料制成。另外，有源层121包括其中未掺杂杂质的沟道区以及设置在沟通区的相对侧并且掺杂有杂质的源区和漏区。
栅极绝缘层111设置在有源层121上。栅极绝缘层111是用于将栅电极122与有源层121电绝缘的层，并且可以由绝缘材料形成。例如，栅极绝缘层111可以形成为作为无机材料的硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层，或者形成为硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的多层，但是实施方式不限于此。
栅电极122设置在栅极绝缘层111上。栅电极122可以与有源层121的至少一些叠置，并且可以与沟道区叠置。栅电极122可以是多种金属材料中的任一种，例如可以是钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种，或者是它们中的两种或更多种的合金，或者是它们的多层，但是实施方式不限于此。
层间绝缘层112设置在栅电极122和栅极绝缘层111上。层间绝缘层112可以由无机绝缘材料或有机绝缘材料制成。
在栅极绝缘层111和层间绝缘层112中形成有与有源层121的至少一部分叠置的接触孔（图中未标注）。
源电极123和漏电极124设置在层间绝缘层112上。源电极123和漏电极124被设置在同一层上，并且彼此间隔开。另外，源电极123和漏电极124通过接触孔分别连接到有源层121的源区和漏区。源电极123和漏电极124可以由多种金属材料中的任一种或更多种形成，例如，由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种形成，或者由它们中的两种或更多种的合金形成，或者由它们的多层形成，但是实施方式不限于此。
如上所述，有源层121、栅电极122、源电极123和漏电极124构成一个薄膜晶体管。
薄膜晶体管的结构不限于前述示例，并且可以修改为各种可选择的结构。发光二极管显示器可以包括开关晶体管和驱动晶体管，前述薄膜晶体管可以是驱动晶体管。尽管未示出，但可以提供开关薄膜晶体管。
钝化层113设置在薄膜晶体管和层间绝缘层112上。钝化层113用于去除前述结构的台阶和/或使台阶平坦化，从而增大将要形成在其上的发光元件130的发光效率。与漏电极124的至少一些叠置的接触孔形成在钝化层113中。
钝化层113可以由聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯撑树脂、聚苯硫醚树脂和/或苯并环丁烯(BCB)形成。
阵列排布的发光元件130设置在钝化层113上。发光元件130包括第一电极131、设置在第一电极131上的第二电极133以及设置在第一电极131与第二电极133之间的发光层132。这里，发光元件130可以是发光二极管，也可以是有机发光二极管。
第一电极131设置在钝化层113上。第一电极131可以由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)等的透明导电材料形成，或者由诸如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)等金属形成。第一电极131经由形成在钝化层113中的接触孔电连接到薄膜晶体管的漏电极124，以用作发光元件的阳极。
第一电极131可以包括包含透明导电材料的第一透明电极和第二透明电极以及设置在第一透明电极与第二透明电极之间以与第二电极133一起形成微腔的半透射层。例如，第一电极131可以形成为包括由透明导电材料制成的层和由反射金属材料制成的层的多层。
发光层132设置在第一电极131上。发光层132可以包括发射层、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
发光层132是用于发射具有特定颜色的光的层，并且发光层132可以包括用于发射红光的红色发光层、用于发射绿光的绿色发光层、用于发射蓝光的蓝色发光层和用于发射白光的白色发光层中的至少一个或多个。
这里描述的白色发光层可以形成为单个发光层，或者可以形成为堆叠的多个发光层，使得可以发射白光。例如，可以包括通过将至少一个黄色发光层和至少一个蓝色发光层结合来发射白光的结构、通过将至少一个青色发光层和至少一个红色发光层结合来发射白光的结构以及通过将至少一个品红色发光层和至少一个绿色发光层结合来发射白光的结构。
