TWI674525B - 抗反射整合觸控顯示面板 - Google Patents

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Abstract

一種抗反射整合觸控顯示面板，包含抗反射結構以及多個觸控電極。抗反射結構包第一絕緣層、第二絕緣層位於第一絕緣層上、導電層位於第二絕緣層上、第三絕緣層位於第二絕緣層上以及第四絕緣層位於第三絕緣層上。第一絕緣層之材料包含氧化矽或氮化矽，且第一絕緣層之厚度為0.1微米至2微米。第二絕緣層之材料包含氧化矽或氧化鍶，且第二絕緣層之厚度為0.001微米至0.1微米。導電層之材料包含鉬，且導電層之厚度為0.01微米至0.05微米。第四絕緣層之材料包含氮化矽，且第四絕緣層之厚度為0.001微米至0.3微米。這些觸控電極位於第三絕緣層與第四絕緣層之間。

Description

抗反射整合觸控顯示面板
本發明是有關於一種觸控面板，且特別是有關於一種抗反射整合觸控顯示面板。
在有機發光二極體的技術領域中，主動有機發光二極體(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)被廣泛應用於顯示裝置中。其中，上發光式主動有機發光二極體(top-view OLED)的結構中，因其開口率較高，且不受薄膜電晶體數目增加的影響，故較為常見。但因其結構中具有高反射率的金屬層，而需於封裝蓋板外貼附圓偏光片(circular polarizer)降低外界光反射，以防止影響對比。
然而，圓偏光片的價格昂貴，因此使得顯示裝置的製造成本也跟著提高，且目前市面上的圓偏光片的光穿透率不佳，因而使發光二極體的亮度降低，導致顯示面板的顯示品質降低。此外，圓偏光片的厚度還會導致顯示面板的中性軸偏移，因此降低顯示面板的可撓性。
本發明之一實施例的抗反射整合觸控顯示面板，包含抗反射結構以及多個觸控電極。抗反射結構包含第一絕緣層、第二絕緣層位於第一絕緣層上、導電層位於第二絕緣層上、第三絕緣層位於第二絕緣層上、以及第四絕緣層位於第三絕緣層上。第一絕緣層之材料包含氧化矽(SixOy)或氮化矽(SiNx)，且第一絕緣層之厚度為0.1微米至2微米。第二絕緣層之材料包含氧化矽(SixOy)或氧化鍶(SrO)，且第二絕緣層之厚度為0.001微米至0.1微米。導電層之材料包含鉬，且導電層之厚度為0.01微米至0.05微米。第四絕緣層之材料包含氮化矽(SiNx)，且第四絕緣層之厚度為0.001微米至0.3微米。這些觸控電極位於第三絕緣層與第四絕緣層之間。
在本發明的一實施例中，上述的抗反射整合觸控顯示面板更包含主動元件以及電致發光元件。電致發光元件包含第一電極電性連接主動元件、第二電極、以及發光層位於第一電極與第二電極之間。第一絕緣層位於第二電極並與該第二電極接觸。
在本發明的一實施例中，上述的抗反射整合觸控顯示面板更包含第一基板、第二基板、保護層以及接合膠層。抗反射結構、這些觸控電極、主動元件、電致發光元件係位於第一基板以及第二基板之間。第一基板以及第二基板之垂直距離為7.5微米至15微米。結合膠層位於保護層以及第二基板之間。
在本發明一實施例的抗反射整合觸控顯示面板中，由於可透過將觸控電極整合進抗反射結構之中，再將抗反射結構整合進抗反射整合觸控顯示面板的第一基板與第二基板之間。因此，抗反射整合觸控顯示面板可以達成內建式觸控的需求以及輕薄化抗反射整合觸控顯示面板的效果，更能減少抗反射整合觸控顯示面板的中性軸之偏移，以提升抗反射整合觸控顯示面板的可撓性。圖案化的觸控電極還能應用為遮光層、降低抗反射整合觸控顯示面板的光反射率、防止影響抗反射整合觸控顯示面板的對比、以及降低雜訊對抗反射整合觸控顯示面板的干擾。此外，抗反射結構還能同時減少外界光的反射並提升光穿透率，進而能夠防止外界光影響抗反射整合觸控顯示面板的對比並提升電致發光元件出光的亮度，以提升抗反射整合觸控顯示面板的顯示品質。此外，更可透過抗反射結構以取代傳統的圓偏光片，進一步降低抗反射整合觸控顯示面板的製造成本。
本發明之目的之一係為提升抗反射結構的光穿透率。
本發明之目的之一係為降低抗反射結構的光反射率。
本發明之目的之一係為提升電致發光元件的亮度。
本發明之目的之一係為防止影響抗反射整合觸控顯示面板的對比。
本發明之目的之一係為提升抗反射整合觸控顯示面板的顯示品質。
本發明之目的之一係為降低抗反射整合觸控顯示面板的 製造成本。
本發明之目的之一係為提供輕薄化抗反射整合觸控顯示面板的效果
本發明之目的之一係為減少抗反射整合觸控顯示面板的中性軸之偏移。
本發明之目的之一係為提升抗反射整合觸控顯示面板的可撓性。
本發明之目的之一係為降低雜訊對抗反射整合觸控顯示面板的干擾。
本發明之目的之一係為提升抗反射整合觸控顯示面板對雜訊的屏蔽率。
本發明之目的之一係為提升抗反射整合觸控顯示面板的觸控靈敏度。
本發明之目的之一係為提升抗反射整合觸控顯示面板的觸控品質。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
10、10A‧‧‧抗反射整合觸控顯示面板
100‧‧‧第一基板
120‧‧‧畫素定義層
122‧‧‧容置區
200‧‧‧第二基板
220‧‧‧接合膠層
240‧‧‧保護層
300、300A‧‧‧抗反射結構
310‧‧‧第一絕緣層
320、320A‧‧‧第二絕緣層
330、330A‧‧‧第三絕緣層
332、332A‧‧‧第一子絕緣層
334、334A‧‧‧第二子絕緣層
340‧‧‧第四絕緣層
360、360A‧‧‧導電層
362A‧‧‧區塊
400‧‧‧電致發光元件
410‧‧‧第一電極
420‧‧‧第二電極
A-A’‧‧‧剖面線
CH‧‧‧通道層
D‧‧‧汲極
EL‧‧‧發光層
G‧‧‧閘極
H1、H2‧‧‧垂直距離
IC‧‧‧驅動電路
O1‧‧‧開口
PS‧‧‧間隙物
R‧‧‧區域
S‧‧‧源極
T‧‧‧主動元件
TL‧‧‧觸控訊號線
TP‧‧‧觸控電極
V1‧‧‧接觸洞
圖1為本發明的第一實施例的抗反射整合觸控顯示面板的上視示意圖。
圖2為圖1的抗反射整合觸控顯示面板中的區域R的局部放大上視示意圖。
圖3為圖2的抗反射整合觸控顯示面板沿剖面線A-A’的剖面示意圖。
圖4A為可見光波段長及抗反射結構的光穿透率關係圖。
圖4B為可見光波段長及抗反射結構的光反射率關係圖。
圖5為本發明的第二實施例的抗反射整合觸控顯示面板的剖面示意圖。
圖1為本發明的第一實施例的抗反射整合觸控顯示面板的上視示意圖，為方便說明及觀察，圖1省略繪製部分構件。圖2為圖1的抗反射整合觸控顯示面板中的區域R的局部放大上視示意圖，為方便說明及觀察，圖2省略繪製部分構件。圖3為圖2的抗反射整合觸控顯示面板沿剖面線A-A’的剖面示意圖。請先參考圖1、圖2及圖3，在本發明的第一實施例中，抗反射整合觸控顯示面板10包含抗反射結構300以及多個觸控電極TP。在本實施例中，抗反射整合觸控顯示面板包含第一基板100、抗反射結構300、多個觸控電極TP、第二基板200、保護層240以及接合膠層220。抗反射結構300以及觸控電極TP係位於第一基板100與第二基板200之間。接合膠層220位於保護層240以及第二基板200之間。舉例而言，保護層240透過接合膠層220配置於第二基板 200的一側上，以提供第二基板200防止刮傷或衝擊的效果。在本實施方式中，保護層240的材質可包括聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚亞醯胺(polyimide，PI)或三乙醯基纖維(triacetylcellulose，TAC)，但本發明不以此為限。在本實施例中，第一基板100以及第二基板200之垂直距離H1為7.5微米至15微米，但本發明不以此為限。
如圖1所示，在本實施例中，多個觸控電極TP以陣列方式排列於第一基板100上。第一基板100的材質可為玻璃、石英、有機聚合物或其他可以透光的材質。在本實施例中，第一基板100例如係用於承載有機發光二極體的封裝的陣列基板，但本發明不以此為限。