第二电极133设置在发光层132和像素限定层114上。第二电极133可以由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)等的透明导电材料形成，或者由诸如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)等的反射金属形成。第二电极133用作发光元件的阴极。
反射结构140，设置在所述发光元件130的远离所述基底110的一侧，并被配置为反射所述发光元件130发出的侧向光，使得所述侧向光能够从所述显示基板射出。
由此可见，本公开的实施例，利用反射结构调整发光元件130发出的侧向光，提高侧向光在进入显示基板外部时的折射比例，降低反射比例，使得所述侧向光能够从所述显示基板100射出，最终达到提高显示基板的整体出光效率的技术效果。
本公开的技术方案，所述侧向光进入显示基板外部的入射角更小，折射比例提高，反射比例降低。此外，也更有利于所述侧向光从所述显示基板的正视方向射出。这里，正视方向可以是相对于与显示基板100垂直的方向±10°的方向。应当理解的是，正视方向与显示基板100垂直的方向的夹角也可以适当扩大，例如±15°，这里不作具体限定。
由此可见，本公开的技术方案，通过反射结构140反射侧向光，不仅能够提高显示基板的整体出光效率，而且能够增加正视方向的出射光，有利于提高显示基板的正视方向的光提出效率。
进一步地，显示基板100还包括封装层115，设置在阵列排布的发光元件130上；所述反射结构140位于所述封装层115内。
具体地，封装层115设置在第二电极133上。第二电极133的顶表面可以是不平坦的。第二电极133的与像素限定层114叠置的部分可以突出超过其它部分。这可以是由像素限定层114比其它构成元件厚而引起的。封装层115可以由透明有机材料形成。例如，封装层115可以由聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯撑树脂、聚苯硫醚树脂和/或苯并环丁烯(BCB)形成。
封装层115形成为足够厚，使得其顶表面可以被平坦化。当基底110弯曲以实施柔性显示装置等时，封装层115可用于吸收传递到诸如薄膜晶体管、第一电极131和第二电极133等元件的冲击，以增大元件的安全性。
需要说明的是，足够厚的封装层115为设置反射结构140提供了空间，确保反射结构140的设置不会增加显示基板100的整体厚度，便于形成超薄基板。
此外，显示基板100可以包括缓冲层。缓冲层(图中未示出)可以进一步设置在第二电极133与封装层115之间。缓冲层可以由无机绝缘材料制成，并且可以具有单层或多层结构。例如，缓冲层可以由氮氧化硅(SiON)制成。缓冲层可以用于保护发光元件130。在一些情况下，可以省略缓冲层。
请参阅图2A~图3B，在本公开的一些实施例中，所述反射结构140包括反射侧面141；所述反射侧面141用于反射所述发光元件130发出的侧向光。
图2B示出了图2A所示的显示基板一种示例性光路示意图。其中，发光元件130的侧向光，先经反射侧面141的作用改变传播方向射向发光元件130，后经过第一电极132和/或第二电极133的反射作用以较小的入射角射向显示基板外部，达到由显示基板100出射的技术效果。
图3B是图3A所示的显示基板的一种示例性光路示意图。其中，发光元件130的侧向光，经反射侧面141的作用改变传播方向以较小的入射角射向显示基板外部，达到由显示基板100出射的技术效果。
反射侧面141可以是金属银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)及其合金（例如镁银合金），可以是氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟(In2O3)等金属氧化物，也可以是具有反射型的无机材料例如SiN形成。反射侧面141可以是单层膜层，也可以是Ti/Al/Ti等金属复合膜层。
请参阅图2B和图3B，反射侧面141可以是全反射膜层，能够全反射侧向光。
作为一种可替代的实施方式，反射侧面141也可以是半透半反的膜层。请参阅图2C，反射侧面141反射部分侧向光，同时也会有部分侧向光发生折射。需要说明的是，相比于全反射膜层，半透半反的膜层有利于保障大视角的出光效果，也能够提高正视角的出光效率。