在本實施例中，抗反射整合觸控顯示面板10更包含多條觸控訊號線TL。這些觸控電極TP分別電性連接於這些觸控訊號線TL。在本實施例中，這些觸控訊號線TL係分別電性連接各觸控電極TP以及驅動電路IC。在本實施例中，驅動電路IC，例如：軟性印刷電路板(flexible printed circuit board)、捲帶式晶片載體封裝(tape carrier package)或薄膜覆晶封裝(chip on film)，但本發明不以此為限。在其他實施例中，驅動電路IC也可為包含觸控電極驅動電路的閘極驅動電路(Gate driver on Array,GOA)設置於第一基板100上。在本實施例中，基於導電性的考量，觸控訊號線TL一般是使用金屬材料，但本發明不限於此，根據其他實施例，觸控訊號線TL也可以使用其他導電材料，例如：合金、金屬材料 的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層。
請參考圖3，在本實施例中，抗反射整合觸控顯示面板10更包含主動元件T以及電致發光元件400。舉例而言，主動元件T設置於第一基板100上。主動元件T包含閘極G、通道層CH、及源極S與汲極D，主動元件T為薄膜電晶體。在本實施例中，通道層CH的材料包含無機半導體材料或有機半導體材料，無機半導體材料可為非晶矽(a-si)、氧化銦鎵鋅(IGZO)或多晶矽的其中之一，但本發明不以此為限。
在其他實施例中，抗反射整合觸控顯示面板10可更包含多條彼此相交的掃描線與資料線(未繪示)分別電性連接閘極G及源極S。掃描線、資料線、閘極G、及源極S與汲極D之材料包含金屬材料、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層，本發明不以此為限。
在本實施例中，抗反射整合觸控顯示面板10更包含畫素定義層120以及間隙物PS。畫素定義層120設置於第一基板100與抗反射結構300之間。舉例而言，畫素定義層120設置於主動元件T上，且具有容置區122。間隙物PS位於畫素定義層120上。在本實施例中，電致發光元件400設置於主動元件T上，並電性連接主動元件T。
舉例而言，電致發光元件400包含第一電極410電性連 接主動元件T、第二電極420、以及發光層EL位於第一電極410與第二電極420之間。在本實施例中，第一電極410設置於主動元件T上，且部分地位於容置區122內。發光層EL之至少一部分係位於容置區122內。第二電極420設置於第一基板100上且共形地覆蓋畫素定義層120、間隙物PS以及發光層EL。在本實施例中，間隙物PS位於第二電極420以及畫素定義層120之間。第一電極410及第二電極420之材質包含透明導電材料或不透明導電材料。所述透明導電材料可包含金屬氧化物導電材料，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其他合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。所述不透明導電材料可包含金屬，但本發明不以此為限。在本實施例中，發光層EL之材質可包含紅色有機發光材料、綠色有機發光材料、藍色有機發光材料、白色有機發光材料、其他顏色有機發光材料或上述發光材料之組合。此外，發光層EL也可包括電子傳輸層、電子注入層、電洞傳輸層、電洞注入層或上述四種膜層的組合，本發明不以此為限。在本實施例中，電致發光元件400係以有機發光二極體(OLED)為例進行說明，但本發明不限於此。在其他實施例中，電致發光元件400也可包含微型發光二極體(micro LED)、次毫米發光二極體(mini LED)及/或量子點發光二極體(quantum dot)。電致發光元件400為向上發光型發光元件且朝第二基板200的方向發光以顯示影像，使得位於第二基板200側，即保護層240外側的觀察者(未繪示)能觀察到影像。