在一些实施例中，本公开示例性实施例的显示基板还包括像素界定层，设置在所述基底上，并被配置为划分所述发光元件及所述发光元件的周边区域（对应图2A和图3A中AR标示的区域）。具体地，像素限定层114设置在第一电极131的边缘部分上和钝化层113上。像素限定层114可以包括诸如聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂的树脂和/或硅基无机材料。
请参阅图4A和图4B，反射侧面141在基底110上的正投影位于发光元件的周边区域AR在基底110上的正投影中。通过这样的设置，反射侧面141不会阻挡所述发光元件在垂直于所述基底方向的光线射出，保障垂直方向的光线的出射效率。
在一些实施例中，如图4A所示，反射侧面141在基底上的正投影环绕发光元件在基底上的正投影的周围。反射侧面141环绕发光元件在基底上的正投影的周围，能够对发光元件向周围各个角度出射的侧向光均进行反射，有效提高对侧向光的利用率，降低侧向光的光损失，提高显示基板的整体出光效率。
作为一种可替代的实施方式，如图4B所示，反射侧面141在基底上的正投影部分环绕发光元件在基底上的正投影的周围。反射侧面141部分环绕发光元件在基底上的正投影的周围，可以对发光元件向某一角度出射的侧向光进行反射，将该角度侧向光转为正视角的方向出射，减少显示基板在侧向的出射光。
这样的实施方式，适用于如图4C所示的车载显示装置，包括但不限于导航仪、车载终端等。车辆400包括前档风玻璃401和车载显示装置402。为便于驾驶员观看车载显示装置402，车载显示装置402通常具有大视角。然而，车载显示装置402的出射光不可避免投射至前挡风玻璃401上，影响驾驶员的视线，为车辆的平安行驶带来隐患。车载显示装置402采用本公开示例性实施例的显示基板，反射侧面141在基底上的正投影部分环绕发光元件在基底上的正投影的周围，例如靠近前挡风玻璃一侧，则能够将大视角的侧向光调整是正视角的方向，从而杜绝车载显示装置402的图像投射于前挡风玻璃401上，进而提高车辆的运行安全性能。
可选地，车载显示装置402中的反射层141采用全反射膜层。
本领域技术人员能够理解的，这里的适用场景仅是示例性的，并不用于限定本公开实施例的使用范围。
在一些实施例中，如图2A和图3A所示，反射结构140还包括支撑部142；反射侧面141设置在支撑部142的侧面。利用支撑部142的侧面，能够方便设置反射侧面141，例如调整支撑部142的侧面倾斜角度，就能够方便的调整反射侧面141的倾斜角度。例如，支撑部142可以是氧化硅(SiO)、氮化硅、氮氧化硅(SiON)等无机材料形成，也可以是聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯 (PC)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等有机材料形成。支撑部142的材料可以是绝缘材料、导体材料、透明材料或不透明材料，本公开不作限定。
在一些实施例中，如图2A所示，支撑部142覆盖由像素界定层114限定出的开口区（对应图2A中ER区域）；并且支撑部142的侧面朝向所述开口区倾斜。这样的结构，发光元件130发出的侧向光依照图2B或图2C所示的光路进行反射，这里不再详述。
本公开还提供另一可替换的实施方式。具体地，如图3A所示，支撑部142与像素界定层114限定出的开口区（对应图3A中ER区域）无重叠；并且支撑部142的侧面向远离所述开口区的方向倾斜。这样的结构，发光元件130发出的侧向光依照图3B所示的光路进行反射，这里不再详述。
在一些实施例中，相邻发光元件的反射侧面可以断开（如图2A和图3A所示），也可以相连（如图5A和图5B所示）。具体地，相邻发光元件的反射侧面通过反射正面143连接。其中，所述反射正面143在基底上正投影位于像素界定层114在基底上的正投影中。这样的结构工艺简单，便于制备。
然而，反射正面143不可避免会对进入显示基板的环境光进行反射，进而影响显示基板的正常显示，降低显示质量。特别是，采用全反射材料制备反射侧面141和反射正面143时，对进入显示基板的环境光反射更加明显。
为解决反射结构对环境光的反射问题，请参阅图6A和图6B，显示基板100还包括吸光层116，被配置为吸收光路对准反射结构140的环境光；其中，吸光层116在基底110上的正投影位于像素界定层114在基底110上的正投影中。通过吸光层116能够吸收环境光，避免反射结构140对环境光的反射，保障显示质量。
需要说明的是，吸光层116可以设置在显示封装层115内，或封装层115的外侧，这里不做具体限定。