值得注意的是，請參考圖3，本實施例的抗反射整合觸控顯示面板10包含抗反射結構300，且抗反射結構300設置於電致發光元件400上。舉例而言。抗反射結構300包含第一絕緣層310、第二絕緣層320位於第一絕緣層310上、導電層360位於第二絕緣層320上、第三絕緣層330位於第二絕緣層320上、以及第四絕緣層340位於第三絕緣層330上。當利用以下如在表1中所列的膜層及其厚度設計抗反射整合觸控顯示面板10時，抗反射結構300的光反射率約為1%至2%，且光穿透率可達52%以上，而具有良好的光學特性。
圖4A為可見光波段長及抗反射結構的光穿透率關係圖。圖4B為可見光波段長及抗反射結構的光反射率關係圖。由圖4A的實驗數據可知，本發明之一實施例的抗反射整合觸控顯示面板10之抗反射結構300在可見光波段長，例如380nm至780nm的波段長範圍之間，具有可達52%以上的光穿透率。舉例來說，抗反射結構300在波長440nm的光源下的穿透率為52%以上，在波長550nm的光源下的穿透率為54%以上，在波長610nm的光源下的穿透率為54%以上，而具有良好的光穿透率。由圖4B的實驗數據可證，本發明的抗反射結構300在可見光波段長，例如380nm至780nm的波段長範圍之間，具有約1~2%的光反射率。相較於比較例所使用之習知的圓偏光片，本發明第一實施例之抗反射結構300的光反射率與習知的圓偏光片的光反射率大致相同，能降低來自外界光的反射，降低抗反射結構300的光反射率，而可省略使用習知的圓偏光片。
以下將以一實施例簡單說明本實施例的抗反射整合觸控顯示面板10的製造方法。在此必須說明的是，以下省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施 例不再重複贅述。
在本實施例中，先設置第四絕緣層340於第二基板200上。第二基板200的材質可為玻璃、石英、有機聚合物或其他可以透光的材質。在本實施例中，第二基板200例如係用於抗反射整合觸控顯示面板10的封裝蓋板，但本發明不以此為限。第二基板200之厚度約為200微米，但本發明不以此為限。第四絕緣層340的設置方法例如是採用化學氣相沉積法(Chemical vapor deposition,CVD)在第二基板200上沉積第四絕緣層340。在本實施例中，第四絕緣層340之材料係包含氮化矽(SiNx)，但本發明不以此為限。第四絕緣層340之厚度為0.001微米至0.3微米。在上述設置下，第四絕緣層340可做為外界光進入抗反射結構300的折射/反射的干涉薄膜。
接著，設置第三絕緣層330於第四絕緣層340上。第三絕緣層330的設置方法例如是採用化學氣相沉積法在第四絕緣層340上沉積第三絕緣層330。舉例而言，第三絕緣層330包含第一子絕緣層332以及第二子絕緣層334。在本實施例中，第一子絕緣層332以及第二子絕緣層334之材料可以相同或不同，係包含氧化矽(SixOy)或氮化矽(SiNx)，但本發明不以此為限。第一子絕緣層332之厚度為0.1微米至2微米，且第二子絕緣層334之厚度為0.1微米至2微米，但本發明不以此為限。在本實施例中，第二子絕緣層334具有多個開口O1，且這些開口O1分別對應發光層EL，但本發明不以此為限。
接著，設置導電層360於第三絕緣層330上。導電層360的設置方法例如是採用濺鍍沉積技術。在本實施例中，導電層360之材料係包含鉬，但本發明不以此為限。導電層360之厚度為0.01微米至0.05微米。在本實施例中，導電層360設置於第二子絕緣層334，且填入多個開口O1並接觸第一子絕緣層332。上述多個膜層疊構可做為抗反射結構300的抗反射層，其光反射率在可見光波段長(約380nm至約780nm)的範圍之間約為1%至2%，而能夠阻擋來自外界光的光反射，將低抗反射結構300的光反射率。此外，導電層360在上述的厚度範圍之間時，抗反射結構300的光穿透率可達52%以上，進而使得抗反射結構300具有良好的光穿透率，並提升電致發光元件400出光的亮度。
接著，設置第二絕緣層320於導電層360上。第二絕緣層320的設置方法例如是採用化學氣相沉積法在導電層360上沉積富含矽(Si-rich)及/或鍶的材料以作為第二絕緣層320。在本實施例中，第二絕緣層320之材料係包含氧化矽(SixOy)或氧化鍶(SrO)，但本發明不以此為限。第二絕緣層320之厚度為0.001微米至0.1微米。在上述設置下，可透過第二絕緣層320提升抗反射結構300於藍光範圍區段的光的穿透率並維持較低的光反射率。