本领域技术人员能够理解的是，吸光层116设置以不影响反射侧面对侧向光的反射为准。例如，支撑部142的侧面向远离所述开口区的方向倾斜时，吸光层116在基底110上的正投影和反射侧面141在基底110上的正投影无重叠
应当理解的是，本领域技术人员能够合理选择吸光层116的材料，这里不做具体限定。
现有的光学指纹识别技术利用光源、光线处理镜头、光电转化元件等部件采集指纹对光源发射的光线的反光，从而实现对指纹的识别。然而，手指反射的部分光线难以被光电转化元件采集，造成光电转化元件采集到的反射光较弱，因此对光电转化元件的灵敏度提出了较高的要求。例如，手指反射的光线位于光电转换元件的侧面，无法被光电转化元件采集。
基于此，在本公开的一些实施例中，请参阅图7，显示基板100还包括设置在所述基底110上的受光单元150，被配置为检测手指反射光，以进行指纹识别。其中，受光单元150包括第一受光电极151、活性层152和第二电极133。具体地，钝化层113上设置第一受光电极151，第一受光电极151上设置活性层152，活性层152上设置第二电极133。应当理解的是，活性层152和发光层132无重叠。需要说明的是，受光单元150可以和发光元件130共用第二电极，也可以单独设置电极，这里不作限定。
反射结构140还被配置为调整手指反射光的方向，使得手指反射光能够被受光单元150检测。借助反射结构140，可以使得更多手指反射光被受光单元150检测，有利于提高光学指纹识别的准确性和灵敏性。
在一些实施例中，反射结构140包括反射侧面141；反射侧面141向远离受光单元150的方向倾斜。反射侧面141能够将光路与受光单元150不存在交叉的手指反射光L1反射，进而改变手指反射光的光路方向使其能够被受光单元150检测。
本公开示例性实施例提供一种显示装置，包括前述任一所述的显示基板。上述实施例的显示装置具有和显示基板相应的特征，相同的有益效果，不再赘述。
图8A~图8D示出了本公开示例性实施例提供的包括触控层的显示装置。其中，显示基板100包括封装层115，显示装置200还包括设置在封装层115上的触控层160。触控层160包括第一触控电极161、触控绝缘层163和第二触控电极162。第一触控电极161和第二触控电极162通过连接孔（图中未标示）连通。
可选地，请参阅图8A，封装层115上设置第二触控电极162，封装层115和第二触控电极162上设置触控绝缘层163，第一触控电极161设置在触控绝缘层163上且通过连接孔与第二触控电极162连接。触控绝缘层163和第二触控电极162上设置触控缓冲层117，需要说明的是，触控缓冲层117在一些情况下可以省略。
反射结构140位于触控层160上。具体地，反射结构140设置在触控缓冲层117上。反射结构140上可以设置光学透明胶层（图中未标注），以获得平整的表面。光学透明胶层上可以设置偏光片118和盖板119。盖板119可以是玻璃，也可以是有机材料。
作为一种可替代的实施方式，请参阅图8B和图8C，省略触控缓冲层117。反射结构140位于触控层160内。具体地，反射结构140包括反射侧面141和支撑部142。支撑部142和触控绝缘层163由同种材料形成，并且支撑部142突出触控绝缘层163。例如，支撑部142和触控绝缘层163的材料可以是氧化硅(SiO)、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯 (PC)等。
请参阅图8B和图8C，反射侧面141和第一触控电极161同层设置，且制作材料为同种材料。例如，反射侧面141和第一触控电极161的材料可以是金属银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)及其合金（例如镁银合金），可以是氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟(In2O3)等金属氧化物。
这样的技术方案，支撑部142和和触控绝缘层163可以同时制备，反射侧面141和第一触控电极161可以同时制备，有利于节省工艺。
作为另一种可替代的实施方式，请参阅图8D，反射结构140位于封装层115和触控层160之间。
图9A~图9J示出了本公开示例性实施例提供的一种显示装置的制备方法。请参阅图9A~图9J，所述制备方法，包括：
如图9A所示，提供包括发光元件的显示基板100。需要说明的是，图中未示出发光元件。