然後，設置第一絕緣層310於第二絕緣層320上。第一絕緣層310例如是鈍化層。第一絕緣層310的設置方法例如是採用化學氣相沉積法在第二絕緣層320上沉積第一絕緣層310。在本實施例中，第一絕緣層310之材料係包含氧化矽(SixOy)或氮化 矽(SiNx)，但本發明不以此為限。第一絕緣層310之厚度為0.1微米至2微米。在上述設置下，藉由設置第一絕緣層310，可保護抗反射結構300，避免在進行抗反射結構300接合至第一基板100時對抗反射結構300造成損傷，而造成抗反射結構300的功能喪失。
接著，將抗反射結構300接合至第一基板100的電致發光元件400上。在本實施例中，第一絕緣層310位於電致發光元件400的第二電極420上，並與第二電極420接觸。第二電極420之厚度約為0.18微米，但本發明不以此為限。第二絕緣層320位於第一絕緣層310上。導電層360位於第二絕緣層320上。第三絕緣層330位於第二絕緣層320上。第四絕緣層340位於第三絕緣層330上，且與第二基板200接觸。在上述的設置下，抗反射結構300、主動元件T以及電致發光元件400係位於第一基板100以及第二基板200之間，因此抗反射結構300係被整合進抗反射整合觸控顯示面板10中，可以減少抗反射整合觸控顯示面板10的整體厚度，達成輕薄化抗反射整合觸控顯示面板10的效果。此外，更能減少抗反射整合觸控顯示面板10的中性軸之偏移，以提升抗反射整合觸控顯示面板10的可撓性。
值得注意的是，本實施例的多個觸控電極TP位於第三絕緣層330與第四絕緣層340之間。觸控電極TP之材料係包含鉬、銦錫氧化物或銦鋅氧化物。觸控電極TP之厚度為0.1微米至2微米。在本實施例中，抗反射整合觸控顯示面板10可藉由將觸控電 極TP整合進入抗反射結構300且特定地將觸控電極TP設置於第三絕緣層330與第四絕緣層340之間並與其接觸，因此可更進一步減少抗反射整合觸控顯示面板10的整體厚度並減少抗反射整合觸控顯示面板10的中性軸之偏移，以提升抗反射整合觸控顯示面板10的可撓性，且維持抗反射結構300良好之光穿透率及抗光反射率。
在本實施例中，抗反射整合觸控顯示面板10更可透過將觸控電極TP整合進抗反射結構300中，以達成內建式(in-cell)觸控面板的需求。請參考圖1、圖2以及圖3，以其中一個觸控電極TP上的區域R為例，本實施例透過圖案化觸控電極TP，可在觸控電極TP上形成多個開孔(未標示)以分別暴露出多個發光層EL及/或多個間隙物PS，但本發明不以此為限。如此，圖案化的觸控電極TP還可以應用為遮光層，降低抗反射整合觸控顯示面板10的光反射率，以降低外界光的反射、並防止抗反射整合影響觸控面板10的對比。另外，由於觸控電極TP在對應間隔物PS的位置上形成開口，因此可以減少形成在間隔物PS上的第二電極420對觸控電極TP的影響，降低雜訊對抗反射整合觸控顯示面板10的干擾。
此外，在本實施例中，第一子絕緣層332位於觸控電極TP與導電層360之間，且第二子絕緣層334位於第一子絕緣層332與第二絕緣層320之間。如此，觸控電極TP可與導電層360維持一定的距離，進一步避免影響抗反射整合觸控顯示面板10的 觸控靈敏度。
在本實施例中，由於第二基板200的折射率與抗反射結構300的第四絕緣層340的折射率不同，因此外界光在進入抗反射結構300後，可透過相位差的影響而產生破壞性的薄膜干涉，以減少外界光的反射。另外，導電層360除了可作為抗反射層外，其超薄的厚度範圍還能使抗反射結構300之光穿透率可達52%以上，提升抗反射結構300的光穿透率。再者，透過第二絕緣層320的厚度設計，還可提升抗反射結構300於藍光範圍區段的光源的穿透率，以提升電致發光元件400的亮度。