接着，如图9B所示，在显示基板100上形成第二触控电极162。第二触控电极162可以通过常规的工艺实现，例如沉积、涂敷、溅射等。
然后，如图9C和图9D所示，采用半色调掩膜（Half tone）构图工艺在显示基板100和第二触控电极162上形成触控绝缘层163及突出触控绝缘层的支撑部142。具体地，请参阅图9C，先在显示基板100和第二触控电极162上施加绝缘材料，通过半色调掩膜（Half tone）构图工艺，经过曝光显影形成如图9D所示的触控绝缘层163及突出触控绝缘层的支撑部142。这里，绝缘材料可以是涂敷或粘贴于显示基板100和第二触控电极162上。
接着，如图9E~图9G所示，采用一次构图工艺形成第一触控电极161和位于所述支撑部142的侧面的反射侧面141。
请参阅图9E，在触控绝缘层163及突出触控绝缘层的支撑部142上施加电极材料；接着，如图9F所示，在电极材料上施加光刻胶，采用一次构图工艺曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶得到第一触控电极161和反射侧面141。其中，反射侧面141被配置为反射发光元件发出的侧向光，使得侧向光能够从显示装置射出。
这样的制备方法，采用半色调掩膜（Half tone）构图工艺能够一次形成触控绝缘层163和支撑部142，采用一次构图工艺可以一次形成第一触控电极161和反射侧面141，可以有效节约制备步骤，具有工艺简单的优势。
此外，本公开示例性实施例还可以包括制备吸光层116的步骤。如图9H所示，在触控绝缘层163、支撑部142、第一触控电极161和反射侧面141上施加吸光材料，曝光显影得到如图9I所示的吸光层116。
接着，如图9J所示，在支撑部142上形成彩膜170。这里，支撑部142在基板上的正投影覆盖发光元件。
需要说明的是，本公开示例性实施例的制备方法还可以包括贴合盖板等步骤，不再详述。
在一些实施例中，本公开还提供显示装置的另一种可替代的制备方法。请参阅图10A~10H，所述制备方法包括：如图10A所示，提供包括发光元件的显示基板100。需要说明的是，图中未示出发光元件。
接着，如图10B所示，在显示基板100上形成第二触控电极162。第二触控电极162可以通过常规的工艺实现，例如沉积、涂敷、溅射等。
然后，请参阅图10C，先在显示基板100和第二触控电极162上施加绝缘材料形成触控绝缘层163。这里，绝缘材料可以是涂敷或粘贴于显示基板100和第二触控电极162上。
接着，请参阅图10D，在触控绝缘层163上形成连接孔，该连接孔的位置和第二触控电极162相对应。例如，通过激光开孔形成连接孔。
然后，请参阅图10E，在触控绝缘层163和连接孔上形成支撑层。
接着，如图10F所示，在支撑层上形成斜面得到支撑部142。例如，通过光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺获得支撑部142。
然后，请参阅图10G，采用一次构图工艺形成第一触控电极161和位于所述支撑部142的侧面的反射侧面141。示例性的，在触控绝缘层163及突出触控绝缘层的支撑部142上施加电极材料；接着，在电极材料上施加光刻胶，采用一次构图工艺曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶得到第一触控电极161和反射侧面141。其中，反射侧面141被配置为反射发光元件发出的侧向光，使得侧向光能够从显示装置射出。
此外，本公开示例性实施例还可以包括制备吸光层116的步骤。如图10H所示，在触控绝缘层163、支撑部142、第一触控电极161上施加吸光材料，曝光显影得到吸光层116。
所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本公开的范围（包括权利要求）被限于这些例子；在本公开的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本公开实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