簡言之，由於本發明一實施例的抗反射整合觸控顯示面板10可以透過將觸控電極TP整合進抗反射結構300之中，再將抗反射結構300整合進抗反射整合觸控顯示面板10的第一基板100與第二基板200之間。因此，抗反射整合觸控顯示面板10可以達成內建式觸控的需求以及輕薄化抗反射整合觸控顯示面板10的效果，更能減少抗反射整合觸控顯示面板10的中性軸之偏移，以提升抗反射整合觸控顯示面板10的可撓性。圖案化的觸控電極TP還能應用為遮光層、降低抗反射整合觸控顯示面板10的光反射率、防止影響抗反射整合觸控顯示面板10的對比、以及降低雜訊對抗反射整合觸控顯示面板10的干擾。此外，抗反射結構300還能同時減少外界光的反射並提升光穿透率，進而能夠防止外界光影響抗反射整合觸控顯示面板10的對比並提升電致發光元件400出光的亮度，以提升抗反射整合觸控顯示面板10的顯示品質。 此外，更可透過抗反射結構300以取代傳統的圓偏光片，進一步降低抗反射整合觸控顯示面板10的製造成本。
下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，關於省略了相同技術內容的部分說明可參考前述實施例，下述實施例中不再重複贅述。
圖5為本發明的第二實施例的抗反射整合觸控顯示面板的剖面示意圖，為方便說明及觀察，圖5僅示意性地繪示一個區塊362A以及對應的一個開口O1。利用以下如在表2中所列的膜層及其厚度設計抗反射整合觸控顯示面板10A。請參考圖3及圖5，本發明的第二實施例的抗反射整合觸控顯示面板10A與圖3的抗反射整合觸控顯示面板10相似，主要的差異在於：導電層360A與觸控電極TP電性連接。在本實施例中，導電層360A係包含多個區塊362A，且這些區塊362A分別位於第二子絕緣層334A的這些開口O1中。在本實施例中，第二絕緣層320A可填入這些開口O1中，但本發明不以此為限。
在本實施例中，這些區塊362A分別與觸控電極TP電性連接。舉例而言，第一子絕緣層332A具有多個接觸洞V1，導電層360A的這些區塊362A位於開口O1中，接觸第一子絕緣層332A。這些區塊362A分別藉由這些接觸洞V1與觸控電極TP電性連接。在本實施例中，導電層360A與觸控電極TP之垂直距離H2為0.1微米至2微米。在上述的設置下，導電層360A可僅設置於對應發光層EL的開口O1中，而不是整面地位於第二絕緣層320A上。如此，除了可針對發光層EL，局部地提升抗反射結構300A的光穿透率外，還可以減少導電層360A對觸控電極TP之電容的影響，並避免雜訊的產生。
在本發明的實施例中，請參考表3所列的模擬數據：本發明之第一實施例的觸控電極之電容大於於封裝蓋板外貼附圓偏光片的比較例的觸控電極之電容且具較高的訊號強度(單位為皮法，pF)；本發明之第二實施例的觸控電極之電容大於於封裝蓋板外貼附圓偏光片的比較例的觸控電極之電容、具較高的訊號強度，且導電層360A還位於開口O1中，與對應開口O1的觸控電極TP電性連接在一起，因此可以提升抗反射整合觸控顯示面板10A對雜訊的屏蔽率。相較於比較例，本發明的第二實施例的抗反射整合觸控顯示面板10A，可以大幅地減少雜訊至小於比較例的雜訊的10000倍以下，更具有較佳的訊號雜訊比。因此，抗反射結構300A除了能同時降低外界光反射並提升光穿透率外，還可以透過減少雜訊，提升抗反射整合觸控顯示面板10A的觸控靈敏度，並提升抗反射整合觸控顯示面板10A的觸控品質。
綜上所述，本發明一實施例的抗反射整合觸控顯示面板，由於可透過將觸控電極整合進抗反射結構之中，再將抗反射結構整合進抗反射整合觸控顯示面板的第一基板與第二基板之間。因此，抗反射整合觸控顯示面板可以達成內建式觸控的需求以及輕薄化抗反射整合觸控顯示面板的效果，更能減少抗反射整合觸控顯示面板的中性軸之偏移，以提升抗反射整合觸控顯示面板的可撓性。圖案化的觸控電極還能應用為遮光層、降低抗反射整合觸控顯示面板的光反射率、防止影響抗反射整合觸控顯示面板的對比、以及降低雜訊對抗反射整合觸控顯示面板的干擾。此外，抗反射結構還能同時減少外界光的反射並提升光穿透率，進而能夠防止外界光影響抗反射整合觸控顯示面板的對比並提升電致發光元件出光的亮度，以提升抗反射整合觸控顯示面板的顯示品質。此外，更可透過抗反射結構以取代傳統的圓偏光片，進一步降低抗反射整合觸控顯示面板的製造成本。另外，由於抗反射結構還可以提升抗反射整合觸控顯示面板對雜訊的屏蔽率，以大幅地減少雜訊對觸控電極的影響，因此可以提升抗反射整合觸控顯示面板的觸控靈敏度，並提升抗反射整合觸控顯示面板的觸控品質。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視 後附的申請專利範圍所界定者為準。