另外，为简化说明和讨论，并且为了不会使本公开实施例难以理解，在所提供的附图中可以示出或可以不示出与集成电路（IC）芯片和其它部件的公知的电源/接地连接。此外，可以以框图的形式示出装置，以便避免使本公开实施例难以理解，并且这也考虑了以下事实，即关于这些框图装置的实施方式的细节是高度取决于将要实施本公开实施例的平台的（即，这些细节应当完全处于本领域技术人员的理解范围内）。在阐述了具体细节（例如，电路）以描述本公开的示例性实施例的情况下，对本领域技术人员来说显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下或者这些具体细节有变化的情况下实施本公开实施例。因此，这些描述应被认为是说明性的而不是限制性的。
尽管已经结合了本公开的具体实施例对本公开进行了描述，但是根据前面的描述，这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。例如，其它存储器架构（例如，动态RAM（DRAM））可以使用所讨论的实施例。
本公开实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本公开实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种显示基板，包括：
基底；
阵列排布的发光元件，设置在所述基底上；以及
反射结构，设置在所述发光元件的远离所述基底的一侧，并被配置为反射所述发光元件发出的侧向光，使得所述侧向光能够从所述显示基板射出；
像素界定层，设置在所述基底上，并被配置为划分所述发光元件及所述发光元件的周边区域；
所述反射结构包括支撑部和反射侧面，所述支撑部覆盖由所述像素界定层限定出的开口区；并且所述支撑部的侧面朝向所述开口区倾斜，所述反射侧面设置在所述支撑部的侧面，所述反射侧面用于反射所述发光元件发出的侧向光，所述反射侧面为半透半反的膜层，所述反射侧面用以反射部分侧向光，并使部分侧向光发生折射；相邻所述发光元件的反射侧面通过反射正面连接，所述反射正面在所述基底上正投影位于所述像素界定层在所述基底上的正投影中。
2.根据权利要求1所述的显示基板，还包括：
所述反射侧面在所述基底上的正投影位于所述发光元件的周边区域在所述基底上的正投影中。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述反射侧面在所述基底上的正投影环绕或者部分环绕所述发光元件在所述基底上的正投影的周围。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述支撑部与所述像素界定层限定出的开口区无重叠；并且所述支撑部的侧面向远离所述开口区的方向倾斜。
5.根据权利要求2所述的显示基板，还包括：
吸光层，被配置为吸收光路对准所述反射结构的环境光；其中，所述吸光层在所述基底上的正投影位于所述像素界定层在所述基底上的正投影中。
6.根据权利要求1所述的显示基板，还包括：
封装层，设置在阵列排布的发光元件上；
所述反射结构位于所述封装层内。
7. 根据权利要求1所述的显示基板，还包括：
受光单元，设置在所述基底上，被配置为检测手指反射光，进行指纹识别；以及
所述反射结构，还被配置为调整手指反射光的方向，使得所述手指反射光能够被所述受光单元检测。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其中，所述反射结构包括反射侧面；所述反射侧面向远离所述受光单元的方向倾斜。
9.一种显示装置，包括权利要求1~8任一项所述的显示基板。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述显示基板包括封装层，所述显示装置还包括：
触控层，设置在所述封装层上；
所述反射结构位于所述触控层上、所述触控层内或者所述封装层和所述触控层之间。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，
所述反射结构包括反射侧面和支撑部；
所述触控层包括第一触控电极和触控绝缘层；所述第一触控电极位于所述触控绝缘层上；
所述反射侧面和所述第一触控电极的制作材料为同种材料；所述支撑部和所述触控绝缘层的制作材料为同种材料。
12.一种对权利要求11所述的显示装置的制备方法，包括：
提供包括发光元件的基板；
在所述基板上形成第二触控电极；
采用半色调掩膜构图工艺在所述基板和所述第二触控电极上形成触控绝缘层及突出所述触控绝缘层的支撑部；
采用一次构图工艺形成第一触控电极和位于所述支撑部的侧面的反射侧面；
其中，所述反射侧面被配置为反射所述发光元件发出的侧向光，使得所述侧向光能够从显示装置射出。
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