Claims (9)

  1. 一種抗反射整合觸控顯示面板，包含：一抗反射結構，包含；一第一絕緣層，其中該第一絕緣層之材料包含氧化矽(SixOy)或氮化矽(SiNx)，且該第一絕緣層之厚度為0.1微米至2微米；一第二絕緣層位於該第一絕緣層上，其中該第二絕緣層之材料包含氧化矽(SixOy)或氧化鍶(SrO)，且該第二絕緣層之厚度為0.001微米至0.1微米；一導電層位於該第二絕緣層上，其中該導電層之材料包含鉬，且該導電層之厚度為0.01微米至0.05微米；一第三絕緣層位於該第二絕緣層上；以及一第四絕緣層位於該第三絕緣層上，其中該第四絕緣層之材料包含氮化矽(SiNx)，且該第四絕緣層之厚度為0.001微米至0.3微米；以及多個觸控電極位於該第三絕緣層與該第四絕緣層之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的抗反射整合觸控顯示面板，更包含：一主動元件；以及一電致發光元件，包含：一第一電極電性連接該主動元件；一第二電極，其中該第一絕緣層位於該第二電極上並與該第二電極接觸；以及一發光層位於該第一電極與該第二電極之間。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的抗反射整合觸控顯示面板，其中該第三絕緣層包含：一第一子絕緣層位於該些觸控電極與該導電層之間，其中該第一子絕緣層之材料包含氧化矽(SixOy)或氮化矽(SiNx)，且該第一子絕緣層之厚度為0.1微米至2微米；以及一第二子絕緣層位於該第一子絕緣層與該第二絕緣層之間，其中該第二子絕緣層之材料包含氧化矽(SixOy)或氮化矽(SiNx)，且該第二子絕緣層之厚度為0.1微米至2微米。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的抗反射整合觸控顯示面板，其中該導電層係包含多個區塊分別與該些觸控電極電性連接。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的抗反射整合觸控顯示面板，其中該第二子絕緣層具有多個開口，且該些區塊分別位於該些開口中。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的抗反射整合觸控顯示面板，其中該第一子絕緣層具有多個接觸洞，該些區塊分別藉由該些接觸洞與該些觸控電極電性連接，其中該導電層與該些觸控電極之垂直距離為0.1微米至2微米。
  7. 如申請專利範圍第2項所述的抗反射整合觸控顯示面板，更包含：一畫素定義層位於該主動元件上，且具有一容置區，其中該發光層之至少一部分係位於該容置區內；以及一間隙物位於該畫素定義層上，且該間隙物位於該第二電極以及該畫素定義層之間。
  8. 如申請專利範圍第2項所述的抗反射整合觸控顯示面板，更包含多條觸控訊號線，其中該些觸控電極分別電性連接於該些觸控訊號線，各該觸控電極之材料包含鉬、銦錫氧化物或銦鋅氧化物，且各該觸控電極之厚度為0.1微米至2微米。
  9. 如申請專利範圍第2項所述的抗反射整合觸控顯示面板，更包含：一第一基板；一第二基板，其中該抗反射結構、該些觸控電極、該主動元件、該電致發光元件係位於該第一基板以及該第二基板之間，其中該第一基板以及該第二基板之垂直距離為7.5微米至15微米；一保護層；以及一接合膠層位於該保護層以及該第二基板之間。
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